DDR2 SDRAM_百度百科
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DDR2 SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory是一种电脑存储器规格它属于SDRAM家族的存储器产品提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压是DDR SDRAM双倍数据率同步动态随机存取存储器的后继者也是现时流行的存储器产品由JEDEC电子设备工程联合委员会进行开发
拥有240个引脚不包括定位槽笔记本内存为200个引脚
DDR2内存的定位槽位于第64和65引脚之间反面位于第184和185引脚之间
DDR2内存均采用()封装形式特点是内存颗粒芯片引脚在颗粒下面
DDR2内存需要1.8V工作电压和0.9V的上拉电压数据线用
DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读写数据并且能够以内部控制总线4倍的速度运行
DDR2内存主要采用开关电源方式的供电电路也有少数采用调压方式供电DDR2Double Data Rate 2 SDRAM是由JEDEC电子设备工程联合委员会进行开发的新生代技术标准它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力即4bit数据读预取换句话说DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据并且能够以内部控制总线4倍的速度运行
此外由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用形式而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础回想起DDR的发展历程从第一代应用到个人的DDR200经过DDR266DDR333到今天的双通道DDR400技术第一代DDR的发展也走到了技术的极限已经很难通过常规办法提高内存的工作速度随着Intel最新处理器技术的发展前端总线对内存带宽的要求是越来越高拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋在了解DDR2内存诸多新技术前先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据从上表可以看出在同等核心频率下DDR2的实际工作频率是DDR的两倍这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力换句话说虽然DDR2和DDR一样都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力也就是说在同样100MHz的工作频率下DDR的实际频率为200MHz而DDR2则可以达到400MHz
这样也就出现了另一个问题在同等工作频率的DDR和DDR2内存中后者的内存延时要慢于前者举例来说DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟而后者具有高一倍的带宽实际上DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽它们都是3.2GB/s但是DDR400的核心工作频率是200MHz而DDR2-400的核心工作频率是100MHz也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400
DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力而是在采用更低发热量更低功耗的情况下DDR2可以获得更快的频率提升突破标准DDR的400MHZ限制
DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式这种封装形式可以很好的工作在200MHz上当频率更高时它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容这会影响它的稳定性和频率提升的难度这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因而DDR2内存均采用FBGA封装形式不同于目前广泛应用的TSOP封装形式FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障
DDR2内存采用1.8V电压相对于DDR标准的2.5V降低了不少从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量这一点的变化是意义重大的
除了以上所说的区别外DDR2还引入了三项新的技术它们是OCDODT和Post CAS
OCDOff-Chip Driver也就是所谓的离线驱动调整DDR II通过OCD可以提高信号的完整性DDR II通过调整上拉pull-up/下拉pull-down的电阻值使两者电压相等使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性通过控制电压来提高信号品质
ODTODT是内建核心的终结电阻器我们知道使用DDR SDRAM的上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻它大大增加了主板的制造成本实际上不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低终结电阻高则数据线的信噪比高但是信号反射也会增加因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组还会在一定程度上影响信号品质DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻这样可以保证最佳的信号波形使用DDR2不但可以降低主板成本还得到了最佳的信号品质这是DDR不能比拟的
Post CAS它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的在Post CAS操作中CAS信号读写/命令能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期CAS命令可以在附加延迟Additive Latency后面保持有效原来的tRCDRAS到CAS和延迟被ALAdditive Latency所取代AL可以在01234中进行设置由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突
总的来说DDR2采用了诸多的新技术改善了DDR的诸多不足虽然它目前有成本高延迟慢能诸多不足但相信随着技术的不断提高和完善这些问题终将得到解决标准名称存储器频率传输方式模块名称极限传输率DDR2-400100MHz10ns200MHz400MillionPC2-32003200MB/s64bitDDR2-533133MHz7.5ns266MHz533Million并行PC2-4266MB/s64bitDDR2-667166MHz6ns333MHz667Million并行PC2-5333MB/s64bitDDR2-800200MHz5ns400MHz800Million并行PC2-64006400MB/s64bitDDR2-1066266MHz3.75ns533MHz1066Million并行PC2-8533MB/s64bitDDR内存为184引脚不包括定位槽
DDR内存定位槽位于第52和53引脚之间反面位于第144和145针脚之间
DDR内存多采用封装形式
DDR内存工作电压2.5V
DDR内存预读取能力为DDR2的二分之一的引脚数封装方式与DDR2相同
DDR3内存定位槽位于第72和73引脚之间反面位于第192和193针脚之间
DDR3内存工作电压1.5V
DDR3内存预读取能力为DDR2的二倍
DDRDDR2DDR3电压 2.5V1.8V1.5VI/O接口SSTL_25SSTL_18SSTL_15数据传输率200~400400~800800~2000容量标准64M~1G256M~4G512M~8G值1.5/2/2.5/33/4/5/65/6/7/8预读取248逻辑数量2/44/88/16突发长度2/4/84/88封装形式TSOPFBGAFBGA针脚数Pin184240240
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内存DDR是什么意思啊？
提问者采纳
及ServerWorks都已宣布支持DDR内存。主板及系统支持DDR内存在2000的Q4中已获引进,现在金士顿公司(Kingston)已准备开始向全球接受订单开始大量供货了。 那么究竟什么是DDR内存呢,而SDRAM则应用168pins。因此,DDR应用184pins, Via Technology,积极合作来发展符合行业需求的标准体系。Kingston是JEDEC的长期会员, nVidia,便携式,椤 主要的技术及芯片公司, Silicon Integrated Systems (SiS),其技术优势又在何处呢,服务器,PC133 SDRAM技术发展而来。这一新技术使新一代的高性能计算机系统成为可能,希望这一新的内存产品全面提升系统的处理速度和带宽,PC100,并且是JEDEC的理事会成员, AMD,请让我们先了解一下这样新的事物。 DDR是Double Data Rate SDRAM的缩写（双倍数据速率）。DDR SDRAM内存技术是从主流的PC66,包括Intel,因其合理的性价比从其诞生以来一直受到人们热烈的期望,但两侧的线数不同,从而降低了内存芯片的成本。Kingston能够利用其现有的制造与测试设备在全球范围内提供DDR,也包括新的通信产品,如路由器。DDR内存目前被广泛应用于高性能图形适配器。 DDR DIMMs与SDRAM DIMMs的物理元数相同,程序及测试设备生产,DDR内存不向后兼容SDRAM,要求专为DDR设计的主板与系统。 DDR内存技术是成熟的PC100和PC133SDRAM技术的革命性进步。DDR内存芯片由半导体制造商用现有的晶圆片,工作站,简单地说就是双通道内存的意思。 DDR内存现在渐渐成为内存市场中新的宠儿,国际上少数内存生产商之一的金士顿公司（Kingston）其实在去年年底就已完成了批量生产DDR内存的生产线的建设,就连对Rambus抱有无限希望的Intel公司也向外界宣布将以最快的速度生产支持DDR内存的新一代P4系统。不难看出,DDR真的是大势所趋。 近来市场上已闻诸多厂商开始陆续推出自己的DDR内存产品,在2001年将被大量采用。 DDR DIMM的规范由JEDEC定案。JEDEC是电子行业联盟的半导体工业标准化组织。大约300家会员公司提交行业中每一环节的标准, Acer Labs (Ali), ATI,包括台式机,
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否则会造成系统的不稳定)也有所区别。按照电子工程设计发展联合协会（JEDEC）的定义(规格书编号为JESD79),4～6 层印刷电路板,橐还灿184个接脚,电气接口则由「LVTTL」改变为「SSTL2」。在其它组件或封装上则与SDRAM,s)。
DDR SDRAM 在规格上按信号延迟时间(CL,分为2ns以及2,橄啾,5ns(ns为十亿分之一秒)。较快的 CL= 2 加上 PC 2100 规格的 DDR SDRAM称作 DDR 266A,由日本电气,例如PC100与PC133。而DDR SDRAM则是以数据传输量作为命名原则,因此也称为「SDRAM II」。其最重要的改变是在界面数据传输上,日立,三星及现代等八家公司协议订立的内存规格,单位 MB&#47,s(64bit×100MHz×2÷8＝1600MBytes&#47,5 加上PC 2100规格的DDR SDRAM 则称作 DDR 266B。另外,并得到了AMD,改为采用184针(pin),要等待多少个系统时钟周期后才进行读取的动作。一般而言是越短越好,德州仪器,例如PC1600以及PC2100,数据传输量为 1600MB&#47,而 DDR266与PC2100 也是一样的情形(64bit×133MHz×2÷8＝2128MBytes&#47,而较慢的 CL= 2,橄嗤DR SDRAM,CL是指内存在收到讯号后,三菱,与SDRAM的,使数据传输率达到SDR(Single Data Rate)SDRAM 的2倍。至于寻址与控制信号则与SDRAM相同,他在时钟信号的上升沿与下降沿均可进行数据处理,椴糠萦隨DRAM,s),富士通,且只有一个缺槽,较慢的 PC1600 DDR SDRAM 在这方面则是没有特别的编号。,东芝,CAS Latency,不过这还要看内存颗粒的原始设定值,VIA与SiS等主要芯片组厂商的支持。它是SDRAM 的升级版本,DDR SDRAM一共有两种CAS延迟,仅在时钟上升沿传送。
DDR SDRAM,椴⒉患嫒荨 DDR SDRAM在命名原则上也与SDRAM不同。SDRAM的命名是按照时钟频率来命名的,s。所以 DDR SDRAM中的DDR200 其实与 PC1600 是相同的规格,DDR SDRAM最早是由三星公司于1996年提出,
这里有你要的答案DDR究竟为何物呢？DDR（Double Data Rate）SDRAM ，即支持倍速资料传输的内存 芯片，它是目前SDRAM的更新产品。DDR 的核心建立在SDRAM的基础上，但在速度和容量上都有了提高。首先，它使用了更多、更先进的同步电路。其次，DDR使用了Delay-Locked Loop (DLL，延时锁定回路)来提供一个数据滤波信号（DataStrobe signal）。当数据有效时，存储器控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16位输出一次，并且同步来自不同的双存储器模块的数据。它不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，并且允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而在相同频率下，其速度是标准SDRAM的两倍。
从外形上看DDR与传统的SDRAM相比差别并不大，它们具有同样的长度与同样的管脚距离。然而，DDR内存具有184只管脚和一个小缺口，从管脚数上看DDR内存比传统的SDRAM多出16只管脚，这些管脚主要包含了新的阀门控制、时钟、电源和接地等信号。JEDEC把DDR内存的规格定义为PC1600和PC2100，传统的称呼是基于时钟频率命名，而现行的DDR内存是基于传输速率命名。
DDR内存虽然采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准，但是它仍然可以沿用现有的SDRAM生产体系，对于内存制造商而言，只要对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，只是生产成本比SDRAM略高10%左右，但还是远低于RAMBUS内存的生产成本。从性能上看，规格为PC2100的内存条的标称带宽可以达到2.218GB/s，在其他配置完全相同的情况下使用DDR内存系统的整体性能要比使用SDRAM内存的系统提高10%左右。此外，DDR内存还具有较短的反应时间，在系统总线频率不超过400MHz的情况下，使用DDR内存的整机性能要高于使用RAMBUS内存的整机。也许是因为这些优点，DDR内存获得了众多厂商的认同。
由于DDR SDRAM内存标准有着很好的发展前景，几乎每个芯片组厂商都会推出支持DDR SDRAM内存的主板芯片组，而目前已经有产品上市的则包括业界几大重要厂商威盛、AMD、扬智、矽统。
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又保持与CPU完全同步,只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进,它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据,可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据,部分初学者也,每16次输出一次,并重新同步来自不同存储器,3V电压的LVTTL标准。,比SDRAM多出了16个针脚,榈氖荨DL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度,严格的说DDR应该叫DDR SDRAM,仍然沿用SDRAM生产体系,存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据,因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM相比,使指定地址,人们习惯称为DDR,当数据有效时,电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2,而不是SDRAM使用的3,延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术,因而其速度是标准SDRA的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大,他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚,DDR使用了DLL(Delay Locked Loop,而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据,5V电压的SSTL2标准,它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据,就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写,时钟,即可实现DDR内存的生产,因此对于内存厂商而言,主要包含了新的控制,是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的,数据的输送和输出主要步骤既独立执行,DDR运用了更先进的同步电路,它是在时钟的上升期进行数据传输,吹紻DR SDRAM,
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出门在外也不愁ddr3 是什么意思？_百度知道
ddr3 是什么意思？
就是DDR第三代 是目前最好的DDR内存 1600是它的频率频率越高 性能也就越好但是目前DDR3都是用在高端主板上的 例如 华硕 玩家国度,
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出门在外也不愁DDR400是什么意思
DDR400是什么意思
我不明白DDR400和DDR266和DDR333这间有什么不同?
DDRDDR表示DoubleDateRate,即双数据速度内存.它是SDRAM的演进,当然也是高速的内存.传统的内存是在时钟的下降沿来存取数据.DDR技术则遵从Jedec标准,既在时钟的上沿取数据又不放过时钟的下沿,故有双倍的带宽,其峰值带宽可达到1.6GHZ.同时,该技术支持新的改进的校验方法.DDR内存需要新的高速时钟和芯片组,自然也要求有新的主板支持.以前的DDR内存有83MHZ,100MHZ,125MHZ,133MHZ,100MHZ，333，400等都是指频率，当然频率越高越好啦！现在市场上DDR内存从速度上有DDR266、DDR333和DDR400三种规格分别对应的数据传输量分别是PC2100、PC2700和PC3200，单位是M/S，并且所有规格都是向下兼容的，当然速度越快，价格也越高。从品牌上看，主流的有现代（HY）、三星、宇瞻、MT、kingston、kingmax等等。内存颗粒封装工艺除了kingmax采用TinyBGA封装外，其他的内存都采用传统TSOP封装技术。
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