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楼主| 副总工程师(6820) |
主题: &【龙腾原创】小功率开关电源中辅助供电VCC设计相关总结（已完结）
开关电源是系统供电的核心，而IC的VCC供电又是开关电源的核心。在debug的过程中，很多时候通过观察VCC波形就可以发现问题所在或者直接就是VCC异常导致的。
小功率的基本是使用简单的绕组整流提供VCC，大功率的电源有专门的供电电源，但此供电电源里也存在绕组整流供电。针对VCC，网上看到的比较零散，同时也发现有一些存在认识上的不足。
本帖将结合自己开发产品过程中碰到的相关问题，对小功率电源中辅助供电VCC设计相关进行总结，供大家参考。同时也欢迎大家提出自己不同的见解，共同探讨，提高。
本帖目前主要从以下几点阐述，后面酌情增加内容，图会慢慢加上。
先列个大纲：
1.连接到VCC的3种典型启动方式的优劣分析；
2.空载的VCC电压到底该设置为多少;
3.D1、R1、D2的作用和选择;
4.VCC与功耗的关系（空载和短路）;
5.VCC绕组与EMI的关系;
6.与VCC有关的几个典型问题.
1楼|&工程师 (1675) |
VCC绕组其实也可以做简单的过压、过流保护。
2楼|&本网技师 (242) |
你保护过压了，芯片怎么检测过载了呢。
支持楼主写到全桥的VCC去，全桥的VCC特别有写头。
3楼|&工程师 (452) |
50楼|&工程师 (1020) |
<font color=#FD楼|&工程师 (498) |
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<font color=#FD楼|&工程师 (498) |
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7楼|&专家 (44850) |
你过压过流会同时出现吗？全桥你不采用独立的辅助电源供电吗？
21楼|&副总工程师 (6820) |
全桥，已是大功率的范畴了。领域不一样，对大小功率的划分也不一样。
4楼|&总工程师 (12771) |
IC 的 VCC 是很重要。
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
那是当然了， 输入电压取决于芯片能否正常工作
5楼|&副总工程师 (6820) |
1.连接到VCC的3种典型启动方式的优劣分析：
第一种方式：从整流桥后的Vbulk处接电阻到VCC，见下图的R3、R4。
此处要注意R3、R4的耐压，如果是普通的1206电阻，至少要3颗；用高压类型的，也最好用2颗。
这种启动方式是早期的，由于R3、R4一直在消耗功率，在追求低空载功耗的今天，基本已被淘汰。
6楼|&副总工程师 (6820) |
由于第一种方式启动功耗较大，于是又了第二种方式：从整流桥前的L或者N处接电阻到VCC，见下图的R2、R3、R7。
这种启动方式比第一种相比，R上的功耗降低了，缺点是启动速度变慢了，但一般电源的开机时间要求并不严格，基本可以满足要求，也是目前用的较多的启动方式。
对于存在X电容放电电阻的，还可以利用这放电电阻，见下图。可以省去多余的启动电阻，节省空间和成本。
8楼|&工程师 (649) |
是否把软启动的各个电路发来欣赏下啊
9楼|&副总工程师 (6820) |
这只是启动哦，不是软启动，是想学习软启动原理？现在初级软启动基本都集成在IC内部了。
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
以前设计的时候主要就是RC了
10楼|&副总工程师 (6820) |
以上两种方式在启动结束后都有功耗，且启动速度不够快，第三种方式高压启动，可以避免这两种不足。高压启动一般是通过内部电流源给VCC电容充电，充满由VCC绕组供电后切断电流源，断开电阻，损耗低。
启动速度快，损耗低是高压启动的优点，但其成本会增加，对成本敏感的小功率电源而言不是首选。
11楼|&副总工程师 (6820) |
典型的3种启动方式已列出，不知大家是否还有其它物美价廉的启动方式？
这里留个开放讨论题吧：
如果采用方式二来启动，有什么好方法来加快启动？
14楼|&副总工程师 (6371) |
用第二种的话，再弄一级启动，最终又要加钱
18楼|&副总工程师 (6820) |
你给个图出来？
关于这个加速启动的，相信很多人都不一样的，适当加点钱可以接受，要的是性价比。
19楼|&副总工程师 (6371) |
在VCC那里多加一个D和一个电解
20楼|&副总工程师 (6820) |
这个方式在第三个主题里会涉及到，有利也有弊。
<font color=#FD楼|&工程师 (1020) |
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
这个电容是主要缓冲
<font color=#FD楼|&工程师 (733) |
较小启动电阻的阻值能否达到？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
减小启动电阻效果有限，因为你不可能减的非常小，有能耗要求。
从理论上讲，如果设置启动电流=IC的工作电流，那么VCC电压就不会掉，但那是不可能的。
<font color=#FD楼|&本网技师 (233) |
切断电流源，断开电阻是怎么回事呢？辅助绕组供电的话不是会通过电阻吗？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
切断恒流源，是IC内部的逻辑，相当于HV脚与bus断开了。
辅助绕组的电压与HV pin不直接相连哦，且电平关系，不会有电流流过电阻。
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
恒流源I为定值，断路后R为无穷大，导致U为无穷大。
恒压源U为定值，短路后R为0，导致I为无穷大。
无论I还是U变成无穷大都是很可怕的。
51楼|&总工程师 (23155) |
桥前的话,是不是存在浪涌或是spike过高时损坏IC的风险?
88楼|&副总工程师 (6820) |
不会，详见68楼
<font color=#FD楼|&工程师 (1542) |
这么大的电阻，浪涌或spike的能量能够进入IC的很少（被电阻消耗掉了），基本上不考虑
87楼|&工程师 (1801) |
ncp1250的vcc最大值为28v，从整流桥之前接AC电源过来会不会电压太高?
89楼|&副总工程师 (6820) |
为什么电压会太高？
一般空载电压设置为十几V，满载的时候就20V左右，没有问题的。
90楼|&工程师 (1801) |
整流桥前段的电压不是85-260AC吗
91楼|&总工程师 (23155) |
有一堆电阻啊...
93楼|&工程师 (1801) |
是指这些电阻限流给电容充电，所以电压不会过高时吗？我试着仿真了一下，忽略共模电感，结果在电容上的电压非常的小并且电压会到0.
94楼|&高级工程师 (3408) |
不二兄，不能这么仿的哦
高压母线给Vcc电容充电到IC的启动电压后，converter工作，Vcc被辅助线圈接管
95楼|&工程师 (1801) |
是的，我也看到了楼主对充电方法的说明。一开始我觉得上电的时候vcc的电压会非常大，但是我的那个电路里貌似vcc达不到开启电压，我仿出来的只有350多mv。
96楼|&副总工程师 (6820) |
提醒一下，注意AC电压与桥后GND的之间的波形，你上面仿真共地了，再试试。
98楼|&工程师 (1801) |
仿真修改后如下，
vcc的电压是
设计的原理是当vcc上升到工作电压后，电路启动，然后由辅助绕组来供电，是这个意思吗？我这个仿真的vcc电压会一直上升，辅助绕组不会被二极管屏蔽了吗？
99楼|&高级工程师 (3408) |
一旦converter启动，与Probe1-node相连的辅助线圈，就变成了一个独立的电压源Vcc，由叠加原理得，Probe1-node被钳位到Vcc
<font color=#FD楼|&工程师 (1801) |
谢谢，我再放到电路里试试。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
你说的被屏蔽意思是二极管的单向导电性，如果阴极电位高于阳极电位，一直无法导通是吧？这种情况是不会发生的。
<font color=#FD楼|&工程师 (1020) |
楼上说的有些道理。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
说那种情况不可能发生是因为假如不导通，电容撑不住，VCC电压就会掉到阳极以下，VCC绕组迟早要过来接管，只是时间快慢而已。
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
为什么不能导通呢，一般情况下都可以的
<font color=#FD楼|&本网技工 (107) |
| 最新回复 11:35
由叠加原理，先计算高压启动交流电单独作用时Vcc的电压。由于辅助绕组被看作电压源，因此视为短路，由于二极管1n4148反偏，相当于开路；此时交流线电压被限流电阻R21和Vcc引脚到地的阻抗分压，分压后得Vcc电压，该电压也是交流，记为U1。
然后计算辅助绕组单独作用时Vcc的电压。交流源被视作短路，因此Vcc电压就是辅助绕组电压；记为U2。
所以Vcc在任意时刻电压应为U1+U2，即一个直流分量加一个交流分量，交流分量直接影响Vcc纹波。
实际测试时确实观测到Vcc电压纹波较大，不知道是不是因为使用这种高压启动方案而不可避免的。
97楼|&副总工程师 (6820) |
草兄，可以扩展一下：
假如现在IC的VCC pin虚焊了，会出现什么状况？
<font color=#FD楼|&高级工程师 (3408) |
如不二兄仿真的那样，因Converter不工作-----&辅助线圈相当于悬空------&VCC电容上升到Vbulk----&VCC Capacitor死的很有节奏感
获得的评分或赠予：赠予 - 操作者：拒绝变帅&&&操作：+20P&&操作时间： 08:58:06操作理由：世纪电源网，因你而精彩！
<font color=#FD楼|&本网新手 (96) |
VCC电容到了启动电压后，IC工作一下，把VCC电容电量消耗掉，不是进入循环吗？
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
这个也要看温度的，你想啊，如果温度使元件变热，参数有变化了
<font color=#FD楼|&本网新手 (96) |
哦，是VCC虚汗。。。没看清楚 - &-
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
<font color=#FD楼|&本网技工 (107) |
请问整流桥工作后Vcc被辅助绕组接管，为什么下面您说是由叠加原理得到，能详细解释一下吗？谢谢。
<font color=#FD楼|&工程师 (410) |
那接到整流桥前的话，那几个启动电阻阻值应该如何去计算？
<font color=#FD楼|&工程师 (753) |
对于第三种解法，实际上引入了交流50HZ电流到IC，并且在Y电容2端的纹波变大。不知道过传导和辐射会有什么影响不？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
50Hz是低频，而且已经转化为直流了，对传导和辐射没有影响。
<font color=#FD楼|&工程师 (753) |
没有经过整流管，怎么会变成直流？
楼主实测下，Y电容的纹波，传统大电解拉电阻的启动方式下，Y电容的纹波
& & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & & X电容拉电阻的启动方式下，Y电容的纹波
结果很明显，X电容纹波较大。50HZ为主。因没有仪器，无法判定是否合格
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
启动后由VCC整流钳位住了。
这是你的理解还是有相似经历？
<font color=#FD楼|&工程师 (753) |
示波器看得，以前爱这样用，用示波器看Y电容上有80-110V 50HZ就不敢这样接了
<font color=#FD楼|&工程师 (753) |
还有个缺点是，大电解的电放电速度慢，调试的时候，经常无意被电到
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
1、你的Y电容是怎么接的？
2、在调试的时候一般关机后都对大电解放一下电，习惯问题。
& & & 同时缺点也明显啊，功耗加大了。而且这里是高压，要用几颗电阻串联，加钱加空间。
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
电阻和电容串联吗 主要作用是用来吸收反向电压尖峰
<font color=#FD楼|&工程师 (1046) |
<font color=#FD楼|&工程师 (1542) |
理解了，蛮不错的知识啊！
<font color=#FD楼|&本网技师 (285) |
很精彩的一个帖子，好。
请教楼主一下，如果是从AC接启动电阻的话，那么算这个IC的启动时间要如何算？
<font color=#FD楼|&工程师 (410) |
1：你说的第二种方式：从整流桥前的L或者N处接电阻到VCC，我输入为85V~265V，那 R2、R3、R7阻值如何取值呢？取多大的电阻才满足输入为85V~265V开机可以正常启动。
2：这种启动方式通过电阻分压还是AC电压，请问PWM IC是如何启动的呢？
<font color=#FD楼|&总工程师 (10235) |
这种电阻采样的方式需要兼顾高低压，计算的方式一般是满足低压启动所需要的最小电压为标准。
这样就带来了一个问题，高压的时候，电阻上面的功耗会很大，你可能需要增加额外的电路，在IC启动后，关断这个回路，降低功耗。
<font color=#FD楼|&工程师 (410) |
那我该按输入为低压算 R2 ,R3 &,R7电阻呢？还是按高压来算呢？
<font color=#FD楼|&总工程师 (10235) |
算电阻的阻值需要按照低压来计算，以满足最小的启动电流。确保IC低压可以启动。
算电阻的功耗需要按照高压来计算，确保在高压的时候电阻的功率降额满足要求，不至于烧坏了。
明白了吧？
<font color=#FD楼|&工程师 (410) |
谢谢，明白了。对了，我还有一点不明，就是输入电压已经定了为85Vac，电流不知，那IC的启动电流一般取多少来算呢？有了电流才能算出 R2 R3 R7的阻值呀。
12楼|&高级工程师 (3408) |
一种改进待机功耗的办法，估计不太实用...
15楼|&工程师 (814) |
这种电路书中很多，用的多不多就不知道了。
16楼|&专家 (44850) |
实用，如果你的ic用3525这种ic，你就知道这种电路多好乐。
17楼|&总工程师 (12771) |
一直这么用。
25楼|&副总工程师 (6820) |
在小功率的应用中，不仅是成本，空间也很有限，加上以上电路占空间太多，这种情况下，高压启动IC是首选了。
你们也许不信，我们现在的设计，没有多余的元件，无法去掉任何一个元件。
32楼|&总工程师 (12771) |
不同产品，要求不一样。
这段来做的项目，要么就是用这样的启动电路，要么就是有辅助电源。
33楼|&副总工程师 (6820) |
要向你们多学习大功率电源的设计经验，一直以来玩的都是小功率。
35楼|&总工程师 (12771) |
我也没做很大功率的。
目前，也就1kW以下。
36楼|&副总工程师 (6820) |
对于我来说，也是大功率，我做的较多的是300W以下的，所以对小功率的应用熟悉些。
38楼|&总工程师 (12771) |
一般来说，500W左右，算是一个砍。
超过500W，是有很多东西要注意了。
做出功能是不难，但要做出好的效果就要下点功夫。
39楼|&副总工程师 (6820) |
大功率的电源，至少在空间和成本方面不会被限制的很死。
对于小功率的，开发过程解问题，由于空间和成本所限，很多时候都是有对策没法导入，要很仔细的设计，不断的尝试，多方面的平衡。
66楼|&总工程师 (12771) |
是的，功率稍大点的，对成本要求就没那么紧。
待机功耗什么的，一般也不要求。
主要是要求的可靠。
<font color=#FD楼|&工程师 (514) |
确实是这样的，我也需要学习大功率的电源了。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
被说中了~~~
<font color=#FD楼|&工程师 (1020) |
占楼学习下。
70楼|&工程师 (702) |
这种电路很常见。
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
在两级开关电源中，应关断PFC级，以满足待机功耗法规的要求。关断PFC级的主要原因是大多数PFC控制器没有间歇工作（Burst-&operation）特性。如果PFC控制器不支持间歇工作模式，PFC级将会连续工作，即便在无负载条件下也会吸取能量。因此，对于带有现有PFC控制&器的两级开关电源设计而言，关断PFC级是唯一可行的方法。
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
建议使用一种简单的辅助电路，将PFC的工作与准谐振反激DC-DC转换器进行同步，因为当DC-DC转换器开始间歇工作时，PFC级也能够进入间歇工作模式。一旦第二级反激转换器结束间歇模式工作，PFC级会立即退出间歇工作模式。PFC级的偏置电源受到准谐振反激DC-DC转换器反馈的控制
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
负载从满负载到无负载，再到满负载过程&中的工作波形。一旦第二级反激转换器进入间歇工作，PFC级便进入间歇工作模式，并与反激转换器同步停止间歇工作模式。通过对PFC级执行间歇工作，可以&消除可能引起潜在问题的大浪涌电流，并且大幅降低待机功耗。
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
下面的图片，怎么看？
<font color=#FD楼|&工程师 (835) |
不知所云，真心看不懂你在说什么！真是搞笑！
13楼|&工程师 (1185) |
哈哈，好久没见你开帖，顶下~~~
22楼|&副总工程师 (6820) |
可以说多年不见啦，看了也提点建议哈~
23楼|&工程师 (666) |
24楼|&副总工程师 (6820) |
2.空载的VCC电压到底该设置为多少？
有说法是设在Vcc（min）之2V左右，这算经验值，但并严谨。
此时虽然可以保证VCC工作，但在一些动态的时候可能出问题，见下图。
在时间t内，Vo下降很慢，此时原边MOS不传递能量，但VCC由于IC耗电导致下降速度大于Vo，如果VCC设计不够高，很容易下降到下限值导致VCC重启。
这种情况下一般有以下几种方法解决：
1、加假负载，让Vo的下降速度大于VCC，这种方式在追求六级能效要求的今天，不会采用。
2、加大VCC电压，也就是增加VCC绕组圈数，这会增加几个mW的功耗；
3、加大VCC电容，但需要确认开机时间是否会超出规格；
4、加快环路反应速度，这需要重新确认相位和增益裕量。
由于VCC跌落到多少与IC功耗，VCC设定值，环路反应速度等有关，我的建议是：在最恶劣情况（一般为满载切空载）VCC跌落到的最小值要大于Vcc（min）1V以上。具体取多大需要折中考虑。
26楼|&工程师 (649) |
28楼|&副总工程师 (6820) |
你的IC规格以及应用情况？设在9V一般都是不够的。
27楼|&副总工程师 (6820) |
对于一些特殊的要求，按以上考虑还不够，比如具有CV/CC功能的适配器，需要保持CC模式到多少V以下，此时输出电压较低，VCC绕组电压也降低。
这就需要在整个CC范围内都要保证VCC都有足够的电压。一般是通过增加VCC圈数来满足要求。
其实有时候也可以不用增加VCC圈数，而是通过改变VCC与Vo绕组的耦合关系来提升VCC电压。具体该如何绕制以及其中的道理相信大家也明白。
29楼|&本网技师 (230) |
电源技术群:
30楼|&工程师 (753) |
HV脚上的电阻要取多大,有没有个合适的算法
31楼|&副总工程师 (6820) |
这个具体要看IC的HV脚的原理，有的需要接电阻限流来达到保护IC的目的。
现在很多IC的HV是通过内部的恒流源给VCC充电，可以不接电阻，直接从bulk接到HV脚。建议还是个电阻，这个电阻的取值要根据IC规格来定，取大了在电阻上的压降就大，可能达不到HV所需要的最小电压（一般为30V~50V）而无法启动；取小了或者不接，IC的功耗可能会加大，比如短路保护的时候。
能否提供个具体的IC规格来算算？
<font color=#FD楼|&工程师 (924) |
保护芯片有很多方法吧, 电阻是最直接的
<font color=#FD楼|&工程师 (514) |
这是什么时候开的群，适合什么类型的电源，是专搞技术的不？
44楼|&总工程师 (23155) |
此图不错！
45楼|&副总工程师 (6820) |
是说24楼的图吗？这个只有在VCC这里碰到过问题的人才有体会，要不看了也没感觉的。
34楼|&副总工程师 (6820) |
3、D1、R1、D2的作用和选择
见下图：一般是C2远大于C1，通过D1的隔断，较小的C1可以使启动时间更快，较大的C2和C1一起提供稳定的VCC电压。
启动电流经Rstartup对C1充电，直到VCC达到UVLO(on)点，之后IC开始工作打出驱动（此时VCC开始掉电,见下图），待VCC绕组电压建立稳压。在这过程中要特别注意C1的取值，不能太小，需要撑到VCC绕组电压来接管，否则IC将进入不断的重启状态。尤其是输出需要带容性负载，Vo建立较慢，VCC需要维持更久。
37楼|&副总工程师 (6820) |
关于D2的选择很关键，有人说用快管，有人说用慢管，在实际的产品中慢管、快管均有用到，如何选择取决于D2对传导、辐射以及stress的影响。
关于R1，在此处承受压降，使空满载的VCC电压变化范围不要太大，这是其一。要注意R1的耐压，一般为几个ohm，根据功率来算耐压可能1V都不到，建议至少用0805封装。
R1的第二个作用是可以当作跳线，方便layout走线。
R1的第三个作用是在一些特殊应用中可以作为fuse用，从而满足安规要求。
<font color=#FD楼|&本网技师 (233) |
变化范围不要太大？电阻的压降也不多吧？
万一你VCC电压变化大，那电阻的压降也不多，怎么就变化不大了呢？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
电阻的压降也只是微调，如果真的变化很大，那还是从耦合关系入手。有的多个电压输出甚至加线性稳压的都有可能。
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
那就看你周边元件的设计了
<font color=#FD楼|&工程师 (861) |
D2的选择是很重要，实际产品中慢管和快管都可以，但是有没有挖掘更深的原因？
一般来讲，D2的反向恢复时间要大于反激次级整流二极管的反向恢复时间！
原因:如果比次级的整流管还要快，那么漏感尖峰会使IC OVP 保护。
R1电阻的第四个作用，我认为是最重要的一个作用就是抑制漏感Spike尖峰以免IC OVP。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
1、抑制尖峰的目的是什么？其实对传导的高频段和辐射对有好处，电阻也起这作用。
2、关于IC的OVP作用，你可以去量尖峰电压的时间，很短的，OVP检测为了避免误触发会有个delay时间，不要这电阻也不会触发OVP。实际中我经常把这个电阻用0ohm电阻。
<font color=#FD楼|&工程师 (861) |
那是你变压器的漏感控制的比较好，换个漏感大的变压器试试？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
不知道你的OVP是如何做的？这个与OVP的触发模式有很大的关系。
我这里虽然也是通过VCC绕组来做OVP，但不受漏感的影响，不管多大的漏感也不会误触发OVP。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
FB检测电压去控制，但是检测的时候刚好在尖峰突起的地方，那应该是误动作了
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
有这样的IC吗？举个例子。
如果真是这样，这样的触发保护模式就不理想，存在bug。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
我现在做的这个机子也是这样子，所以如果那里有尖峰的话是挺危险的，会导致误触发
所以那里一般会多留一个小电容的位置，更烂点的IC，我还会留一个二极管的位置
结果那下拉那里好多个空着的位置~~~
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
我是不理解你说的检测FB如何得知是输出电压上去了？这个绕组尖峰与FB电压又有什么关系？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
输出电压是通过FB来反馈回来了
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
模拟OVP的时候，会短光耦的1和2脚，会导致FB上升，就靠这个来检测OVP啊？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
原边的没有光耦
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
即使是这样还是检测VCC绕组的电压是否上去，对于OVP保护应该要有避免误触发的措施，这与IC的设计有关。
比如下面的，不管尖峰多大，都不会误触发OVP保护，IC内部做了处理。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
IC内部有OVP保护阀值电压，到达之后触发。。。但是在国内这些IC里面没看到有说明这个的
更没有明确的说明有尖峰怎么办的。。。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
一般是这样的：
1、有个几百nS~1uS的blanking delay，如果尖峰小于这个时间宽度就没有问题。
2、需要持续几个周期都达到保护阀值才会触发，具体几个周期看IC内部设定。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
明白，多谢帅兄指点，目前都是用国内的IC，基本上都讲的不清不楚
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
国内的IC为了所谓的保密，内部框图都不详细的，甚至故意画错都有可能，碰到过这样的。
这对于debug来说很麻烦，碰到一些现象很难理解和解释，还是需要原厂提供更多信息。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
小公司，原厂基本上是不会理会的
现在都是直接问你有多大的单啊。。。
我操，样品都没看到，东西都没经过我验证，还想直接下单给你啊。。。
我现在在用的这个OB的IC内部框图也是很坑爹的，基本上不明白是什么关系，只知道是有关系的
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
是说的这个吧？这个框图的确很简洁&
你用的这IC，可以深究下：OVP是怎么保护的？
<font color=#FD楼|&工程师 (861) |
OCP_TH有一个恒流源，对外接的电阻充电，并且与CS脚的电压比较，达到限值触发OCP保护。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
叶工请教个问题
这个OCP_TH用不同的阻值表现出来的几个阀值电压，最根本的不同点是在哪里？？？
例如，用33K为0.9V，用110K为3V，那这个峰值保护有什么改变呢？功率方面是怎么变化的呢？
<font color=#FD楼|&工程师 (861) |
根本的不同在于短路时的MOS管的峰值电流不同。电阻不同，短路时的峰值电流分别是对应的OVP电压除以Rs，自然短路的功率也就不一样。
话说你是怎么知道我的ID，还知道我的姓?
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
这个还联系到OVP那边去了？OVP不是由ZCD去控制的吗？那么我们根据什么东西去选定这个值呢？？？这个是最主要的，感觉用哪个值都可以的样子。。。
/180802.html
叶工在这里讨论讨论，就是用的这个IC整的
额，知道你姓什么不难吧，你账号上面都写了啊。。。
<font color=#FD楼|&工程师 (861) |
这个IC是用了乘法器的，由框图可以看出来他是一个电流模式的IC；有的IC也不用乘法器的，内部锯齿波做PWM模块的输入，这个时候检测CS的电压仅仅是为了OCP用，所以，这类IC基本上都是电压模式。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
这个IC的OVP保护是通过ZCD脚来实现的，内部有4V的保护阀值，到达之后会触发OVP保护
<font color=#FD楼|&工程师 (861) |
这个恰恰是这个IC的败笔--这个IC要带很大的假负载，才能够实现ZCD脚的OVP,如果假负载带小了，ZCD脚OVP动作两次就不保护了，VCC电压会一直上升，直到达到VCC的OVP点.
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
叶工的意思是这个假负载的阻值小了，OVP动作两次之后就不保护了是吗？
<font color=#FD楼|&工程师 (861) |
假负载的阻值小了，假负载更大啊！
我的意思是假负载太轻，也就是假负载的阻值太小了，ZCD脚OVP两次就不保护了。
不知道你手上有没有这个IC，反正我是碰到过。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
我没有弄到OVP保护过，因为我加假负载也是可以的，不会让他乱飘上去
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
你210楼回答的没有深入啊 &
这IC OVP是latch-off mode不？为什么能够锁得住？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
IC内部不清楚呀。。。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
为什么OVP两次就不保护了？有进一步研究？
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
OVP保护的电压是指哪的电压?是次级的输出电压,还是初级的直流母线电压?
<font color=#FD楼|&高级工程师 (4476) |
话说，那些FAE是怎么成长起来的呢？一开始原厂培训下？？感觉他们完全没有学习的技术来源啊
<font color=#FD楼|&本网技师 (233) |
一般的IC都是延时2.5uS，来检测的，就是避免那个尖峰
<font color=#FD楼|&工程师 (861) |
OVP就是Vcc达到IC的最高电压而触发过压保护啊！
可能我讲的还不是很清楚----
如果你的漏感尖峰大，而且正好你的Vcc整流管的反向恢复时间是比次级整流管的快，那么这个尖峰会优先从Vcc的整流管通过，从而触发IC OVP。
举个例子：PSR架构的恒流电源，输出最高60V，此时Vcc为18V，而IC标明20V达到OVP点。
假设次级输出选用50ns的快恢复管，Vcc整流管分别用1N4148（4ns）,US1D (50nS),RS1D(150ns),带载60V，你会发现用1N4148的管子会有问题，用示波器看看Vcc的波形就明白我说的了。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
PSR的都是用VCC来做OVP保护的吗？不做PSR。
我们基本不用VCC来做OVP，有很多不便或者说无法实现吧。
采用的IC有另外一个pin做OVP，VCC的电压不用设太高。
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
想问下这个是吗？
<font color=#FD楼|&本网技师 (233) |
打出驱动怎么解释？是说电容停止充电进入放电吗？然后二极管导通？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
打出驱动是说IC开始工作了，提供pulse给MOS。
此时电容边充边放，只是充电电流较小，而IC的工作电流较大，反应在VCC电容上就是掉电压了。
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
这个是放电的吗？
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
从能量转化角度看，导体棒下落中减少的重力势能一部分转化为动能，另一部分转化为电场能，贮藏在电容器中
<font color=#FD楼|&本网技师 (233) |
为什么C2远大于C1呢？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
C1小是为了启动快，C2大是为稳定工作后提供能量。
如果C2大，就会导致启动慢，加的那个二极管就失去作用了。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
发现，原来数字也有通假字
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
晕，果然打错了啊&
应该是：如果C1大，就会导致启动慢，加的那个二极管就失去作用了。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6371) |
悄悄的改了嘛，这里没第二个人
<font color=#FD楼|&本网技师 (233) |
<font color=#FD楼|&本网技师 (233) |
能具体解释一下不？怎么C1大，二极管就没用了？电容越大充电越慢？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
加二极管的目的是为了平衡启动时间和VCC电容的矛盾，启动的时候给小的电容充电，减小了启动时间。如果C1太大，启动时间慢。
<font color=#FD楼|&本网技师 (233) |
怎么平衡二极管呢？可以解释一下不
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
当启动充电的时候，只给小电容充电（大电容被二极管挡住了），启动时间就快了。
当输出上升，VCC建立后就通过大电容供电，保证足够的能量供应。
<font color=#FD楼|&本网技师 (233) |
en ,谢谢，充电是由通过电阻那个通路给C1吗？还有那辅绕组不会导通二极管对电容充电？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
是的，通过电阻给C1充电，辅助绕组也会通过二极管对电容充电，这就是我们需要的维持VCC能量啊。
<font color=#FD楼|&本网技师 (233) |
大电容供电的时候能确保可以导通二极管吗？
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
这样电压会高一点，一般都用大容量的
<font color=#FD楼|&工程师 (733) |
&LZ &想问一个问题，如果在Rstartup上方的电压比D1负极
的电压低，D1会通过Rstartup给AC充电吗？ & 加一个二极管D3后呢？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
你说的这情况有可能，但只有当启动电阻很小的时候，才需要加D3，大多IC的datasheet里也会加个D。
但实际可以看情况，一般这里的电阻都会用Mohm级的，即使AC=0，放电也很慢的，不回影响VCC电压，可以省去这个D。
<font color=#FD楼|&工程师 (733) |
& 我的启动电阻是10K，Vcc电容3uF。本不想加这个D3的，老大说加了轻载效率高，空载损耗小。帅兄，你怎么看？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
如果要空载损耗小，应该尽量增大启动电阻，用10K感觉太小了，启动时间要求多快？
<font color=#FD楼|&工程师 (733) |
& & & & & &我也有点犹豫，其实开机时间有4S的。我还在辅助线圈的电解电容上，并了一个51K的电阻。目的是想让IC处于重启状态，这样能减小损耗吗？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
你是说规格要求是4S吗？这样可以将启动电阻加大，损耗降低。
VCC电解并51K会增加损耗的，是基于什么考虑？
<font color=#FD楼|&工程师 (733) |
& 想在空载的时候，IC通过电阻放电，VCC电压掉到UVLO以下，IC进入不断重启状态，类似深度Burst_mode。不知道能不能实现？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
你空载的时候输出电压不需要稳压吗？
<font color=#FD楼|&工程师 (1022) |
空载的时候消耗那么小， 电压也是固定的
<font color=#FD楼|&工程师 (514) |
请问，C1电容的取值该如何取呢，计算方法可以帮忙列出来吗?
40楼|&副总工程师 (6820) |
4.VCC与功耗的关系（空载和短路）
Ploss=VCC*IC空载工作电流（一般为0.5mA~1mA），一般情况下不必太在意，但对于超低功耗要求的电源，比如要求空载功耗小于30mW、10mW甚至更低，此时VCC的功耗设计就显得很重要。
下面说一下短路功耗：输出短路时的输入功率与原边的电流的IPK有很大的关系，限制IPK是一个方法。但IPK需要MOS开通才有，因此也可以选择以下的方式来进一步降低短路功耗。
VCC在over load时的情况：
VCC在前两次到达VCC（on）时不打出脉冲，直到第三次才打开脉冲，这样的模式对降低短路功耗非常明显。对短路功耗要求高的电源，可以选择具有这样功能的IC。
41楼|&副总工程师 (6820) |
至此，前面4个主题就结束了。
后面的辅助绕组与EMI的关系，在此帖里不打算具体展开，主要是通过一个实际案例对比来说明，解决EMI也可以不多花钱、不多损效率。
42楼|&工程师 (574) |
VCC空载 带载变化太大有什么办法解决
43楼|&本网技师 (271) |
好贴！精确计算供电电容的值，取最佳值，应该才是最有性价比的。楼主的方法好，就是有些需要加零件，那都是钱，对老板来说，你懂的！
46楼|&副总工程师 (6820) |
精确计算其实不是最有性价比的，稳态可以比较准。但在瞬态的时候，VCC电压会跌到多少与VCC初始电平、IC耗电多少、环路响应速度都有关，计算的一般都偏小。
尤其是瞬态时候的VCC，设计是否合理就很关键。
最简单的VCC启动方式是从X电容两颗放电电阻的中间直接拉到VCC端，目前我在用的方式，你还有更简的？
有时候加钱是必须的，比如开机时间要求在1S或0.5S内启动，你不采用高压启动的IC？还有更经济的方式？
为防止楼层太乱，下面一起回答42楼的问题：
空满载VCC变化范围太大问题，其实IC的供电范围都很宽的，只要没有其他影响，不下对策也行。
如果要下对策，可以串电阻，如34楼中的R1；也可以调整VCC绕组使它与副边绕组的耦合更好，减小漏感的影响。
47楼|&高级工程师 (3408) |
恰好下午搭建了个反激仿真，验证一下，动态负载对IC供电VCC的影响：（注：环路已经补偿好了）
The Schematic:
48楼|&总工程师 (23155) |
动态频率太快了,试下200HZ.&
49楼|&高级工程师 (3408) |
嗯，Current Pulse就是设定的200Hz
52楼|&副总工程师 (6820) |
动态的范围是多少跳到多少？
54楼|&高级工程师 (3408) |
小功率5V-1A，动态0.1A--1A---0.1A，间隔2.5ms
56楼|&副总工程师 (6820) |
这个一般测试是直接在电子负载上测试，按load键ON/OFF，手动操作，频率1Hz~2Hz。
是从满载到空载0A，你可以按这个条件再仿一下。
60楼|&高级工程师 (3408) |
按照帅兄说的方法测试了一下，波形要多难看有多难看（应该是Vcc跌到欠压保护点了）
61楼|&副总工程师 (6820) |
我24楼的图就是实测的，可以看看VCC的max-min值有多大，解决方法我都总结在上面了。
很多人估计都没有这么测试，VCC设计不好就容易出事。&
64楼|&高级工程师 (3408) |
赞一个，非常有实践价值
<font color=#FD楼|&工程师 (1020) |
53楼|&总工程师 (23155) |
看错了,我以为是uS单位.
55楼|&高级工程师 (3408) |
PS：仿真对比发现，12楼的启动电路非常好使，启动非常快，就是成本不占优势
57楼|&总工程师 (23155) |
这个加速启动,只在有限的几处应用看到,小功率占地方占cost,大功率的话不太在意启动时间.
59楼|&副总工程师 (6820) |
启动时间就是看客户要求，看其应用场合，比如3S内启动，上面的普通的启动电路都可以满足。
之前开发一个要求1S内启动，不得不用高压启动。
58楼|&副总工程师 (6820) |
& 现在高压启动都集成在IC内部了，相对来说更省空间和成本。
对于一些传统IC，没有集成高压启动，外加这个电路是非常有用的。
62楼|&本网技师 (242) |
pice仿真电源感觉精准度如何？
63楼|&高级工程师 (3408) |
个人理解，这取决于使用者的电源专业基础知识是否扎实，采用的仿真器件模型是否考虑到了实际情况------这样，谈仿真的精准度才有意义
65楼|&本网技师 (242) |
挺羡慕pice的模型支持的，做运放的时候真爽，saber要转一下，经常性报错。
67楼|&副总工程师 (6820) |
你是说spice模型转saber吗？的确，很多都不能转化，因为有些spice模型加密了。
很多半导体厂商都会提供spice模型，对于支持此模型的软件非常方便导入，这一点saber远远不如。
<font color=#FD楼|&工程师 (1020) |
用saber的话 就是模型有点少啊。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
saber的自带模型在仿真软件中算是很多的了，比较齐全。
只是IC厂商支持的少，大多提供SPICE模型。
68楼|&总工程师 (23155) |
楼层太多了，51楼的问题再说一次，我以前碰到过这样的问题：
桥前接线到VCC的话,是不是存在浪涌或是spike过高时损坏IC的风险?
69楼|&副总工程师 (6820) |
不知道你打的浪涌等级是？以及参数？
这个是差模能量，到VCC一般都有Mohm级别的电阻，可以起到限流作用。加上VCC电容的吸收和IC本身的抗浪涌能力，过浪涌是没有问题的，观察这两点的波形，没有异常。
我们一般的规格都是差模2KV以下，打能力值到3KV也是OK的。
71楼|&总工程师 (23155) |
以前打过失效过，估计是LAYOUT问题。因为从你的描述来看，即使挂也是从启动电阻开始。
72楼|&副总工程师 (6820) |
后来怎么解决的？改layout好了？
73楼|&总工程师 (23155) |
<font color=#FD楼|&工程师 (733) |
启动电阻改为Surge电阻，保护IC。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
改surge电阻保护IC？这个位置一般是用的高压类型的，VDC=500V。
74楼|&副总工程师 (6820) |
5.VCC绕组与EMI的关系
VCC绕组与EMI有关系大家都已有共识，但到底影响有多大，影响什么频段呢？
在小批量测试中发现有的EMI很好，可以达到10dB以上，有的很差，见下图，存在一致性问题。
以上结果虽然过认证没有问题，但明显裕量不足，在批量的时候会出问题。
下面为经过调整VCC绕组后的波形，裕量都有10dB以上。
75楼|&工程师 (1675) |
补充一点：
VCC绕在第二层（NP与NS之间），传导会好一点点，但辐射好像是差一点点，我记得几年前试过。
《精通开关电源》里面好像也有提到过。
76楼|&副总工程师 (6820) |
我们的设计都是把VCC绕组放在NP与NS之间，基本成了标配设计。
对于传导和辐射，经过我这几年的实践，对于一些结论，很多都持保留意见，很多写书、写资料的基本都基于自己碰到的案例给出结论，但这结论放到10个案例，100个案例，都能得到相同的结果吗？这个就不一定了，一样的对策，可能在这个案例上是变好的，在另一个案子上可能就没有效果甚至变差。
77楼|&工程师 (1675) |
传导、辐射其实与漏感的关系很大（耦合程度）。
而漏感与分布电容的关系是矛盾的，所以这个理论上是说的通的。
我也多次做过这种实验，小日本的那本《开关电源手册》里也有过介绍。
78楼|&副总工程师 (6820) |
漏感与分布电容的关系是矛盾的没有错，可并不是说分布电容越小或者越大好，这个要看你原边干扰源和副边干扰源哪个占主导。
理论只是基于特定的前提条件成立，实际中的情况千差万别。
79楼|&工程师 (1675) |
肯定是这样子的.谁都想过B，但好多时候头搞大了，只能硬着头皮在规格书里挂个A。
80楼|&副总工程师 (6820) |
你们的产品没有客户规格吗？没有安规认证要求吗？&
如果是民用的，应该是class B。
对于辐射和传导，我们从来不会降低要求，即使多花一个月、两个月。。。
81楼|&工程师 (1675) |
不严格，民品一直比工业品严格
82楼|&副总工程师 (6820) |
我们经常民品和工业品在实验室里一起整改，做工业品的看到我们做民品的波形，相当羡慕，对于他们来说可以直接pass了，无需整改。而我们也羡慕他们的规格要求没那么严。
其实不管什么规格，要做成产品都很不容易。
<font color=#FD楼|&高级工程师 (4063) |
那个en55022b 感觉非隔离 频率在30-40K 左右容易过些
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
采用隔离非隔离根据产品类型决定，频率设置在30~40K对传导的低频段有好处，特别是三倍频在150K之外，这样可以使用更小的X电容，节省成本和空间，但会带来一些新问题。
<font color=#FD楼|&本网技工 (156) |
帅总,可以简单谈下,当干扰源在初级,或者在次级的时候,变压器如何优先考虑漏感和分布电容呢?比如说,我一个电路,输入端EMI对策空间比较足,可以下很多功夫,但输出端不能接任何共模电感.EMI测试发现只要输出端加个电感就可以过了.在这种情况下,如何将次级EMI转嫁到初级?
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
以下供参考：
1、既然在输出端加共模电感有效，那一般也可以把这个共模电感加在输入端，至于圈数和core的μ值根据实际可能要微调。
2、如果这个干扰有通过变压器，就可以通过调节变压器的寄生电容来达到平衡（寄生电容不是越小越小也不是越大越好）。
3、要看此干扰是谁产生的，比如是副边二极管的反向恢复，或者线路寄生参数谐振产生等等，可以加磁珠，改变谐振参数这些招来抑制。
<font color=#FD楼|&工程师 (1542) |
说得不错，EMC要针对具体情况与案例而言
83楼|&副总工程师 (6820) |
接74楼内容：
上面案例中变压器的绕组结构为：初级--屏蔽--次级--VCC--初级
此例显示出了EMI与VCC绕组的关系，同时也说明解EMI并不一定需要以牺牲效率为代价，只要了解其原理，可以用简单、经济的方式。其实从变压器着手，不需要动layout，是个很不错的方法。
关于原理，此帖不展开，将在以下帖中说明：
传导超标整改——分析、建模、验证
6.与VCC有关的几个典型问题
第一个就是低温下，电源无法启动问题。
相信很多人都有碰到过，尤其是初做电源的人。其原因是低温下，VCC电容的容值降低，在VCC为IC供电但aux winding还未接管时间内，VCC下降到Vccmin以下而不断重启。解决方法一般是加大VCC电容，这个简单、方便。
第二个是打ESD时，会损坏控制IC。
经过进一步确认是VCC pin的GND之间短路。观察VCC波形发现在打ESD时VCC上的电压会超出IC VCC规格的上限。
解决方法是调整VCC绕组与副边绕组的耦合，使之耦合更好，同时在VCC处增加稳压管。
这个应该还有其他更好的解决方法，待发现。
第三个就是在动态的时候，VCC无法维持住导致VCC不断重启。
在24楼有详细的解释，同时也给出了解决对策。在60楼，草兄也模拟仿真了这种情况。
以上是我碰到的几个有VCC有关的问题，不可能包含所有的情况。
关于VCC的相关总结就到此了，希望对大家能有点用处。
如你有其他的问题和看法也欢迎提出大家探讨。
84楼|&本网技工 (101) |
总结得太好了，经典！好好学习一下
<font color=#FD楼|&高级工程师 (2150) |
面案例中变压器的绕组结构为：初级--屏蔽--次级--VCC--初级
上述绕法是EMC变好了的，还是EMC参差不齐的绕法？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
EMI好坏都是一样的绕法：初级--屏蔽--次级--VCC--初级
这里解决的是一致性的问题，就是变压器有的可以过，有的不可以过。
<font color=#FD楼|&高级工程师 (2150) |
原来这样，就是调机余量再足，制造时乱搞一通，也会超标啊。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
是的，所以我们需要把变压器的规格定义的更加细致。
<font color=#FD楼|&本网技师 (285) |
这里说的一致性差具体是指什么？变压器的绕制工艺吗？
<font color=#FD楼|&本网技师 (285) |
变压器的绕法一样，那一致性的问题是如何解决的？
<font color=#FD楼|&高级工程师 (4063) |
楼主，问下现在我还在用38xx的芯片 我一般采用的是您介绍的第三种供电方法，但是我觉得，这个在VCC绕组给芯片供电后，实际上启动电阻还在消耗功率，您这有能够在VCC由辅助绕组供电后，切断启动电阻的的电路么？？急求啊 现在做的这个电源打算用下
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
是的，启动电阻在消耗功率，但这里是利用的X电容的放电电阻，对于这种泄放方式，放电电阻本身一直就在损耗的，并不能说是启动导致的损耗。
不知道你的功耗要求是多少？如果比较严，可以参考12楼草兄给的启动后切断线路。
其实38XX芯片有很多功能都没有，换带高压启动的IC也是一种选择。
<font color=#FD楼|&本网技工 (185) |
12楼的图只是在电源正常工作的时候也就是辅助绕组VCC电压正常的时候，当电源发生异常情况下，PWM关闭后，VCC电压不能保持了，这个时候启动电路还是要工作了…………，借帅哥的热帖发一下自己的求助帖
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
你需要的是PWM关闭后启动电路不工作？那启动电路什么时候动作得根据你的负载判断？
<font color=#FD楼|&本网技工 (185) |
恩 例如过压保护后，在母线电压有电的时候能切断启动回路（这样就不会存在元件损耗发热的问题了），当然在断电后能够释放，不然下次就不能启动了……
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
你是要做产品还是做研究？
<font color=#FD楼|&本网技工 (185) |
帅哥，产品设计…………
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
那你还用38XX？实现你要的功能需要很多外围电路。
<font color=#FD楼|&本网技工 (185) |
能给个参考吗？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
感觉逻辑有点问题：比如现在你OVP保护了，母线电压还有残电，你启动电路不工作，此时AC又进来不是起不来了？
OVP后对重启时间没有要求？
<font color=#FD楼|&本网技工 (185) |
没有要求，必须断电重新上电
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
这样，你只是为了节省bus放电这一段时间内启动电阻的损耗，我觉得得不偿失。
这个设计对于IC内部来实现很简单，只要检测到OVP保护了就切断高压启动恒流源，当bus电压低于某个值又开始动作。可以问问几个主流IC厂商有没有相关产品，一般比分立的功耗更低。
<font color=#FD楼|&本网技工 (185) |
帅哥可能理解错了，不是为了节省bus放电这一段时间，即使OVP保护后，BUS上的电压也是一直存在的。所以启动电路上的功耗就一直存在的，除非想办法切断启动回路（例如关断电路中的高压三极管）
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
嗯， 理解了。
就是说检测到OVP保护了就切断启动电路，如果bus电压一直在某个值之上就不启动，降低损耗。只有拔了插头断了输入使bus电压放掉才能再启动。
是这样吧？
<font color=#FD楼|&本网技工 (185) |
帅哥，是这样的
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
这样用外围电路搭的话，还是要检测bus电压？损耗？
再说说我的理解：
对于OVP，对于电源来说，是内部出了故障，比如某个元件短路或者开路，电源也是不正常的了，此时再去关注它的功耗有什么意义？
电源要有OVP保护是为了保护后级电路或者后级系统，不是为了保护它自己。
<font color=#FD楼|&高级工程师 (3408) |
也就是说检测到了故障后，变换器直接进入锁定状态，只有重新上电它才启动，可以这么理解不？
如实如此，3843估计就不合适了，实现此功能外围太复杂，可考虑用集成度比较高的IC：
<font color=#FD楼|&本网技工 (185) |
看一下这个帖子，另外你提到的这个IC的特点是？价格和供货如何？
<font color=#FD楼|&高级工程师 (3408) |
检测到故障（OVP，OCP，OLP等），均会促发变换器的Latch off，拔掉插头重新上电才会Restart. 价格和供货不详，没采购过
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
草兄，这颗IC不错，刚出来没多久，很多功能都集成了，价钱应该不便宜。
是否调过，空载损耗能否做到50mW以下？
<font color=#FD楼|&高级工程师 (3408) |
我没有调过，官方做的Demo基本待机指标为：
获得的评分或赠予：赠予 - 操作者：拒绝变帅&&&操作：+20P&&操作时间： 15:42:17操作理由：世纪电源网，因你而精彩！
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
嗯，不错，看来NXP在空载损耗方面做的很不错。
同时看到了平均效率，其实91%没太大参考价值，用了同步整流，而且测的是PCB端，而不是线端。
<font color=#FD楼|&本网技工 (185) |
如果是不允许重复启动的OCP呢？
<font color=#FD楼|&本网技工 (185) |
帅哥，我和领导说了一下这个情况，但是领导说电源可以保护了，但是电源启动电路部分如果一直在工作，功耗太高（由于输入范围跨度太宽），导致元件发热失效，导致电源炸了，影响就不好了……
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
草兄推荐的芯片不错，只是HV脚的耐压只有700V，不好直接利用。
如果只是担心发热失效，其实不用担心，用最原始的拉电阻启动也可以，用Mohm级的，你可以自己算算损耗多多少，注意电阻耐压。
<font color=#FD楼|&本网技工 (185) |
如果只用最原始的拉电阻的方式，由于电源输入电压跨度太大（200-1500），这样会导致在高压的情况下电阻功耗太大……
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
不知道你说的功耗太大是多大？用5~6个电阻串联，每个分担到的也就80mW左右，启动后关断。
缺点是低压的时候启动很慢，看看能否采用分段启动，不同的bus电压采用不同的启动电阻。
<font color=#FD楼|&本网技工 (185) |
80mw?DC200v的时候启动电流选的多少？
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
你得换启动电流1uA左右的IC，现在这样的IC很多了。
<font color=#FD楼|&工程师 (733) |
第一个问题
& & & & & &LZ我有些疑问，一般Vcc电容是电解电容型，你加大了容值，尺寸方面能满足吗？
第二个问题&
& & & & & 在确定是误动作的条件下，能不能尝试更改铜箔的走线方式，比如Cbulk GND 、CY1 GND 、 辅助线圈GND 、Vcc GND &&
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
1、加大容值，尺寸可以满足。一般VCC电容的高度较矮，大容值的可以找瘦高的，直径可以不变。
2、第二个问题，的确可以尝试，GND受干扰容易引起误动作。
<font color=#FD楼|&工程师 (1542) |
楼主上述的前面的两个问题，化二也遇到过。
<font color=#FD楼|&本网技师 (285) |
这里说调整VCC绕组，具体是指调？谢谢
85楼|&工程师 (1801) |
更完了？没有跟上大部队啊。
86楼|&副总工程师 (6820) |
原计划的内容就更新到此，如有问题，可以提出来探讨，我会继续关注的。
92楼|&工程师 (1136) |
不错，这种帖子感觉最棒，有始有终！多谢！
<font color=#FD楼|&工程师 (426) |
副边绕组的能量 会不会 也传到辅助绕组的啊？他们之间应该有相关性吧？科普下&
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
副边绕组的能量不会传到辅助绕组，它们之间的相关性就是交叉调整率了。
<font color=#FD楼|&本网技师 (204) |
这也是一种辅助电源的方案
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
我这个小功率的，一个二极管，一个电容就行了。
<font color=#FD楼|&高级工程师 (2140) |
来晚了啊，呵呵。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6820) |
什么时候来都不晚，欢迎发表看法。
<font color=#FD楼|&副总工程师 (6017) |
<font color=#FD楼|&工程师 (407) |
认真看看先，楼主什么时候在做一个贴关于saber
<font color=#FD楼|&本网技工 (105) |
<font color=#FD楼|&本网技师 (274) |
我们小功率的基本使用第二种
其它都是另作辅助电源
<font color=#FD楼|&本网技师 (223) |
顶，楼主总结的很好，支持下！
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