耳机电子膜片做时用什么砂
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耳机电子膜片做时用什么砂
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TFC09全国薄膜技术学术研讨会会议日程
8月15日，地点：电子科大一教一楼会议室全国薄膜技术学术研讨会开幕式主持人谭宁
9：00-9：10潘峰教授致开幕词[中国真空学会副理事长、薄膜专业委员会主任]
9：10-9：20李言荣教授[电子科技大学微固学院院长]
大会邀请报告地点：电子科大一教一楼会议室
主持人潘峰 韩高荣
9：30-10：00赵连城院士
（哈尔滨工业大学）
红外光电薄膜材料与器件研究10：00-10：30张政军教授
（清华大学）
物理气相沉积制备纳米结构薄膜10：30-11：00李言荣教授
（电子科技大学）
介电/半导体集成薄膜生长控制及其性能研究11：00-11：10休息11：10-11：40张群教授
（复旦大学）
新型氧化物薄膜晶体管的研究进展11：40-12：10刘敏研究员
（广州有色院）
真空喷涂和真空镀膜技术研究12：10-14：00中餐、午休
主持人董闯 李言荣
14：00-14：30叶辉教授
（浙江大学）
锗硅半导体量子点及薄膜的制备研究14：30-15：00朱建国教授
（四川大学）
多层纳米铁电薄膜介电增强机理15：00-15：30宫声凯教授
（北京航空航天大学）
电子束物理气相沉积NiRuAl阻扩散涂层研究15：30-16：00田修波教授
（哈尔滨工业大学）
高功率脉冲磁控溅射技术----灵活的薄膜技术16：00-16：10休息16：10-16：40冷永祥教授
（西南交通大学）
纳米多层薄膜性能及其应用16：40-17：10杨传仁教授
（电子科技大学）
薄膜无源集成技术及其应用17：10-17：40李剑锋博士
（大连交通大学）
太阳能高温选择性吸收涂层进展17：40-18：10企业产品介绍
18：10-20：00晚宴
主持人潘峰
20：00-21：30中国真空学会薄膜专业委员会工作会议（全体到会委员参加）
8月16日全天四个分会场开始分组交流
第一分会场：电子科大一教一楼会议室，8月16日上午8：30-12：00
主持人张群 张卫
8：30-8：45杨玉超
（清华大学）
新一代超快高密Ag/ZnO:Mn/Pt非易失性阻变存储器及其工作机理8：45-9：00张敬祎
(青岛环友等离子体所)
微波沉积难熔金属及化合物介绍9：00-9：15梁广兴
(深圳大学)
基底温度对离子束溅射法制备AZO透明导电薄膜的影响
9：15-9：30郑壮豪
(深圳大学)
离子束溅射制备Sb2Te3热电薄膜9：30-9：45王守国
(中科院微电子所)
纳秒脉冲常压辉光放电等离子体及薄膜表面改性研究9：45-10：00张瑜
(西南交通大学)
氧流量对等离子体浸没离子注入与沉积制备Fe-O薄膜的性能影响的研究10：00-10：15彭丽平
(北京航空制造工程所)
铝基复合材料表面多层复合厚膜的研究10：15-10：30休息10：30-10：45刘恒全
(西南交通大学)
基体表面质量对薄膜结合力的影响10：45-11：00徐健
(北京东方新材料公司)
硬质涂层设备的研究与开发11：00-11：15卢春灿
(西南大学)
类金刚石薄膜结合力改善技术11：15-11：30李红凯
(大连理工大学)
脉冲偏压电弧离子镀DLC-MeN复合薄膜11：30-11：45黄延伟
（复旦大学）
p型掺锂氧化镍透明氧化物半导体薄膜的制备及性能研究11：45-12：00杨铭
（复旦大学）
P型导电Ni0.9Cu0.1O透明氧化物半导体薄膜的研究第二分会场：电子科大微固学院137会议室，
8月16日上午8：30-12：00
主持人卜忍安 李争显
8：30-8：45钟智勇
（电子科技大学）新一代微波/毫米波器件用磁性薄膜材料的研究进展8：45-9：00王庆富
（中国工程物理研究院）
铀表面纳米铌镀层的组织结构与力学性能研究9：00-9：15董磊
（天津师范大学）
正交试验法制备TiB2/Si3N4纳米多层膜及其制硬机理的讨论
9：15-9：30崔晓莉
（复旦大学）
氮掺杂纳米结构TiO2 薄膜的制备及其可见光光电性能9：30-9：45何延春
（兰州物理所）
全固态电致变色热控薄膜的制备与性能9：45-10：00陈卫
（东南大学）
太阳能电池用下转换材料的研究10：00-10：15鄢强
（核工业西南物理研究院）
用于太阳电池的ZnTe:Cu背接触层薄膜10：15-10：30休息10：30-10：45杨旭
（西安工业大学）
直流磁控溅射制备氧化钒薄膜10：45-11：00尹博
（东南大学）
CuInSe2(112)表面结构的第一性原理计算11：00-11：15杨宁
（西安交通大学）
磁控溅射法制作SED的工艺研究11：15-11：30望咏林
（北京航空材料研究院）
辅助离子束对中频孪生反应磁控溅射制备氧化钛光学薄膜的影响
11：30-11：45张学宇
（大连理工大学）
ECR-PECVD制备n型微晶硅薄膜的研究11：45-12：00施洋
（西安工业大学）
太阳能模拟器滤光片研制与测试第三分会场：电子科大光电学院一楼会议室
8月16日上午8：30-12：00
主持人任妮 娄朝刚
8：30-8：45任妮
(兰州物理所)
脉冲电弧沉积的掺钛多层类金刚石薄膜性能研究8：45-9：00罗景庭
（清华大学）
钒掺杂ZnO薄膜微结构和光学性能9：00-9：15朱晓莹
（清华大学）
周期结构对Ag/Fe纳米多层膜硬度与蠕变性能的影响9：15-9：30姜肃猛
(中科院金属研究所)
梯度NiCoCrAlYSi涂层的制备及高温性能研究9：30-9：45罗世永
（北京印刷学院）
介质层漏电流测试方法9：45-10：00万先松
(中科院金属研究所)
电弧离子镀Cr-N薄膜工艺参数与性能研究10：00-10：15周毅
(中科院宁波材料所)
多样品分析法测定吸收薄膜的厚度与光学常数的研究10：15-10：30休息10：30-10：45王成伟
（西北师范大学）
DLCNRs/TiO2/Ti纳米复合结构场发射特性研究10：45-11：00陈焘
(兰州物理所)
TiO2/Na3AlF6光学薄膜应力的研究11：00-11：15张霄
（西安工业大学）
PECVD法在硅基底上沉积SiO2薄膜的光学特性研究11：15-11：30孟昕
（大连理工大学）
GDC/YSZ多层氧离子导体电解质薄膜稳定性研究11：30-11：45杨纪震
（东南大学）
纳米氧化锌减反射薄膜的研究11：45-12：00张波
（中国科技大学）
直流磁控溅射法镀TiZrV薄膜的实验研究第四分会场：电子科大光电学院二楼会议室
8月16日上午8：30-12：00
主持人白海力 张平
8：30-8：45熊玉卿
(兰州物理所)
导电聚合物的制备及其性能研究8：45-9：00胡芳
（广东工业大学）
微喷砂预处理对硬质合金上沉积类金刚石薄膜结合力的影响9：00-9：15刘亚军(东南大学)
电子束蒸发制备纳米柱状SiO2减反射膜9：15-9：30郭晓川
（西安工业大学）
UBMS和PVAD技术制备DLC薄膜表面粗糙度研究9：30-9：45黄美东
（天津师范大学）
磁控溅射AlN 薄膜的光学性能研究9：45-10：　　00杜军
(装甲兵工程学院)
永磁体表面电弧离子镀制备ZrN薄膜的结构与性能10：00-10：15李鹏（天津大学）
反应溅射外延Fe3O4薄膜的各向异性磁电阻10：15-10：30休息10：30-10：45张欢欢
（大连理工大学）
热氧化法制备ZnO薄膜的结构及光学特性10：45-11：00张晓锋
（北京航空材料研究院)
透明导电银合金薄膜抗湿热氧化性研究11：00-11：15王锦标
（西南交通大学）
不同注入剂量和注入能量对氧化钛薄膜结构的影响11：15-11：30庄立波
（电子科技大学）
掺杂薄膜中超轻元素的EDS定量分析11：30-11：45武生虎
(兰州物理所)
空间环境对环氧复合材料表面Al膜的影响研究11：45-12：00管昌雨
（大连理工大学）
射频磁控溅射制备B-C-N薄膜及其结构和成分表征8月16日下午14：00
第一分会场：电子科大一教一楼会议室
主持人陈长琦张世伟
14：00-14：15刘宏开
（兰州物理所）
光学薄膜优化设计—非线性单纯性优化算法的应用14：15-14：30白富栋
（大连理工大学）
在微粉表面磁控溅射镀铝钌合金膜的研究14：30-14：45柳伟达
（北京有色金属研究院）
RPCVD生长SiGe薄膜及其性能研究14：45-15：00李硕
（芬兰倍耐克公司）
原子层沉积技术在非IC领域应用的现状与展望15：00-15：15郭江涛
（合肥工业大学）
掺钨VO2薄膜的制备及其相变特性研究15：15-15：30陈美艳
（核工业西南物理所）
聚变堆面对等离子体材料与热沉间符合梯度涂层的工艺研究15：30-15：45丁迪
（大连理工大学）
HWCVD法在柔性衬底上制备无定形硅薄膜15：45-16：00休息16：00-16：15张世伟
（东北大学）
双靶共溅射沉积系统的成分均匀性计算与结构优化16：15-16：30杨传仁
（电子科技大学）
介质移相器用铁电薄膜研究16：30-16：45董骐
（北京丹普表面技术公司）
阴极电弧TiN膜层的观察检测和比较16：45-17：00赵志伟
（东南大学）
纳米团簇束沉积技术及ZnO薄膜的制备与表征17：00-17：15伍建华
（北京航空材料研究院）
柔性基底上Al膜的低能离子束辅助磁控溅射沉积17：15-17：30牟宗信
（大连理工大学）
中频孪生脉冲磁控溅射反应沉积薄膜的反应气体影响8月16日下午
第二分会场：电子科大微固学院137会议室
主持人薛文进 袁镇海
14：00-14：15金凡亚
（核工业西南物理所）
多弧离子镀TiN涂层提高立铣刀使用寿命研究14：15-14：30李建国
(中国工程物理研究院)
双波段红外增透的硅基金刚石薄膜研究14：30-14：45王陶(大连理工大学)
直流等离子体增强热丝化学气相沉积法(DC-Plasma-Enhanced HF-CVD)制备金刚石—碳化硅复合薄膜14：45-15：00胡娟
(大连理工大学)
ECR-PECVD制备纳米硅颗粒薄膜15：00-15：15赵德友
(西南科技大学)
溶胶凝胶法制备Co掺杂ZnO稀磁半导体薄膜的结构与性能研究15：15-15：30刘敬松
(西南科技大学)
PZT 铁电薄膜的刻蚀工艺研究15：30-15：45吴国松
(中科院宁波材料所)
镁合金表面氮化铬薄膜的制备与性能研究15：45-16：00休息16：00-16：15李洪波
(中科院宁波材料所)
新型的双弯曲磁过滤阴极真空电弧系统的磁场模拟计算16：15-16：30廖秀尉
（电子科技大学)
脉冲激光沉积法在GaN基片上制备c轴取向LiNbO3薄膜16：30-16：45代伟
(中科院宁波材料所)
线性离子束制备高性能、大面积类金刚石薄膜的研究16：45-17：00代伟
(中科院宁波材料所)
铬掺杂类金刚石薄膜的制备、结构与性能研究17：00-17：15逢显娟
(中科院兰州化物所)
基底偏压对磁控溅射Ti–Al–C薄膜结构及性能的影响
17：15-17：30彭保进
(浙江师范大学)
基于光纤干涉仪的镀膜机不透明膜膜厚自动监测和控制系统
8月16日下午
第三分会场：电子科大光电学院一楼会议室
主持人田修波 靳毅
14：00-14：15丰杰
(中国工程物理研究院)
加热结构对纳米金刚石膜形貌及摩擦性能的影响14：15-14：30张东
(大连理工大学)
自持金刚石厚膜上GaN薄膜的沉积及其表征14：30-14：45梅显秀
(大连理工大学)
强流脉冲电子束辐照对NiCoCrAlY涂层结构和性能的影响14：45-15：00岳红云
(大连理工大学)
ECR-PECVD法低温制备微晶硅薄膜及其结构研究15：00-15：15刘莹莹
(电子科技大学)
蓝宝石衬底上外延生长MgO薄膜过程中的应力研究
15：15-15：30黄琼俭
(西南交通大学)
LTIC表面预沉积Si后制备Ti-O薄膜的表面改性研究15：30-15：45赵栋才
(兰州物理所)
碳纤维复合材料表面电弧离子镀铝膜附着力研究15：45-16：00休息16：00-16：15蔡志海
(装甲兵工程学院)
活塞环表面CrN基复合膜的组织结构与摩擦学性能研究16：15-16：30李理
(电子科技大学)
以TiO2为缓冲层在GaN上外延生长PZT铁电薄膜及性能测试16：30-16：45罗文博
(电子科技大学)
BiFeO3/AlGaN/GaN集成生长与性能研究16：45-17：00李扬权
(电子科技大学)
PLD制备外延Ni0.8Zn0.2Fe2O4薄膜的应变与磁性能研究17：00-17：15李荣
(西安工业大学)
光学介质薄膜抗激光损伤特性的研究17：15-17：30赵栋才
(兰州物理所)
L10有序化FePt基颗粒薄膜的结构和磁性质
8月16日下午
第四分会场：电子科大光电学院二楼会议室
主持人王德苗 李建平（621）
14：00-14：15米文博
(天津大学)
磁控溅射法制备Cu(In，Al)Se2薄膜性能的研究14：15-14：30王多书
（兰州物理研究所）
耐磨增透SiO2复合薄膜的离子束辅助沉积技术研究14：30-14：45周文
（电子科技大学)
STO/MgO/GaN多层薄膜制备研究14：45-15：00杨广衍
(东北大学)
无油涡旋真空泵涡旋盘ANSYS参数化热载荷的施加方法15：00-15：15王利
(南开大学)
溅射-蒸发工艺制备Cu-In-Se预置层薄膜以及特性研究15：15-15：30李剑锋
（大连交通大学）
磁控溅射制备W-AI2O3太阳能选择性吸收涂层15：30-15：45李剑锋
（大连交通大学）
Ti60合金抗氧化涂层的研究15：45-16：00休息16：00-16：15崔旭梅
(攀枝花学院)
Sm掺杂TiO2薄膜的制备及处理农药废水研究16：15-16：30王志文
(广西民族大学)
等离子体改善苎麻织物毛细效应的时效性的实验研究16：30-16：45万善宏
（兰州物理研究所）
铝合金表面沉积类金刚石复合薄膜的摩擦学性能16：45-17：00魏贤华
(西南科技大学)
RHEED对薄膜面外晶格常数的分析17：00-17：15孟凡明
(安徽大学)
Silver content effects on energy gap and crystal texture of Ag-TiO2 thin films prepared by RF magnetron sputtering17：15-17：30姜金龙
（中科院兰州化物所）
Ti/Si共掺杂含氢类金刚石薄膜的摩擦学性能研究
17：30-17：45张广安
（中科院兰州化物所）
高性能CrN基复合薄膜
coatingdata团队
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原来什么都在干
可惜没能去跟大师们学学啊
擅长领域：MOCVD,ALD,PLD等薄膜制备技术工艺开发，关注领域LED外延工艺技术与芯片制程技术，MO源合成技术，多晶陶瓷靶材制备技术，热电材料的研究与开发。欢迎大家加入论坛与我们交流薄膜技术。
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是啊，这些都是点大牛人，有机会一定要向他们学习一下！
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大牛人关键是不是有实践
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只闻其人,不见其人!!不错哦.
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太深奥了，有些标题都看不懂。
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应用和参数
钇（Y）薄膜&&& ，（Y2O3）使用电子枪蒸镀，该材料性能随膜厚而变化，在500nm时折射率约为1.8.用作铝保护膜其极受欢迎,特别相对于800-12000nm区域高入射角而言,可用作眼镜保护膜,且24小时暴露于湿气中.一般为颗粒状和片状.透光范围(nm) 折射率(N)500nm （℃） 应用蒸气成分250--
电子枪防反膜，铝保护膜 二氧化铈&&& （CeO2）使用高密度的钨(较早使用)蒸发,在200℃的基板上蒸着二氧化铈,得到一个约为2.2的折射率,在大约3000nm有一吸收带其折射率随基板温度的变化而发生显著变化,在300℃基板500nm区域折射率为2.45,在波长短过400nm时有吸收,传统方法蒸发缺乏紧密性,用氧离子助镀可取得n=2.35(500nm)的低吸收性薄膜,一般为颗粒状,还可用一增透膜和滤光片等.透光范围(nm) 折射率(N)500nm 蒸发温度（℃） 蒸发源应用杂气排放量400-- 约2000 电子枪 防反膜， 多氧化镁&&& (MgO)必须使用电子枪蒸发因该材料升华,坚硬耐久且有良好的紫外线(UV)穿透性,250nm时n=1.86, 190nm时n=2.06. 166nm时K值为0.1, n=2.65.可用作紫外线薄膜材料.MGO/膜堆从200nm---400nm区域透过性良好,但膜层被限制在60层以内(由于膜应力)500nm时环境基板上得到n=1.70.由于大气CO2的干扰,MGO暴露表面形成一模糊的浅蓝的散射表层,可成功使用传统的MHL折射率3层AR膜(MgO/CeO2/MgF2).硫化锌&&& (ZnS)折射率为2.35, 400-13000nm的透光范围,具有良好的应力和良好的环境耐久性, ZnS在高温蒸着时极易升华,这样在需要的膜层附着之前它先在基板上形成一无吸附性膜层,因此需要彻底清炉,并且在最高温度下烘干,花数小时才能把锌的不良效果消除.等人称紫外线(UV)对ZNS有较大的影响,由于紫外线在大气中导致15-20nm厚的硫化锌膜层完全转变成氧化锌(ZNO).透光范围(nm) 折射率(N)550nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 方式400--
电子枪,钽钼舟 防反膜，升华应有:,冷光膜,装饰膜,滤光片,高反膜,红外膜.二氧化钛(TIO2)&&& TIO2由于它的高折射率和相对坚固性,人们喜欢把这种高折射率材料用于可见光和近红外线区域,但是它本身又难以得到一个稳定的结果.TIO2, TI2O3. TIO, TI ,这些原材料氧-钛原子的模拟比率分别为:2.0, 1.67, 1.5, 1.0, 0. 后发现比率为1.67的材料比较稳定并且大约在550nm生成一个重复性折射率为2.21的坚固的膜层,比率为2的材料第一层产生一个大约2.06的折射率,后面的膜层折射率接近于2.21.比率为1.0的材料需要7个膜层将折射率2.38降到2.21.这几种膜料都无吸收性,几乎每一个TIO2蒸着遵循一个原则:在可使用的内取得可以忽略的 吸收性,这样可以降低氧气压力的限制以及温度和蒸着速度的限制.TIO2需要使用IAD助镀,氧气输入口在挡板下面.&&& TI3O5比其它类型的氧化物贵一些,可是很多人认为这种材料不稳定性的风险要小一些,PULKER等人指出,最后的折射率与无吸收性是随着氧气压力和蒸着温度而改变的,基板温度高则得到高的折射率.例如,基板板温度为400℃时在550纳米波长得到的折射率为2.63,可是由于别的原因,高温蒸着通常是不受欢迎的,而离子助镀已成为一个普遍采用的方法其在低温甚至在室温时就可以得到比较高的折射,通常需要提供足够的氧气以避免(因为有吸收则降低透过率),但是可能也需要降低吸收而增大镭射损坏临界值().TIO2的折射率与真空度和蒸发速度有很大的关系,但是经过充分预熔和IAD助镀可以解决这一难题,所以在可见光和近红外线光谱中,TIO2很受到人们的欢迎. 在IAD助镀TIO2时,使用屏蔽栅式离子源蒸发则需要200EV,而用无屏蔽栅式离子源蒸发时则需要333EV或者更少一些,在那里平均能量估计大约是驱动电压的60%,如果离子能量超过以上数值,TIO2将有吸收.而SIO2有电子枪蒸发可以提供600EV碰撞(离子辐射)能量而没有什么不良效应. TIO2/SIO2制程中都使用300EV的驱动电压,目的是在两种材料中都使用无栅极离子源,这样避免每一层都改变驱动电压,驱动电压高低的选择取决于TIO2所允许的范围,而蒸着速度的高低取决于完全致密且无吸收膜所允许之范围. TIO2用于防反膜,分光膜,冷光膜,滤光片,高反膜,眼,热反射镜等,黑色颗粒状和白色片状,熔点:1175℃透光范围(nm) 折射率(N)&& 500nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量400--
电子枪, 防反膜，增透 多TIO2用于防反膜, 装饰膜, 滤光片, 高反膜TI2O3用于防反膜 滤光片 高反膜 眼镜膜氟化钍（ThF4）&&& 260-12000nm以上的光谱区域，是一种优秀的低折射率材料，然而存在放射性，在可视光谱区N从 1.52降到1.38(1000nm区域)在短波长趋近于1.6,蒸发温度比MGF2低一些,通常使用带有凹罩的舟皿以免THF4良性颗粒火星飞溅出去,而且形成的薄膜似乎比MGF2薄膜更加坚固.该膜在IR光谱区300NM小水带几乎没有吸收,这意味着有望得到一个低的以及更大的整体坚固性,在NM完全没有材料可以替代.二氧化硅(SIO2)&&& 经验告诉我们,,氧离子助镀(IAD)SIO将是SIO2薄膜可再现性问题的一个解决方法,并且能在生产环境中以一个可以接受的高速度蒸着薄膜.SIO2薄膜如果压力过大,薄膜将有气孔并且易碎,相反压力过膜将有吸收并且折射率变大,,需要充分提供高能离子或氧离子以便得到合乎需要的速度和特性,必要是需要氧气和氩气混合充气,但是这是热镀的情况,冷镀时这种性况不存在.SIO2用于防反膜,冷光膜,滤光片,绝缘膜,眼镜膜,紫外膜.透光范围(nm) 折射率(N)550nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量200--
电子枪, 防反膜，增透 少,升华无色颗粒状,折射率稳定,放气量少,和OS-10等高折射率材料组合制备截止膜,滤光片等.一氧化硅(SIO)&&& 透光范围(nm) 折射率(N)550nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量600--at550nm1.8atat7000nm
电子枪,钽钼舟 冷光膜装饰膜保护膜升华，制程特性:棕褐色粉状或细块状.熔点较低,可用钼舟或钛舟蒸发,但需要加盖舟因为此种材料受热直接升华.使用电子枪加热时不能将电子束直接打在材料上而采用间接加热法.制备塑料镜片时,一般第一层是SIO,可以增加膜的附着力.&OH-5(TIO2+ZrO2)&&& 透光范围(nm) 折射率(N)& 50nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量300-- 约2400 电子枪,增透 一般蒸气成分为:ZRO,O2,TIO,TIO2呈褐色块状或柱状尼康公司开发之专门加TS--ェート系列抗反射材料,折射率受真空度,蒸发速率,氧气压力的影响很大,蒸镀时不加氧或加氧不充分时,制备薄膜会产生,但是我们在实际应用时没有加氧也比较好用.二氧化镐(ZrO2)&&& ZrO2具有坚硬,结实及不均匀之特性,该薄膜有是需要烘干以便除去它的吸收,其材料的纯度及为重要,纯度不够薄膜通常缺乏整体致密性,它得益于适当使用IAD来增大它的折射率到疏松值以便克服它的不均匀性.目前纯度达到99.99%基本上解决了以上的问题.SAINTY等人成功地使用ZRO2作为铝膜和的保护膜,该膜层(指ZRO2)是在室温基板上使用700EV氩离子助镀而得到的.一般为白色柱状或块状,蒸发分子为ZRO,O2.透光范围(nm) 折射率(N)550nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量320-.0AT2000 约2500 电子枪,增透,加硬膜眼镜膜保护膜 一般制程特性:白色颗粒,柱状,或块状,粉状材料使用钨舟或钼舟.颗粒状,粉状材料排杂气量较多,柱状或块状较少.真空度小于2*10-5Torr条件下蒸发可得到较稳定的折射率，真空度大于5*10-5Torr时蒸发，薄膜折射率逐渐变小。蒸镀时加入一定压力的氧气可以改善其材料之不均匀性。氟化镁（MgF2）&&& MGF2作为1/4波厚抗反射膜普遍使用来作玻璃光学薄膜，它难以或者相对难以溶解，而且有大约120NM真实 紫外线到大约7000nm的中部红外线区域里透过性能良好。OLSEN，MCBRIDE等人指出从至少200NM到6000NM的区域里，2.75MM厚的单晶体MGF2是透明的,接着波长越长吸收性开始增大,在10000NM透过率降到大约2%,虽然在NM区域作为厚膜具有较大的吸收性,但是可以在其顶部合用一薄膜作为保护层.不使用IAD助镀,其膜的硬度,耐久性及密度随基板的温度的改变而改变的.在室温中蒸镀,MGF2膜层通常被手指擦伤,具有比较高的湿度变化.在真空中大约N=1.32,堆积密度82%,使用300（℃）蒸镀,其堆积密度将达到98%,N=1.39它的膜层能通过消除装置的擦伤测试并且温度变化低,在室温与300（℃）之间,折射率与密度的变化几乎成正比例的. 在玻璃上冷镀MGF2加以IAD助镀可以得到300（℃）同等的薄膜,但是125-150EV能量蒸镀可是最适合的.在塑料上使用IAD蒸镀几乎强制获得合理的附着力与硬度.经验是MGF2不能与离子碰撞过于剧烈.透光范围(nm) 折射率(N)550nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量.381.35AT200 约1100 电子枪,钼钽钨舟 增透,加硬膜眼镜膜 少,MGF2、(MGF2)2制程特性:折射率稳定,真空度和速率对其变化影响小预熔不充分或蒸发电流过大易产生飞溅,造成镜片"木"不良.在打开档板后蒸发电流不要随意加减,易飞溅.基片须加热到高的张应力白色颗粒状,常用于抗反射膜,易吸潮.购买时应考虑其纯度.三氧化二铝(AL2O3)&&& 普遍用于中间材料,该材料有很好的堆积密度并且在200-7000NM区域的透明带,该制程是否需要加氧气以试验分析来确定,提高基板温度可提高其折射率,在镀膜程式不可理更改情况下,以调整蒸发速率和真空度来提高其折射率.透光范围(nm) 折射率(N)550nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量200- 2050 电子枪, 增透,保护膜眼镜膜 一般,AL,O,O2,ALO,AL2O,(ALO)2制程特性:白色颗粒状或块状,结晶颗粒状等.非结晶状材料杂气排放量高,结晶状材料相对较少.折射率受蒸着真空度和蒸发速率影响较大,真空不好即速率低则膜折射率变低;真空度好蒸发速率较快时,膜折射率相对增大,接近1.62AL2O3蒸发时会产生少量的AL分子造成膜吸收现象,加入适当的O2时,可避免其吸收产生.但是加氧气要注意不要影响到它的蒸发速率否则改变了它的折射率.OS-10(TIO2+ZrO2)透光范围(nm) 折射率(N)550nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量250- 2050 电子枪, 增透,滤光片,截止膜一般,制程特性:棕褐色颗粒状. 杂气排放较大,预熔不充分或真空度小于5*10-5Torr时蒸发,其折射率会比2.3小,帮必须充分预熔且蒸发真空度希望大于上述这数值.蒸发此种材料时宜控制衡定的蒸发速率,材料可添加重复使用,为减少杂气排放量,尽量避免全数使用新材料.蒸气中的TI和TIO和O2反应生成TIO2常用于制备抗反射膜和SIO2叠加制备各种规格的截止膜系和滤光片等.锗(Ge)&&& 稀有金属,无毒无放射性,主要用于半导体工业,塑料工业,红外光学器件,航天工业,光纤通讯等.透光范围2000NM---14000NM,n=4甚至更大,937（℃）时熔化并且在电子枪中形成一种液体,然后在1400（℃）轻易蒸发.用电子枪蒸发时它的密度比整体堆积密度低,而用离子助镀或者镭射蒸镀可以得到接近于松散密度.在锗基板上与THF4制备几十层的8000---12000NM带通滤光片,如果容室温度太高吸收将有重大变化,在240--280（℃）范围内,在从非晶体到晶体转变的过程中GE有一个临界点.锗化锌(ZnGe)&&& 疏散的锗化锌具有一个比其相对较高的折射率,在500NM时N=2.6,在可见光谱区以及NM区域具有较少的吸收性并且疏散的锗化锌没有其材质那么硬.使用钽舟将其蒸发到150摄氏度的基板上制备SI/ZnGe及ZnGe/LaF3膜层试图获到长波长IR渐低折射率的光学滤镜.氧化铪(HfO2)&&& 在150摄氏度的基板上有用电子枪蒸着,折射率在2.0左右,用氧离子助镀可能取和得2.05-2.1稳定的折射率,在NM区HFO2用作铝保护膜外层好过SIO2透光范围(nm) 折射率(N)550nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量230- 2350 电子枪, 增透,高反膜紫外膜 少无色圆盘状或灰色颗粒状和片状.（PbTe）&&& 一种具有高折射率的IR材料，作为薄膜材料在3800---40000NM是透明的，在红外区N=5.1-5.5，该材料升华,基板板温度250摄氏度是有益的,健康预防是必要的,在高达40000NM时使用效果很好,别的材料常常用在超过普通的14000NM红外线边缘.铝氟化物（ALF3）&&& 可以在钼中升华， 在190-1000NM区域有透过性，N=1.38,有些人声称已用在EXIMER激光镜,它无吸收性,在250-1000NM区域透过性良好.ALF3是冰晶石,是NaALF4的一个组成部分,且多年来一直在使用,但是在未加以保护层时其耐久性还未为人知.铈(Ce)氟化物&&& Hass等人研究GeF3，他们使用高密度的钨舟蒸发发现在500NM时N=1.63,并且机械强度和化学强度令人满意,他们指出在234NM和248NM的吸收最大,而在波长大过300NM时吸收可以忽略.FUJIWARA用钼舟蒸发CEF3和CEO2混合物,得到一个1.60---2.13的合乎需要的具有合理重复性的折射率,他指出该材料的机械强度和化学强度都令人满意.透光范围(nm) 折射率(N)500nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量300- 约1500 电子枪,钼钽钨舟 增透,眼镜 少氟化钙()&&& CaF2是Heavens提出来的，它可以在10-4以上的压力下蒸发获得一个约为1。23---1。28的折射率。可是他说最终的膜层不那么令人满意，在室温下蒸着氟化钙其堆积密度大约为0.57,这与Ennos给出的疏散折射率1.435相吻合,这说明该材料不耐用并容易随温度变化而变化.原有的高拉应力随膜厚增大而降低,膜厚增大导致大量的可见光散射.可以用钨钽舟钼舟蒸发而且会升华,在红外线中其穿透性超过12000nm,它没有完全的致密性似乎是目前其利用受到限制的原因,随着IAD蒸着氟化物条件的改善这种材料的使用前景更为广阔.氟化钡(BaF2)&&& 与氟化钙具有相似的物理特性,在室温下蒸镀氟化钡,使用较低的蒸着速度时材料的堆积密度为0.66,并且密度变化与蒸着速度增大几乎成正比,在速度为20NM/S堆积密度高达0.83,它的局限性又是它缺乏完全致密性.透过性在高温时移到更长的波长,所以目前它只能用在红外膜.透光范围(nm) 折射率(N)500nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量250- 约1500 电子枪,钼钽钨舟 红外膜 少氟化铅(PbF2)&&& 氟化铅在UV中可用作高折射率材料,在300nm时N=1.998,该材料与钼钽,钨舟接触时折射率将降低,因此需要用铂或陶瓷皿.Ennos指出氟化铅具有相对较低的应力,开始是压力,随着膜厚度的增加张力明显增大,但这与蒸着速度无关.透光范围(nm) 折射率(N)500nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量250- 700--1000 电子枪,铂舟,坩锅 红外膜 少铬(Cr)&&& 铬有时用在分光镜上并且通常用作"胶质层"来增强附着力,胶质层可能在5-50NM的范围内,但在铝镜膜导下面,30NM是增强附着力的有效值.颗粒状可用钨舟蒸发而块状宜用电子枪来蒸发,该材料升华,但是表面氧化物可以防止它蒸发/升华,可以全用铬电镀钨丝.可以用铬作为胶质层对金镜化合物进行韧性处理,也可在塑料上使用铬作为胶质层.也可使用一个螺旋状的钨丝蒸发.它应该是所有材料中具有最高拉应力的材料.透光范围(nm) 折射率(N)500nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量1.5
电子枪,铂舟,钨舟 吸收膜分光膜导电膜加硬膜铝(AL)&&& 不管是装饰膜还是专业膜都是普遍用于蒸发/溅镀镜膜,常用钨丝来蒸发铝丝,在紫外域中它是普通金属中反射性能最好的一种,在红外域中不用Cu, Ag, Au.铝原先有一个比较高的拉应力,在不透明厚度时,该 拉应力降低到一个小的压应力,并且蒸着以后拉应力进一步降低.其膜的有效厚度为50NM以上.银(Ag)&&& 如果蒸着速度足够快并且基板温度不很高时,银和铝一样具有良好的反射性,这是在高速低温下大量集结的结果,这一集结同时导致更大的吸收.银通常不浸湿钨丝,但是往往形成具有高表面张力的液滴,它可以用一高紧密性的螺旋式钨丝来蒸发,从而避免液滴下掉.有人先在一个V型钨丝上绕几圈铂丝接着绕上银丝,银丝可以浸湿铂丝但没有浸湿钨丝.金(Au)&&& 金在红外线1000nm波长以上是已知材料中具有最高反射性的材料,作为一种贵重金属,它具有较强的化学坚硬性,由于它的可塑性因而抗擦伤性能低,AU可用钨或氮化硼舟皿或者电子枪来蒸发(不能与铂舟蒸发,它与铂很快合金).金对玻璃表面的附着力低,因而通常使用一层铬作为胶质层.也可用氧离子助镀使金的附着力得到上百倍的改善,在不透明性达到即中止IAD,并且最后的薄膜中不含有氧,掺氧将降低薄膜的反射率.名称:铟---锡氧化物和导电材料铟-锡氧化物(ITO)和In3O5-SnO2有相对良好的导电性能和可见光穿性.这样的薄膜在数据显示屏和抗热防霜装置等方面已有很大原需求.在建筑上可用作择光窗和可控穿透窗.ITO n=1.85 at500nm熔化温度约1450摄氏度.铝(AL)&&& 不管是装饰膜还是专业膜都是普遍用于蒸发/溅镀镜膜,常用钨丝来蒸发铝丝,在紫外域中它是普通金属中反射性能最好的一种,在红外域中不用Cu, Ag, Au.铝原先有一个比较高的拉应力,在不透明厚度时,该 拉应力降低到一个小的压应力,并且蒸着以后拉应力进一步降低.其膜的有效厚度为50NM以上.银(Ag)&&& 如果蒸着速度足够快并且基板温度不很高时,银和铝一样具有良好的反射性,这是在高速低温下大量集结的结果,这一集结同时导致更大的吸收.银通常不浸湿钨丝,但是往往形成具有高表面张力的液滴,它可以用一高紧密性的螺旋式钨丝来蒸发,从而避免液滴下掉.有人先在一个V型钨丝上绕几圈铂丝接着绕上银丝,银丝可以浸湿铂丝但没有浸湿钨丝.金(Au)&&& 金在红外线1000nm波长以上是已知材料中具有最高反射性的材料,作为一种贵重金属,它具有较强的化学坚硬性,由于它的可塑性因而抗擦伤性能低,AU可用钨或氮化硼舟皿或者电子枪来蒸发(不能与铂舟蒸发,它与铂很快合金).金对玻璃表面的附着力低,因而通常使用一层铬作为胶质层.也可用氧离子助镀使金的附着力得到上百倍的改善,在不透明性达到即中止IAD,并且最后的薄膜中不含有氧,掺氧将降低薄膜的反射率.名称:铟---锡氧化物和导电材料铟-锡氧化物(ITO)和In3O5-SnO2有相对良好的导电性能和可见光穿性.这样的薄膜在数据显示屏和抗热防霜装置等方面已有很大原需求.在建筑上可用作择光窗和可控穿透窗.ITO n=1.85 at500nm熔化温度约1450摄氏度.H1&& 透光范围(nm) 折射率(N)500nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量360--
电子枪, 增透,眼镜膜 少H2透光范围(nm) 折射率(N)500nm 蒸发温度（℃） 蒸发源 应用 杂气排放量400- 2200 电子枪, 增透,眼镜膜 少H4透光范围(nm) 折射率(N)
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