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pspice电路仿真程序设计(ppt)
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纳米MOSFET电学参数分析与建模.pdf124页
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当CMOS技术尺寸急剧减小到极限时，要突破这些基本极限，器件性能必须
重新进行评估。也就是说，为了理解器件缩小进程中的极限并研制出新型的MOS
器件，必须对纳米器件进行建模与模拟。本论文的目的就是研究未来纳米晶体管
载流子输运新特征和实现纳米器件物理机制和建模方法的研究。
随着载流子输运的物理本质偏离常规方法的描述，为了确定未来纳米晶体管
内载流子输运新特性，纳米器件的模拟面临着新的挑战，特别是准弹道效应和量
子现象的出现。基于常规输运宏模型对纳米器件的模拟存在很大局限性，所以迫
切需要建立和发展新的载流子输运模型。本文在理解弹道输运的物理本质的基础
上，初步建立了准弹道输运基于玻耳兹曼方程的宏模型。
纳米器件物理机制和建模方法的研究主要体现在纳米器件四个电学参数的
分析与建模中，即迁移率的统计分析、闽值电压的量子效应、有效栅电容的量子
效应以及亚阈值特性的研究：由于纳米MOSFET的尺寸小，又因为外加电压不能
等比例缩小，这使得其沟道内的载流子会在高场下运动。在这种非平衡状态下，
一方面载流子不再服从玻尔兹曼分布或费米分布；另一方面器件特征尺寸已与载
流子平均自由程相当，在如此短的沟道内载流子数目是有限的，所以必须考虑其
寿命和速度的统计分布。本文从玻尔兹曼方程出发，重新计算了纳米MOSFET沟
道内的载流予所服从的分布函数，特别是考虑了纳米MOSFET横向电场和纵向电
场之间的相互作用，并且以得到的非平衡状态下的分布函数为基础，考卢蓉载流子
寿命和速度的统计分布，给出了纳米MOSFET载流子迁移率的解析
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