C807性能不良电流反馈，限流保护

很简单的一个问题，吸收网络工作不良引起的电流保护网路取样值变化。
1、C807和R859形成的是第一级吸收网络当MOSFET关断时，Np上产生的尖峰电壓向C807充电因此可限制尖峰电压的峰值及上升速率，对MOSFET起保护作用；
此外当MOSFET关断时，Np上会产生反向电动势使D810导通，由R858、C826、C847组成第二级吸收网络防止MOSFET受到高压反向击穿。