电极压放不下来原因点压为表有380Ⅴ吗？

北京瑞特爱能源科技股份有限公司专注于世界先进的电极压放不下来原因式与电阻式锅炉的整机进口、生产组装、系统集成与应用、市场营销及售后服务等同时,公司积極进军能源合同管理领域,为各类用户提供工业及民用领域内蒸汽与热水利用的整体解决方案。

由于中压电源直接来自高压线路因此必须配备相应的保护措施，设置一中压柜相应的保护信号传输给控制柜。保护主要有以下几方面：

4）三相不平衡保护等等

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电极压放不下来原因锅炉的应鼡在国外由来已久国内针对电极压放不下来原因锅炉的研究始于20世纪80年代，主要是电热水锅炉技术通常使用的是380V动力电，常压水箱作為蓄热体此设备占地面积大、系统热效率低。20世纪80年代承压蓄热一体化锅炉能有效减小设备占地面积，缺点是承压蓄热电锅炉技术的單台设备不能适用于高于100m?3;的蓄热体积20世纪90年代，喷射式电极压放不下来原因锅炉通过美国西屋公司进入中国开始了长达十余年的价格壟断阶段。目前国内的少数企业通过吸收欧洲技术并经过改造升级，形成了常压电极压放不下来原因锅炉

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引起锅炉意外事故的原因

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引起锅炉意外事故的原因有很多：

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电的发现是人类历史的革命由咜产生的动能每天都在源源不断的释放，人对电的需求不亚于人类世界的氧气如果没有电，人类的文明还会在黑暗中探索

然而在电力電子里面，最重要的一个元件就是没有IGBT就不会有高铁的便捷生活。

一说起IGBT半导体制造的人都以为不就是一个分立器件(Power Disceret)嘛，都很瞧不上眼然而他和28nm/16nm集成电路制造一样，是国家“02专项”的重点扶持项目这玩意是现在目前功率电子器件里技术最先进的产品，已经全面取代叻传统的Power 其应用非常广泛，小到家电、大到飞机、舰船、交通、电网等战略性产业被称为电力电子行业里的“”，长期以来该产品(包括芯片)还是被垄断在少数IDM手上(、Infineon、TOSHIBA)，位居“十二五”期间国家16个重大技术突破专项中的第二位(简称 “02专项”)

究竟IGBT是何方神圣?让我们一起来学习它的理论吧。

我在前面讲MOSFET和BJT的时候提到过他们的优缺点MOSFET主要是单一载流子(多子)导电，而BJT是两种载流子导电所以BJT的驱动会比MOSFET大，但是MOSFET的控制级栅极是靠场效应反型来控制的没有额外的控制端功率损耗。所以IGBT就是利用了MOSFET和BJT的优点组合起来的兼有MOSFET的栅极电压控制晶体管(高输入阻抗)，又利用了BJT的双载流子达到大电流(低导通压降)的目的 (Voltage-Controlled Bipolar Device)从而达到驱动功率小、饱和压降低的完美要求，广泛应用于600V以上嘚变流系统如交流电机、变频器、、照明电路、牵引传动等领域

为了等一下便于理解IGBT，我还是先讲下Power MOSFET的结构所谓功率MOS就是要承受大功率，换言之也就是高电压、大电流我们结合一般的低压MOSFET来讲解如何改变结构实现高压、大电流。

1)高电压：一般的MOSFET如果Drn的高电压很容易導致器件击穿，而一般击穿通道就是器件的另外三端(S/G/B)所以要解决高压问题必须堵死这三端。Gate端只能靠场氧垫在Gate下面隔离与漏的距离(Field-Plate)而Bulk端的PN结击穿只能靠降低PN结两边的浓度，而最讨厌的是到Source端它则需要一个长长的漂移区来作为漏极串联电阻分压，使得电压都降在漂移区仩就可以了

2) 大电流：一般的MOSFET的沟道长度有Poly CD决定，而功率MOSFET的沟道是靠两次扩散的结深差来控制所以只要process稳定就可以做的很小，而且不受咣刻精度的限制而器件的电流取决于W/L，所以如果要获得大电流只需要提高W就可以了。

所以上面的Power MOSFET也叫作LDMOS (Lateral Double diffusion MOS)虽然这样的器件能够实现大功率要求，可是它依然有它固有的缺点由于它的源、栅、漏三端都在表面，所以漏极与源极需要拉的很长太浪费芯片面积。而且由于器件在表面则器件与器件之间如果要并联则复杂性增加而且需要隔离所以后来发展了VDMOS(Vercal DMOS)，把漏极统一放到Wr背面去了这样漏极和源极的漂迻区长度完全可以通过背面减薄来控制，而且这样的结构更利于管子之间的并联结构实现大功率化但是在BCD的工艺中还是的利用LDMOS结构，为叻与CMOS兼容

再给大家讲一下VDMOS的发展及演变吧，最早的VDMOS就是直接把LDMOS的Drain放到了背面通过背面减薄、Implant、金属蒸发制作出来的(如下图)他就是传说Φ的Planar VDMOS，它和传统的LDMOS比挑战在于背面工艺但是它的好处是正面的工艺与传统CMOS工艺兼容，所以它还是有生命力的但是这种结构的缺点在于咜沟道是横在表面的，面积利用率还是不够高

再后来为了克服Planar DMOS带来的缺点，所以发展了VMOS和UMOS结构他们的做法是在Wafer表面挖一个槽，把管子嘚沟道从原来的Planar变成了沿着槽壁的 vertical果然是个聪明的想法。但是一个馅饼总是会搭配一个陷阱(IC制造总是在不断trade-off)这样的结构天生的缺点是槽太深容易电场集中而导致击穿，而且工艺难度和成本都很高且槽的底部必须绝对rouding，否则很容易击穿或者产生应力的晶格缺陷但是它嘚优点是晶饱数量比原来多很多，所以可以实现更多的晶体管并联比较适合低电压大电流的application。

还有一个经典的东西叫做CoolMOS大家自己google学习吧。他应该算是Power MOS撑电压最高的了可以到1000V。

3、IGBT的结构和原理

上面介绍了Power MOSFET而IGBT其实本质上还是一个场效应晶体管，从结构上看和Power MOSFET非常接近僦在背面的漏电极压放不下来原因增加了一个P+层，我们称之为Injection Layer (名字的由来等下说).在上面介绍的Power MOSFET其实根本上来讲它还是传统的MOSFET，它依然是單一载流子(多子)导电所以我们还没有发挥出它的极致性能。所以后来发展出一个新的结构我们如何能够在Power MOSFET导通的时候除了MOSFET自己的电子峩还能从漏端注入空穴不就可以了吗?所以自然的就在漏端引入了一个P+的injection layer (这就是名字的由来)，而从结构上漏端就多了一个P+/N-drift的PN结不过他是正偏的，所以它不影响导通反而增加了空穴注入效应所以它的特性就类似BJT了有两种载流子参与导电。所以原来的source就变成了Emitter而Drain就变成了Collector了。

从上面结构以及右边的等效电路图看出它有两个等效的BJT背靠背链接起来的，它其实就是PNPN的Thyristor(晶闸管)这个东西不是我们刻意做的，而是結构生成的我在5个月前有篇文章讲Latch-up(http://ic-garden.cn/?p=511)就说了，这样的结构最要命的东西就是栓锁(Latch-up)而控制Latch-up的关键就在于控制，只要满足α1+α2

另外这样的結构好处是提高了电流驱动能力，但坏处是当器件关断时沟道很快关断没有了多子电流，可是Collector (Drain)端这边还继续有少子空穴注入所以整个器件的电流需要慢慢才能关闭(拖尾电流, tailing current)，影响了器件的关断时间及工作频率这个可是开关器件的大忌啊，所以又引入了一个结构在P+与N-drift之間加入N+buffer层这一层的作用就是让器件在关断的时候，从Collector端注入的空穴迅速在N+ buffer层就被复合掉提高关断频率我们称这种结构为PT-IGBT (Punch Through型)，而原来没囿带N+buffer的则为NPT-IGBT

一般情况下，NPT-IGBT比PT-IGBT的Vce(sat)高主要因为NPT是正温度系数(P+衬底较薄空穴注入较少)，而PT是负温度系数(由于P衬底较厚所以空穴注入较多而导致的三极管基区调制效应明显)而Vce(sat)决定了开关损耗(switch loss)，所以如果需要同样的Vce(sat)则NPT必须要增加drift厚度，所以Ron就增大了

4、IGBT的制造工艺：

IGBT的制程正媔和标准BCD的LDMOS没差，只是背面比较难搞：

1) 背面减薄：一般要求6~8mil这个厚度很难磨了，容易碎片

3) 背面清洗：这个一般的SEZ就可以。

4) 背面金属化：这个只能用金属蒸发工艺Ti/Ni/Ag标准工艺。

5) 背面Alloy：主要考虑wafer太薄了容易翘曲碎片。

5、IGBT的新技术：

1) 场截止FS-IGBT：不管PT还是NPT结构都不能最终满足无限high power的要求要做到high power，就必须要降低Vce(sat)也就是降低Ron。所以必须要降低N-drift厚度可是这个N-drift厚度又受到截止状态的电场约束 (太薄了容易channel穿通)。所以洳果要向降低drift厚度必须要让截止电场到沟道前提前降下来。所以需要在P+ injection layer与N-drift之间引入一个N+场截止层(Field Stop, FS)当IGBT处于关闭状态，电场在截止层内迅速降低到0达到终止的目的，所以我们就可以进一步降低N-drift厚度达到降低Ron和Vce了而且这个结构和N+ buffer结构非常类似，所以它也有PT-IGBT的效果抑制关闭狀态下的tailing电流提高关闭速度

问题来了，这和PT-IGBT的N+ buffer差在哪里?其实之制作工艺不一样PT-IGBT是用两层E做出来的，它是在P+ 衬底上长第一层~10um的N+ buffer然后再長第二层~100um的N-Drift。这个cost很高啊!而相比之下的FS-IGBT呢是在NPT-IGBT的基础上直接背面打入高浓度的N+截止层就好了，成本比较低但是挑战是更薄的厚度下如哬实现不碎片。

2) 阳极短接(SA: Shorted-Anode)：它的结构是N+集电极压放不下来原因间歇插入P+集电极压放不下来原因这样N+集电极压放不下来原因直接接触场截圵层并用作PN的阴极，而P+还继续做它的FS-IGBT的集电极压放不下来原因它具有增强的电流特性且改变了成本结构，因为不需要共封装反并联二极管了实验证明，它可以提高饱和电流降低饱和压降(~12%)。

IGBT你既可以把它当做一个MOSFET与PiN二极管串联也可以当做是一个宽基区的PNP被MOSFET驱动(DarlinGTOn结构)，湔者可以用来理解它的特性后者才是他的原理。它看起来就是一个MOSFET的I-V曲线往后挪了一段(>0.7V)因为沟道开启产生电流必须满足漂移区电流与漂移区电阻乘积超过0.7V，才能使得P+衬底与N-drift的PN结正向导通这样才可以work，否则沟道开启也不能work的

最后给大家吹吹牛吧，大家经常会听到第一玳IGBT一直到第六代IGBT这些是什么意思呢?

1) 第一代：他就是IGBT的雏形，最简单的原理结构图那种所以他必须要提高N-drift来提高耐压，所以导通电阻和關断功耗都比较高所以没有普及使用。

2) 第二代：PT-IGBT由于耗尽层不能穿透N+缓冲层，所以基区电场加强呈梯形分布所以可以减小芯片厚度從而减小功耗。这主要是公司年的产品BSM150GB120DN1("DN1"就是第一代的意思)它主要在600V上有优势(类似GTR特性)，到1200V的时候遇到外延厚度大成本高、且可靠性低的問题(掺杂浓度以及厚度的均匀性差)

3)第三代：NPT-IGBT，不再采用外延技术而是采用离子注入的技术来生成P+集电极压放不下来原因(透明集电极压放不下来原因技术)，可以精准的控制结深而控制发射效率尽可能低增快载流子抽取速度来降低关断损耗，可以保持基区原有的载流子寿命而不会影响稳态功耗同时具有正温度系数特点，所以技术比较成熟在稳态损耗和关断损耗间取得了很好的折中所以被广泛采用。代表公司依然是西门子公司率先采用FZ(区熔法)代替外延的批量产品代表产品BSM200GB120DN2，VCE>1200V,

4)第四代：Trench-IGBT最大的改进是采用Trench结构，是的沟道从表面跑到了垂矗面上所以基区的PIN效应增强，栅极附近载流子浓度增大从而提高了电导调制效应减小了导通电阻，同时由于沟道不在表面所以消除叻JFET效应，所以栅极密度增加不受限制而且在第四代IGBT继续沿用了第三代的集电极压放不下来原因P+implant技术同时加入了第二代的PT技术作为场终止層，有效特高耐压能力等需要使用双注入技术，难度较大这个时候是的时代

5)第五代：FS-IGBT和第六代的FS-Trench，第五、第六代产品是在IGBT经历了上述㈣次技术改进实践后对各种技术措施的重新组合第五代IGBT是第四代产品“透明集电区技术”与“电场中止技术”的组合。第六代产品是在苐五代基础上改进了沟槽栅结构并以新的面貌出现。

目前我国的总体能源利用效率为33%左右比发达国家低约10个百分点。当前我国节能工莋面临较大压力无论是太阳能电池、风力发电还是新能源汽车，其系统应用都需要把直流电转换为交流电承担这一任务的部件称为逆變器。逆变器的核心器件是IGBT

原文标题：IGBT是啥？看完这篇文章我不信你还不明白

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LM3xxLV系列包括单个LM321LV雙LM358LV和四个LM324LVoperational放大器或运算放大器。这些器件采用2.7 V至5.5 V的低电压工作这些运算放大器是LM321，LM358和LM324的替代产品适用于对成本敏感的低电压应用。一些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品。 LM3xxLV器件在低电压下提供比LM3xx器件更好的性能并且功耗更低。运算放大器在单位增益下稳定在过驱动条件下不会反相。 ESD设计为LM3xxLV系列提供了至少2 kV的HBM规格 LM3xxLV系列提供具有行业标准的封装。这些封装包括SOT-23SOIC，VSSOP和TSSOP封装特性用于成本敏感系统的工业标准放大器低输入失调电压：±1 mV 共模电压范围包括接地单位增益带宽：1 MHz 低宽带噪声：40 nV /√ Hz 低静态电流：90μA/Ch 单位增益稳定工作电壓为2.7 V至5.5 V 提供单，双和四通道变体稳健的ESD规范：2 kV HBM 扩展温度范围：-40°C至125°C 所有商标均为其各自所有者的财产参数与其它产品相比通用运算放夶器 Number of

TLV9051，TLV9052和TLV9054器件分别是单双和四运算放大器。这些器件针对1.8 V至5.5 V的低电压工作进行了优化输入和输出可以以非常高的压摆率从轨到轨工作。这些器件非常适用于需要低压工作高压摆率和低静态电流的成本受限应用。这些应用包括大型电器和三相电机的控制 TLV905x系列的容性负載驱动为200 pF，电阻性开环输出阻抗使容性稳定更高容性更高。 TLV905x系列易于使用因为器件是统一的 - 增益稳定，包括一个RFI和EMI滤波器在过载条件下不会发生反相。特性高转换率：15 V /μs 低静态电流：330μA 轨道-to-Rail输入和输出低输入失调电压：±0.33 mV 单位增益带宽：5 MHz 低宽带噪声：15 nV /√ Hz 低输入偏置电鋶：2 pA Unity-Gain稳定内部RFI和EMI滤波器

TMP422是具有内置本地温度传感器的远程温度传感器监视器远程温度传感器具有二极管连接的晶体管 - 通常是低成本，NPN-或鍺PNP - 类晶体管或者作为微控制器微处理器，或者FPGA组成部分的二极管无需校准，对多生产商的远程精度是±1°C这个2线串行接口接受SMBus写字節，读字节发送字节和接收字节命令对此器件进行配置。 TMP422包括串联电阻抵消可编程非理想性因子，大范围远程温度测量（高达150℃）囷二极管错误检测。 TMP422采用SOT23-8封装特性 SOT23-8封装 ±1°C远程二极管传感器（最大值） ±2.5°C本地温度传感器（最大值）串联电阻抵消 n-因子校正两线/SMBus串ロ多重接口地址二极管故障检测 RoHS兼容和无Sb /Br 参数

LP8733xx-Q1专为满足的电源管理要求而设计，这些处理器和平台用于汽车应用中的闭环性能该器件具囿两个可配置为单个两相稳压器或两个单相稳压器的降压直流/直流转换器和两个线性稳压器以及通用数字输出信号。该器件由I 2 C兼容串行接ロ和使能信号进行控制自动PWM /PFM（AUTO模式）操作与自动相位增加/减少相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8733xx-Q1支持远程电压检测（采用两相配置的差分）可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以忣将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8733xx-Q1器件支持可编程启动和关断延迟与排序（包括与使能信号同步的GPO信号）在启动和电壓变化期间，器件会对出转换率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电流。特性具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围输入电压：2.8V 至 5.5V两个高效降压直流/直流转换器：输出电压：0.7V 至 3.36V最大输出电流 3A/相采用两相配置的自动相位增加/减少囷强制多相操作采用两相配置的远...

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INA240-SEP器件是一款电压输出，电流检测放大器具有增强的PWM反射功能，能够在寬共模电压下检测分流电阻上的压降范围为-4V至80V与电源电压无关。负共模电压允许器件在地下工作适应典型电磁阀应用的反激时间。 EnhancedPWM抑淛为使用脉冲宽度调制（PWM）信号的大型共模瞬变（ΔV/Δt）系统（如电机驱动和电磁阀控制系统）提供高水平的抑制此功能可实现精确的電流测量，无需大的瞬态电压和输出电压上的相关恢复纹波该器件采用2.7 V至5.5 V单电源供电，最大电源电流为2.4 mA 固定增益为20 V /V.零漂移架构的低失調允许电流检测，分流器上的最大压降低至10 mV满量程可用于军用（-55°C至125°C）温度范围 ExtendedProduct生命周期扩展产品更改通知产品可追溯性用于低释气嘚增强型模具化合物增强型PWM抑制出色...

LM96000硬件监视器具有与SMBus 2.0兼容的双线数字接口。使用8位ΣΔADCLM96000测量：两个远程二极管连接晶体管及其自身裸爿的温度 VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V电源（内部定标电阻）为了设置风扇速度，LM96000有三个PWM输出每个输出由三个温度区域之一控制。支持高和低PWM频率范围 LM96000包括一个数字滤波器，可调用该滤波器以平滑温度读数从而更好地控制风扇速度。 LM96000有四个转速计输入用于测量风扇速度。包括所有测量值的限制和状态寄存器特性符合SMBus 2.0标准的2线制串行数字接口 8位ΣΔADC 监控VCCP，2.5V3.3 VSBY，5.0V和12V主板/处理器电源监控2个远程热二极管基于温度读数的可編程自主风扇控制

LM63是一款带集成风扇控制的远程二极管温度传感器 LM63精确测量：（1）自身温度和（2）二极管连接的晶体管（如2N3904）或计算机處理器，图形处理器单元（GPU）和其他ASIC上常见的热敏二极管的温度 LM63远程温度传感器的精度针对串联电阻和英特尔0.13μm奔腾4和移动奔腾4处理器-M熱敏二极管的1.0021非理想性进行了工厂调整。 LM63有一个偏移寄存器用于校正由其他热二极管的不同非理想因素引起的误差。 LM63还具有集成的脉冲寬度调制（PWM）开漏风扇控制输出风扇速度是远程温度读数，查找表和寄存器设置的组合 8步查找表使用户能够编程非线性风扇速度与温喥传递函数，通常用于静音声学风扇噪声特性准确感应板载大型处理器或ASIC上的二极管连接2N3904晶体管或热二极管准确感知其自身温度针对英特尔奔腾4和移动奔腾4处理器-M热二极管的工厂调整集成PWM风扇速度控制输出使用用户可编程降低声学风扇噪音8 -Step查找表用于 ALERT 输出或转速计输入，功能的多功能用户可选引脚用于测量风扇RPM的转速计输入用于测量典型应用中脉冲宽度调制功率的风扇转速的Smart-Tach模式偏移寄存器可针对...

AWR1843器件昰一款集成的单芯片FMCW雷达传感器，能够在76至81 GHz频段内工作该器件采用TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺制造，可在极小的外形尺寸内实现前所未有的集成喥 AWR1843是汽车领域低功耗，自监控超精确雷达系统的理想解决方案。 AWR1843器件是一款独立的FMCW雷达传感器单芯片解决方案可简化在76至81 GHz频段内实施汽车雷达传感器。它基于TI的低功耗45纳米RFCMOS工艺可实现具有内置PLL和A2D转换器的3TX，4RX系统的单片实现它集成了DSP子系统，其中包含TI的高性能C674x DSP用於雷达信号处理。该设备包括BIST处理器子系统负责无线电配置，控制和校准此外，该器件还包括一个用户可编程ARM R4F用于汽车接口。硬件加速器模块（HWA）可以执行雷达处理并可以帮助在DSP上保存MIPS以获得更高级别的算法。简单的编程模型更改可以实现各种传感器实现（短中，长）并且可以动态重新配置以实现多模传感器。此外该设备作为完整的平台解决方案提供，包括参考硬件设计软件驱动程序，示唎配置API指南和用户文档。特性 FMCW收发器集成PLL发送器，接收...

OPAx388（OPA388OPA2388和OPA4388）系列高精度运算放大器是超低噪声，快速稳定零漂移，零交叉器件可实现轨到轨输入和输出运行。这些特性及优异交流性能与仅为0.25μV的偏移电压以及0.005μV/°C的温度漂移相结合使OPAx388成为驱动高精度模数转换器（ADC）或缓冲高分辨率数模转换器（DAC）输出的理想选择。该设计可在驱动模数转换器（ADC）的过程中实现优异性能不会降低线性度.OPA388（单通噵版本）提供VSSOP-8，SOT23

TLVx314-Q1系列单通道双通道和四通道运算放大器是新一代低功耗，通用运算放大器的典型代表该系列器件具有轨到轨输入和输絀（RRIO）摆幅，低静态电流（5V时典型值为150μA）3MHz高带宽等特性，非常适用于需要在成本与性能间实现良好平衡的各类电池供电型应用 TLVx314-Q1系列鈳实现1pA低输入偏置电流，是高阻抗传感器的理想选择 TLVx314-Q1器件采用稳健耐用的设计，方便电路设计人员使用该器件具有单位增益稳定性，支持轨到轨输入和输出（RRIO）容性负载高达300PF，集成RF和EMI抑制滤波器在过驱条件下不会出现反相并且具有高静电放电（ESD）保护（4kV人体模型（HBM））。此类器件经过优化适合在1.8V（±0.9V）至5.5V（±2.75V）的低电压状态下工作并可在-40°C至+ 125°C的扩展工业温度范围内额定运行。 TLV314-Q1（单通道）采用5引腳SC70和小外形尺寸晶体管（SOT）-23封装.TLV2314-Q1（双通道版本）采用8引脚小外形尺寸集成电路（SOIC）封装和超薄外形尺寸（VSSOP）封装四通道TLV4314-Q1采用14引脚薄型小外形尺寸（TSSOP）封装。特性符合汽车类应用的要求具...

DRV5021器件是一款用于高速应用的低压数字开关霍尔效应传感器该器件采用2.5V至5.5V电源工作，可檢测磁通密度并根据预定义的磁阈值提供数字输出。该器件检测垂直于封装面的磁场当施加的磁通密度超过磁操作点（B OP ）阈值时，器件的漏极开路输出驱动低电压当磁通密度降低到小于磁释放点（B RP ）阈值时，输出变为高阻抗由B OP 和B RP 分离产生的滞后有助于防止输入噪声引起的输出误差。这种配置使系统设计更加强大可抵抗噪声干扰。该器件可在-40°C至+ 125°C的宽环境温度范围内始终如一地工作特性数字单極开关霍尔传感器 2.5 V至5.5 V工作电压V CC 范围磁敏感度选项（B OP ，B RP ）： DRV5021A1：2.9 mT1.8 mT DRV5021A2：9.2 mT，7.0 mT

TLV1805-Q1高压比较器提供宽电源范围推挽输出，轨到轨输入低静态电流，关斷的独特组合和快速输出响应所有这些特性使该比较器非常适合需要检测正或负电压轨的应用，如智能二极管控制器的反向电流保护過流检测和过压保护电路，其中推挽输出级用于驱动栅极p沟道或n沟道MOSFET开关高峰值电流推挽输出级是高压比较器的独特之处，它具有允许輸出主动驱动负载到电源轨的优势具有快速边缘速率这在MOSFET开关需要被驱动为高或低以便将主机与意外高压电源连接或断开的应用中尤其囿价值。低输入失调电压低输入偏置电流和高阻态关断等附加功能使TLV1805-Q1足够灵活，可以处理几乎任何应用从简单的电压检测到驱动单个繼电器。两个导轨以外的输入共模范围相位反转保护推 - 拉输出 250ns传播延迟低输入失...

这个远程温度传感器通常采用低成本分立式NPN或PNP晶体管或鍺基板热晶体管/二极管，这些器件都是微处理器模数转换器（ADC），数模转换器（DAC）微控制器或现场可编程门阵列（FPGA）中不可或缺的部件。本地和远程传感器均用12位数字编码表示温度分辨率为0.0625°C。此两线制串口接受SMBus通信协议以及多达9个不同的引脚可编程地址。该器件將诸如串联电阻抵消可编程非理想性因子（η因子），可编程偏移，可编程温度限制和可编程数字滤波器等高级特性完美结合，提供了一套准确度和抗扰度更高且稳健耐用的温度监控解决方案。 TMP461-SP是在各种分布式遥测应用中进行多位置高精度温度测量的理想选择这类集成式本哋和远程温度传感器可提供一种简单的方法来测量温度梯度进而简化了航天器维护活动。该器件的额定电源电压范围为1.7V至3.6V额定工作温喥范围为-55 °C至125°C。特性符合QMLV标准：VXC 热增强型HKU封装经测试在50rad /s的高剂量率（HDR）下，可抵抗高达50krad（Si）的电离辐射总剂量（TID）经测试在10mrad /s的低剂量率（LDR）下，可抵抗高达100krad（Si）的电离辐射...

LP87524B /J /P-Q1旨在满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求该器件包含四个降压DC-DC转换器内核，配置为4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和enableignals控制。自动PFM /PWM（自动模式）操作可在宽输出电流范围内最大限度地提高效率 LP87524B /J /P-Q1支持远程电壓检测，以补偿稳压器输出和负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外开关时钟可以强制为PWM模式，也可以与外部时钟同步以最大限度地减少干扰。 LP87524B /J /P-Q1器件支持负载电流测量无需增加外部电流检测电阻器。此外LP87524B /J /P-Q1还支持可编程的启动和关闭延迟以及与信号哃步的序列。这些序列还可以包括GPIO信号以控制外部稳压器，负载开关和处理器复位在启动和电压变化期间，器件控制输出压摆率以朂大限度地减少输出电压过冲和浪涌电流。特性符合汽车应用要求 AEC-Q100符合以下结果：设备温度等级1：-40°C至+ 125°C环境工作温度输入电压：2.8 V至5.5 V 输出電压：0.6 V至3.36 V 四个高效降压型DC-DC转换器内核：总输出电流高达10 A 输出电压漏电率...

TAS2562是一款数字输入D类音频放大器经过优化，能够有效地将高峰值功率驱动到小型扬声器应用中 D类放大器能够在电压为3.6 V的情况下向6.1负载提供6.1 W的峰值功率。集成扬声器电压和电流检测可实现对扬声器的实时監控这允许在将扬声器保持在安全操作区域的同时推动峰值SPL。具有防止掉电的电池跟踪峰值电压限制器可优化整个充电周期内的放大器裕量防止系统关闭。 I 2 S

LM358B和LM2904B器件是业界标准的LM358和LM2904器件的下一代版本包括两个高压（36V）操作放大器（运算放大器）。这些器件为成本敏感型應用提供了卓越的价值具有低失调（300μV，典型值）共模输入接地范围和高差分输入电压能力等特点。 LM358B和LM2904B器件简化电路设计具有增强稳萣性3 mV（室温下最大）的低偏移电压和300μA（典型值）的低静态电流等增强功能。 LM358B和LM2904B器件具有高ESD（2 kVHBM）和集成的EMI和RF滤波器，可用于最坚固極具环境挑战性的应用。 LM358B和LM2904B器件采用微型封装例如TSOT-8和WSON，以及行业标准封装包括SOIC，TSSOP和VSSOP 特性 3 V至36 V的宽电源范围（B版）供应 - 电流为300μA（B版，典型值） 1.2 MHz的单位增益带宽（B版）普通 - 模式输入电压范围包括接地使能接地直接接地 25°C时低输入偏移电压3 mV（A和B型号，最大值）内部RF和EMI滤波器（B版）在符合MIL-PRF-38535的产品上除非另有说明，否则所有参数均经过测试在所有其他产品上，生产加工不一定包括所有参数的测试所...

LP8756x-Q1器件專为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计。该器件包含四个降压直流/直流转换器内核这些内核可配置为1个㈣相输出，1个三相和1个单相输出2个两相输出，1个两相和2个单相输出或者4个单相输出。该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制自動脉宽调制（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合，可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出嘚远程差分电压检测可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降，从而提高输出电压的精度此外，可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部时钟同步从而最大限度地降低干扰。 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外蔀稳压器负载开关和处理器复位的GPIO信号。在启动和电压变化期间该器件会对输出压摆率进行控制，从而最大限度地减小输出电压过冲囷浪涌电流特性符合汽车类标准具有符合AEC-Q100标准的下列特性：器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

这些运算放大器鈳以替代低电压应用中的成本敏感型LM2904和LM2902。有些应用是大型电器烟雾探测器和个人电子产品.LM290xLV器件在低电压下可提供比LM290x器件更佳的性能，并苴功能耗尽这些运算放大器具有单位增益稳定性，并且在过驱情况下不会出现相位反转.ESD设计为LM290xLV系列提供了至少2kV的HBM规格 LM290xLV系列采用行业标准封装。这些封装包括SOICVSSOP和TSSOP封装。特性适用于成本敏感型系统的工业标准放大器低输入失调电压：±1mV 共模电压范围包括接地单位增益带宽：1MHz的低宽带噪声：40nV /√赫兹低静态电流：90μA/通道单位增益稳定可在2.7V至5.5V的电源电压下运行提供双通道和四通道型号严格的ESD规格：2kV HBM

LP8756x-Q1器件专为满足各种汽车电源应用中最新处理器和平台的电源管理要求而设计该器件包含四个降压直流/直流转换器内核，这些内核可配置为1个四相输出1个三相和1个单相输出，2个两相输出1个两相和2个单相输出，或者4个单相输出该器件由I 2 C兼容串行接口和使能信号进行控制。自动脉宽调淛（PWM）到脉频调制（PFM）操作（ AUTO模式）与自动增相和切相相结合可在较宽输出电流范围内最大限度地提高效率.LP8756x-Q1支持对多相位输出的远程差汾电压检测，可补偿稳压器输出与负载点（POL）之间的IR压降从而提高输出电压的精度。此外可以强制开关时钟进入PWM模式以及将其与外部時钟同步，从而最大限度地降低干扰 LP8756x- Q1器件支持在不添加外部电流检测电阻器的情况下进行负载电这个序列可能包括用于控制外部稳压器，负载开关和处理器复位的GPIO信号在启动和电压变化期间，该器件会对输出压摆率进行控制从而最大限度地减小输出电压过冲和浪涌电鋶。特性符合汽车类标准具有符合AEC-Q100标准的下列特性：器件温度1级：-40℃至+ 125℃的环境运行温度范围器件HBM ESD分类等级2 器件CDM

据市场调研机构赛诺的研究数据显示闻泰科技2018年前三季度出货量达到2710万台，在ODM行业中遥....

联电强调为福建晋华开发DRAM技术，原计划分二期第一期发展3x奈米制程技術进入尾声，但因晋华装机....

目前我国垂直分工模式的芯片产业链初步搭建成形产业上中下游已然打通，涌现出一批实力较强的代表性本汢企....

本书在简析电力MOSFET和IGBT的基本工作原理、内部结构、主要参数及其对驱动电路的要求的基础上....

展望2019年，全球半导体产业增速将放缓甚至進入低迷期我国集成电路产业仍将保持快速发展势头。市场方....

TCL则拥有非常丰富的供应链、生产经验在半导体显示业务拥有极强竞争力。公开资料显示TCL旗下的华....

联电坦承，原本编制为福建晋华研发DRAM的团队约300多人碍于美光控告福建晋华侵权及窃取营业秘密 ....

1月3日，记者从喃昌市政府部门获悉《关于促进LED产业发展的若干政策措施（修订版）》（以下简称“措....

据新华半导体发布公告，2019年1月3日由国家集成电蕗产业投资基金、上海国盛集团以及协鑫集团共同发....

求教大佬们如何用DSP产生PWM波驱动IGBT的驱动器？代码应该怎么写啊 ...

随着企业使其计算和网絡架构现代化，云原生架构是主要的目标云计算已成为企业应用程序的主要范式，随着企业使其计算和网络架构...

近日有消息称夏普将拆分半导体业务。对此夏普在12月26日正式发布公告证实，夏普确实要剥离一些业务以子公司的形式独立运营...

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电极压放不下来原因升降有一个專门的调节器控制在电炉冶炼中，实现自动控制减少对短网的冲击，避免电极压放不下来原因折断压放是什么我不知道做什么用的？

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