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型号/规格:2SK183 品牌/商标:TOKIN ...
型号/规格:T1190N16TOF 品牌/商标:INFINEON ...
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型号/规格:KPV-5000V 品牌/商标:武整 TECHELE ...
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型号/规格:S6025L 品牌/商标:LITTELFUSE 封装:TO-220 ...
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型号/规格:DFM900FXS12-A000 品牌/商标:丹尼克斯，DYNEX 封装形式:泡沫封装 环保类别:无铅环保型...
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型号/规格:MSDT100-16 品牌/商标:Microsemi(美高森美） 环保类别:无铅环保型 ...
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型号/规格:T1190N16TOF 品牌/商标:INFINEON ...
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功率特性:中功率
关断速度:普通
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散热功能:不带散热片
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型号/规格:晶闸管210A1600V 品牌/商标:MY ...
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型号/规格:MCD200-16io1 品牌/商标:IXYS ...
型号/规格:PCR406J 品牌/商标:Mitsubishi ...
型号/规格:MC97A6,97A6,MAC97A6 品牌/商标:国产 ...
型号/规格:6SE70、6SG、6SW、6RY、6RA、6SY70、6SY80 等 6SN23、6S...
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友情提醒：为规避购买风险，建议您在购买相关产品前务必确认供应商资质及产品质量。推荐使用"DZSC委托交易服务"，买卖都安全。单元电路主要包括电源电路、放大电路、振荡电路、变频电路、调制解调电路、检波电路、测量电路、开关电路、计数电路、编译码电路、显示电路及控制电路等。单元电路的主要功能是用来讲述电路的工作原理，并且完整地表达某一级电路的结构和工作原理。熟悉单元电路对深入理解电路的工作原理和记忆电路的结构、组成很有帮助。
单元电路图具有以下特点：
（1）单元电路图主要是为了分析某个单元电路工作原理的方便，而将这不分电路单独画出的，因此在图中省去了与该单元电路无关的其他元器件和有关的连线、符号。正因为如此，单元电路图才显得比较简洁、清楚，识图时不受其他电路的干扰。另外，单元电路图中对电源，输入端和输出端也进行了简化。
在单元电路图中，一般用“+V”表示直流工作电压；“Vi”表示输入信号，它是这一单元电路所要放大或处理的信号；Vo表示输出信号，它是经过这一单元电路放大或处理后得到的信号。通过单元电路图中的这些标注可方便地找出电源端、输入端和输出端，而在实际电路中，这三个端点的电路均与整机电路中的其他电路相连。
（2）单元电路图多采用习惯画法，可以非常明了地表达出单元电路的结构原理。如元器件采用习惯画法，各元器件之间采用最短的连线。而在实际的整机电路图中，由于受电路中的其他单元电路中元器件的制约，有关元器件可能离得比较远，如果按照原电路画电路图，电路中的连线会很长且弯弯曲曲，会造成识图和电路工作原理理解的不便。
（3）一般单元电路图只用来讲解电路工作原理，学好单元电路是学好电子点路工作原理的关键。只有掌握了单元电路的工作原理，才能分析整机电路。
at 一月 29th, 2015.
集成电路显示出许多分立元件电路无法比拟的优点，体积小、重量轻、功耗小、特性好，集成电路是应用半导体的制造工艺，把整个电路．包括晶体管、电阻等元件及连线都制造在一块半导体基片上，形成的不可分割的固体块。它从根本上动摇了原来电子电路的概念，实现了元件、电路利系统的结合。ABC电子工艺目前发展迅速，大规模集成电路乃至超大规模集成电路相继间世。高密度的集成使得外部引线大为减少，减少了故障，提高了可靠性。 集成电路的特点：
(1) 由于所有元件同处于一块硅片上，距离非常接近，因此对称性很好，适用于要求对称性简的电路，例如前面对论的羌动放大电路。
(2) 由于制造工艺的限制，征集成电路中制造阻值较高和较低的电阻商一定困难，通常限制在几千欧到几十干欧之间。对于IC现货高阻值常采用三极管有源元件来代替。
(3) 集成电路的工艺不适于制造容量在几十皮法以上的电容器，至于电感就更困难了，所以多采用直接锅合的方式。大电容采取外接的方法。
在集成电路中，常采用将三极管的集电极与基极短接后用发射结来代替二极管的方 法，从顺使其正向压降的温度系数接近于同类三极管的温度系数，具有较好酌温度补偿作用。
（5）内于制造工艺的特点，为提高性能，电路结构往往很复杂，非一般分立件电路所能做到。由以上特点可知，集成电路是一种元件密度高、特性好的固体组件。对使用者来说，重要的不是慨分立元件电路那样去了解内部电路每一细节，而主要是了解侮种型号的功能、外部接线及如何应用。
按功能分，分为数字集成电路和模拟集成电路两大类，本节所讲的线性集成运算放 大器是模拟集成电路的一种。集成运算放大器是一种采用直接批合的高放大倍数的放大电路，它既能放大缓慢变化的直流信早，也能放ABC电子大交流信号。用集成运算放大器及其反馈网络，可以组成各种运算电路，模拟各种数学运算。随着集成运算放大器的发展，其应用越来越广泛，远远超出了数学运算的范畴，也促进了电子技术的发展。
at 一月 21st, 2015.
一个误解的例子是共模错误。我们常常谈到一个运算放大器具有100dB的共模抑制比(CMRR)。这个数字意味着共模误差准确地等于1/100 000，并且具有10μV/V的良好线性吗？当然，这种性能是存在的，但是不太可能出现。失调电压作为共模电压的函数是非线性的，这是非常可能的。
在某些区域中，VOS的斜率远比1/100 000要好，但是在另外一些区域中，它却要更差。当人们说，“运算放大器有共模增益AVC和差模增益AVD，而共模抑制比是两者之比”时，这其实是错的。这种观点是愚蠢的：用一个数字来代表运算放大器的差模增益或共模增益，本身就不合理。
对任何一款现代的运算放大器，这两种增益都无法以任何的精度和可重复性被观察和测量。应当避免尝试去测量“零共模增益”进而计算出无穷大的共模抑制比这样荒唐事情的出现。你可以通过测量VCM（共模电压）随着VOS（失调电压）的变化而变化的函数关系得到更为有意义的结果。测量VCM随VOS的变化关系（ 即共模抑制比） 有什么好的方法吗？我知道一种非常好的测试电路。
at 一月 13th, 2015.
振荡是你在和运算放大器打交道时所能够遇到的最讨厌的问题。正如你可以利用任何一个增益模块搭建一个振荡器一样，你必须承认任何一个增益模块也能够违背你的意愿而自行振荡起来。运算放大器也不例外。所幸的是，大多数当今的运算放大器性能良好，你只需要采取以下的四个基本的预防措施即可避免振荡。首先，总要在每个电源和运算放大器附近使用一些电源旁路电容。对于高频运算放大器，为了获得最好的效果，旁路电容必须非常靠近它。在高频设计中，你常常需要瓷片电容和钽电容作为旁路电容。旁路电容的使用不仅仅基于经验法则，更要依赖于良好的工程方法及优化方法。
其次，避免不必要的容性负载；它们会导致运算放大器产生附加相移，从而使得运算放大器电路产生振荡。这种现象在你使用示波器的1×档探针或者利用同轴电缆（或其他屏蔽线）将运算放大器的输出传送给另外一个电路时变得尤其明显。这种连接方式会在输出端增加很大的电容。除非你能够证明运算放大器在驱动那些负载时仍然能够保持稳定，否则你最好再添加一些稳定电路。用方波或者脉冲冲击运算放大器来检查它是否振荡并不是十分麻烦。你应当通过运算放大器的正相和反相输出电压来检查运算放大器的响应，因为许多具有PNP跟随器输出的运算放大器在Vout为负，即输出为灌电流的时候会相对更不稳定。请参考前一页的“Pease法则”。
我曾经看到过当运算放大器输出为阻性时，预测容性负载影响的长篇分析。但是在我看来这纯属浪费时间：运算放大器的输出阻抗常常不是纯阻性的。而且如果阻抗在音频范围内很低，那么它常常如电感一样在高频时会有所增长。相反，有些运算放大器（例如NSC LM6361）在低频时具有较高的输出阻抗，而在高频时有所降低—这正是容性输出的特点—因此当你在输出端并联更多的电容时，运算放大器仅仅会慢一些，而其相位不会有明显变化。但是如果一个运算放大器在驱动一个间接的低阻抗负载，而其阻抗又和电缆相同，则电缆端将在所有频率下恒为阻性，从而将不存在容性负载的问题（但是你必须仍然能够驱动那个75Ω的低阻抗负载）。
at 十二月 5th, 2014.
很明显，如果这么复杂的电路发生了问题，你必须像设计这些电路的人那样聪明（或者更聪明一些）。并且，你要记住正确的波形应该是什么样的，这样你才能找到错误和偏差。你还需要一些实验电路板，用来在他们的插槽中方便地测量可能损坏的元件。也许，在任何一个已知有故障的元部件里，会有很多不同的失效模式，如果你不得不维修很多这样的电路，当你做完以后你就会是一个很好地维修者。
记住，这个电路基于1989年美国国家半导体公司LM3524的数据手册中的图15，由于节点12和节点13的二极管接反了，所以这个电路不能工作。我在建立这个电路之前就已经注意到这个问题了。然后我建立了他们，他们工作了。所以，现在你知道为什么LM2575被称为“简单开关”了吧—原因就是将它和这些老式的电路相比较。
at 十一月 21st, 2014.
说到如何很好地校准电路，一些人喜欢用电压计以期可以把电路调整得“刚刚好”。也有一些人不喜欢用电压计，因为他们很贵并且不可靠，还时常会产生漂移。最糟糕的是，电路既可以被校准得很好，也可以被校准得很糟；一些人可能由于粗心或是被误导，将电压计调到了量程，或是对仪表设置错误。在改正错误之前，又要花去多少时间去寻找错误呢？
正是由于这个原因，一些人喜欢用固定电压稳压器，因为他们总是有一个正确的输出（误差为±5%）并且不会被校准电压计弄得很糟。另一些人带着很大的容忍度小心翼翼地使用电压计。你可以在图12-4所示的调整电路中看到检修方法。这个结构可以让你不用电压计而把稳压器调至误差不超过1%。记住你也可以用这个技术来校准积分器的增益或放大器的偏移。对于工程师们来说，在这些调节中修正数值并不总是一件容易的事，但不管怎么样这还是可能的。并且，没有人会回去宁东电压计，在没有电压计可以拧动时也不会带来麻烦。
at 十一月 13th, 2014.
可控串联补偿的正式名称是晶闸管可控串联补偿。用电容器串联在输电线路上，可抵消部分线路电感，达到降低线路电压降、减小输电线路功率角、提高线路输电容量、增进电网稳定性的目的，这种技术效果显著，已被广泛采用。问题串联补偿在不可控的情况下，不能随时按现场的实际需求进行补偿参量的调整，另外，当系统和串联电容的自然振荡频率电流与汽轮机和发电机转子轴系统产生谐振时，就会引起发电机轴扭振。这时，最好的解决办法也是采用补偿可控的措施。因此，在串联电容上并联一组晶闸管控的电阻电感是可控串补的基本形式，晶闸管的导通角受控制器的控制，使串联电容的等值容抗根据晶闸管导通角的动态变化进行连续调节，按需求自动快速反应电网的变化，实现最佳的补偿效果。
http://www./main/listmulu151.html
http://www.art18.net/
at 十月 29th, 2014.
国外一些先进国家对柔性配电技术的研究和应用进行了大规模的投入。其中，美国电力科学研究院EPRI、瑞典ABB公司、德国Simens公司已有了配电静止同步补偿器和动态电压恢复器的商业化产品，并有数十例在配电系统和特殊的用户端投入了运行。
作为FACTS技术在配电系统应用的延伸DFACTS技术已成为改善电能质量的有力工具，该技术的核心器件绝缘门极双极型晶体管IGBT比门极可关断晶闸管GTO具有更快的开关频率，并且关断容量已达MV A级，因此DFACTS装置具有更快的响应特性，是解决电能质量问题的有效手段。目前主要的DFACTS装置有:有源电力滤波器，动态电压恢复器，固态断路器等。其中APF是补偿谐波的有效工具;而DVR通过自身的储能单元，能够在这秒级时间内向系统注入正常电压与故障电压之差，因此是抑制电压跌落的有效装置。
柔性配电技术及其装置的应用已逐渐成为国外先进国家电力企业和电力用户的最优选择。但国内目前在该领域的研究还刚刚起步。有必要加大投入，采取积极应对的措施，开展引进、消化国外先进技术，应用研究和开发国产化设备的工作。
at 十月 24th, 2014.
电力用户的冲击负荷或波动负荷造成的影响，包括电弧炉、炼钢炉、电焊机、电气化铁路、地铁机车、短路试验负荷等。其中：
(1)对交流电弧炉而言，设短路容量为Sd(MVA)，其有功功率、无功功率、满足的关系式。因此，交流电弧炉的最大无功波动量为，并依次可计算出最大电压波动量。
对直流电弧炉而言，直流电弧炉产生的电压波动与闪变比同容量的交流电弧炉要小。设整流变的额定容量为Sn,则直流电弧炉的功率圆图为P2+Q2=S2n.因此，直流电弧炉的最大无功波动量为.
(2)电力系统发生短路故障造成电网电压波动、闪变、如三相短路故障、两相短路故障、单相接地短路故障等。这种扰动由高电压等级向低电压等级以及在相同电压等级之间传播，其传播的强度与电网结构及电器参数存在密切的关系。
（3）雷击引起电压波动和闪变。
（4）电力系统中电源设备切换形成操作波，造成电压波动和闪变。电力系统正常的断路器投切往往总伴随着瞬间的电压跌落与上升，但幅度一般不大。如果操作较大负荷的合闸与分闸，就会产生较大的电压跌落与上升。
（5）储能设备的正常操作，如电力电容器或电抗器投入或退出运行时，根据负荷的水平情况，会产生一定的无功波动，从而产生电压上升与跌落。一般可采用冲击电流法来分析计算其产生电压扰动的大小。
（6）电动机的启动产生电压波动和闪变。电动机的启动需要较大的启动电流，从而产生短暂的电压跌落，特别是有些高压大容量电动机的启停频度很大，因此，由此产生的电压波动与闪变不容忽视。一般而言，电动机的启动电流可按额定电流的6~8倍来考虑，并根据其接入点的短路容量可简单计算电压路落的强度，其启停频度可根据生产过程统计而进行估算。
http://www./main/listmulu151.html
at 十月 17th, 2014.
（1） 瞬时闪变视感度（instantaneous flicker sensationlevel）。由于电压波动而引起照度波动，从形成人的主观视觉反应现象称为瞬时闪变视感度。通常以瞬时闪变觉察率50%作为瞬时闪变视感度的衡量单位，即定为S=1觉察单位。与S=1对应的电压波动值ΔU（%），为研究闪变的基础。
（2） 闪变的波形因数R(f).R(f)=[视感度S=1觉察单位的正弦电压波动ΔU=0（%）]/[视感度S=1察觉单位的矩形电压波动ΔU（%）]。
（3） 视感度系数K(f).K(f)=[产生同样视感度的8.8Hz正弦电压波动ΔU（%）]/[产生同样视感度的fHz正弦电压波动ΔU（%）]。
（4） 停闪频率。人对照度波动的最大觉察频率范围不会超过0.05-35Hz,这两个频率均称为截止频率。截止频率的上限又称为停闪频率。
at 九月 30th, 2014.手机查看产品信息
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各种型号单向可控硅的详细描述：
　　可控硅又称晶闸管(Silicon Controlled Rectifier,
SCR)。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶
闸管、快速晶闸管，等等。
　　可控硅整流是一种非常重要的功率器件，可用来做高电压和高电流的控制。可控硅器件主要用在开关方面，使器件从关闭或是阻断的转换为开启或是导通的状态，反之亦然。可控硅器件与有密切的关系，二者的传导皆牵涉到电子和，但可控硅的开关机制和是不同的，且因为器件结构不同，可控硅器件有较宽广范围的电流、电压控制能力。现今的可控硅器件的额定电流可以从几毫安到5000A以上，额定电压可以超过10000V。下面将讨论基本可控硅器件的工作原理，然后给出一些高功率和高的可控硅器件。
　　今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层引出的电极叫阴极K。从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
　　以硅单晶为基本材料的P1N1P2N2四层三端器件,起始于1957年,因为它的特性类似于闸流管,所以国际上通称为硅闸流管,简称晶闸管T,又因为晶闸管最初的在静止整流方面,所以又被称之为硅可控整流元件,简称为可控硅SCR.
　　在性能上,可控硅不仅具有,而且还具有比硅整流元件(俗称"死硅")更为可贵的可控性.它只有导通和关断两种状态.
　　可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备,如果超过此频率,因元件开关损耗显着增加,允许通过的平均电流相降低,此时,标称电流应降级使用.
　　可控硅的优点很多,例如:以小大功率,功率放大倍数高达几十万倍;反应极快,在微秒级内开通、关断;无触点运行,无火花、无;效率高,成本低等等.
　　可控硅的弱点:静态及动态的较差;容易受干扰而误导通.
　　可控硅从外形上分类主要有:螺栓形、平板形和平底形.
　　可控硅元件的结构
　　不管可控硅的外形如何,它们的管芯都是由P型硅和N型硅组成的四层P1N1P2N2结构.见图1.它有三个PN结(J1、J2、J3),从J1结构的P1层引出阳极A,从N2层引出阴级K,从P2层引出控制极G,所以它是一种四层三端的半导体器件.
是P1N1P2N2四层三端,共有三个PN结,分析原理时,可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成,其等效图解如右图所示
　　为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)。晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。注意阳极A是接电源的，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在1.5V直流电源的正极(这里使用的是KP1型晶闸管，若采用KP5型，应接在3V直流电源的正极)。晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是。现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。这个演示实验给了我们什么启发呢?
　　这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
　　“一触即发”。但是，如果阳极或控制极外加的是，晶闸管就不能导通。控制极的作用是通过外加正向触发使晶闸管导通，却不能使它关断。那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。
　　用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢?
　　普通晶闸管的三个电极可以用万用表挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的。
　　普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管属于不可控整流电路。如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路、逆变、调速、电机励磁、无触点开关及自动控制等方面。在电工技术中，常把的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
　　可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。
　　常用的有阻容移相桥、单结晶体管触发电路、触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。可控硅的主要参数
　　可控硅的主要参数有：
　　1、 额定IT在一定条件下，阳极---阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。
　2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发，阳极正向电压还未超过导能电压时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值，不能超过手册给出的这个。
反向阻断峰值电压VPR当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时，不能超过手册给出的这个参数值。
　　4、 控制极触发电流Ig1
、触发电压VGT在规定的环境温度下，阳极---阴极间加有一定电压时，可控硅从关断状态转为导通状态所需要的最小控制极电流和电压。
　　5、 维持电流IH在规定温度下，控制极断路，维持可控硅导通所必需的最小阳极。
　　■近年来，许多新型可控硅元件相继问世，如适于高频应用的快速可控硅，可以用正或负的触发信号控制两个方向导通的，可以用正触发信号使其导通，用负触发信号使其关断的可控硅等等。
　　可控硅有多种分类方法。
　　（一）按关断、导通及控制方式分类：可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅（GTO）、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
　　（二）按和极性分类：可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
　　（三）按封装形式分类：可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和封装可控硅三种类型。其中，金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种；塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
（四）按电流容量分类：可控硅按电流可分为大功率可控硅、中可控硅和小功率可控硅三种。通常，大功率可控硅多采用壳封装，而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
　　(五）按关断速度分类：可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频（快速）可控硅。
　　过零触发-一般是调功，即当正弦交流电交流电过零点触发，必须是过零点才触发，导通可控硅。
　　非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅，常见的是移相触发，即通过改变正弦交流电的导通角（角相位），来改变输出百分比。
　　1. 额定通态电流（IT)即最大稳定工作电流，俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。
　　2.（VRRM)或（VDRM），俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。
　　3. 控制极触发电流（IGT)，俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。
额定正向平均电流
　　4，在规定环境温度和散热条件下，允许通过阴极和阳极的电流平均值
　　常用可控硅的封装形式有TO-92、TO-126、TO-202AB、TO-220、TO-220AB、TO-3P、SOT-89、TO-251、TO-252等。
　　普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。如果把换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路。在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。现在，画出它的波形(c)及(d)，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出。Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，导通的就晚。通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上的平均值UL。在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个的导通或阻断范围的。通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
　　可控硅从外形上分主要有螺旋式、平板式和平底式三种，螺旋式的应用较多。可控硅有三个---阳极（A）阴极（C）和控制极（G）。它有管芯是P型和N型导体交迭组成的四层结构，共有三个PN结。可控硅和只有一个PN结的硅整流二极度管在结构上迥然不同。可控硅的四层结构和控制极的引用，为其发挥“以小控大”的优异控制特性奠定了基础。在应用可控硅时，只要在控制极加上很小的电流或电压，就能控制很大的阳极电流或电压。目前已能制造出电流容量达几百安培以至上千安培的可控硅元件。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。
　　可控硅为什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我们用图表-27来简单分析可控硅的工作。
　　首先，可以把从阴极向上数的第一、二、三层看面是一只NPN晶体管，而二、三四层组成另一只PNP型晶体管。其中第二、第三层为两管交迭共用。当在阳极和阴极之间加上一个正向电压Ea，又在控制极G和C之间（相当BG1的基一射间）输入一个正的触发信号，BG1将产生电流Ib1，经放大，BG1将有一个放大了β1倍的电流IC1。因为BG1集电极与BG2基极相连，IC1又是BG2的基极电流Ib2。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集电极电流IC2送回BG1的基极放大。如此放大，直到BG1、BG2完全导通。实际这一过程是“一触即发”的过程，对可控硅来说，触发信号加入控制极，可控硅立即导通。导通的时间主要决定于可控硅的性能。
　　可控硅一经触发导通后，由于循环反馈的原因，流入BG1基极的电流已不只是初始的Ib1，而是经过BG1、BG2放大后的电流（β1*β2*Ib1）这一电流远大于Ib1，足以保持BG1的持续导通。此时触发信号即使消失，可控硅仍保持导通状态只有断开Ea或降低Ea，使BG1、BG2中的集电极电流小于维持导通的最小值时，可控硅方可关断。当然，如果Ea极性反接，BG1、BG2由于受到反向电压作用将处于。这时，即使输入触发信号，可控硅也不能工作。反过来，Ea接成正向，而触动发信号是负的，可控硅也不能导通。另外，如果不加触发信号，而正向电压大到超过一定值时，可控硅也会导通，但已属于非正常工作情况了。
　　可控硅这种通过触发信号（小的触发）来控制导通（可控硅中通过大电流）的可控特性，正是它区别于普通硅的重要特征。
　　普通可控硅的三个电极可以用欧姆挡R×100挡位来测。大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结(a)，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板。接通电源开关S，按一下按钮开关SB，发光就是好的，不发光就是坏的。
　　鉴别可控硅三个极的方法很简单，根据P-N结的原理，只要用万用表测量一下三个极之间的电阻值就可以。
　　阳极与阴极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上，阳极和控制极之间的正向和反向电阻在几百千欧以上（它们之间有两个P-N结，而且方向相反，因此阳极和控制极正反向都不通）。
　　控制极与阴极之间是一个P-N结，因此它的正向大约在几欧-几百欧的范围，反向电阻比正向电阻要大。可是控制极二极管特性是不太理想的，反向不是完全呈阻断状态的，可以有比较大的电流通过，因此，有时测得控制极反向电阻比较小，并不能说明控制极特性不好。另外，在测量控制极正反向电阻时，万用表应放在R*10或R*1挡，防止电压过高控制极。
　　若测得元件阴阳极正反向已短路，或阳极与控制极短路，或控制极与阴极反向短路，或控制极与阴极断路，说明元件已损坏。
　　可控硅是可控硅整流的简称，是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件。实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。可控硅和其它半导体器件一样，其有小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。它的出现，使半导体技术从领域进入了强电，成为、、交通运输、军事科研以至商业、民用等方面争相采用的元件。
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