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p型和N型晶体管用什么材料好啊??
用什么材料好啊??
都是硅和锗和其他半导体为基本材料。p型半导体是这些半导体材料里掺入三价元素，在其基本材料的晶体结构上形成空穴就是缺电子，就是p型半导体。如果掺入五价元素，就在基本材料的晶体结构上形成多电子，就是N型半导体。一般是在硅或锗等材料的半导体上开窗口，用扩散或外延的工艺形成p型和N型半导体，在这二者之间就形成了PN结，重复多次就形成了晶体管和其他需要的元件。
几乎都是PNP型三极管，硅材料的几乎都是NPN三极管。现在则不存在这个问题。
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PNP型三极管简介
　　由2块P型半导体中间夹着1块N型半导体所组成的三极管,称为PNP型三极管.
　　也可以描述成,电流从发射极E流入的三极管.
　　PNP型三极管发射极电位最高,集电极电位最低,UBE&0.
　　三极管按结构分,可分为和PNP型三极管.
　　右图PNP型三极管.
　　三极管导通时IE=（放大倍数+1)*IB和ICB没有关系，ICB=0 ICB&0时,可能三极管就有问题,所以三极管在正常工作时,不管是工作在放大区还是饱和区ICB=0
　　当UBE&0.7V(硅)(锗0.2V),RC/RB&放大倍数时,三极管工作在饱和区,反之就工作在放大区
PNP型三极管 -
PNP型三极管与NPN型三极管区别
　　2个PN结的方向不一致。
　　PNP是共阴极，即两个PN结的N结相连做为基极，另两个P结分别做集电极和发射极；电路图里标示为箭头朝内的三极管。
　　NPN则相反。
　　工作原理：
　　晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管，两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。
　　对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与之间形成的PN结称为发射结,而与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
　　当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。
　　在制造三极管时，有意识地使发射区的多数载流子浓度大于基区的，同时基区做得很薄，而且，要严格控制杂质含量，这样，一旦接通电源后，由于发射结正偏，发射区的多数载流子（电子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散，但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是电子流，这股电子流称为发射极电流Ie。
　　由于基区很薄,加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：
　　Ie=Ib+Ic
　　这就是说，在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系，即：
　　β1=Ic/Ib
　　式中：β1--称为直流放大倍数，
　　集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为：
　　β= △Ic/△Ib
　　式中β--称为，由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。
　　三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。
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NPN型三极管，由三块半导体构成，其中两块N型和一块P型半导体组成，P型半导体在中间，两块N型半导体在两侧。三极管是电子电路中最重要的器件，它最主要的功能是电流 放大和开关作用。半导体三极管也称为晶体三极管，可以说它是电子电路中最重要的器件。它最主要的功能是放大和开关作用。 三极管顾名思义具有三个。二极管是由一个PN结构成的，而三极管由两个PN结构成，共用的一个成为三极管的（用字母B表示——B取自英文Basic，基本(的）、基础（的）），其他的两个成为集电极（用字母C表示——C取自英文Collect，收集）和发射极（用字母E表示—— E取自英文Emission，发射）。三极管最基本的作用是放大作用，它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。类&&&&别三极管材&&&&料半导体
三极管是一种控制元件，主要用来控制的大小，以共发射原理图极接法为例（信号从输入，从集电极输出，发射极接地），当基极UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极的变化比电流的变化大得多，这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β（β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。），三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。
三极管在放大信号时，首先要进入导通状态，即要先建立合适的静态工作点，也叫 建立偏置 ，否则会放大失真。如上图所示，我们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方向都是流出发射极的，所以发射极E上就用了一个箭头来表示电流的方向。三极管的放大作用就是：集电极电流受基极电流的控制(假设电源能够提供给集电极足够大的电流的话)，并且基极电流很小的变化，会引起集电极电流很大的变化，且变化满足一定的比例关系：集电极电流的变化量是基极电流变化量的β倍，即电流变化被放大了β倍，所以我们把β叫做三极管的放大倍数(β一般远大于1，例如几十，几百)。如果我们将一个变化的小信号加到基极跟发射极之间，这就会引起基极电流Ib的变化，Ib的变化被放大后，导致了Ic很大的变化。如果集电极电流Ic是流过一个电阻R的，那么根据电压计算公式U=R*I可以算得，这电阻上电压就会发生很大的变化。我们将这个电阻上的电压取出来，就得到了放大后的电压信号了。
三极管在实际的放大电路中使用时，还需要加合适的偏置电路。这有几个原因。首先是由于三极管BE结的非线性(相当于一个二极管)，基极电流必须在输入电压大到一定程度后才能产生(对于硅管，常取0.7V)。当基极与发射极之间的电压小于0.7V时，基极电流就可以认为是0。但实际中要放大的信号往往远比0.7V要小，如果不加偏置的话，这么小的信号就不足以引起基极电流的改变(因为小于0.7V时，基极电流都是0)。如果我们事先在三极管的基极上加上一个合适的电流(叫做偏置电流，上图中那个电阻Rb就是用来提供这个电流的，所以它被叫做基极偏置电阻)，那么当一个小信号跟这个偏置电流叠加在一起时，小信号就会导致基极电流的变化，而基极电流的变化，就会被放大并在集电极上输出。另一个原因就是输出信号范围的要求，如果没有加偏置，那么只有对那些增加的信号放大，而对减小的信号无效(因为没有偏置时集电极电流为0，不能再减小了)。而加上偏置，事先让集电极有一定的电流，当输入的基极电流变小时，集电极电流就可以减小;当输入的基极电流增大时，集电极电流就增大。这样减小的信号和增大的信号都可以被放大了。
下面说说三极管的饱和情况。像上面那样的图，因为受到电阻Rc的限制(Rc是固定值，那么最大电流为U/Rc，其中U为电源电压)，集电极电流是不能无限增加下去的。当基极电流的增大，不能使集电极电流继续增大时，三极管就进入了饱和状态。一般判断三极管是否饱和的准则是：Ib*β〉Ic。进入饱和状态之后，三极管的集电极跟发射极之间的电压将很小，可以理解为一个开关闭合了。这样我们就可以拿三极管来当作开关使用：当基极电流为0时，三极管集电极电流为0(这叫做三极管截止)，相当于开关断开;当基极电流很大，以至于三极管饱和时，相当于开关闭合。如果三极管主要工作在截止和饱和状态，那么这样的三极管我们一般把它叫做开关管。
如果我们在上面这个图中，将电阻Rc换成一个灯泡，那么当基极电流为0时，集电极电流为0，灯泡灭。如果基极电流比较大时(大于流过灯泡的电流除以三极管的放大倍数β)，三极管就饱和，相当于开关闭合，灯泡就亮了。由于控制电流只需要比灯泡电流的β分之一大一点就行了，所以就可以用一个小电流来控制一个大电流的通断。如果基极电流从0慢慢增加，那么灯泡的亮度也会随着增加(在三极管未饱和之前)。
但是在实际使用中要注意，在开关电路中，饱和状态若在深度饱和时会影响其开关速度，饱和电路在基极电流乘放大倍数等于或稍大于集电极电流时是浅度饱和，远大于集电极电流时是深度饱和。因此我们只需要控制其工作在浅度饱和工作状态就可以提高其转换速度。
对于，分析方法类似，不同的地方就是电流方向跟NPN的刚好相反，因此发射极上面那个箭头方向也反了过来——变成朝里的了。电子制作中常用的三极管有9 0× ×系列，包括低频小功率硅管9013（NPN）、9012（PNP），低噪声管9014（NPN），高频小功率管9018（NPN）等。它们的型号一般都标在塑壳上，而样子都一样，都是TO-92标准封装。在老式的电子产品中还能见到3DG6（低频小功率硅管）、3AX31 （低频小功率锗管） 等，它们的型号也都印在金属的外壳上。
第一部分的3表示为三极管。 第二部分表示器件的材料和结构，A： PNP型锗材料 B： NPN型锗材料 C： PNP型硅材料 D： NPN型硅材料 第三部分表示功能，U：光电管 K：开关管 X：低频小功率管 G：高频小功率管 D：低频大功率管 A：高频大功率管。另外，3DJ型为场效应管，BT打头的表示特殊元件。按接线图表5接好电路,注意三极管e、b、c三个管脚及发光二极管的极性不要接错。R1是的偏置电阻,当用红线(W)接到14号弹簧或8号弹簧时都可向基极加上偏置电流使三极管导通,(即c、e极间相当于短路),发光二极管D导通发光。当红线(W)接到20号弹簧时,由于20号弹簧的电位低,三极管不导通(即c、e间相当于断路)发光二极管D不发光。电阻R1偏置用,电阻R2有限流作用,也是三极管集电极的负载电阻。发光二极管D指示作用,三极管T开关作用,电池E供电。
三极管可以看成是2个PN结。测试其好坏只要测其PN结是否正常就行。其方法是,用电阻档测b,c极和b,e极的正反电阻,相差几十倍以上就是正常的。
估算NPN型三极管的电流的简单方法：
黑表笔接c极,红表笔接e极,在c,b极间接一个50-200K的电阻,查看表针的摆动情况,摆动越大,β值越高。
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NPN型三极管是N沟道还是P沟道？N沟道和P沟道是怎么定义的？
提问者采纳
因此三极管不存在沟道、P区三极管的工作电流要依次通过P区、N区（NPN管）、N区，它不像场效应管那样是通过一个单一性质的P区或N区、N区（PNP管）或者N区
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其他3条回答
PN型三极管既不是是N沟道也不是P沟道，NPN是晶体管、P沟道的是场效应管。N沟道
N沟道和P沟道是描述场效应管的，NPN及PNP三极管都是三明治形的层结构
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出门在外也不愁三极管中的PNP管还是NPN管是什么意思？都分别起什么作用_百度知道
三极管中的PNP管还是NPN管是什么意思？都分别起什么作用
提问者采纳
型半导体是指载流子以空穴为主，也叫P型材料，以电子为主导电的材料，其核外为三个电子，其核外有四个电子，NPN管基极要接正电位，中间的是硅，以空穴为主导电的材料。镓是第三主族的元素，N型半导体则以电子为主，PNP型管基极要接负电位，这样在两个PN的方向上的顺序是P－N－N的关系。PNP是两边的棒料是镓，也叫N型材料，中间的是镓，硅是第四主族的元素；相反NPN是两边的材料是硅。
PNP与NPN的区别在表面上是以PN结的方向来定义的。 顺便说明。
两种三极管主要区别就是各个极 的电位正好相反，实际上是以三极管的结构材料来区分的：P的意思是在PN结上缺少电子，形成的PN结顺序为N－P－N的关系；N的意思是在PN结上有多余的电子
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