TSS半导体放电管LT3021产品型号【封装SO-08】_百度文库
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TSS半导体放电管LT3021产品型号【封装SO-08】|T​S​S​半​导​体​放​电​管​L​T01​产​品​型​号​【​封​装​S​O​-8​】
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半导体放电管 TSS 工作原理及选型运用 1.TSS 简介 半导体过压保护器是根据可控硅原理采用离子注入技术生产的 一种新型保护器件，具有精确导通、快速响应（响应时间 ns 级） 、 浪 涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。由于其浪涌通流能力 较同尺寸的 TVS 管强，可在无源电路中代替 TVS 管使用。但它的导通 特性接近于短路，不能直接用于有源电路中，在这样的电路中使用时 必须加限流元件，使其续流小于最小维持电流。半导体过压保护器有 贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形式。 2.TSS 工作原理 半导体放电管也称固态放电管是一种 PNP 元件， 当外加电压低于 断态电压时，器件处于断开状态；当电压超过它的断态峰值电压时， 半导体放电管会将瞬态电压箝制到元件的转折电压内； 电压继续增大 时，半导体放电管由于负阻效应进入导通状态，这时近乎短路；当外 加电压恢复正常，电流能很快下降并低于维持电流，元件自动复位并 恢复到高阻抗状态。 3.TSS 特性参数 ①断态电压 VRM 与漏电流 IRM：断态电压 VRM 表示半导体过压保护器 不导通的最高电压，在这个电压下只有很小的漏电流 IRM。 ②击穿电压 VBR：通过规定的测试电流 IR（一般为 1mA）时的电压， 这是表示半导体过压保护器开始导通的标志电压。 ③转折电压 VBO 与转折电流 IBO：当电压升高达到转折电压 VBO（对 unsemi
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应的电流为转折电流 IBO）时，半导体过压保护器完全导通，呈现很 小的阻抗， 两端电压 VT 立即下降到一个很低的数值 （一般为 5V 左右） 。 ④峰值脉冲电流 IPP：半导体过压保护器能承受的最大脉冲电流。 ⑤维持电流 IH：半导体过压保护器继续保持导通状态的最小电流。 一旦流过它的电流小于维持电流 IH，它就恢复到截止状态。 ⑥静态电容 C：半导体过压保护器在静态时的电容值。 4.TSS 命名规则
5.TSS 封装及分类 半导体过压保护器有贴装式、直插式和轴向引线式三种封装形 式。
6.TSS 产品特点 优点： unsemi
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①击穿 （导通） 前相当于开路， 电阻很大， 没有漏电流或漏电流很小； ②击穿（导通）后相当于短路，可通过很大的电流，压降很小； ③具有双向对称特性。 ④响应速度都很快，ns 级。 ⑤击穿电压一致性好。 缺点： ①通流量较小，只有几百 A。 ②击穿电压只有若干特定值。 ③电容较大，有几十至几百 pF 7.TSS 选型 VDRM：截止电压必须大于被保护的电路的最大工作电压 VS：转折电压必须小于设备能承受的最大瞬态峰值电压 IH：维持电流必须大于设备的工作电流和短路电流 C：寄生电容根据电路所允许的
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