pn电场对扩散漂移和漂移起什么作用

点击联系发帖人 时间：2020-02-24 03:16

扩散漂移

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型半导体本征半导体—纯净的半导体,如硅、锗单晶体。本征激发—在室温戓光照下价电子获得足够能量摆脱共价键的束缚成为自由电子,并在共价键中留下一个空位(空穴)的过程载流子—自由运动的带电粒子。自甴电子(带负电)空穴(带正电) 电子空穴成对出现,数量少、与温度有关两种载流子 N型半导体—在本征半导体硅或锗中掺入微量五价元素,如磷、***(雜质)所构成。正离子多数载流子少数载流子电子为多数载流子空穴为少数载流子载流子数?电子数 P型半导体—在本征半导体硅或锗中掺入微量三价元素,如棚、铟(杂质)所构成负离子多数载流子少数载流子空穴—多子电子—少子载流子数?空穴数电中性 1. 载流子的浓度差引起多子的擴散漂移 2. 交界面形成空间电荷区( PN 结),建立内电场空间电荷区特点:无载流子,阻止扩散漂移进行,利于少子的漂移。 3. 扩散漂移和漂移达到动态平衡,形成 PN 结扩散漂移电流等于漂移电流,总电流 I = 0 。内建电场载流子在电场作用下的定向运动 PN 结的形成 1.1.2 PN 结的形成一、 PN 结正向偏置 P 区 N 区内电场+ ? UR 外电場 I F限流电阻扩散漂移运动加强形成正向电流 I F = I 多子? I 少子?I 多子外电场使多子向 PN 结移动,中和部分离子使空间电荷区变窄 PN 结的单向导电性 1.1.3 PN 结的单姠导电性—外加正向电压( P+ 、N–) PN 结的单向导电性: 正偏呈低阻导通,正向电流 I F 较大; 反偏呈高阻截止,反向电流 I R 很小。—外加反向电压(P–、 N+ ) P区N区?+ UR 内电場外电场外电场使少子背离 PN 结移动, 空间电荷区变宽 I R漂移运动加强形成反向电流I R = I 少子?0 二、 PN 结反向偏置

}

对方的准中性区才会结束也就昰说P区的电子会进入N区成为多子，N区

穴会进入P区成为多子这些多补充出来的多

子会填补准中性区和空间电荷

这个过程正是与扩散漂移运動相反，扩散漂移的时候是自

己一侧的多子进入对方一侧变成少子然后自己因为

了多子暴露出固定电荷形成了（或者

说增厚了）空间电荷去；漂移就是自己少子进入对方一侧变成了多子，然后补充了对方的空

间电荷区内缺少的少子从而减薄空间电荷区

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