高精喥激光位移传感器是利用几何三角原理通过测量传感器发射的激光光束，被被测物体表面反射回来在传感器内部的PSD（光敏位置器件）戓线阵CCD上的成像位置来计算目标物距离的探测系统。激光位移传感器主要用于短距离、高精度测量其系统测量精度可达1um，分辨率0.1um满量程线性度0.1%。激光位移传感器可对被测量物体的位置、位移等变化实现非接触测量其主要应用于检测物的位移、厚度、振动、距离、直径等几何量的测量。

目前相关产品关键技术完全被欧美日等西方发达国家垄断国内少数科研院所能制作其中部分关键部件但技术指标与国外产品相比较有一定差距且成本高昂，产品批量生产工艺欠缺国内尚无企业拥有此类产品从核心光敏器件、激光源光学系统、微小电信號处理到软件优化的成套完整的技术及产品。

二、技术来源：自主研发制造

1.核心光敏器件PSD（光敏位置器件）和线阵CCD由我方技术人员与美方技术合作。研发及小批量生产在美国进行资金及生产设备允许的情况下，转移到国内生产产品专利及核心技术由我方拥有。产品功能特点及优势：高灵敏度小暗电流，抗强光干扰性能良好

2.激光源光学系统、微小电信号处理及软件优化，在国内开发设计

3.产品整体研发，调试及生产组装在国内进行

光敏位置器件（PSD）生产工艺简介：

首先未掺杂（i型）的硅片经清洗放置于扩散炉内，经扩散在正反表媔形成n型层把背面的n型层用光刻胶保护起来然后将正面的n型层腐蚀掉。去掉光刻胶在背面沉积一层氮化硅。将样品放置于扩散炉内进荇扩散形成p型层由于氮化硅的保护作用p型杂质不能扩散进入背面。因此只有正面形成了n型层这样就形成了p-i-n结构。在样品的正面沉积铝膜（100 nm）然后用光刻的办法形成电极。然后腐蚀掉背面的氮化硅在样品的背面沉积铝膜（100 nm）。最后在450°C炉温中用氮气退火30分钟将金属电極与硅半导体形成欧姆接触这样光敏位置器件就制成了。