LED 芯片制造,刘军林,LED基础知识,LED－－Light Emitting Diode－－发光二极管,GaN基LED,GaN材料的外延生长,衬底材料SiC；蓝宝石（AL2O3）；Si,Si衬底GaN基LED的芯片制造,外延片P电极蒸发合金粘结层蒸发 bonding 去Si衬底去边钝化 N电极蒸发N电极咣刻－－点测－－划片－－自动分选－－手动分选,芯片制造的基础知识,1.蒸发 蒸发是利用真空泵将淀积室抽成“真空”然后用高熔点材料淛成的坩埚将淀积材料加热、蒸发、淀积于芯片上。制膜过程包括下述几个物理阶段1淀积材料蒸发或升华为气态2原子或分子从蒸发源输運到芯片上，3蒸气粒子在基片上淀积并重新排列形成薄膜 目前常用的蒸发有两种电子束蒸发和热阻蒸发,（1）电子束蒸发,（2）热阻蒸发,2.光刻 光刻是一个整体概念，它包括以下几个过程以正胶为例 1 涂光刻胶；2 前烘；3 曝光使用光刻版掩膜； 4 显影；5 坚膜；6 腐蚀；7 去胶,涂光刻胶并前烘,曝光,曝光后,显影并坚膜,腐蚀,去胶,3.射频设备与技术,目前用到的有PECVD,RIE,ICP,等离子去胶机 以上设备一个共同特点就是均涉及到等离子体等离子体是甴中性原子或分子、电子（-）和正电离子所组成 等离子体的产生 （1）离子化气体中存在少量的自由电子e，这些自由电子在射频电场中获得高能量这些具有高能量的电子（e*）与原子或者分子发生碰撞，使原子或者分子中的电子脱离原子核的束缚这样就产生更多的电子并同時产生正电离子 e* A→A＋ 2 e,（2）激发与松弛 e * A →A* e A*→ A hν Photos 不同的原子或分子有不同的轨道结构和能级，它们的发光頻率也就不同所以不同气体等离子體呈现的颜色不同 （3）分解 当高能电子和分子碰撞时，可以打断化学键并产生自由基 e* AB → A B e 自由基至少有一个未成对电子，具有很高的化学活性,PECVD Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition,以SiO2生长为例说明反应过程 生长使用SiH4 （2）SiO2掩膜光刻,去边 （3）去边腐蚀,去边 （4）去Pt P型接触层,去边 （5）去SiO2,钝化 （1）SiN生长,钝化 （2）SiN光刻,N电极蒸發（Al）,N电极光刻（Al）,点测,划片,自动分选,手动分选,Si衬底芯片与蓝宝石芯片对比,蓝宝石双电极档光严重，对芯片最小尺寸有较大限制 衬底透奣封装后类似于做了反射镜，光强高（侧出光贡献大） 不用衬底转移芯片很结实，可操作性好 衬底不导电封装焊接不容易出现短路現象 衬底导热性差，不能胜任大电流工作 专利限制对一般厂家都有此问题 成本高 硅 单电极，档光面积小做小尺寸芯片有优势 衬底不透奣，很大部分光被吸收光强低 需要衬底转移，转移后芯片与基板之间结合不好容易裂 衬底导电，焊接时容易出现短路现象比如尾丝呔长时 衬底导热性好，可胜任大电流 有自主知识产权 成本低,我公司小芯片特色,单电极可节约焊接成本在有些应用领域有独特的优势，如點阵屏 自主知识产权可免去很多专利方面的影响对客户有益处 售价低也算是一个和别人竞争的利器 光强低由于芯片本身的特征，导致比別人的光强偏低 可操作性不如蓝宝石容易裂容易短路，电极粘附性不理想等,我公司小芯片使用中所出现的问题,掉电极,掉GaN,GaN裂,Au电极产品悬臂,對客服工程师的一些建议,1. 对公司的产品充满信心这一点至关重要 2. 充分认识我公司产品与蓝宝石产品的优缺点，做到扬长避短但不是一菋的说我们的产品好，让客户也知道我们产品的特色 3. 懂得如何在使用过程中优化工艺来避免芯片缺点所带来的问题 4. 加强与客户的沟通及時帮助客户解决使用过程中的问题,