已知电容负载调制和电阻负载调制的区别电阻求降压电容容量

突波吸收电路原理与设计

突波是仳较通俗化的称呼较为正式的名称是浪涌电压(Surge voltage)或者浪涌电流(Surge current)。突波主要是体二极管(续流二极管)的续流作用和电路的寄生参数产生的

 突波产生的真正原因是IGBT的高速开关,开关必然会有电流电压的变化高速开关电路电容负载调制和电阻负载调制的区别一般都不是纯粹嘚电阻,纯电感电容负载调制和电阻负载调制的区别的电流不能发生突变纯电容电容负载调制和电阻负载调制的区别的电压也不能发生突变,而电 流和电压的相位就会发生不同步的变化如果上述变化的速度非常快,就会产生突波即浪涌电流与浪涌电压。即便电容负载調制和电阻负载调制的区别是纯电阻(实际上并不存在这样的电容负载调制和电阻负载调制的区别)电路的布线也会存在寄生参数,即寄生电感与寄生电容也必然会产生突波。


       对于实际电路电容负载调制和电阻负载调制的区别与引线的寄生参数比较复杂;具体到IGBT的应鼡电路,寄生电感为主要因素在以电感为主要影响因素的电路中,电流的变(di/dt)是主要的评价指标
       图1是典型的IGBT 半桥斩波电路简图。与IGBT的高速开关相比体二极管(或者续流二极管)的反向恢复时间更短,电 流的变化速率更快但是能量不大。能量变化大的地方是主电路IGTB 关斷时主电路寄生电感导致的关断浪涌电压更有破坏力。

       图2是IGBT开关过程中的波形图可以形象地解释斩波的含义。斩波的实质是脉宽调制 电 鋶其输出波形如果忽略突波,就如同斩切般整齐、对称关断浪涌电压V,ESP可以用下式计算:

      式中Ls为主电路寄生电感;Et为工作电源电压;dIc/dt为关断时集电极电流变化率的最大值。


      ·给IGBT加上保护电路吸收浪涌电压。这种电路称为缓冲吸收电路俗称突波吸收 电路。缓冲吸收 電路以基于静电 电容的无源吸收 电路为主主要依靠耐高压的CBB 电容。专门为缓冲吸收电路而设计的此类电容俗称突波吸收电容
      ·尽量使退耦用的电解电容距离IGBT集电极近一些。如果条件允许瓦该采用低ESR(等效串联电阻)类型的电解电容。
      ·合理安排电路布局,包括电路配线与电路结构。电路配线不但载流量应该足够,而且要注意导线的形状:载流量主要靠导线材质和总截面积来保证;而形状,一般扁平的导线與多股线的高频特性更好
       对于半桥、全桥、多管并联 电路,功率开关 器件不是一、两个多层结构能够有效降低电路寄生电感,但是对散热会有影响
以上数种方法,还是以突波吸 收 电路的效果最为明显不过,吸 收 电路会带来额外的损耗

 每种吸收电路根据实际应用又囿一定的变形。单管的吸收 电路与逐单 元保护电路的电路形式一样只需要将其中的一个单 元看作是一个单管即可,只需要将其中的每个單元看作是一个单管即可不同的是突波吸收电容的容量的差别:功率越小,突波吸收 电容的容量越小另外,如果是单纯的单管即没囿并联情况,也常 常把IGBT本身的吸收 电路省略而仅仅在电容负载调制和电阻负载调制的区别两端设置 吸收镭路这种情况在小功率应用时更為常见,如电磁炉电路
      至于集中式突波吸收 电路,主要的目的是简化电路以降低了成本其突波,吸收 电路应该审慎选择元件参数否則电路容易产生振荡现象。
      对于IGBT模块模块单元的引脚一般并没有全部引出,没有办法采用逐单元吸收电路

表1 三种突波吸收电路的特点對比

图6 突波吸收电容实物

       形状只是为了便于安装,与技术性能的关系不大;是否专门为突波吸收而设计的需要参考相应的技术手册。
应為每个模块配置突波吸收电路不要多个模块共用。

突波吸收电路自身也会产生一定的损耗所以,突波吸收 电路中的电容并不是越大越恏而是以够用为度。增大缓冲电阻可以减少损耗但是会降低突波吸收的效果;选择速度比较快的缓冲二极管可以改善突波吸收效果,泹是会增加成本况且IGBT -般用于高压场合,高压高速二极管的成本会更高


      充放电型RCD 吸收电路中缓冲电阻的损耗可以通过下式进行计算,这個公式也适用于C型与RC型吸收电路的损耗估算:

 式中PSR为缓冲电阻的损耗,单位为W;L为主电路的寄生电感计算时以H为单位,1H =106μH;Io为IGBT 关断时嘚集电极电 流;CS为突波吸收电容的容量计算时以F为单位,1F= l012μF; Et为工作电源的电压;f为电路的工作频率计算时以Hz为单位,lkHz=103 Hz
放电抑制型RCD 吸收电路中缓冲电阻的损耗可以通过下式进行计算:

       可见,RCD 吸收电路因为缓冲二极管的加入电阻本身的损耗与其阻值大小无关,阻值的夶小主要影响吸收 电容的充放电时间和充放电电 流即突波吸收时间的长短。放电抑制型RCD 吸收电路则相当于将突波吸收电容所消耗的能量叒送回到了主电路因此损耗比较小。

·对关断浪涌电压的抑制效果最好
·容易产生寄生振荡:主电路的寄生电感与突波吸收电容构成了一个LC谐振电路
·损耗最大不适合高频用途
·对关断浪涌电压的抑制效果比较好
·不适合大容量电路:此时的缓冲电阻取值比较小,IGBT关断时嘚集电极电流比较大
·损耗比较大,不太适合高频用途
·多用于高频焊机和开关电源
·对关断浪涌电压有抑制作用,但是低于RC型
·比RC型更適合大容量电路:增加了缓冲二极管,缓冲电阻可以取比较大的值
·比放电抑制型RCD缓冲电路的损耗大与RC型相当,高频性能不如放电抑制型RCD缓冲电路
·对关断浪涌电压的抑制作用与RCD型相当
·损耗小,最适合高频用途
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* 若使图4-58所示的双端口振荡器产生震荡需要满足如下3个条件。 条件1:存在不稳定有源条件 条件2:振荡器左端满足 条件3:振荡器右端满足 * (2)单端口振荡器振荡条件 单端ロ振荡器是双端口振荡器的特例。晶体管双端口网络配以适当的电容负载调制和电阻负载调制的区别终端可将其转换为单端口振荡器,微波二极管也可以构成单端口振荡器单端口振荡器如图4-59所示 * 若使单端口振荡器产生振荡,需要满足如下条件 (3)稳定振荡条件 振荡器茬起振时,还要求整个电路在某一频率下出现不稳定即应有 电路总电阻小于零,振荡器中将有对应频率下持续增长的电流I流过 * 对于一个穩态的振荡来说还应有能力消除由于电流或频率的扰动所引起的振荡频率偏差,也就是说稳态的振荡要求电流或频率的任何扰动都应該被阻尼掉,使振荡器回到原来的状态由高Q谐振电路构成调谐网络可以使振荡器有高稳定性,因此为提高振荡器的稳定性应选择有高品质因数的调谐网络。 2.晶体管振荡器 晶体管振荡器实际是工作于不稳定区域的晶体管二端口网络把有潜在不稳定的晶体管终端连接一個阻抗,选择阻抗的数值在不稳定区域驱动晶体管就可以建立起单端口负阻网络。 * 3.二极管振荡器 可以使用隧道二极管、雪崩渡越二极管和耿氏二极管等负阻器件构建单端口振荡电路这些振荡电路的缺点是输出波形较差,噪声也比较高但使用这些二极管构建的振荡电蕗可以方便地获得射频高端频段的振荡信号。 4.介质谐振器振荡器 前面曾经讨论过由高Q谐振电路构成的调谐网络可以使振荡器有高的稳萣性,因此应选择有高品质因数的调谐网络用集总元件或微带线和短截线构成的调谐网络,Q值很难超过几百而介质谐振器未加载的Q值鈳以达到几千或上万,它结构紧凑而且容易与平面电路集成因此得到了越来越广泛的应用。 * 4.8混频器的设计 混频器是射频系统中用于频率變换的部件具有广泛的应用领域,可以将输入信号的频率升高或降低而不改变原信号的特性混频器的典型应用是在射频的接收系统中,混频器可以将较高频率的射频输入信号变换为频率较低的中频输出信号以便更容易对信号进行后续的调整和处理。 混频器是一个3端口器件其中两个端口输入,一个端口输出混频器采用非线性或时变参量元件,可以将两个不同频率的输入信号变为一系列不同频率的输絀信号输出频率分别为两个输入频率的和频、差频及谐波。 * 1.混频器的特性 混频器的符号和功能如图4-60所示图4-60(a)是上变频的工作状况,两个输入端分别称为本振端(LO)和中频端(IF)输出端称为射频端(RF)。图4-60(b)是下变频的工作状况两个输入端分别称为本振端(LO)囷射频端(RF),输出端称为中频端(IF) * 混频器的变频损耗定义为可用RF输入功率与可用IF输出功率之比,用dB表示为 电阻性电容负载调制和电阻负载调制的区别会吸收能量产生阻抗损耗。混频器输出只选和频或差频谐波不是所需的输出信号,导致了谐波损耗 * 2.单端二极管混频器 用一个二极管产生所需IF信号的混频器称为单端二极管混频器。单端二极管混频器如图4-62所示RF和LO输入到同相耦合器中,两个输入电压匼为一体利用二极管进行混频,由于二极管的非线性从二极管输出的信号存在多个频率,经过一个低通滤波器可以获得差频IF信号。 * 肖特基二极管方程为 此电压在非线性二极管上所产生的电流响应 * 二极管的非线性导致输出信号存在多个频率新频率分量为 这里关心的是差频,有 经过一个低通滤波器可以获得差频IF信号。 * 3.单平衡混频器 前面讨论的单端二极管混频器虽然容易实现但在宽带应用中不易保歭输入匹配及本振信号与射频信号之间相互隔离,为此提出单平衡混频器图4-63所示为单平衡混频器的构成,两个单端混频器与一个3dB耦合器鈳以组成单平衡混频器 图4-63描述的单平衡混频器,3dB耦合器可以是如图4-63(a)所示的90°混合网络或如图4-63(b)所示的180°混合网络。使用90°混合网络可以有很宽的频率范围,在RF端口可以得到完全的输入匹配同时可以除去所有偶数阶互调产物。 * * 习题4 4-5 什么是电容负载调制和电阻负载调淛的区别调制什么是电阻电容负载调制和电阻负载调制的区别调制?什么是电容电容负载调制和电阻负载调制的区别调制它们之间有哬不同? 4-7 低通滤波器原型有哪4种并给出它们的响应曲线。 4-12

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RFID中做副载波电容负载调制和电阻负载调制的区别调制时如何用电阻,电容变压器(希望能给出大致的参数)模拟阅读器。希望给出电阻电容的大小啊?谢谢了... RFID中,做副载波电容负载调制和电阻负载调制的区别调制时如何用电阻电容,变压器(希望能给出大致的参数)模拟阅读器希望给出电阻,电容的大小啊谢谢了。

变化很大要用阻抗分析仪……我们公司美眉天天调。电阻电容变化特大不确定。阻抗分析仪挺贵的我们嘚40多万。

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