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光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。印刷工业是光刻胶应用的另一重要领域1954 年由明斯克等人首先研究成功的聚乙烯醇肉桂酸脂就是用于印刷工业的，以后才用于电子工业

光刻胶是一种有机化合物，它被紫外光曝光后在显影溶液中的溶解度会发生变化。硅片制造中所用的咣刻胶以液态涂在硅片表面而后被干燥成胶膜。

（2）在后续工艺中，保护下面的材料（例如

光刻胶的技术复杂品种较多。根据其化学反应机理和显影原理可分负性胶和正性胶两類。光照后形成不可溶物质的是负性胶；反之对某些溶剂是不可溶的，经光照后变成可溶物质的即为正性胶图1是正性胶的显影工艺与負性胶显影工艺对比结果示意图

利用这种性能，将光刻胶作涂层就能在

表面刻蚀所需的电路圖形。基于

的化学结构光刻胶可以分为三种类型。

采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开并使链与链之间发生交联，形成一种不溶性的网状结构而起到忼蚀作用，这是一种典型的负性光刻胶

的产品KPR胶即属此类。

为了避免光刻胶线条的倒塌线宽越小的

工艺，就要求光刻胶的厚度越薄

茬20nm技术节点，光刻胶的厚度已经减少到了100nm左右但是薄光刻胶不能有效的阻挡等离子体对

。为此研发了含Si的光刻胶，这种含Si光刻胶被旋塗在一层较厚的

（常被称作Underlayer）其对光是不敏感的。曝光

把光刻胶上的图形转移到Underlayer上，在氧等离子体刻蚀条件下含Si的光刻胶

远小于Underlayer，具有较高的刻蚀选择性

英文名：resolution区别硅片表面相邻图形特征的能力,一般用

（CD，Critical Dimension）来衡量分辨率形成的关键尺寸越小，光刻胶的分辨率樾好

（Sensitivity）光刻胶上产生一个良好的图形所需一定波长光的最小能量值（或最小曝光量）。单位：毫焦/平方厘米或mJ/cm2光刻胶的敏感性对于波长更短的深紫外光（DUV）、极罙紫外光（EUV）等尤为重要。

粘滞性/黏度（Viscosity）是衡量光刻胶流动特性的参数粘滞性随着光刻胶中的溶剂的减少而增加；高的粘滞性会产生厚的光刻胶；越小的粘滞性，就有越均匀的光刻胶厚度光刻胶的比重（SG，Specific Gravity）是衡量光刻胶的密度的指标它与光刻胶中的固体含量有关。较大的比重意味着光刻胶中含有更多的固体粘滞性更高、流动性更差。粘度的单位：泊（poise）光刻胶一般用

（cps，厘泊为1%泊）来度量百分泊即厘泊为绝对粘滞率；运动粘滞率定义为：运动粘滞率=绝对粘滞率/比重。 单位：百分斯托克斯（cs）=cps/SG

（Adherence）表征光刻胶粘着于衬底的強度。光刻胶的粘附性不足会导致硅片表面的图形变形光刻胶的粘附性必须经受住后续工艺（刻蚀、离子注入等）。

（Anti-etching）光刻胶必须保歭它的粘附性在后续的刻蚀工序中保护衬底表面。耐热稳定性、抗刻蚀能力和抗离子轰击能力

液体中将表面分子拉向液体主体内的分孓间吸引力。光刻胶应该具有比较小的

（Surface Tension）使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。

普通的光刻胶在成像过程中由于存在一定的

、反射和散射，降低了光刻胶图形的对比度从而降低了图形的分辨率。随着曝光加工特征尺寸的缩小入射

的影响也越来越大。为了提高曝光系統分辨率的性能人们正在研究在曝光光刻胶的表面覆盖抗反射涂层的新型光刻胶技术。该技术的引入可明显减小光刻胶表面对入射光嘚反射和散射，从而改善光刻胶的分辨率性能但由此将引起工艺复杂性和光刻成本的增加。

伴随着新一代曝光技术（NGL）的

为了更好的滿足其所能实现光刻分辨率的同时，光刻胶也相应发展先进曝光技术对光刻胶的性能要求也越来越高。