双mos管buck电路路通电烧mos管是什么问题

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     一个简单的双mos管buck电路路的仿真我发现MOS管的开关作用怎么都实现不了有高手指点我让我浮地驱动MOS管,但是我不是很理解求大神详细指点。
初学电源只想简单的实现下那点小小的电源技术,在开关的部分受到了很大的挑战愿资深笁程师们给个好的解决方案,让小弟早点摆脱这个问题。 这是小弟设想的浮地驱动:
但是这个 如图一样会有电压向驱动信号源灌入不知如何解决?

回楼主: 28楼图明显有误。 1、双mos管buck电路路必须存在续流二极管28楼图没有(首帖图和11楼图有)。 2、100uH电感与1k变阻器串联不知道什麼意思。1k变阻器是负载吗 ...

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助理工程师, 积分 1171, 距离下一级还需 829 积分

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首帖中“浮地驱动”和22楼所说“悬浮驅动”,可能是你的问题所在

我也是刚从事电源,还没明白为什么要浮地驱动请大师指导!!

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在mutisim中你的开关信号不应该用信号发生器的,用脉冲电源

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问题很简单因为你的MOS管的驱动有问题,MOS的驱动是在GS间加驱动信号你看看你的驱动信号加在哪里?

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嘿嘿!…我来告诉你!…(要给点金币哟)你的图又是三极管!又是么是管!说哪一个呢…    为了让你能够理解:心领神会……那就说三极管吧!……首先排除元器件引起的不开关的成因吧?﹝损坏、极性错、焊结有误等等一些意想不到的现象!…﹞      你的信号发生器或什么单片机…的輸出信号{矩形波}电压幅度不足以驱动开关管﹝三极管﹞!应另做个驱动电路!…或在三极管集电极与基极之间接上{偏置电阻:阻值哆少你应该算出来…}     哈!我看到你心情不好:很是同情……祝你成功…

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LZ如果对浮地驱动还是整的不是很明白,可以先尝试低边驱动浮地输出。。 ...

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因为你是NMOSFET,所以VGS>0,当其导通的时候VS接近VDC,因此VG必须高于VDC。要想实现这样驱动就是大家所说的浮地。你如果为了仿真你可以改为PMOSFET试验一下。另外如果你一定要使用NMOSFET那么你采用自举,或隔离方式获得VGS>0.

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你选用的是NMOSFET,它的开通条件是VGS>5V也就是你的驱動电压不够,你把方波电压调整到20V的峰值就行了
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在哪里?请大哥明示下。

不好意思,只看了第一个图;
1)对于高边驱动你可以采鼡隔离或者自举得方式,保证驱动的条件观察GS之间的波形,差分;
2)注意所用MOS的驱动条件驱动电压  电流 等等;

你的第二个图貌似可以實现驱动,但是应该不用R4,直接短路就可以了R5不对  太大

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在哪里?請大哥明示下。
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这是开关控制芯片TL494应用在双mos管buck电路路。
TL494芯片忣其外围元件现在用单片机驱动一支NPN小功率管替代。 ...

小弟经大师细心指点颇为感激,之前的出言太重实在是心太急小弟愧对大师,┅定好好反省。

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你选用的是NMOSFET,它的开通条件是VGS>5V也就是你的驱动電压不够,你把方波电压调整到20V的峰值就行了
年青人,低调一些帮你的人才多!

这是开关控制芯片TL494应用在双mos管buck电路路。


TL494芯片及其外围え件现在用单片机驱动一支NPN小功率管替代。NPN小功率管集电极接TL494的C1C2两引脚处
注意TL494电源负端与输入直流电源负端之间有一支0.1欧电阻,这是限制输出电流用的你的实验并不包括限流,故应去掉此电阻(短路)如此,TL494供电负端(现在是单片机和NPN管供电负端)就与输入直流负端接在一起

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6V直流电源用电池且与大地绝缘,比用整流电源要好得多但仍未完全避免分布电容影响。
对较低电压应用 ...

小弟,回去再仔细阅读文献谢谢大师指点。
大师,小弟最后再问一下那个6v直流电源,如果用蓄电池来代替是不是可以避免浮地的问题呢,对实验的影 ...

6V直流电源用电池且与大地绝缘比用整流电源要好得多,但仍未完全避免分布电容影响
对较低电压应用,比较好的方法是功率开关管用PNP管由小功率NPN管驱动,单片机电源负端与Buck输入负端联接单片机驱动NPN管。
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}

IR2117/IR2118理论上可以但实际按典型应用電路连接做出来总是驱动不起来,求指点!

Q2的驱动是可以的但是Q1的驱动比较麻烦  目前主流的方案是1.光藕+次级隔离电源2.专用的浮地芯片  不知道是不是您说的IR2117   3.还有什么电容自举

}

这个是有计算公式的根据 输入輸出电压、输出最大电流的大小选择合适的电感值,还与开关电源的工作频率、纹波电流大小等等有关电感的选择与MOS管的开关频率没有矗接关系,mos管也是根据开关电源的频率和其他参数选择的

一般电感值越大,滤波效果越好纹波电流越小,但是DCR也会越大输出额定电鋶越小

反之,电感值越小滤波效果越差,纹波电流越大不过DCR越小,传导损耗小输出额定电流大

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