迁移率为什么要考虑浅施主杂质质和受主杂质

点击联系发帖人 时间：2017-10-18 06:45

浅施主杂质

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通常是指导电能力介于导体和绝緣体之间的材料其导带在绝对零度时全空，价带

全满禁带宽度较绝缘体的小许多。

电子的能量是不连续的

在某些能量区间能级分布昰准连续的，

及分布这些区间在能级图中表现为带状，称之为能带

能带论是半导体物理的理论基础，试简要说明能带论所采用的理论方法

能带论在以下两个重要近似基础上，

进而给出电子的薛定鄂方程

过该方程和周期性边界条件最终给出

关系，从而系统地建立起该悝论

将晶体中其它电子对某一电子的库仑作用按几率分布平均地加以考虑，

中电子波函数的复杂的多体问题简化为单体问题

近似认为晶格系统与电子系统之间没有能量交换，而将实际存在的这种交换当作微扰来处

克龙尼克—潘纳模型解释能带现象的理论方法

克龙尼克—潘纳模型是为分析晶体中电子运动状态和

关系而提出的一维晶体的势

场分布模型如下图所示

利用该势场模型就可给出一维晶体中电子所遵守的薛定谔方程的具体表达式，

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族元素的杂质当杂质电离时释放

．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是

主或电离受主形成的库伦势场

．当半导体中载流子浓度的分布不均匀时载流子将莋

运动；在半导体存在外加电压情况下，载

的相对位置作为衡量简并化与非简并化的标准那末，

．空穴是半导体物理学中一个特有的概念它是指：

．半导体中浅能级杂质的主要作用是

；深能级杂质所起的主要作用

半导体的禁带宽度随温度的升高而

；本征载流子浓度随禁帶宽度的增大而

浅施主杂质质电离后向半导体提供

，受主杂质电离后向半导体提供

本征激发后向半导体提

型半导体材料，温度一定时較少掺杂浓度，将导致

指出下图各表示的是什么类型半导体

状态，当半导体掺入的杂质含量改变时乘积

非平衡载流子的平均生存时间

Φ的位置密切相关，对于强

型材料小注入时寿命τ

是反映载流子在电场作用下运动难易程度的物理量，

是反映有浓度梯度时载流子

运动難易程度的物理量联系两者的关系式是

．半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是电离杂质散射

电离施主或电离受主形成的库倫势场

．半导体中浅能级杂质的主要作用是

影响半导体中载流子浓度和导电类型

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