FIM Imaging and FIMtrack: Two New Tools Allowing High-throughput and Cost Effective Locomotion Analysis | Protocol (Translated to Chinese)
<meta name="keywords" content="Neuroscience, Issue 94, Drosophila, C. elegans, locomotion analysis, tracking software, animal behavior, high-throughput, Frustrated Total Internal Reflection (FTIR), FTIR-based Imaging Method (FIM), Neuroscience, scientific video journal" />
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&JoVE Neuroscience
FIM成像和FIMtrack：两个新的工具允许高吞吐量和成本效益分析步态
*1,2, *1, 1,2, 2, 1
1Institute of Neuro and Behavioral Biology, Westf&#228;lische Wilhelms-Universit&#228;t M&#252;nster, 2Department of Mathematics and Computer Science, Westf&#228;lische Wilhelms-Universit&#228;t M&#252;nster
* These authors contributed equally
FIM是旨在跟踪小型移动物体如C一种新型的，具有成本效益的成像系统线虫，涡虫和果蝇幼虫。伴随FIMTrack计划的目的是提供快速，高效的数据分析。总之，这些工具允许的行为特征高通量分析。
Date Published: 12/24/2014, ; doi:
Keywords: , , , , , , , , , ,
Risse, B., Otto, N., Berh, D., Jiang, X., Kl&#228;mbt, C. FIM Imaging and FIMtrack: Two New Tools Allowing High-throughput and Cost Effective Locomotion Analysis. J. Vis. Exp. (94), e52207, doi:10. (2014).
神经元网络功能的分析需要的行为特征的可靠测量。由于自由活动动物的行为是可变到一定程度，许多动物都进行分析，以获得统计学显著数据。这又需要的运动模式的计算机辅助自动定量。以获得几乎半透明和小型移动物体的高对比度图像，基于受抑全内反射称为FIM一种新颖的成像技术被开发。在此设置中，将动物仅在与下面的爬行表面接触的非常具体的位置照射红外光。这种方法导致了非常高的对比度的图像。随后，这些高对比度图像是使用建立轮廓跟踪算法处理。在此基础上，我们开发了FIMTrack软件，其用于提取数的所需特性来定量描述了大量的各种运动的特点。在这个软件包的发展，我们专注于一个开源的架构，允许轻松添加更多的模块我们的努力。程序的操作独立于平台，并伴随着一个直观的图形用户界面引导通过数据分析该用户。所有的运动参数值给出了CSV文件，允许进一步的数据分析形式。此外，结果查看器集成到跟踪软件提供了机会，交互审查并调整输出，可能在刺激整合是必要的。 FIM和FIMTrack的动力表现在研究果蝇幼虫的运动。
大多数动物不得不在一个高度成熟和可控的方式移动的能力。破译遗传基础底层运动控制它是强制性的定量评估不同的行为模式。在这方面，果蝇可作为理想模型。自由飞行果蝇的跟踪是诱人的1-4但果蝇幼虫在相对 低的速度爬行发生在两个维度，因此可以很容易地监测。基于摄像头的设置结合适当的照明是用来采集图像5。这两个事件或透射光受雇于行为实验6,7。然而，由于在幼虫和幼虫运动的爬行表面忠实记录的可能光反射的半透明体可以是具有挑战性的。为了克服这些问题，一些复杂的方法已被设计出来。最近，暗视场照明被引入，以提高前景/背景续RAST 8。作为替代基于相机的记录，透镜较少的光学成像和图像传感器较少片上采集技术已经引入9-11。 几个跟踪项目最近已经推出，其中包括商业软件12和定制解决方案。高通量的跟踪程序的例子是多蠕虫跟踪（MWT）13 Multianimal步态和跟踪（MAGAT）8。两者都在共同的，即多种动物可以跟踪在一个单一的旷场舞台，使得碰撞动物导致多个新的动物的身份。为了克服此限制，一个多井设置导入分离12动物进入各个孔14。单一个体的运动的精确定量可以通过使用一个可移动的跟踪阶段结合用显微镜15来实现。然而，所有这些方法要么成本效率不高，缺乏足够的重溶液或太费时高通量的表型。 为了克服上述局限性，我们已经开发FIM（ 基于FTIR的成像方法）根据受抑全内反射（FTIR）16（ 图1）。这种新的成像方法提供了前所未有的高对比度，甚至允许爬行动物16的多色记录。这种方便和有效的方法的基本原理很简单。丙烯酸玻璃板上充斥着光（ 例如，875纳米红外线）。由于丙烯酸类玻璃和空气的折射率不同，则光被完全在玻璃/空气界面处反射。丙烯酸类玻璃的无加热注意到16。仅当具有较高折射率的物体触摸光线充足的表，可以点亮输入这些对象。如果动物触摸表面，光被反射，并且可以从下面（ 图1）捕获。其结果，只使触头动物的区域表现为一个亮点，它可以让影像细节与整体的黑色背景。因此，FIM-成像可以录制完美的电影的计算机视觉算法。简单和坚固的使用FIM现在带来的复杂的动物行为的详细的高通量分析成范围，可用于研究的信息处理： 例如，嗅觉8,16;远景17或18 thermosensation。
图1. FIM安装热刺激一体化和基本物理原理。 （A）的FIM设置。照明强度可以在前面板上进行调整。（B）提供一个热的刺激，一个黑色涂漆铝板，两边灌注热水和冷水，放在上面的琼脂表面2毫米其中本身为2毫米厚。梯度被建立在散热器板和琼脂由温度差（℃）受抑全内反射的物理原理：一个有机玻璃板由红外光照射。 θ1，θ2，θ3表示的光的反射角度。 N A，N 1，N 2和N 3表示的空气，亚克力玻璃，琼脂和幼虫的折射率分别履行不平等N A &N 1 &N 2 &N 3。由于折射，反射角度转变过程中发生变化。如果角度小于临界角，光不再反映，可以通过图层，可以从下面拍摄的。
在SP过程ectrum可由FIM被分析广阔。没有任何进一步的调整，FIM成像可用于监测果蝇（ 图5B）的所有幼虫阶段或可用于遵循足部印痕成年果蝇19。 C的同样，轨迹线虫或涡扁虫的运动可以很容易地记录（ 图5C）。真菌菌丝或根毛生长甚至分析似乎可行的19。在我们当前的FIM设置，4×16的红外发光二极管（IR-LED）的被集成到一个32×32 cm 2的丙烯酸系的玻璃板，被称为跟踪表（ 图1）。对IR-LED的强度取决于在跟踪表中的对象，这可以通过经由脉宽调制（PWM），其连接到所述电路微控制器来容易地进行的重量进行调整。 FIM产生非常高的对比度的图像在宽范围的照明强度。重要的是，它根erates在已经很低的总体红外irridation了优异的成绩。 用红外滤波器的摄像机放置在跟踪表，它允许集成的额外刺激到设置在下面。热刺激可以通过热辐射板可以很容易地应用和光刺激被由LCD投影机施加。还加臭剂可以通过简单的盖子8被包含在梯度。对热梯度的实验中，散热板被分别灌注用热水和冷水在两侧，并放置幼虫（ 图1B）超过2毫米。 的高对比度，高品质的电影的产生将打开的可能性为复杂的计算机图像分析，从而我们实施了FIMTrack软件来提取一大组的特征，从图像（ 图2）。前六个主要特征是从动物（ 图3A）的轮廓限定。这些功能提供基线为进一步的计算描述该动物的形状和其在某些刺激位置在给定的时间点（ 图3B）6次要特征。目前，九三级功能是计算正在将时间方面，从而与主要和次要特征（ 图3C）的动物的运动特征在一起。
图2. FIMTrack概述，算法的工作流程和幼虫表示。 （A）如何使用FIMTrack。图像被加载。灰度值阈值和幼虫大小阈值定义单一的幼虫必须设置。幼虫面积必须在[分钟尺寸，最大尺寸。跟踪是通过突出显示的按钮启动。（B）跟踪的工作流程。被点击开始按钮后，背景图象为Calculated（最小强度随着时间的推移）。只要有左帧，幼虫是基于灰度阈值和min-和最大尺寸的阈值分割。对于幼虫表示计算所有分段（比较（C））。每一个新的模型被关联到一个给定的轨迹，如果一个有效的轨道是可用的。如果最后帧为止，最后完成后处理完成后的输出的生成。（C）的幼虫表示。动物包括一个头部和尾部点（H和T）的。这些点之间的脊点秒的任意奇数号i可以被设置具有半径R I。此外，质量为m和主体弯曲角度γ的中心被计算出来。几种运动相关的参数是由紫色的线条勾勒。
<p class="jove_content" f○：保together.within页=“总是”&
图由FIMTrack计算3.特点。 （A）主要功能基于动物的轮廓上。（B）二次特点的基础上，主要功能。（C）第三功能的基础上，在连续帧的和额外的投入主要功能
注：在这里，使用FIM被提交幼虫运动的筛查自由移动条件下热刺激的影响，方便高通量分析。其他应用，如嗅觉刺激依赖运动或滚动或其他行为的高分辨率成像可能需要微妙的变化对协议，该协议可应要求提供的分析。
1.建立实验使用共（需要1小时的时间）每型约100幼虫获得统计学意义的价值观。注意：如果几个基因型需要比较并记录在不同的日子，记录每天每基因型幼虫的数量相同。 对于大多数应用，在10赫兹的参数分析记录。对于高分辨率成像应用中，如果需要改变成像速度。 第三龄幼虫，大约产卵后的120小时进行试验的跟踪。让河畔?的文化产生足够的幼虫在实验期间（见4.3）。 对于非刺激应用，制备含半透明的琼脂表面爬行（见第2节）。含有幼虫的刺激范围为热梯度的应用，环绕的视场与厌恶盐琼脂屏障（参见第3节）。 注：其他应用可能需要不同的表面。 请务必使用一个带恒定的环境条件（温度，光照，气流，空气湿度等 ）。
2.爬行表面处理（半透明琼脂） 注：在FIM设置的琼脂表面加入提供了潮湿的爬行表面。此外，它也提高了照明属性。 煮沸0.8％食品级琼脂在去离子纯水。对于筛选的应用做好准备400毫升。 在一个单独的33厘米X33厘米交流倾琼脂在50℃下（手 - 热）rylic-玻璃板。琼脂的表面张力，因此，温度将限定琼脂板的厚度。在50℃，2毫米厚的琼脂板被获得。煮沸后不要搅拌，倒入不断以避免气泡。准备新鲜的琼脂板为约4小时每拍摄期间。 填写标准的6毫米培养皿中，其余0.8％的琼脂溶液进行排序，清洁和幼虫，观察者实验（每基因型1盘）之前。 如果厌恶琼脂障碍是需要的应用程序，进行第3节。 修剪过的琼脂板的周界的约2cm，以获得一个平面方形表面进行记录。删除多余的琼脂。 注：大小是依赖于应用。 轻轻推滑行琼脂在有机玻璃板的边缘在冷却后直接传输琼脂板的FIM设置。
3.可选：添加厌恶琼脂屏障，克劳林志玲表面（盐琼脂） 煮沸的2.5％的食品级琼脂用3M NaCl的去离子超纯水。用于筛选在热梯度制备200毫升注：体积取决于应用程序。 切2厘米宽的缺口，先前倒周围的景色（22×22厘米）领域的爬行表面。 注意：不同的屏障的形式和视场可根据应用需要。 填写盐琼脂比跟踪表面高0.1-0.3厘米的槽口。
4.飞处理后方苍蝇在25℃培养箱中以12小时光照/黑暗周期，在65％的空气湿度调节到实验的时间标准飞食品。 对于十字架，麻醉30处女雌性果蝇和雄性8与CO 2和交叉他们130 ml培养瓶35毫升食物。 注意：一个130毫升文化小瓶35毫升食物将产生约20-30升4小时的成像范围内连吃三龄幼虫。成像和跟踪工作全部龄幼虫阶段。 滴一点水文化小瓶带动后期三龄幼虫运动和收集利用小画笔小瓶墙壁上最大的幼虫。
2-5分钟录制前，一个视频含0.8％食品级琼脂在去离子超纯水使其习惯和清理他们一个培养皿转移幼虫。
5.调整FIM成像设置的录音（非条件刺激） 如果需要调节摄像头的镜头焦距和光圈。设置曝光时间对于各摄像机。 注意：不需要实验过程中要改变这些设置。 调节照明强度由成像1幼虫，以获得良好的对比度。 保持期间记录在房间恒定的环境条件。调暗房间不打扰幼虫定向光。
6.可选：调整FIM成像设置了录音（温度逐渐刺激条件下） 注：热梯度设备是42×42×0.2cm的3铝板带亚光黑色涂料，绝缘材料上的顶位。该板被灌注从连接到两端热能转换/冷却器和油泵两个不同的电路水（参见图1B）。温度可调节从-5到+50°C。 开启前的实验热梯度设备1小时，并将其放置在设置上述允许建立所希望的温度分布和组分达到平衡。 传输与盐屏障，设置爬行表面琼脂。 将散热板在琼脂和调整板和爬行表面到2mm之间的间距（约1毫米以上的幼虫）。 建立的线性梯度至少0.8℃，从34℃（约2厘米的视场屏障）至18℃（约2厘米处的视场的相对部位的阻挡），通过调整/厘米温度的水回路到1°C和45°C的含量。 注：在金属板的不同梯度特性需要不同的温度，这需要根据经验确定。不需要在实验过程中要改变这些设置。 在第5节调整设置。 允许爬行表面在梯度平衡实验前20分钟。测试用高温计的温度梯度。 继续进行第8。
7. FIM成像（非条件刺激） 用小画笔湿轻轻收集15幼虫从习惯培养皿中，并将它们转移到跟踪表面的中心。不转让食物仍然还是太多了水（见图7.8）。 记录1
50幼虫上一个22厘米×22厘米跟踪区域。使用每个视频15只动物在大多数检查应用程序（统计原因，每个基因型使用至少100人）。 轻轻分开的幼虫，等待约10-20秒，直到所有的幼虫开始录制前直移动。 在每秒10帧用于非刺激条件下记录幼虫运动2分钟。使用未压缩TIF图像作为输出格式。 在录制过程中，收集幼虫从小瓶使其习惯他们的下一个视频关键：不要打扰记录幼虫光。 录制完成后，取出幼虫用大画笔，并丢弃它们按照当地的安全和法律规则。 取出幼虫后，用画笔来清洁和滋润爬行表面用超纯水去离子水。
关键：保持表面湿润在任何时候，但避免过度莫isture，它可以被看作是晕或周围的幼虫在录音滴和干扰跟踪。
8.可选：FIM成像（温度逐渐刺激条件下） 后的温度梯度的关系成立（参见第6节），将幼虫上爬行表面（见8.2） 如后准备用于即时在20秒内记录在记录软件，设置每个视频帧的数目与定义了保存通路。 略微抬起散热板，并放置幼虫在33℃2厘米从盐屏障。是指6和7作进一步的一般说明。再次降低了散热片，并开始录制，直接3-4分钟后，幼虫开始直线移动。 录制完成后，直接删除的幼虫，清洁和滋润表面。请勿触摸盐琼脂，以避免氯化钠蔓延。
关键：保持表面湿润在任何时候，但要避免过多的水分，这可以被视为光晕或周围的幼虫在录音滴和干扰跟踪。 使琼脂表面保湿1-2分钟后再次达到平衡，同时保存图像和收集新的动物准备下一个视频前。用高温计每5个视频控制温度梯度和（关于水的温度，高度和XY方向向跟踪表面）根据需要调整温度的设备。
9.跟踪幼虫移动模式注：欲了解更多详情，请参阅附带的说明书FIMTrack（补充）。对于一个程序流程图见图2。 调整跟踪参数用于使用预览选项的相应的实验。 根据照相机和视场调整每厘米像素。 调整基于所述摄像头设置每秒帧。 调整亮度阈值，以便日在所有的动物都正确地检测（反馈给出在预览）。 幼虫调整区域大小阈值。注意在预览反馈选项：单动物以黄色突出显示，碰撞幼虫以红色突出显示，每个动物的区域给出蓝色。 开始使用按钮在右下角跟踪。 注：成功跟踪之后，图像配幼虫轨道和含有所计算出的运动和姿态的功能csv文件被存储在图像目录下。 使用FIM结果查看器模块（编辑&结果查看器...），审查和手动调整的跟踪结果。如果需要的话，定义刺激区域评估数据中相对于所述刺激政权如爬行取向在相对 于热梯度或距离到臭气物质的来源。对于更详细的说明，请使用手动（补充）。 数据的评估10 导入CSV文件导入Excel，MATLAB或任何其他程序进行进一步的统计分析。
用于成像的几个不同的照相机具有不同的分辨率的性能进行了测试（图4）。所有的摄像机，其中配备了适当的IR滤镜。根据在该试验中，价格最低的照相机的分辨率低，视场限制为10厘米×10厘米。最好的结果是使用4兆像素（MP）相机获得。这导致每个第三龄幼虫长度为100像素的分辨率，并允许容易地识别内部结构。此外，动物的蠕动能够容易地提取出（ 图4A）。然而，人们可以使用较便宜的照相机，它也可以由FIMTrack分析仍然获得高对比度的电影。使用1.4 MP照相机与深度的8位和1392 X 1040像素的分辨率大约是一半的价格，并允许每三龄幼虫长度45个像素中的视场的分辨率。头，但没有其他的内部结构可以被识别（ 图4B）。跟踪和检测的蠕动是可能的，但精度降低（ 图4B）。 用更便宜的0.8 MP相机的空间分辨率堪比1.4万像素摄像头，幼虫头部不能再忠实地承认（ 图4C）。跟踪和蠕动的分析是可能的，但包括基础上增加了更多的噪音抖动。出人意料的是，即使是低分辨率的USB摄像头提供了足够的高质量的电影来计算幼虫轨迹（0.3万像素摄像头，低于20EUR， 图4D）。该蠕动可从面积计算，但测量非常嘈杂。 在我们的设置中，我们经常使用的400万像素摄像头。用于筛选，这种相机可监听一个22厘米×22厘米竞技场，这显然提供了机会，同时分析大量的动物，使得高通量分析是可行的。使用此设置，幼虫长度i177。40像素仍然可录制和蠕动的分析表示。 15幼虫轨迹中的热梯度的示例性图像是在图5A中 。此外，利用微距镜头的允许图像幼虫具有非常高的分辨率，其中许多内部器官变得可见，头识别性进一步提高（ 图5B）。此外，这些可用于大范围的行为20的进一步更详细的分析。相同的设置可以方便地用于图像抓取C.线虫蠕虫（ 图5C）。
图4. FIM成像和跟踪结果不同的相机。 （A）左图：3幼虫爬行使用400万像素摄像头，支持10帧拍摄的10厘米×10厘米跟踪阶段FIM成像。中秋节：剪裁和一个幼虫大规模轨迹中心。动物的区域被指示。右：幼虫面积绘制了100帧。红色箭头表示截取图像的时间点。（B）相当于（A），但使用的是1.4万像素摄像头拍摄的。（C）相当于（A），但使用的是0.8万像素摄像头拍摄的。（D）相当于（ A），但使用的是0.3 MP相机拍摄。
图5.热刺激，和高分辨率的应用程序。 （A）热的刺激的应用（比较图1）。通过FI计算的轨迹MTrack。（B）中使用的是微距镜头的第三，第二和第一龄幼虫的高分辨率图像应用。由400个像素中的视图的2.5×2.5厘米的场（c）一种 C的第三龄幼虫的长度来表示。使用FIM成像线虫蠕虫抓获。比例尺表示。
在行为神经科学，它是强制性定量破译复杂的行为特征。需要进行统计分析。因此，大量的个体必须在高分辨率观察和自动程序。这里，FIM成像被描述，一种新颖的，简单的和鲁棒的成像设置，它提供了监测多种动物的运动的手段。利用果蝇幼虫，涡虫扁形虫和C.在FIM成像设置的有效性进行了测试线虫蠕虫。在FIM技术提供固有高对比度，以检测内部连动物的结构，如脑，气管，肠道或腺胃。重要的是，这些内部结构被鲁棒地识别，以便它们能用于自动识别所述动物19的取向。 的电影的质量可以通过水对爬行表面过量的影响。因此，关键控制琼脂的水分。表面上太旧琼脂或过多的水会导致文物。同样地，确保没有气泡被包括在抓取表面。在一般情况下，一个精心准备的琼脂表面允许录制动画4小时。 由于底层的物理原理FIM成像产生几乎无噪音的图像记录，导致卓越的图像质量。这又便于随后的基于计算机的图像分析和实现高吞吐量。然而，该方法仅限于分析动物直接接触琼脂表面。跟踪软件是由动物形成环形形状的挑战。虽然一个二进制指示符识别的环形形状，一个错误的脊柱可能被计算出。 由于跟踪表双重和三重彩色成像的模块化结构为范围。此外，额外的刺激（光，气味，电气或机械刺激）可以很容易地删除从上面ivered。该FIMTrack程序设计，以配合FIM成像的功率可容易地通过跟踪果蝇幼虫，C。线虫或涡虫。由此，并且由于其简单的和廉价的结构（见http://FIM.uni-muenster.de），FIM成像是用于广泛的生物医学应用可行，特别是允许急需高通量研究。
作者什么都没有透露
我们感谢S.托马斯谁发起了这个项目，J.赫尔曼和U. Burgbacher在FIM安装施工的帮助。这个工作是由东风集团（SFB 629 B6）。
Catalog Number
details for construction or purchase of setups is available upon request
Acrylic glass plate
Additional for agar pouring
Heat radiator plate
Aluminum plate (paintet in matt black) perfusable on opposing sites with adjustable mounting
Water calorifier/cooling pumps and hoses
based on GE healthcare MultiTempIII (No.: 18-1102-78) and Dr Bruno Lange GmBH (Typ: LTG013)
Standard Camera (4 MP)
acA2040-25gm
Camera defaultly used for the FIM setup
Test Camera (1.4 MP)
&1394 firewire (01- QIC-F-M-12 MONO)
Camera used for comparison
Test Camera (0.8 MP)
Point Grey
Dragonfly 2 (DR2-13S2M/C-CS)
Camera used for comparison
Test Camera (0.3 MP)
PS Eye USB2.0 camera
Camera used for comparison
equipped with at least i5 Intel processor or better, 16 GB RAM and sufficient HDD storage space [>1TB]
Standard Fly food
Standard Fly vials 135 ml
Sarstedt AG&Co, N&mbrecht, Germany
Petri dishes 9 cm
Sarstedt AG&Co, N&mbrecht, Germany
Ultrapure deionized water
Merck Millipore, Darmstadt, Germany
Carl Roth GmbH, Karlsruhe, Germany
Food grade agar
AppliChem GmbH, Darmstadt, Germany
Paintbrush (small and large)
Aquarell 310 Size 0 and 2
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请问，哪里有地方下载那种分辨率的动漫图片
，但找不到。想要下个这么大分辨率的初音图
提问者采纳
去 萌华社 找吧，每天更新的，里面初音的图片多着呢
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其他1条回答
那只有原版了 呃
哪有地方下到原版？
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出门在外也不愁MANUFACTURING METHOD OF ARRAY SUBSTRATE
WIPO Patent Application WO/
A manufacturing method of an array substrate for manufacturing an amorphous silicon array substrate of an OLED panel, the method comprising the following steps: forming a gate electrode metal layer and a pixel electrode pattern on a glass substrate with
forming a gate electrode insulating layer and a semiconductor layer pattern with a second mask process, the first mask process and the second mask process both being half- forming a source/drain electrode metal layer and a channel with
and forming a passivation layer with a fourth mask process. With the method, the process flow for manufacturing an a-Si array substrate of an OLED display panel is simplified, the usage of mask may be decreased, and the production cost is reduced.
Inventors:
XU, Xiangyang (NO.9-2, Tangming Rd. Guangming New Distric, Shenzhen Guangdong 2, 518132, CN)
Application Number:
Publication Date:
10/01/2015
Filing Date:
04/17/2014
Export Citation:
SHENZHEN CHINA STAR OPTOELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD. (NO.9-2, Tangming Rd. Guangming New Distric, Shenzhen Guangdong 2, 518132, CN)
International Classes:
H01L21/84; H01L21/027
View Patent Images:
&&&&&&PDF help
Foreign References:
6337284CNACNA
Attorney, Agent or Firm:
SHENZHEN RONDA PATENT AND TRADEMARK LAW OFFICE (Unit 4G, Golden Century Building Southeast Corner of Shennan Middle Road and Guangzhou-Shenzhen Expwy, Futian Distric, Shenzhen Guangdong 0, 518040, CN)
权 利 要 求
1、 一种阵列基板的制造方法，用于制造低分辨率的 0LED面板的非晶 硅阵列基板，其中，包括如下步骤：
在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素电极图案， 所述第一道光罩工艺为半调式光罩工艺；
采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案，所述第二道光 罩工艺为半调式光罩工艺；
采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道；
采用第四道光罩工艺，形成钝化层。
2、 如权利要求 1 的一种阵列基板的制造方法，其中，所述在玻璃基板 上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素电极图案的步骤包括： 在所述玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层，并涂覆 光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对棚金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份 光刻胶；然后对棚金属层进行第二次湿刻并剝离相应光刻胶，形成棚极金属 层和像素电极图案。
3、 如权利要求 2所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述在玻璃 基板沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层的步骤具体为：
采用溅射或热蒸发的方法在所述玻璃基板上沉积厚度为 1000 A -6000A 的棚金属薄膜，以及沉积厚度为 100~1000人的 ITO像素电极层或 IZO像素 电极层。
4、 如权利要求 3所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述采用第 二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度的棚 绝缘层以及半导体层薄膜，并涂覆光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影案；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行干刻以及对半导体层进行第一次 干刻，去除部份光刻胶；然后对半导体层进行第二次干刻，并剝离相应光刻 胶，形成棚极绝缘层和半导体层图案。
5、 如权利要求 4所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述在形成 有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度的棚绝缘层以及 半导体层薄膜的步骤具体为：
采用化学气相沉积方法，在所述形成有棚极金属层和像素电极图案的玻 璃基板上依次沉积厚度为 2000 A -5000A 的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的半导体层薄膜。
6、 如权利要求 5所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述采用第 三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道的步骤包括：
在所述形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚 度的源漏金属薄膜，并涂覆光刻胶；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源漏金属层薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层和沟道。
7、 如权利要求 6所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述在形成 有形成棚极绝缘层、 半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚度的源漏金属薄 膜的步骤具体为：
采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为 1000人? 6000人的源漏金属薄 膜。
8、 如权利要求 7所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述通过第 四道光罩工艺，形成钝化层的步骤包括：
在所述形成有源源极金属层、 漏极金属层和沟道的玻璃基板上沉积一层 钝化层，并涂覆光刻胶；
采用第四道光罩工艺进行曝光显影、 干刻，形成钝化层图形； 并剝离相应光刻胶。
9、 如权利要求 8所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述形成有 源源极金属层、漏极金属层和沟道的玻璃基板上沉积一层钝化层的步骤具体 为：
在形成有源源极金属层、 漏极金属层和沟道的玻璃基板上通过化学气相 沉淀法沉积一层厚度为 λ的钝化层。 10、 如权利要求 9所述的一种阵列基板的制造方法，其中， 所述化学气相沉淀法为等离子体增强化学气相沉淀法，所述棚绝缘层和 钝化层采用 SiNx ,所述半导体层薄膜为非晶硅 a-Si半导体薄膜。
11、 一种阵列基板的制造方法，用于制造低分辨率的 OLED面板的非晶 硅阵列基板，其中，包括如下步骤：
在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素电极图案， 所述第一道光罩工艺为半调式光罩工艺；
采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案，所述第二道光 罩工艺为半调式光罩工艺；
采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道；
采用第四道光罩工艺，形成钝化层；
其中，所述在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素 电极图案的步骤包括：
在所述玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层，并涂覆 光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对棚金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份 光刻胶；然后对棚金属层进行第二次湿刻并剝离相应光刻胶，形成棚极金属 层和像素电极图案。
12、 如权利要求 11 所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述在玻 璃基板沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层的步骤具体为：
采用溅射或热蒸发的方法在所述玻璃基板上沉积厚度为 1000 A -6000A 的棚金属薄膜，以及沉积厚度为 100~1000人的 ITO像素电极层或 IZO像素 电极层。
13、 如权利要求 12所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述采用 第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度的棚 绝缘层以及半导体层薄膜，并涂覆光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影案； 然后对位于沟道上的绝缘保护层进行干刻以及对半导体层进行第一次 干刻，去除部份光刻胶；然后对半导体层进行第二次干刻，并剝离相应光刻 胶，形成棚极绝缘层和半导体层图案。
14、 如权利要求 13所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述在形 成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度的棚绝缘层以 及半导体层薄膜的步骤具体为：
采用化学气相沉积方法，在所述形成有棚极金属层和像素电极图案的玻 璃基板上依次沉积厚度为 2000 A -5000A 的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的半导体层薄膜。
15、 如权利要求 14所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述采用 第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道的步骤包括：
在所述形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚 度的源漏金属薄膜，并涂覆光刻胶；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源漏金属层薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层和沟道。
16、 如权利要求 15所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述在形 成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚度的源漏金属 薄膜的步骤具体为：
采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为 1000人? 6000人的源漏金属薄 膜。
17、 如权利要求 16所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述通过 第四道光罩工艺，形成钝化层的步骤包括：
在所述形成有源源极金属层、 漏极金属层和沟道的玻璃基板上沉积一层 钝化层，并涂覆光刻胶；
采用第四道光罩工艺进行曝光显影、 干刻，形成钝化层图形； 并剝离相应光刻胶。
18、 如权利要求 17所述的一种阵列基板的制造方法，其中，所述形成 有源源极金属层、漏极金属层和沟道的玻璃基板上沉积一层钝化层的步骤具 体为： 在形成有源源极金属层、漏极金属层和沟道的玻璃基板上通过化学气相 沉淀法沉积一层厚度为 λ的钝化层。
19、 如权利要求 18所述的一种阵列基板的制造方法，其中， 所述化学气相沉淀法为等离子体增强化学气相沉淀法，所述棚绝缘层和 钝化层采用 SiNx ,所述半导体层薄膜为非晶硅 a-Si半导体薄膜。
Description:
一种阵列基板的制造方法 本申请要求于 2014 年 3 月 28 日提交中国专利局、 申请号为 .0, 发明名称为" 一种阵列基板的制造方法" 的中国专利申请 的优先权，上述专利的全部内容通过引用结合在本申请中。 技术领域
本发明涉及有机发光二极管（ Organic Light Emitting Diode , OLED )显 示器的制造技术，特别涉及一种阵列基板的制造方法，用于制造 OLED显示 器的薄膜场效应晶体管（Thin Film Transistor , TFT )阵列基板。
近年来，显示技术得到快速的发展，平板显示器已取代笨重的 CRT显 示器日益深入人们的日常生活中。 目前，常用的平板显示器包括液晶显示器 LCD(Liquid Crystal Display) 和 有 机 发 光 二 极 管 OLED(Organic Light-Emitting Diode) 显示器。 上述平板显示器具有体积小、 功耗低、 无辐 射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。 平板显示器的阵列 基板上，每一个像素配备了用于控制该像素的开关，即薄膜场效应晶体管 ( Thin Film Transistor , TFT ) , TFT 至少包含棚电极，源、 漏极以及棚绝缘 层和有源层。 通过驱动电路可以独立控制每一个像素，同时不会对其他像素 造成串扰等的影响。
传统的高分辨率 OLED 通常采用低温多晶硅 （ Low Temperature Poly-silicon , LTPS )阵列基板，而 LTPS阵列基板通常采用 9到 13道光罩 工艺，工艺流程较为复杂。
而对于适用于低分辨率面板的非晶硅（a-Si )阵列基板，如果还采用如 LTPS阵列基板通常采用 9到 13道光罩工艺，不但工艺流程复杂，而且成本 局。
本发明所要解决的技术问题在于，提供阵列基板的制造方法，适用于制 造低分辨率 OLED显示面板的 a-Si阵列基板，可以減少掩膜板的使用量，从 而降低生产成本。
为了解决上述技术问题，本发明的实施例的一方面提供了一种阵列基板 的制造方法，用于制造低分辨率的 OLED面板的非晶硅阵列基板，包括如下 步骤：
在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素电极图案， 所述第一道光罩工艺为半调式光罩工艺；
采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案，所述第二道光 罩工艺为半调式光罩工艺；
采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道；
采用第四道光罩工艺，形成钝化层。
其中，所述在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素 电极图案的步骤包括：
在所述玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层，并涂覆 光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对棚金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份 光刻胶；然后对棚金属层进行第二次湿刻并剝离相应光刻胶，形成棚极金属 层和像素电极图案。
其中，所述在玻璃基板沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层的步 骤具体为：
采用溅射或热蒸发的方法在所述玻璃基板上沉积厚度为 1000 A -6000A 的棚金属薄膜，以及沉积厚度为 100~1000人的 ITO像素电极层或 IZO像素 电极层。
其中，所述采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步 骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度的棚 绝缘层以及半导体层薄膜，并涂覆光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行干刻以及对半导体层进行第一次 干刻，去除部份光刻胶；然后对半导体层进行第二次干刻，并剝离相应光刻 胶，形成棚极绝缘层和半导体层图案。
其中，所述在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预 定厚度的棚绝缘层以及半导体层薄膜的步骤具体为：
采用化学气相沉积方法，在所述形成有棚极金属层和像素电极图案的玻 璃基板上依次沉积厚度为 2000 A -5000A 的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的半导体层薄膜。
其中，所述采用第三道光罩工艺 ,形成源 /漏极金属层和沟道的步骤包括： 在所述形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚 度的源漏金属薄膜，并涂覆光刻胶；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源漏金属层薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层和沟道。
其中，所述在形成有形成棚极绝缘层、 半导体层图案的玻璃基板上沉积 预定厚度的源漏金属薄膜的步骤具体为：
采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为 1000人? 6000人的源漏金属薄 膜。
其中，所述通过第四道光罩工艺，形成钝化层的步骤包括：
在所述形成有源 /漏极金属层和沟道的玻璃基板上沉积一层钝化层并涂 覆光刻胶；
采用第四道光罩工艺进行曝光显影、 干刻，形成钝化层图形；
并剝离相应光刻胶。
其中，所述形成有源源极金属层、 漏极金属层和沟道的玻璃基板上沉积 一层钝化层的步骤具体为：
在形成有源源极金属层、漏极金属层和沟道的玻璃基板上通过化学气相 沉淀法沉积一层厚度为 λ的钝化层。
其中，所述化学气相沉淀法为等离子体增强化学气相沉淀法，所述棚绝 缘层和钝化层采用 SiNx ,所述半导体层薄膜为非晶硅 a-Si半导体薄膜。
相应地，本发明实施例的另一方面，还提供本发明的实施例的一方面提 供了一种阵列基板的制造方法，用于制造低分辨率的 OLED面板的非晶硅阵 列基板，包括如下步骤：
在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素电极图案， 所述第一道光罩工艺为半调式光罩工艺；
采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案，所述第二道光 罩工艺为半调式光罩工艺；
采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道；
采用第四道光罩工艺，形成钝化层；
其中，所述在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素 电极图案的步骤包括：
在所述玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层，并涂覆 光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对棚金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份 光刻胶；然后对棚金属层进行第二次湿刻并剝离相应光刻胶，形成棚极金属 层和像素电极图案。
其中，所述在玻璃基板沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层的步 骤具体为：
采用溅射或热蒸发的方法在所述玻璃基板上沉积厚度为 1000 A -6000A 的棚金属薄膜，以及沉积厚度为 100~1000人的 ITO像素电极层或 IZO像素 电极层。
其中，所述采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案的步 骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度的棚 绝缘层以及半导体层薄膜，并涂覆光刻胶；
采用半调式光罩工艺对所述光刻胶进行曝光显影；
然后对位于沟道上的绝缘保护层进行干刻以及对半导体层进行第一次 干刻，去除部份光刻胶；然后对半导体层进行第二次干刻，并剝离相应光刻 胶，形成棚极绝缘层和半导体层图案。
其中，所述在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预 定厚度的棚绝缘层以及半导体层薄膜的步骤具体为：
采用化学气相沉积方法，在所述形成有棚极金属层和像素电极图案的玻 璃基板上依次沉积厚度为 2000 A -5000A 的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的半导体层薄膜。
其中，所述采用第三道光罩工艺 ,形成源 /漏极金属层和沟道的步骤包括： 在所述形成有形成棚极绝缘层、半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚 度的源漏金属薄膜，并涂覆光刻胶；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源漏金属层薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层和沟道。
其中，所述在形成有形成棚极绝缘层、 半导体层图案的玻璃基板上沉积 预定厚度的源漏金属薄膜的步骤具体为：
采用磁控溅射或热蒸发方法，沉积厚度为 1000人? 6000人的源漏金属薄 膜。
其中，所述通过第四道光罩工艺，形成钝化层的步骤包括：
在所述形成有源 /漏极金属层和沟道的玻璃基板上沉积一层钝化层并涂 覆光刻胶；
采用第四道光罩工艺进行曝光显影、 干刻，形成钝化层图形；
并剝离相应光刻胶。
其中，所述形成有源源极金属层、 漏极金属层和沟道的玻璃基板上沉积 一层钝化层的步骤具体为：
在形成有源源极金属层、漏极金属层和沟道的玻璃基板上通过化学气相 沉淀法沉积一层厚度为 λ的钝化层。
其中，所述化学气相沉淀法为等离子体增强化学气相沉淀法，所述棚绝 缘层和钝化层采用 SiNx ,所述半导体层薄膜为非晶硅 a-Si半导体薄膜。
实施本发明的实施例，具有如下的有益效果：
实施本发明实施例，在整个过程中只需要采用四道光罩工艺，简化了制造低 分辨率 OLED显示面板的 a-Si阵列基板的工艺流程 ,可以減少掩膜板的使用 量，从而降低生产成本。
附图说明 为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实 施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面 描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲， 在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。
图 1是本发明提供的一种阵列基板的制造方法的一个实施例中的主流程 示意图；
图 2是图 1中采用第一道光罩形成棚极金属层和像素电极层后的阵列基 板的结构示意图；
图 3是图 1中采用第二道光罩形成棚极绝缘保护层和 a-Si半导体层后的 阵列基板的结构示意图；
图 4是图 1采用第三道光罩形成源 /漏极金属层后的阵列基板的结构示意 图；
图 5是图 1采用第四道光罩形成钝化层后的阵列基板的结构示意图。 具体实施方式
下面参考附图对本发明的优选实施例进行描述。
如图 1所示，是本发明提供的一种阵列基板的制造方法的一个实施例中 的主流程示意图；在该实施例中，该方法适宜于用来制造低分辨率的 OLED 面板的非晶硅阵列基板，该方法包括如下步骤：
步骤 S10 ,在玻璃基板上采用第一道光罩工艺，形成棚极金属层和像素 电极图案，第一道光罩工艺为半调式（half tone )光罩工艺；
具体地，该步骤包括：
在玻璃基板上沉积预定厚度的像素电极层以及棚极金属层，并涂覆光刻 胶，例如在一个实施例中，采用溅射或热蒸发的方法在玻璃基板上沉积厚度 为 1000 A -6000A的棚金属薄膜，以及沉积厚度为 100~1000人的 ITO (铟锡 氧化物）像素电极层或 IZO (氧化锌）像素电极层，其中，棚金属薄膜可以 采用诸如金属 Cr、 Mo、 Al、 Cu等；
采用半调式光罩工艺对光刻胶进行曝光显影；
然后对棚金属层进行第一次湿刻，对像素电极层进行湿刻，并去除部份 光刻胶；然后对棚金属层进行第二次湿刻，并剝离相应光刻胶，形成棚极金 属层和像素电极图案，其中棚极金属层包括棚极（Gate )以及棚极引线连接 区（ Gate pad
其中，形成棚极金属层和像素电极层后的阵列基板的结构示意图可参见 图 2所示。 具体包括，玻璃基板 21以及在其上形成的棚极 22、 像素电极 23 和棚极引线连接区 24。 步骤 S11 ,采用第二道光罩工艺，形成棚极绝缘层、 半导体层图案，第 二道光罩工艺为半调式（half tone )光罩工艺；
具体地，该步骤包括：
在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上，沉积预定厚度的棚 绝缘层以及半导体层薄膜，并涂覆光刻胶，例如，在一个实施例中，采用化 学气相沉积方法，在形成有棚极金属层和像素电极图案的玻璃基板上依次沉 积厚度为 2000 A -5000A的棚绝缘层、 厚度为 1000 A -3000A的半导体层薄 膜；
采用半调式光罩工艺对光刻胶进行曝光显影，形成一定的图案； 然后对位于沟道上的绝缘保护层进行干刻以及对半导体层进行第一次 干刻，去除部份光刻胶；然后对半导体层进行第二次干刻，并剝离相应光刻 胶，形成棚极绝缘层和半导体层图案。
其中，形成棚极绝缘层、 半导体层图案后的阵列基板的结构示意图可参 见图 3所示。其中，标号 25代表的为棚绝缘层，标号 26代表的为半导体层， 其他标号所代表的元件的介绍可参照图 2中的介绍。
步骤 S12 ,采用第三道光罩工艺，形成源 /漏极金属层和沟道，其中，该 第三道光罩工艺可以为普通的光罩工艺；
在形成有形成棚极绝缘层、 半导体层图案的玻璃基板上沉积预定厚度的 源漏金属薄膜，并涂覆光刻胶，例如，在一个实施例中，可以采用磁控溅射 或热蒸发方法，沉积厚度为 1000人? 6000人的源漏金属薄膜；
采用第三道光罩工艺进行曝光显影，对源漏金属层薄膜进行湿刻，对沟 道进行干刻，并剝离相应的光刻胶，形成源极金属层、 漏极金属层、 沟道和 数据引线连接区（Data pad 其中，形成源漏金属薄膜后的阵列基板的结构示意图可参见图 4所示。 其中，标号 27代表的为源漏金属层，标号 28代表的为数据引线连接区，其 他标号所代表的元件的介绍可参照图 3中的介绍。
步骤 S14 ,采用第四道光罩工艺，形成钝化层。
具体地，该步骤包括：
在形成有源极金属层、 漏极金属层和沟道的玻璃基板上沉积一层钝化层 ( Bank )并涂覆光刻胶，例如，在一个实施例中，可以在形成有源极金属层、 漏极金属层和沟道的玻璃基板上通过化学气相沉淀法沉积一层厚度为 A的钝化层；
采用第四道光罩工艺进行曝光显影、 干刻，形成钝化层图形； 并剝离相应光刻胶。
其中，形成钝化层后的阵列基板的结构示意图可参见图 5所示。 其中， 标号 29代表的为钝化层，其他标号所代表的元件的介绍可参照图 4中的介 绍。
具体地，上述步骤中所提及的化学气相沉淀法为等离子体增强化学气相 沉淀法（ Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition , PECVD ) ,棚绝缘层和 钝化层采用 SiNx ,半导体层薄膜为非晶硅 a-Si半导体薄膜。
实施本发明实施例，具有如下的有益效果：
实施本发明实施例，在整个过程中只需要采用四道光罩工艺，简化了制 造低分辨率 OLED显示面板的 a-Si阵列基板的工艺流程 ,可以減少掩膜板的 使用量，从而降低生产成本，提高时间效益。
以上所揭露的仅为本发明较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明 之权利范围，因此等同变化，仍属本发明所涵盖的范围。
& 2004-. All rights reserved.}