场效应管和三极管的区别_百度文库
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场效应管和三极管的区别
场​效​应​管
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你可能喜欢三极管中，基极电流什么与集电极电流有个比例关系？不是讲发射极电流＝基极电流+集电极电流吗？_百度知道
三极管中，基极电流什么与集电极电流有个比例关系？不是讲发射极电流＝基极电流+集电极电流吗？
只是一个加的关系，哪里来的倍数关系啊？他MD的书也没写，只是定义出一个基极与集电极电流倍数，这个倍数总来的有个原因吧，我随便比如：为什么不能把基极电流与发射极电流进行一个比例的系数计量呢？所以通过书上我觉得：基极电流与基区的空穴与发射区的电子复合有关，与集电极一点TMD关系都没有。请高手指教一下，帮我解决困扰我多久的问题。谢谢了
提问者采纳
你可以这样理解，三极管工作的时候，由发射极发射电子，集电极收集电子，而发射极发射的电子并没有完全由集电极吸收，而是一部分被基极吸收，所以iE=iC+iB。倍数关系可以这样理解，给你举个例子吧，假如iE=3，iC=2，iB=1；这样满足iE=iC+iB，那么ic=2/3iE，这个倍数就是2/3。iB=1/3iE ,这个倍数就是1/3，反过来就是ie=3ib,所以放大倍数是3，这个放大倍数与三极管的结构和杂质浓度有关！当你选好三极管以后 ，它的放大倍数就确定啦！
提问者评价
其他类似问题
简单说吧，一个放大1000倍的三极管，如果基极电流增加1微安，那么集电极就会增加1000微安，如果基极电流减小1微安，那么集电极就下降1000微安，这就说明基极和集电极的电流存在比例关系。
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其他1条回答
学习电子时，你会发现在学习过程中有很多问题难搞懂，也找不到人问清楚。你可以先把不懂的问题放下，过段时间再来看这个问题，可能就懂了，不要钻进去出不来。比如这个问题，你从微观上搞不懂，可以试试做些试验，把三极管的使用特性搞清楚了，再反回去看那些空穴呀、载流子什么的可能就懂了。
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出门在外也不愁设计一个电子负载,通过控制基极电流来控制发射极输出电流-电源网
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设计一个电子负载,通过控制基极电流来控制发射极输出电流
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楼层直达：
设计一个电子负载,满足的要求是:通过控制基极的电流来控制发射极的输出电流,使发射极输出的电流0--30a连续可调,我想着基极的控制采用A/D转换器,看起来比较直观,如果加上单片机可以自动控制就更好了,现在只是有这个思路,但是操作起来不知道如何下手,我想着先用电位计来控制基极的电流,用电流表观察发射极的输出,从在这里最简单的入手,我想请高手指导一下.
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onclick="if(!this.resized) {} else {window.open('/bbs/u/29/.gif');}" onmousewheel="return imgzoom(this);">
上圖這線路是以前工作時,自己做的電子式負載機,但只能以可調式定電流放電,如果配合MCU的話,就可改裝成可定電阻、定電流、定功率、脈沖放電等等的功能.
負載機通常都是用來做放電用,如測試電池、電源器輸出、測量輸出功率等,一台電子式負載機要好幾萬,對於生產線,或個人要用,一般用途的話,是滿貴的,所以自己製作負載機,價格便宜又簡單,用於生產及簡單測試就很足夠了.
所需零件:
運算放大器: 358 1棵
電壓參考器: TL431 1棵
小訊號電晶體: 945 1棵
功率晶體: 1012 (TOSHIBA編號)1棵或2棵(視放電功率)
功率電阻: 0.1 ohm一棵
可變電阻: 1K 1棵.
電阻、電容: 若干
變壓器 12VDC輸出,任何電流值的都可以,只供電給TL431及OP用,不需多大電力.
工作原理:
12VDC輸入後,TL431電壓參考器,會產生一固定2.495V的參考電壓,再經電阻及VR分壓後,輸入OP AMP的+ input,這點的電位決定放電電流,如果設定最大3A放電,則這點電壓最高就等於R1*3A=0.3V,可自己分配R6及VR值來設定.
功率晶體主要做為消耗功率之用,當LOAD+及LOAD-接上電源後,放電電流由LOAD+,經功率晶體E極到C極,再到功率電阻R1到地 LOAD-,因負載未接上時,OP AMP的+ input電位高於- input,輸出為高電壓,Q1會導通,並驅動Q2及Q3也導通,構成迴路放電,但當放電電流* R1值大於VR中間抽頭的電位時(OP AMP + input),就會使OP AMP 輸出轉為低電位,使Q1 OFF,並使Q2及Q3也OFF,電流就停止,如此 ON-OFF-ON-OFF 快速的切換,就會達成固定電流放電功能.
因放電時,所有的功率都消耗在功率晶體上,所以功率晶體必需使用大型散熱片,必要時用風扇散熱.
功率晶體可選用其他型號,但除了要注意耐電流值外,功率這規格也是必需要注意的! 如放電規格需到10V/3A,功率晶體就需要能耐到30W以上功率,不然就需並聯使用.
0.1ohm功率電阻的瓦數也必需要符合規格,以3A最大放電電流來說,至少要1W,計算公式為I^2*R=所需瓦數.
如果用於較高電壓負載運用,可以不必使用變壓器,由待測負載本身直接供電給TL431及OP AMP即可( V+直接接到LOAD + ),但負載電壓值必需大於2者的工作電壓.
於輸入串一個電流表,及並聯上一個電壓表後,就可以清楚看出放電狀態.
此線路不適用於交流電源,請注意!上圖粗線部分為主要放電電流行經路線,必需以大片銅泊或18號以上線材接線.
此圖僅供參考,如有錯誤地方,還請各位指正.
非常感谢楼上的这位朋友,我准备先按照提供的这个思路,将这个电路搭出来,看一下实际效果.先谢谢了;
大侠,请问定电阻模式的电子负载应如何设计?我想给自己做一个定电阻模式的负载,用于个人试验.若能提供相关思路,本人非常感谢!!!!!!!!!!!
顶!如改成用mos管可能要好点
Q1不用偏置電阻可以嗎?我們全部是用MOS管來做,恒流和恒壓都比較好做,但不明白恒功率和恒電阻是怎麼做的,不知道哪位高人可以賜教.
能将用MOS管做的电路贴上来吗?小弟也也很感兴趣,很想研究研究!
运放的输出不宜直接接Q1管的基极.
待星期一我将仿真文件传上来,让大家看.今天在网吧没有办法传.
加上一个限流电阻会更好,再在上面并接一个电容,在稳定性方面比较好,已经有的经验,调节时不会出问题
我是一個初學者,我認為這個電路只要在Load+,-加上一個電源,就會工作,根本不受Q1的控制
呵呵^^高手啊!
不是嗎?電源從LOAD+經過R4,R2 R3直接加在Q2 Q3的基极,即可導通,Q1導不導通都不會影響Q2 3的工作呀,願聞其詳.
我是从事软件开发设计的,可以聊聊吗?我对你的产品很感兴趣!06
这个电路是个可调恒流源但不太合理,R4没必要,输出电流不能从零起调,因基极没有一个电阻分压,且U1应该选用单电源的运放,Q2、Q3并联射极输出改成集电极输出更可靠,且Q2、Q3没有采取均流措施,R1用分流器更好(但要增加一个电压放级且U1A要改变接线),
C1用了也白用,应该有运放的反馈端前加一个电阻再并一个C1
总之不太好用,
希望大家踊跃发表意见,关于楼主的帖子中提到的电子负载,也是一种设计形式,希望大家多多考虑发表一下意见,谢谢!
你这个是恒流源,如果你要恒流源,我有成熟的技术;如果你要电子负载,你应该说出具体要求,是不是摸拟电阻?
感谢上面的这位朋友,我的设计要求是:集电极两端加24V电压,控制基极电流,最重要的是发射极输出的电流是连续可调的,范围0--30A.比如我需要20安的电流,就只需要控制给出相应的基极电流.基极电流和射极输出电流存在一个对应关系,我现在就是设计电路使输出电流是连续可调,然后找出这个对应关系,再用单片机和A/D转换来控制基极电流,最终得到想要的输出电流,达到方便直观的效果.
现在存在的问题就是输出的电流不是线性连续可调的,存在一个死区和突变,我想这个是解决问题的关键,至于提到的用到单片机和A/D转换,达到直观可控的目的,我觉得可以先缓一缓,如果哪位朋友有 这单片机方面的技术,不吝赐教,谢谢!
由于用晶体三极管存在死区问题,我设想着尝试用mos管,通过改变MOSFET栅极电压来控制漏极输出电流,我用的是N沟道增强型MOS,型号IRFP150V,看到在栅极电压加到3V左右,输出电流就一直自动往上升(不改变栅极电压了).是不是因为它的转移特性决定了的,如何解决呢?谢谢
我给你一个图纸,供你参考,
谢谢&&在线等
什么格式打开
是用protel99 吧
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啊!不好意思,借花献佛了.
我不会这样往上贴图,请教你是怎样贴上去的?
请看本论坛的《PDF中的图片 怎样贴出来 啊》本人在第10贴中的介绍
这个不是楼主说的电子负载吧? 是一个恒流源.
电子负载是消耗能量的一种设备.其实区别起来也简单,比如一个充电电容,两端接负载or电子负载其两端电压会降低;恒流源的话,电容两端最终会为电源电压.
能提供定电阻模式的吗?再次谢谢了.
忘记了U2D的12脚上还要一个10K电阻接地
请教R87-0.5V分流器是怎样的?精度能有多少?谢谢!
我这个是5A的电流,0.1欧,10W线绕电阻,0.02的精度没问题,你大电流可以选用分流器,阻值用75/标称电流值,单位毫欧.
精度是0.02还是0.02%?若如楼主要求的0~50A又如何选?
百分之二,50A要选分流器了,电压也变成75MV,那后面的运放放大倍数也要变成33倍.接地点的工艺要讲究啊,不然,会有麻烦事的.你要自己动脑筋.
我想问一下,分流器的作用是不是为了把发射极输出的电流加到U2C的10脚,通过运放加以比较,反馈回去.具体电流又是多大呢?我对分流器不很了解.
由于条件所限,我先用的是Electronics Workbench进行仿真,但是这个分流器不知道怎么表示出来.电路中这一部分线路不知道如何仿真,谢谢指教.
分流器就是一个大电流75MV的电阻,测直流电流用,你可以买一个分流器看看,上面有四个接线孔,当头两个是接大电流的,中间两个是取样孔,也就是说,中间两个孔之间的电阻值才是其75/标称电流,阻值毫欧.例如,一个标称电流50A的分流器,其阻值为75/50=1.5毫欧.一般接电流表头但在这里做输出恒流取样用对仿真我不太在行,你就用普通电阻代替是完全可以的.别忘了,OUT+与OUT-之间要短路
我是做软件开发的,我很想帮你把软件做进去.
我是做单片机的,可以聊聊吗?
最近刚完成一套PC POWER专用的800W电子负载,感觉觉还行,工作稳定,精度在3%以内
有问题想请教
见站内短信!谢谢
Frank~你好!~~你的英文名也是这个吗~?难怪我申请不到用户名~!我一直都是用这个的~~!
可以用线性光藕做呀.
专业提供老化电子负载,老化架.
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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管（metal-oxide
semiconductor
FET，简称MOS-FET）。由参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型。具有高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为和的强大竞争者。场效应管（FET）是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，并以此命名。由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。FET 英文为Field Effect Transistor，简写成FET。[1]
与双极型晶体管相比，场效应管具有如下特点。
（1）场效应管是电压控制，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流）；
（2）场效应管的控制输入端极小，因此它的（107～1012Ω）很大。
（3）它是利用多数导电，因此它的较好；
（4）它组成的的电压放大要小于三极管组成放大电路的放大系数；
（5）场效应管的抗能力强；
（6）由于它不存在杂乱的电子扩散引起的，所以噪声低。
场效应管工作原理用一句话说，就是“漏极-源极间流经沟道的ID，用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制ID”。更正确地说，ID流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在VGS=0的非饱和区域，表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。
在过渡层由于没有、空穴的自由移动，在下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的几乎不变产生ID的饱和现象。其次，VGS向负的方向变化，让VGS=VGS(off)，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
MOS场效应管电源开关电路
MOS场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型MOS场效应管可分为NPN型PNP型。NPN型通常称为N沟道型，PNP型也叫P沟道型。对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这也是我们称之为场效应管的原因。
在二极管加上正向电压（P端接正极，N端接负极）时，二极管导通，其PN结有电流通过。这是因为在P型半导体端为正电压时，N型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的P型半导体端，而P型半导体端内的正电子则朝N型半导体端运动，从而形成导通电流。同理，当二极管加上反向电压（P端接负极，N端接正极）时，这时在P型半导体端为负电压，正电子被聚集在P型半导体端，负电子则聚集在N型半导体端，电子不移动，其PN结没有电流通过，二极管截止。在栅极没有电压时，由前面分析可知，在源极与漏极之间不会有电流流过，此时场效应管处与截止状态（图7a）。当有一个正电压加在N沟道的MOS场效应管栅极上时，由于电场的作用，此时N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中（见图7b），从而形成电流，使源极和漏极之间导通。可以想像为两个N型半导体之间为一条沟，栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁，该桥的大小由栅压的大小决定。
C-MOS场效应管（增强型MOS场效应管）
电路将一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时，P沟道MOS场效应管导通，输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时，N沟道MOS场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P沟道MOS场效应管和N沟道MOS场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V时，MOS场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。
场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。
按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。
结型场效应管（JFET）
1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。
结型场效应管也具有三个电极，它们是：；漏极；源极。
电路符号中栅极的箭头
方向可理解为两个PN结的正向导电方向。
2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。
绝缘栅场效应管
1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。
2、它是由金属、和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。
3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管为例)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。
场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗尽型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。
1.场效应管可应用于放大。由于场效应管的输入阻抗很高，因此可以容量较小，不必使用。
2.场效应管很高的输入非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
3.场效应管可以用作可变。
4.场效应管可以方便地用作恒流源。
5.场效应管可以用作。
常见的场效应管
MOS场效应管
即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。
MOS场效应管
VMOS场效应管
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
VMOS场效应管
场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。
在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。
有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，比三极管好。
场效应管能在很和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块上，因此场效应管在大规模中得到了广泛的应用。
场效应管与三极管的各自应用特点
1.场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。
2.场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。
3.场效应管栅极几乎不取电流（ig&0）；而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高。
4.场效应管是由多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。
5.场效应管在源极金属与衬底连在一起时，和可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，β值将减小很多。
6.场效应管的系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。
7.场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。
8.三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。
场效应管与双极性晶体管的比较
场效应管是电压控制器件，栅极基本不取电流，而晶体管是电流控制器件，基极必须取一定的电流。因此，在信号源额定电流极小的情况，应选用场效应管。
场效应管是多子导电，而晶体管的两种载流子均参与导电。由于少子的浓度对温度、辐射等外界条件很敏感，因此，对于环境变化较大的场合，采用场效应管比较合适。
场效应管除了和晶体管一样可作为放大器件及可控开关外，还可作压控可变线性电阻使用。
场效应管的源极和漏极在结构上是对称的，可以互换使用，耗尽型MOS管的栅——源电压可正可负。因此，使用场效应管比晶体管灵活。
有两种命名方法。
第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表。第二位字母代表材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型P沟道场效应三极管，3DO6C是绝缘栅型N沟道场效应三极管。
第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
饱和漏极电流IDSS它可定义为：当栅、源极之间的电压等于零，而漏
、源极之间的电压大于夹断电压时，对应的漏极电流。
夹断电压UP它可定义为：当UDS一定时，使ID减小到一个微小的电流时所需的UGS。
开启电压UT它可定义为：当UDS一定时，使ID到达某一个数值时所需的UGS。
交流参数可分为输出和互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。
低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。
极间电容场效应管三个电极之间的，它的值越小表示管子的性能越好。
①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，
②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制，
③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，
④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。
除以上参数外，还有极间、参数等其他参数。
漏、源当漏极电流急剧上升时，产生时的UDS。
栅极击穿电压正常工作时，栅、源极之间的PN结处于反向偏置状态，若电流过高，则产生击穿现象。
使用时主要关注的参数有：
1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS=0时的漏源电流。
2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。
5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM[2]
电阻法测电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个
电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极G。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是PN结的反向，即都是反向电阻，可以判定是P沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向，即是正向电阻，判定为N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
电阻法测好坏
测电阻法是用测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档，测量源极S与漏极D之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于R×10k档，再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用代换法进行检测。
测放大能力
用感应信号法具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，给场效应管加上1.5V的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极G，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Ib都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。
根据上述方法，用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的G极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住G极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极G允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用杆去碰触栅极，以防止人体直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起VGS电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
无标示管的判别
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极S和漏极D，余下
两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极S与漏极D之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极D；红表笔所接的为源极S。用这种方法判别出来的S、D极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是D极；红表笔所接地是S极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极D、源极S的位置后，按D、S的对应位置装人，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了D、S、G1、G2管脚的顺序。
判断跨导的大小
测反向电阻值的变化判断跨导的大小.对VMOSV沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极S、黑表笔接漏极D，这就相当于在源、漏极之间加了一个。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的档，此时表内电压较高。当用手接触栅极G时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
结型场管脚识别
场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电
极。将万用表置于R×1k档，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数KΩ时，则这两个管脚为漏极D和源极S（可互换），余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（使用中接地）。
用万用表黑表笔碰触管子的一个电极，红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很大，说明均是反向电阻，该管属于N沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的，可以互换使用，并不影响电路的正常工作，所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。
注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高，栅源间的极间电容又很小，测量时只要有少量的电荷，就可在极间电容上形成很高的电压，容易将管子损坏。
估测放大能力
将万用表拨到R×100档，红表笔接源极S，黑表笔接漏极D，相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G，将人体的感应电压
作为输入加到栅极上。由于管子的放大作用，UDS和ID都将发生变化，也相当于D-S极间电阻发生变化，可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小，说明管子的放大能力较弱；若表针不动，说明管子已经损坏。由于人体感应的50Hz交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同，因此用手捏栅极时表针可能向右摆动，也可能向左摆动。少数的管子RDS减小，使表针向右摆动，多数管子的RDS增大，表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何，只要能有明显地摆动，就说明管子具有放大能力。
本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管，必须用手握住螺钉旋具绝缘柄，用金属杆去碰栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极上，将管子损坏。
MOS管每次测量完毕，G-S结电容上会充有少量电荷，建立起电压UGS，再接着测时表针可能不动，此时将G-S极间短路一下即可。
(1)转移特性：栅极电压对漏极电流的控制作用称为转移特性。
(2)输出特性： UDS与ID的关系称为输出特性。
(3)结型场效应管的放大作用：结型场效应管的放大作用一般指的是电压放大作用。
场效应管与晶体管在电气特性方面的主要区别有以下几点：
贴片场效应管
1：场效应管是电压控制器件，管子的导电情况取决于栅极电压的高低。是电流控制器件，管子的导电情况取决于基极电流的大小。 2：场效应管漏源静态伏安特性以栅极电压UGS为参变量，特性曲线以Ib 为参变量。
3：场效应管电流IDS与栅极UGS之间的关系由跨导Gm 决定，晶体管电流Ic与Ib 之间的关系由放大系数β决定。也就是说，场效应管的放大能力用Gm 衡量，晶体管的放大能力用β衡量。
4：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小；晶体管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。
5：一般场效应管较小，晶体管功率较大。
Cds---漏-源电容
Cdu---漏-衬底电容
Cgd---栅-漏电容
Cgs---栅-源电容
Ciss---栅短路共源输入电容
Coss---栅短路共源输出电容
Crss---栅短路共源反向传输电容
D---占空比（占空系数，外电路参数）
di/dt---电流上升率（外电路参数）
dv/dt---电压上升率（外电路参数）
ID---漏极电流（直流）
IDM---漏极脉冲电流
ID(on)---通态漏极电流
IDQ---静态漏极电流（射频功率管）
IDS---漏源电流
IDSM---最大漏源电流
IDSS---栅-源短路时，漏极电流
IDS(sat)---沟道饱和电流（漏源饱和电流）
IG---栅极电流（直流）
IGF---正向栅电流
IGR---反向栅电流
IGDO---源极开路时，截止栅电流
IGSO---漏极开路时，截止栅电流
IGM---栅极脉冲电流
IGP---栅极峰值电流
IF---二极管正向电流
IGSS---漏极短路时截止栅电流
IDSS1---对管第一管漏源饱和电流
IDSS2---对管第二管漏源饱和电流
Iu---衬底电流
Ipr---电流脉冲峰值（外电路参数）
gfs---正向跨导
Gp---功率增益
Gps---共源极中和高频功率增益
GpG---共栅极中和高频功率增益
GPD---共漏极中和高频功率增益
ggd---栅漏电导
gds---漏源电导
K---失调电压温度系数
Ku---传输系数
L---负载电感（外电路参数）
LD---漏极电感
Ls---源极电感
rDS---漏源电阻
rDS(on)---漏源通态电阻
rDS(of)---漏源断态电阻
rGD---栅漏电阻
rGS---栅源电阻
Rg---栅极外接电阻（外电路参数）
RL---负载电阻（外电路参数）
R(th)jc---结壳热阻
R(th)ja---结环热阻
PD---漏极耗散功率
PDM---漏极最大允许耗散功率
PIN--输入功率
POUT---输出功率
PPK---脉冲功率峰值（外电路参数）
to(on)---开通延迟时间
td(off)---关断延迟时间
ti---上升时间
ton---开通时间
toff---关断时间
tf---下降时间
trr---反向恢复时间
Tjm---最大允许结温
Ta---环境温度
Tc---管壳温度
Tstg---贮成温度
VDS---漏源电压（直流）
VGS---栅源电压（直流）
VGSF--正向栅源电压（直流）
VGSR---反向栅源电压（直流）
VDD---漏极（直流）电源电压（外电路参数）
VGG---栅极（直流）电源电压（外电路参数）
Vss---源极（直流）电源电压（外电路参数）
VGS(th)---开启电压或阀电压
V（BR）DSS---漏源击穿电压
V（BR）GSS---漏源短路时栅源击穿电压
VDS(on)---漏源通态电压
VDS(sat)---漏源饱和电压
VGD---栅漏电压（直流）
Vsu---源衬底电压（直流）
VDu---漏衬底电压（直流）
VGu---栅衬底电压（直流）
Zo---驱动源内阻
η---漏极效率（射频功率管）
Vn---噪声电压
aID---漏极电流温度系数
ards---漏源电阻温度系数
（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的，最大漏源电压、最大栅源电压和等参数的极限值。
（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接入电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是PN结，N沟道管栅极不能加正偏压；P沟道管栅极不能加负偏
压，等等。（3）MOS场效应管由于输入阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放入盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上在使用场效应管时必须注意。
（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部5毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。
（6）使用VMOS管时必须加合适的后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
(7）多管并联后，由于极间电容和相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。
（8）结型场效应管的栅源电压不能接反，可以在开路状态下保存，而绝缘栅型场效应管在不使用时，由于它的输入电阻非常高，须将各电极短路，以免外电场作用而使管子损坏。
（9）焊接时，电烙铁必须装有外接地线，以防止由于电烙铁带电而损坏管子。对于少量焊接，也可以将电烙铁烧热后拔下插头或切断电源后焊接。特别在焊接绝缘栅场效应管时，要按源极－漏极－栅极的先后顺序焊接，并且要断电焊接。
（10）用25W电烙铁焊接时应迅速，若用45～75W电烙铁焊接，应用镊子夹住管脚根部以帮助散热。结型场效应管可用表电阻档定性地检查管子的质量（检查各PN结的正反向电阻及漏源之间的电阻值），而绝缘栅场效管不能用万用表检查，必须用测试仪，而且要在接入测试仪后才能去掉各电极短路线。取下时，则应先短路再取下，关键在于避免栅极悬空。
在要求输入阻抗较高的使用时，必须采取防潮，以免由于温度影响使场效应管的输入电阻降低。如果用四引线的场效应管，其衬底引线应接地。封装的芝麻管有光敏特性，应注意避光使用。
对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。
总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。
场效应管（fet）是电场效应控制电流大小的单极型。在其输入端基本不取电流或电流极小，具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点，在大和超大规模集成电路中被应用。
场效应器件凭借其低、稳定、抗辐射强等，在集成电路中已经有逐渐取代三极管的趋势。但它还是非常娇贵的，虽然多数已经内置了保护，但稍不注意，也会损坏。所以在应用中还是小心为妙。
标准电压下的耗尽型场效应管。从左到右依次依次为：结型场效应管，多晶硅金属—氧化物—半导体场效应管，双栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属栅极金属—氧化物—半导体场效应管，金属场效应管。 耗尽层 , 电子 , 空穴 ,,. 上方：源极，下方：漏极，左方：栅极，右方：主体。电压导致沟道形成的细节没有画出
掺杂FET（解释如下）的沟道用来制造N型半导体或P型半导体。在耗尽模式的FET下，漏和源可能被掺杂成不同类型至沟道。或者在提高模式下的FET，它们可能被掺杂成相似类型。场效应晶体管根据绝缘沟道和栅的不同方法而区分。FET的类型有：
DEPFET（Depleted FET）是一种在完全耗尽基底上制造，同时用为一个、和记忆极的FET。它可以用作图像（光子）感应器。
DGMOFET（Dual-gate MOSFET）是一种有两个栅极的MOSFET。
DNAFET是一种用作生物感应器的特殊FET，它通过用单链DNA分子制成的栅极去检测相配的DNA链。
FREDFET（Fast Recovery Epitaxial Diode FET）是一种用于提供非常快的重启（关闭）体二极管的特殊FET。
HEMT（高电子迁移率晶体管，High Electron Mobility Transistor），也被称为HFET（异质结场效应晶体管，heterostructure FET），是运用带隙工程在三重半导体例如AlGaAs中制造的。完全耗尽宽带隙造成了栅极和体之间的绝缘。
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是一种用于电力控制的器件。它和类双极主导电沟道的MOSFET的结构类似。它们一般用于漏源电压范围在200-3000伏的运行。功率MOSFET仍然被选择为漏源电压在1到200伏时的器件.
ISFET是敏感的场效应晶体管（Ion-Sensitive Field Effect Transistor）,它用来测量溶液中的离子浓度。当离子浓度（例如pH值）改变，通过晶体管的电流将相应的改变。
JFET用相反偏置的p-n结去分开栅极和体。
MESFET（Metal-Semiconductor FET）用一个肖特基势垒替代了JFET的PN结；它用于GaAs和其它的三五族半导体材料。
MODFET（Modulation-Doped FET）用了一个由筛选过的活跃区掺杂组成的量子阱结构。
MOSFET用一个（通常是）于栅和体之间。
NOMFET是纳米粒子有机记忆场效应晶体管（Nanoparticle Organic Memory FET）。
OFET是有机场效应晶体管（Organic FET），它在它的沟道中用有机。
场效应管与晶体管的比较
（1）场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
（2）场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
（3）有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
（4）场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用[2]
场效应晶体管于1925年由Julius Edgar Lilienfeld和于1934年由Oskar Heil分别发明，但是实用的器件一直到1952年才被制造出来（结型场效应管，Junction-FET，JFET）。1960年Dawan Kahng发明了（Metal-Oxide-Semiconductor Field-effect transistor, MOSFET），从而大部分代替了JFET，对电子行业的发展有着深远的意义。
所有的FET都有栅极（gate）、漏极（drain）、源极（source）三个端，分别大致对应的基极（base）、集电极（collector）和发射极（emitter）。除以外，所有的FET也有第四端，被称为体（body）、基（base）、块体（bulk）或衬底（substrate）。这个第四端可以将晶体管调制至运行；在电路设计中，很少让体端发挥大的作用，但是当物理设计一个的时候，它的存在就是重要的。在图中栅极的长度（length）L，是指源和漏的距离。宽度（width）是指晶体管的范围，在图中和横截面垂直。通常情况下宽度比长度大得多。长度1微米的栅极限制最高频率约为5GHz，0.2微米则是约30GHz。
这些端的名称和它们的功能有关。栅极可以被认为是控制一个物理栅的开关。这个栅极可以通过制造或者消除源极和漏极之间的沟道，从而允许或者阻碍电子流过。如果受一个加上的电压影响，电子流将从源极流向漏极。体很简单的就是指栅、漏、源极所在的半导体的块体。通常体端和一个电路中最高或最低的电压相连，根据类型不同而不同。体端和源极有时连在一起，因为有时源也连在电路中最高或最低的电压上。当然有时一些电路中FET并没有这样的结构，比如级联传输电路和串叠式电路。
FET由各种半导体构成，目前是最常见的。大部分的FET是由传统块体半导体制造技术制造，使用硅片作为反应区，或者沟道。
大部分的不常见体材料，主要有、或其它在中，或者有机场效应晶体管中的非晶半导体。有机场效应晶体管基于，常常用有机栅绝缘体和电极。[3]
童诗白，华成英．《模拟电子技术基础》．北京：高等教育出版社，2006.05：39页
．百度文库[引用日期]
．监控中心[引用日期]
中国电子学会（Chinese Instit...
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