1.太阳能板车间操作流程：

电池片切片→电池片测试→电池片选片→焊片→串片→叠层→EL测试→层压→组边框→清洗→打胶上盒→接线→闪光测试→包装。

2.电池片切片操作流程：

根据客户订单要求，在连接切片仪的电脑中输入相关数据（如：片宽&片高）→将电池片放入切片台中→单击“运作”或按“空格键”→切片仪运作→取出电池片，沿切割线将电池片分成几小块。（备注：切片仪的功能是切割电池片。）

3.电池片测试操作流程：

打开电流电压测试仪→将电池片放入仪器的台面上，用测试笔在电池片上轻轻地点击一下的同时用脚踩下仪器的脚踏→仪器显示相关数据，看这些数据是否符合要求。（备注：电流电压测试仪的测试范围是电流，电压是固定的，每片电池片的电压为0.5V；脚踏是用于通电的。）

4.电池片选片操作流程：

按电池片的尺寸大小，对通过测试的电池片进行分片→按电池片的颜色由浅至深进行分类→每种类型的电池片，每12PCS一叠放置在纸箱中，每排电池片之间需用泡沫绵隔开，电池片与纸箱之间同样也需要用泡沫绵隔开。（备注：在选片的同时也要对电池片检查是否脏污，如有，用橡皮擦轻轻擦拭污点，若污点顽固无法用橡皮擦擦干净，则改用酒精擦拭。）

根据电池片的宽度来裁剪光伏焊带（即：光伏焊带的长度＝电池片的宽度×1.9）→将裁剪好的光伏焊带放入助焊剂中，稍后取出并用吹分机吹干→将电池片在操作台上摆正→用镊子将光伏焊带对准电池片的正面主栅线（即：电池片有颜色的那一面的白色部分）→用烙铁快速地走过光伏焊带。（备注：光伏焊带不可伸出电池片，至少留1~2格；烙铁在焊接电池片与光伏焊带时，不可停留，否则易出现焊点，亦不可焊到底部，在距离底部还有两格时停住，否则在叠层时无法将光伏焊带弯折。）

将焊好的电池片翻过来→一块电池片从正面延伸出来的光伏焊带对准另一块电池片的反面主栅线（即：电池片无颜色的那一面的白色部分）→用烙铁快速地走过光伏焊带。

※焊片&串片这两个流程可以使用全自动串焊机操作，其功能是焊片，运作方式：取片→压带→传送。（备注：使用该设备操作，电池片的摆放为一正一负，且该设备的日生产量能达到500PCS/天。）

钢化玻璃→EVA胶膜→电池片（注意：每串电池片之间需要对齐并用透明胶带固定，防止在层压时发生位移）→条形EVA胶膜→条形PET膜→根据客户订单要求的电压来决定这些电池片是采用串联or并联，以及出线方式（注意：正负极两个光伏焊带之间的间距为40mm，距离钢化玻璃的底部为100mm）→EVA胶膜（注意：此EVA胶膜需在出线的位置划开，以利出线）→PET膜（注意：此PET膜需在出线的位置划开，以利出线）→测试电压（如：18V的，允许值在20V~21V）。（备注：电池片距离钢化玻璃左右各15mm，但是上下距离需根据电池片的宽度来决定。）

8.EL测试操作流程：

开启EL测试仪&软件→将叠层好的太阳能板放入仪器中→用仪器的正负极鳄鱼夹夹住太阳板的正负极→调节相关数据（如：电流&电压&亮度）→拍照→检查是否为良品，如是，则进入下一环节，否则送至修理区进行修理，待修理完毕后再重新EL测试。（备注：EL测试仪的功能范围是太阳能电池组件缺陷检查；原理是影像学；检测耗时3分钟~5分钟。）

※EL测试常见缺陷：扩散、钝化（即：氧化）、网印（即：丝印）、烧结、隐裂（即：裂片）、黑芯、断栅、边缘短路、膜脱落（备注：导致太阳板功率↓）、无效片（备注：电池片的图像显示为纯黑色）、污染。

开启层压机→按“开盖”按钮→放高温胶布→放太阳能板→再放一层高温胶布→按“关盖”按钮→大约15分钟后，再次按“开盖”按钮→撤离高温胶布→取出太阳能板，将太阳能板放置在层压机旁边的桌子上→将太阳能板的边沿对齐桌子的边沿后，用小刀裁剪掉多余的PET膜。（备注：层压机运作时所需温度为130℃~140℃，运作方式是抽空→加压→层压；因在层压的过程中会出现溢胶的现象，且高温胶布较层压机更加容易清洗，故在层压的时候需使用高温胶布，且高温胶布可重复使用；层压机的日生产量为100PCS/天。）

10.组边框操作流程：

在边框上注入硅胶（注意：两个长边框放左手边，两个短边框放右手边，而硅胶则注入到边框较矮的那一边的内侧）→将太阳能板插入长边框的有硅胶的那一侧→将短边框对齐太阳能板及长边框后插入（注意：短边框“L”必须插入长边框的凹槽内）→将组装了边框的太阳能板放置在加压器中进行加压并用锤子敲打边框不平之处。（备注：边框的作用是保护太阳能板，防止太阳能板被风化；边框中的孔是用于固定太阳能板及屋顶。）

将太阳能板放置在工作台上→将酒精喷洒在太阳能板上→用布将酒精擦干。（备注：在叠层区所使用的透明胶带务必撕掉，但边框侧边的保护膜不可撕掉，它是用来保护边框的，由客人自行撕掉。）

12.打胶上盒操作流程：

在边框的四周打上硅胶→在接线盒的四周同样也打上硅胶→将太阳能板的正负极穿过接线盒的正负极的孔，并固定接线盒。（备注：打胶的作用是固定，防止雨天时太阳能板进水。）

连接线的正极（即：红线）穿过接线盒的左边孔位→连接线的负极&零线（即：黑线&黄线）穿过接线盒的右边孔位→用剪刀剪去多余的太阳能板正负极→用烙铁将连接线&太阳能板正负极分别与接线盒焊接。（备注：连接线只焊接接线盒的左右两边，中间部分不用接任何线，作用是连接二极管；二极管的作用是带动电源。）

14.闪光测试操作流程：

开启闪光测试仪&软件→将太阳能板放置在操作台上→用正负极鳄鱼夹夹住太阳能板的正负极→按“空格”键，电脑将显示相关数值（即：Pm & Im & Vm）是否符合客人要求（注意：一般情况下，数值误差允许在±2%~±5%之间；但有些客户要求只能﹢，不能﹣）→如不符合，则将太阳能板移至另一台更加精确的闪光测试仪进行三次测试（注意：第一次测试显示的数值是虚假的，第二次测试&第三次测试显示的数值均是真实的，原因是这台测试仪存在故障）→如符合，则在太阳能板接线盒处贴上标签，并盖上接线盒的盖子。（备注：闪光测试仪的原理是仿照太阳光照射在太阳能板上产生电流。）

在太阳能板的四角加上护角→铺上泡沫绵→装箱→封胶。（备注：包装方式根据客人要求装箱出货，可简易包装，也可安全包装。）

16.后备电源车间操作流程：

来料→烧程序（作用：存储）→组装指示灯&USB接口&输入接口&输出接口&电源引线（注意：各个组件与控制板之间需要焊接，起固定作用）→用刷子蘸洗板水清洗控制板→对控制板进行测试，看各接口是否正确，指示灯是否能正常亮→将控制板对准铁盒的其中一个，并用各接口仪器试插，确认OK后，上螺丝，再次用各接口仪器试插→安装开关并焊接→蓄电池的底部贴上一张EAV贴，固定在铁盒中→固定架的顶部内侧贴上一张EVA贴，将蓄电池固定在铁盒中，上螺丝→将电源引线接入蓄电池中，开电源，看是否亮灯，关电源，用透明胶带将电源引线固定在蓄电池上→盖上铁盒的另一部分，并上螺丝→用酒精清洗产品并安装四颗脚垫→老化测试（即：先放电后充电）→包装。（备注：该车间的操作人员均需佩戴静电环，防止人体静电。）

※老化测试的放电测试需在50℃的高温环境下进行2小时，目的是测试系统在高温条件下运作是否会发生爆炸，所用器材是电泵；老化测试的充电测试在常温环境下进行7~8小时。（备注：电泵的功能是放电，达到循环作用，负载150W12Ω。）

17.实验室的每个仪器介绍：

（1）智能电量测量仪：检查电压、电流、功率及频率；交直流均可以检测，但是最大不能超过1000W；且该仪器只测最大输出。

（2）直流稳压电源：按照测试样的规定调节电压&电流；原理是模拟太阳光给系统充电，相当于充电宝。

（3）LCR数字电桥：检测物料（即：来料）是否合格；其中，L代表电感，C代表电容，R代表电阻。

（4）耐压测试仪：检测测试样是否达到安全性，是否会产生火花，是否会漏电。

（5）锂电池测试设备：检测电池是否可用。

（6）直流电子负载：检查系统是否符合规格；模拟放电，测试温度&电阻。（备注：此测试仪用的较少。）

（7）多路温度仪：测温度。

（8）扭矩测试仪：测试螺丝刀的扭力力度。

（9）噪音测试仪：测试系统里的风扇区产生的噪音。

（10）蓄电池容量测试仪：测试蓄电池的容量。

（11）盐雾测验机：检测不锈钢是否是真的不锈钢。

（12）恒温恒湿试验机：模拟当地气候来检测产品是否符合要求。

（13）震动测试机：模拟产品在运输过程中的抗震能力是否达标。

18.单晶硅与多晶硅的区别：

（1）颜色：单晶硅的颜色较纯，多晶硅的颜色较杂；

（2）形状：单晶硅的四角是缺角的，多晶硅的四角是完整的。

19.硅片的整片尺寸有两种：

20.白色PET膜的作用：散热。

21.硅片的功率＝面积×转化率÷1000。（备注：单晶硅的转化率为18.6%，多晶硅的转化率为17.4%。）

22.电池引线的类型有两种：

23.真空泵油：用于层压机。

24.制造30W以下的太阳能板；制造30W以上的太阳能板。

25.太阳能板的边框有两种，分别为：

（1）塑胶边框：用于1.5W和3W的太阳能板；

26.钢化玻璃均为布纹钢化玻璃，作用：透光、耐磨、不易刮花。

27.（太阳能车间）前段品质要求：

（1）分片：①电池片是否有明显色差；②电池片是否多料、崩边与破损。

（2）焊片：①光伏焊带与电池片正面主栅线焊接是否偏位、焊疤；②电池片表面无锡渣；③焊接无毛刺、脱焊。

（3）串焊：①光伏焊带与电池片的背电极错位不能大于0.5mm；②每一串电池片主栅线是否成一直线，错位是否超差；③电池片是否有破损、开裂。

28.（太阳能车间所用的）EVA贴膜：0.45厚；PET膜：0.3厚。

30.一块太阳能板所需电池片数量＝每一串电池片数量×串数；每一串电池片数量＝钢化玻璃的长度÷电池片的宽度；串数＝钢化玻璃的宽度÷电池片的长度。（例：钢化玻璃尺寸1170mm×670mm，电池片尺寸156mm×61.5mm，每一串电池片数量＝1170mm÷61.5mm≈18PCS，串数＝670mm÷156mm≈4串，该规格的太阳能板所需电池片数量＝18PCS×4串＝72PCS。）（注意：若商含有小数位时，取整数，不需要四舍五入。）

31.单晶硅常规组件参数：

32.太阳能折叠板参数：

33.多晶硅常规组件参数：

34.太阳能小系统（5W~20W）参数配置表：

35.太阳能系统（50W~500W）参数配置表：

36.太阳能便携系统参数配置表：

41.灯线型号要求：①2W~3W的LED灯使用的是26号线；②5W的LED灯使用的是24号线；

42.太阳能电池片计算方法：

①封胶板：四边间距为1-2mm，片与片之间间距为0.3-0.5mm；

②PET层压：四边间距为3-5mm，片与片之间间距为0.8-1.5mm；

③玻璃层压（1-3W）：四边间距为8mm，片与片之间间距为1mm，玻璃与边框间距为5mm；

④玻璃层压（3-10W）：四边间距为10mm，片与片之间间距为2mm以上；

⑤玻璃层压（10-40W）：四边间距为12mm，片与片之间间距为2-2.5mm以上；

⑥玻璃层压（40-200W）：四边间距为15mm，片与片之间间距为2.5-3mm；

⑦开路电压＝工作电压的每小片片数×0.6；

⑧短路电压＝工作电流×1.08；

⑨并联：可以增加电流；串联：可以增加电压。

43.太阳能系统（W）参数配置表：

44.太阳能板尺寸没有17mm厚的，全部都是18mm厚的。

50.充电器的相关转接头配置如下：

58.适配器的包装配置：

59.太阳能板线的标配：

300W太阳能板用5米0.75平方线；500W太阳能板用5米2.5平方线；1000W太阳能板用5米4平方线。

1.本技术涉及光伏电池技术领域，具体地讲，涉及一种太阳能电池、光伏组件。

2.topcon电池依靠“隧穿效应”实现后表面钝化，现有的topcon电池后表面结构从内向外依次为半导体衬底，隧穿氧化层，掺磷多晶硅层，后表面钝化层，由于隧穿氧化层的材质为二氧化硅，二氧化硅对硅表面的悬挂键和缺陷进行了有效的钝化，对电池的开路电压有着明显的帮助和提升，从而提高电池转化效率。但是，由于二氧化硅层厚度太薄，薄膜质量得不到有效的保证，会在膜层中存在较多缺陷和孔隙，这样会导致最终电池出现短路的现象，而且还会使得太阳能电池后表面载流子的复合程度大幅度降低，若采取增加二氧化硅膜层厚度的措施来解决漏电电流的问题，过厚的二氧化硅膜层会严重阻碍电子的迁移，隧穿效应随之降低，增大了电池的串联电阻，电池的填充因子和电流会受到影响而降低；同时由于二氧化硅自身的结构特性，在电池组件的使用过程中，一些离子半径较小的离子进入到其中会破坏钝化效果，尤其是na离子的存在，会对电池的使用寿命产生一定的影响。
3.因此，有必要研究一种提升电池背钝化效果的同时还具有较强的隧穿效应的太阳能电池。

4.鉴于此，本技术提出一种太阳能电池、光伏组件，该太阳能电池具有优良的背钝化效果的同时还具有较强的隧穿效应。
5.第一方面，本技术实施例提供一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：
6.n型半导体衬底，所述n型半导体衬底具有相对的前表面和后表面；
7.所述n型半导体衬底的前表面上设有硼扩散层，所述硼扩散层表面设有第一钝化层，穿过所述第一钝化层与所述n型半导体衬底形成电连接的第一电极；
8.所述n型半导体衬底的后表面设有掺磷多晶硅层，所述n型半导体衬底后表面与掺磷多晶硅层之间设有含有氮元素和磷元素的氧化硅层，所述掺磷多晶硅层的表面设有第二钝化层，穿过所述第二钝化层与所述掺磷多晶硅层形成电连接的第二电极。
9.结合第一方面，所述含有氮元素和磷元素的氧化硅层为单层氧化层结构。
10.结合第一方面，所述氧化硅层为多层氧化层结构，所述多层氧化层结构包括第一氧化子层、第二氧化子层和第三氧化子层，其中，所述第一氧化子层为氮掺杂氧化硅层、所述第二氧化子层的材质为二氧化硅层，所述第三氧化子层为磷掺杂氧化硅层。
11.结合第一方面，所述第一氧化子层、第二氧化子层和第三氧化子层中的至少一层中含有al元素和/或ta元素。
12.结合第一方面，所述氧化硅层的总厚度小于等于
13.结合第一方面，所述掺磷多晶硅层的掺杂浓度为1
14.结合第一方面，所述第一钝化层包括氮化硅、氮氧化硅和氧化铝中的至少一种。
15.结合第一方面，所述第二钝化层包括氮化硅、氮氧化硅和氧化铝中的至少一种。
16.结合第一方面，所述第一电极为银电极或银/铝电极，和/或所述第二电极为银电极。
17.第二方面，本技术提供一种光伏组件，所述光伏组件包括多个太阳能电池串，所述太阳能电池串包括第一方面所述的太阳能电池。
18.本技术的技术方案至少具有以下有益的效果：
19.(1)本技术通过在n型半导体衬底后表面与掺磷多晶硅层之间设置含有氮元素和磷元素的氧化硅层，改变电池接触界面的组成，在提高电池后表面隧穿能力的同时提高电池后表面钝化效果，从而提升电池的转换效率。
20.(2)本技术含有氮元素和磷元素的氧化硅层包括氮掺杂氧化硅层、二氧化硅层和磷掺杂氧化硅层，氮掺杂氧化硅层中通过n元素的掺杂，能够增加氧化硅层界面的介电常数，提高钝化效果、提升开路电压，但是，n元素的掺杂会造成电池内阻增大，填充因子降低，此时通过磷掺杂氧化硅层中p元素的掺杂，在二氧化硅带隙中靠近导带位置产生施主杂质能级，这样能够提高电子的隧穿电流，降低电池内阻，提高电池填充因子，本技术通过上述两种元素掺杂得到的含有氮元素和磷元素的氧化硅层可以同时实现开路电压和填充因子的提升，进而提高太阳能电池的转化效率。
21.为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
22.图1为本技术太阳能电池的结构示意图一；
23.图2为本技术太阳能电池的结构示意图二；
24.图3为本技术太阳能电池的制备流程图一；
25.图4为本技术太阳能电池的制备流程图二。
31.50-含有氮元素和磷元素的氧化硅层；
35.60-掺磷多晶硅层；
38.为了更好的理解本技术的技术方案，下面结合附图对本技术实施例进行详细描述。
39.应当明确，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
40.在本技术实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本技术。在本技术实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地表示其它含义。
41.应当理解，本文中使用的术语“和/或”仅仅是一种描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，a和/或b，可以表示：单独存在a，同时存在a和b，单独存在b这三种情况。另外，本文中字符“/”，一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。
42.topcon电池依靠“隧穿效应”实现电池后表面钝化，现有的topcon电池后表面结构从内向外依次为n型半导体衬底，隧穿氧化层，掺磷多晶硅层，后表面钝化层。隧穿氧化层和掺杂多晶硅薄层的存在，二者共同形成钝化接触结构，能够有效降低表面复合和金属接触复合，并与金属电极形成欧姆接触，转换效率有较大的提升空间。但是，由于二氧化硅层的厚度一般比较薄，会在膜层中存在较多缺陷和孔隙，导致最终制备的电池出现短路现象，若采取增加二氧化硅膜层厚度的措施来解决短路问题时，过厚的二氧化硅膜层会严重阻碍电子的迁移，隧穿效应随之降低，增大了电池的串联电阻，电池的填充因子和电流会受到影响而降低。
43.因而，为克服现有技术的不完善，本发明提供一种太阳能电池，在电池后表面的n型半导体衬底与掺磷多晶硅层之间设置含有氮元素和磷元素的氧化硅层，提高电池后表面隧穿能力的同时提高电池后表面钝化效果，从而提升电池的转换效率。
44.第一方面，图1为本技术实施例提供的一种太阳能电池的结构示意图，如图1所示，太阳能电池包括n型半导体衬底10，n型半导体衬底10具有相对的前表面和后表面；
45.n型半导体衬底10的前表面设有硼扩散层20，硼扩散层20的表面设有第一钝化层30，穿过第一钝化层30与n型半导体衬底10形成电连接的第一电极40；
46.n型半导体衬底10的后表面设有掺磷多晶硅层60，n型半导体衬底10后表面与掺磷多晶硅层60之间设有含有氮元素和磷元素的氧化硅层50，掺磷多晶硅层60的表面设有第二钝化层70，穿过第二钝化层70与所述掺磷多晶硅层60形成电连接的第二电极80。
47.在上述方案中，通过在n型半导体衬底10后表面与掺磷多晶硅层60之间设有含有氮元素和磷元素的氧化硅层50，通过n元素的掺杂，能够增加氧化硅层界面的介电常数，提高钝化效果、提升开路电压，但是，n元素的掺杂会造成电池内阻增大，填充因子降低；此时通过p元素的掺杂，在二氧化硅带隙中靠近导带位置产生施主杂质能级，这样能够提高电子的隧穿电流，也就是降低电池内阻，提高填充因子，本技术通过上述两种元素掺杂可以同时实现开路电压和填充因子的提升，进而提高太阳能电池的转化效率。
48.在一种实施方式中，含有氮元素和磷元素的氧化硅层50为同时含有氮元素和磷元素的单层氧化硅层结构。
49.在一些实施方式中，含有氮元素和磷元素的氧化硅层50为多层结构，如图2所示，
氧化硅层自n型半导体衬底至掺磷多晶硅层60方向依次包括第一氧化子层501、第二氧化子层502和第三氧化子层503。第一氧化子层501为氮掺杂氧化硅层，第二氧化子层502为二氧化硅层，第三氧化子层503为磷掺杂氧化硅层，可以理解地，本技术将含有氮元素和磷元素的氧化硅层50可设计为多层结构，能够同时增加钝化效果和电池后表面的隧穿能力，从而提升太阳能电池的转化效率。
50.在一些实施方式中，在实际制备的产品中，由于含有氮元素和磷元素的氧化硅层50很薄，第一氧化子层501、第二氧化子层502和第三氧化子层503混合成一体结构，可以理解的是，对含有氮元素和磷元素的氧化硅层50进行表征，其氧化硅层中包括氮元素和磷元素。
51.在一些实施方式中，氮掺杂氧化硅层的材质包括sio
ny，其中，y/(x+y)＜15％。可以理解的，随着n元素含量的不断增加，界面从si-sio
无论是晶格常数还是热膨胀系数与si的失配率都很大，会导致大量缺陷的形成，成为载流子的陷阱和复合中心，影响载流子的迁移率，而且sin
薄膜的内部应力很大，可能出现膜层的破裂，导致钝化层彻底失效，所以，n元素的含量不能太多，本技术中氮掺杂氧化硅层中掺n比例应当控制在15％以内；氮掺杂氧化硅层中氮的掺杂浓度由n型半导体衬底10到掺磷多晶硅层60方向逐渐降低，可以理解的是，上述掺杂浓度梯度是由掺杂工艺所决定的。
52.在一些实施方式中，第一氧化子层501的厚度为具体地，第一氧化子层501的厚度可以是501的厚度可以是和等，本技术的第一氧化子层501很薄，能够增加氧化硅层界面的介电常数，提高钝化效果的同时，不会影响载流子的迁移。
53.在一些实施方式中，第二氧化子层502的材质为二氧化硅，二氧化硅作为绝缘层，二氧化硅层有利于使多子电子隧穿进入多晶硅层同时阻挡少子空穴复合，进而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，从而极大地降低了金属接触复合电流，提升了电池的开路电压和短路电流。
54.在一些实施方式中，第二氧化子层502的厚度为具体厚度可以是具体厚度可以是和等，将第二氧化子层502的厚度控制在上述范围内，有利于多子的传输，显著降低界面的复合，当第二氧化子层的厚度小于时，无法起到钝化作用，当第二氧化子层的厚度大于时，载流子无法有效穿过。
55.在一些实施方式中，第二氧化子层502的针孔密度为10-6
，具体针孔密度可以是10-6
等，可以理解地，载流子可以通过针孔运输，针孔作为载流子运输的一个分流路径，载流子通过针孔进行运输时，能够降低串联电阻，提高填充因子，进而提高太阳能电池的转化效率，若针孔数量大于10-3
，则会减小结的势垒高度，降低开路电压，从而降低钝化性能，提高表面复合，从而降低电池性能。
56.在一些实施方式中，第三氧化子层503为磷掺杂氧化硅层，本技术在氧化硅上掺杂p元素，在氧化硅近导带位置处形成施主能级，该杂质能级的存在加上表面重掺杂的多晶硅层，可以提高电子的隧穿能力，降低电子迁移的阻碍，提高填充因子。同时，p掺杂在表面形成的磷硅玻璃(bsg)对一些金属离子尤其是na
具有较强的阻挡作用，减少电池组件在使用过程中受到金属离子的影响。
57.在一些实施方式中，磷掺杂氧化硅层中磷的掺杂浓度为1
，具体掺杂浓度可以是1
等，磷掺杂氧化硅层中磷的掺杂浓度高于1
，过多的p元素会引起杂质缺陷的产生，成为载流子的陷阱和复合中心，同时在电池组件使用的过程中，过多的p元素会导致钝化层的透光率下降，影响电池效率；磷掺杂氧化硅层中磷的掺杂浓度低于1
，提高电子的隧穿能力不足，无法满足要求。
58.在一些实施方式中，磷掺杂氧化硅层中磷的掺杂浓度由n型半导体衬底10到掺磷多晶硅层方向逐渐增加。
59.在一些实施方式中，第三氧化子层503的厚度为具体地，第三氧化子层503的厚度可以是的厚度可以是和等。
60.第一氧化子层501、第二氧化子层502和第三氧化子层503的厚度总和小于等于具体厚度可以是和等，可以理解地，的厚度太厚会严重阻碍电子的迁移，所以本技术将第一氧化子层501、第二氧化子层502和第三氧化子层503的厚度总和控制在以内。
61.可以理解的是，第一氧化子层、第二氧化子层和第三氧化子层还可以掺杂提供空穴的al(铝)、ta(钽)中的至少一种，进而提高钝化效果。
62.本技术实施例还提供一种太阳能电池的制备方法，如图3所示为本实施例提供的一种太阳能电池制备方法的流程图一，包括以下步骤：
63.步骤s10、对制绒后的n型半导体衬底10前表面进行硼扩散，形成硼扩散层20；
64.步骤s20、对n型半导体衬底10后表面进行氧化形成含有氮元素和磷元素的氧化硅层50；
65.步骤s30、在含有氮元素和磷元素的氧化硅层50的表面沉积多晶硅层，并对多晶硅层进行二次磷扩散形成掺磷多晶硅层60；
66.步骤s40、在掺磷多晶硅层60表面形成第二钝化层70；
67.步骤s50、在硼扩散层20的表面形成第一钝化层30，在第一钝化层30上形成第一电极40，在第二钝化层70上形成第二电极。
68.在上述技术方案中，通过在n型半导体衬底10后表面与掺磷多晶硅层60之间设有含有氮元素和磷元素的氧化硅层50，通过n元素的掺杂，能够增加氧化硅层界面的介电常数，提高钝化效果、提升开路电压，但是，n元素的掺杂会造成电池内阻增大，填充因子降低；此时通过p元素的掺杂，在二氧化硅带隙中靠近导带位置产生施主杂质能级，从而能够提高电子的隧穿电流，即降低电池内阻，提高填充因子，本技术通过上述两种元素掺杂可以同时实现开路电压和填充因子的提升，进而提高太阳能电池的转化效率。
69.具体地，本技术实施例提供的太阳能电池的制作方法，可以用于制作n型太阳能电池，进一步可以用于制作n型topcon电池，下面，将结合本发明实施例中的附图，对本技术n型topcon电池的制备方法进行清楚、完整地描述，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
70.图4为本实施例提供的一种太阳能电池制备方法的流程图二，如图4所示，本技术
实施例1提供一种太阳能电池制备方法，包括以下步骤：
71.步骤s10，对制绒后的n型半导体衬底10前表面进行硼扩散，形成硼扩散层20。
72.具体地，在进行硼扩散之前，可以对n型半导体衬底10的前表面和后表面进行制绒处理，以形成绒面或表面纹理结构(例如金字塔结构)。制绒处理的方式可以是化学刻蚀、激光刻蚀、机械法和等离子刻蚀等等，在此不做限定。示例性地，可以使用naoh溶液对n型半导体衬底的前表面和后表面进行制绒处理，由于naoh溶液的腐蚀具有各向异性，从而可以制备得到金字塔绒面结构。
73.可以理解的，通过制绒处理使n型半导体衬底10的表面具有绒面结构，产生陷光效果，增加太阳能电池对光线的吸收数量，从而提高太阳能电池的转换效率。
74.在一些实施方式中，n型半导体衬底10的前表面为面向太阳的表面，后表面即为背对太阳的表面。还需说明的是，半导体衬底可以为晶体硅衬底(硅衬底)，例如为多晶硅衬底、单晶硅衬底或类单晶硅衬底，本发明实施例对于半导体衬底的具体类型不作限定。
75.在步骤s10中，可以采用高温扩散、浆料掺杂或者离子注入中的任意一种或多种方法，在n型半导体衬底10的前表面形成硼扩散层20。
76.在具体实施方式中，通过硼源来扩散硼原子形成硼扩散层20。硼源例如可以采用三溴化硼进行扩散处理，使得晶体硅的微晶硅相转变为多晶硅相。由于n型半导体衬底10表面具有较高浓度的硼，通常会形成硼硅玻璃层(bsg)，这层硼硅玻璃层具有金属吸杂作用，会影响太阳能电池的正常工作，需要后续去除。
77.可选地，在制绒处理之前，还可以包括对n型半导体衬底10进行清洗的步骤，以去除表面的金属和有机污染物。
78.步骤s20、对n型半导体衬底10后表面进行氧化形成含有氮元素和磷元素的氧化硅层50。
79.在一些实施方式中，含有氮元素和磷元素的氧化硅层具体厚度可以是和等，可以理解地，含有氮元素和磷元素的氧化硅层50的厚度太厚会严重阻碍电子的迁移，所以本技术将氧化硅层的厚度控制在以内。
80.需要指出的是，本发明实施例对于形成氧化的具体操作方式的不作限定。具体地，可以采用臭氧氧化法、高温热氧化法、硝酸氧化法对n型半导体衬底10进行后表面刻蚀之后进行氧化。例如，可以采用热氧化法在n型半导体衬底10的后表面进行氧化。
81.可以理解的是，与现有的薄氧化层或者隧穿氧化层相比，本技术是在不增加厚度的前提下，保持氧化硅增加电子隧穿的能力，同时还能提高电池后表面载流子的复合程度。
82.步骤s21、对n型半导体衬底10背表面进行氧化，在氧化的过程中，对氧化所得物进行一次磷扩散形成第三氧化子层503。
83.具体步骤为：采用磷源作为掺杂源，通入流量为10l/min～12l/min的o2，通气时间为3min～5min，停止通气后对氧化所得物进行一次磷扩散，一次磷扩散的温度为780℃～820℃，一次磷扩散的时间为50s～60s。
84.在上述步骤中，采用原位掺杂法同时进行氧化和磷扩散操作，氧化采用臭氧氧化法、高温热氧化法、硝酸氧化法中的任意一种；磷扩散处理，是指高温条件下(一般＞600℃)通过扩散五价的磷原子形成掺杂层。
85.在一些实施方式中，磷扩散过程中，磷源为pocl3或ph3，优选为pocl3，pocl3为液态且很容易挥发，在掺杂工艺中，可以通过通入氧气将磷源带入，同时进行氧化和掺杂，且氧气的通入使得五价磷源生成五氧化二磷，五氧化二磷与硅作用生成磷原子，而且，氧气的加入避免了磷化物对于半导体衬底表面的腐蚀作用。pocl3液态源扩散方法具有生产效率高、扩散层表面良好的优点。
86.在一些实施方式中，o2的通入流量为10l/min～12l/min，具体流量可以是10l/min、11l/min和12l/min等，可以理解的，o2通入流量高于12l/min，生长的氧化层太厚，导致电子迁移受阻，o2通入流量低于10l/min，生长的氧化层太薄，薄膜质量得不到有效的保证。
87.在一些实施方式中，通气时间为3min～5min，具体通气时间可以是3min、4min和5min等。
88.一次磷扩散的温度为780℃～820℃，一次磷扩散的温度具体可以是780℃、790℃、800℃、810℃和820℃等，一次磷扩散的时间为50s～60s，一次磷扩散的具体时间可以是50s、51s、52s、53s、54s、55s、56s、57s、58s、59s和60s等，若一次磷扩散温度低于780℃，则时间加长产量降低，扩散均匀性和重复性变差；若一次磷扩散温度高于820℃，则时间变短，扩散的均匀性和重复性也无法保证。
89.在一些实施方式中，第三氧化子层503的厚度为具体地，第三氧化子层503的厚度可以是的厚度可以是和等。
90.步骤s22、得到步骤s21的第三氧化子层503后继续氧化形成第二氧化子层502，第二氧化子层502位于第三氧化子层503与n型半导体衬底10之间。
91.具体步骤为：通入流量为8l/min～10l/min的o2，通气3min～5min后，停止通气并进行氧化，氧化温度为500℃～530℃，氧化时间为350s～450s。
92.在一些实施方式中，o2的通入流量为8l/min～10l/min，具体流量可以是8l/min、9l/min和10l/min等，可以理解的，o2通入流量高于10l/min，生长的氧化层太厚，导致电子迁移受阻，o2通入流量低于10l/min，生长的氧化层太薄，薄膜质量得不到有效的保证。
93.在一些实施方式中，通气时间为3min～5min，具体通气时间可以是3min、4min和5min等。
94.氧化的温度为500℃～530℃，氧化的温度具体可以是500℃、510℃、520℃和530℃等，氧化的时间为350s～450s，氧化的具体时间可以是350s、350s、370s、380s、390s、400s、410s、420s、430s、440s和450s等，将氧化时间和氧化温度控制在上述范围内，可得到厚度为的氧化硅层，有利于提高载流子的隧穿能力。
95.步骤s23、得到步骤s22的第二氧化子层502后继续进行氧化，在氧化的过程中将所述氧化所得物进行氮扩散形成第一氧化子层501，第一氧化子层501位于第二氧化子层502与n型半导体衬底10之间。
96.具体步骤为：采用体积比为(2～4):1的o2和n2o混合气体作为掺杂源，混合气体的通入流量为8l/min～10l/min，通气时间为3min～5min，停止通气后对氧化所得物进行氮扩散，氮扩散的温度为500℃～530℃，氮扩散的时间为40s～60s。
97.在一些实施方式中，o2和n2o的体积比为(2～4):1，体积比具体可以是2：1、3：1和4：
1等，通过将o2和n2o的混合气体作为掺杂源，同时进行氧化和氮掺杂，上述混合气体的通入流量为8l/min～10l/min，具体流量可以是8l/min、9l/min和10l/min等，将混合气体流量控制在上述范围内，控制掺杂氮元素的比例，提高钝化效果。
98.在一些实施方式中，通气时间为3min～5min，具体通气时间可以是3min、4min和5min等。
99.氧化的温度为500℃～530℃，氧化的温度具体可以是500℃、510℃、520℃和530℃等，氧化的时间为350s～450s，氧化的具体时间可以是350s、350s、370s、380s、390s、400s、410s、420s、430s、440s和450s等，将氧化时间和氧化温度控制在上述范围内，有利于掺杂元素的扩散，从而能够增加氧化硅层界面的介电常数，提高钝化效果。
100.在步骤s20中，本技术制备的第一氧化子层501/第二氧化子层502/第三氧化子层503的含氮和磷的氧化硅层结构厚度很薄，只需要氧化单晶硅表面即可，不需要额外的沉积硅，整个反应过程是自上而下的，即首先反应生成掺p的第三氧化子层，其次反应生成无掺杂第二氧化子层，最后反应生成掺n的第一氧化子层。
101.步骤s30、在含有氮元素和磷元素的氧化硅层50表面沉积多晶硅层，并对多晶硅层进行二次磷扩散形成掺磷多晶硅层60。
102.在上述步骤中，在含有氮元素和磷元素的氧化硅层50表面沉积掺磷多晶硅层60，用于对氧化硅层50起到保护作用，其次，对多晶硅进行掺杂形成高低结(n/n
+-si)，能够有效降低载流子在电池背面的复合速率，进一步提高太阳能电池的转化效率。
103.在一些实施方式中，可以采用低压化学气相沉积法、等离子体增强化学气相沉积法、常压化学气相淀积中的任意一种方法在第三氧化子层503的表面沉积多晶硅层。
104.在一些实施方式中，二次磷扩散时可以采用两步热处理方法，即先将磷源在1000℃左右分解，沉积在n型半导体衬底10表面，然后在800℃～900℃区间进行热处理，使得表面的磷原子扩散到多晶硅层内，形成掺磷多晶硅层60。当然，也可以采用一步沉积法，即在第三氧化子层503的表面沉积形成多晶硅层并同时进行原位掺杂处理以形成掺磷多晶硅层60。磷扩散工艺也可以采用高温扩散、浆料掺杂或者离子注入中的任意一种或多种方法，在此不做限定。
105.在一些实施方式中，掺磷多晶硅层的掺杂浓度为1
，掺杂浓度具体可以是为1
等，将掺杂浓度控制在上述范围内，有利于提高钝化性能。
106.在一些实施方式中，去除在磷扩散过程中电池背面形成的磷硅玻璃层及在电池正面硼扩散过程中形成的硼硅玻璃层。
107.步骤s40、在掺磷多晶硅层表面形成第二钝化层70。
108.在一些实施方式中，在掺磷多晶硅层表面形成第二钝化层70。第二钝化层70可以包括但不限于氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等单层或含氮和磷的氧化层结构。
109.例如，第二钝化层70由氮化硅组成，氮化硅薄膜层可以起到减反射膜的作用，且该氮化硅薄膜具有良好的绝缘性、致密性、稳定性和对杂质离子的掩蔽能力，氮化硅薄膜层能够对半导体衬底产生钝化作用，明显改善太阳能电池的光电转换效率。
110.步骤s50、在硼扩散层20的表面形成第一钝化层30，在第一钝化层30上形成第一电极40，在第二钝化层70上形成第二电极80。
111.在一些实施方式中，第一钝化层30可以包括但不限于氮化硅、氮氧化硅、氧化铝等单层或含氮和磷的氧化层结构。当然，第一钝化层30还可以采用其他类型的钝化层，本发明对于第一钝化层30的具体材质不作限定，例如，在其他实施例中，第一钝化层30还可以为二氧化硅和氮化硅的含氮和磷的氧化硅层等。上述第一钝化层30能够对半导体衬底产生良好的钝化效果，有助于提高电池的转换效率。在一些实施方式中，在半导体衬底前表面使用掺铝银浆印刷正面主栅和正面副栅，并进行烘干形成第一电极40，在一些实施方式中，可以在半导体衬底后表面使用银浆印刷后表面主栅和后表面副栅，并进行烘干形成第二电极80，最后将烘干后的电池片进行烧结，制得太阳能电池。
112.需要说明的是，第一电极40穿过第一钝化层30与硼扩散层20形成欧姆接触；第二电极80穿过第二钝化层70与掺磷多晶硅层60形成欧姆接触，掺磷多晶硅层60与含有n和p的氧化硅层(第一氧化子层501、第二氧化子层502和第三氧化子层503)组成topcon电池结构。
113.本发明实施例中不限定第一电极40和第二电极80的具体材质。例如，第一电极40为银电极或银/铝电极，第二电极80为银电极。
114.本发明实施例中不限定第一钝化层30、第二钝化层70的具体类型，例如可以为氮化硅层、氮氧化硅层、氧化铝/氮化硅含氮和磷的氧化硅层结构等。
115.第二方面，本技术提供一种光伏组件，包括依次层叠设置第一基板、第一封装层、电池串结构、第二封装层以及第二基板，形成层叠结构，对层叠结构进行层压处理，层压处理过程中通过导线与电池片之间电气连接得到光伏组件。
116.在一些实施方式中，光伏组件包括多个太阳能电池串，每个太阳能电池串包括通过导电带连接的多个太阳能电池，太阳能电池可以是上述所述的太阳能电池或上述所述的制备方法制得的太阳能电池。
117.在一些实施方式中，多个太阳能电池位于同一平面且以一定间隙(小间隙)或无间隙的形式进行电性连接。
118.下面分多个实施例对本技术实施例进行进一步的说明。其中，本技术实施例不限定于以下的具体实施例。在不变主权利的范围内，可以适当的进行变更实施。
120.步骤s10、对制绒后的n型半导体衬底10前表面进行硼扩散，形成硼扩散层20。
121.步骤s20、采用等离子体增强化学气相沉积法在单晶硅表面沉积氧化硅层：
122.步骤s21、开启pocl3源，该物质为液态，需要通过o2把该物质带出来，o2流量为12l/min，通气5min后，停止通气，保持温度在800℃之间反应60s形成磷掺杂氧化硅层。
123.步骤s22、关闭pocl3源，保持o2的流量为10l/min，通气5min后，停止通气，保持温度在500℃之间反应450s形成氧化硅层；
124.步骤s23、采用掺杂源为o2和n2o混合气体，混合的体积比为o2:n2o＝3:1，气体流量为10l/min，通气5min后，停止通气，保持温度在500℃之间反应60s形成氮掺杂氧化硅层。
125.步骤s30、采用等离子体增强化学气相沉积法在磷掺杂氧化硅层的表面沉积多晶硅层，并对多晶硅层进行二次磷扩散形成掺磷多晶硅层。
126.步骤s40、在掺磷多晶硅层表面形成第二钝化层，在第二钝化层上形成第二电极。
128.步骤s10、对制绒后的n型半导体衬底10前表面进行硼扩散，形成硼扩散层20。
129.步骤s20、采用等离子体增强化学气相沉积法在单晶硅表面沉积氧化硅层：
130.步骤s21、开启pocl3源，该物质为液态，需要通过o2把该物质带出来，o2流量为10l/min，通气4min后，停止通气，保持温度在780℃之间反应55s形成磷掺杂氧化硅层。
131.步骤s22、关闭pocl3源，保持o2的流量为9l/min，通气5min后，停止通气，保持温度在510℃之间反应450s形成氧化硅层；
132.步骤s23、采用掺杂源为o2和n2o混合气体，混合的体积比为o2:n2o＝4:1，气体流量为10l/min，通气5min后，停止通气，保持温度在530℃之间反应60s形成氮掺杂氧化硅层。
133.步骤s30、采用等离子体增强化学气相沉积法在磷掺杂氧化硅层的表面沉积多晶硅层，并对多晶硅层进行二次磷扩散形成掺磷多晶硅层。
134.步骤s40、在掺磷多晶硅层表面形成第二钝化层，在第二钝化层上形成第二电极。
136.步骤s10、对制绒后的n型半导体衬底10前表面进行硼扩散，形成硼扩散层20。
137.步骤s20、采用等离子体增强化学气相沉积法在单晶硅表面沉积氧化硅层：
138.步骤s21、开启pocl3源，该物质为液态，需要通过o2把该物质带出来，o2流量为10l/min，通气5min后，停止通气，保持温度在820℃之间反应60s形成磷掺杂氧化硅层。
139.步骤s22、关闭pocl3源，保持o2的流量为8l/min，通气5min后，停止通气，保持温度在530℃之间反应450s形成氧化硅层；
140.步骤s23、采用掺杂源为o2和n2o混合气体，混合的体积比为o2:n2o＝2:1，气体流量为9l/min，通气5min后，停止通气，保持温度在510℃之间反应60s形成氮掺杂氧化硅层。
141.步骤s30、采用等离子体增强化学气相沉积法在磷掺杂氧化硅层的表面沉积多晶硅层，并对多晶硅层进行二次磷扩散形成掺磷多晶硅层。
142.步骤s40、在掺磷多晶硅层表面形成第二钝化层，在第二钝化层上形成第二电极。
144.与实施例1不同的是，步骤2具体为：采用lpcvd的方法在半导体衬底背表面生成厚度左右的sio2层，具体的参数为：通入o2的流量为15l/min，通气5min后，停止通气，保持温度在500℃之间反应550s形成氧化硅层。
145.上述实施例1～3和对比例1的性能测试见下表1。
146.表1.实施例1和对比例1性能参数对比
由上表1可知：本技术实施例1～3通过在n型半导体衬底后表面10与掺磷多晶硅层60之间一次设置氮掺杂氧化硅层501、二氧化硅层502和磷掺杂氧化硅层503的含氮和磷的
氧化硅层50结构，通过n元素的掺杂和p元素的掺杂，显著提升电池的开路电压和填充因子，进而提高太阳能电池的转化效率，本技术实施例制备的太阳能电池的转化效率相比于对比例1最大增长了0.31％，可见本技术制备的太阳能电池对于太阳能利用及太阳能电池的发展具有极其重要的意义。
以上所述仅为本技术的优选实施例而已，并不用于限制本技术，对于本领域的技术人员来说，本技术可以有各种更改和变化。凡在本技术的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本技术的保护范围之内。
本技术虽然以较佳实施例公开如上，但并不是用来限定权利要求，任何本领域技术人员在不脱离本技术构思的前提下，都可以做出若干可能的变动和修改，因此本技术的保护范围应当以本技术权利要求所界定的范围为准。

PAGE PAGE 1 薄膜太阳能电池及其制作方法与流程 1.本技术涉及光伏技术领域，详细而言，涉及一种薄膜太阳能电池及其制作办法。背景技术：2.cdte薄膜太阳能电池因为弱光性能好，光汲取系数大，成本较低，光电转化效率高，在薄膜太阳能电池领域具有较高的市场占有率。但是p型cdte材料作为汲取层，其功函数较高(约5.4ev)，需要结合更高功函数的材料才干形成欧姆接触，避开因cdte与金属(电极)之间的肖特基结导致i?v曲线浮现正向电压方向的饱和电流，表现为roll?over效应。同时为了实现更高的电流输出，需要该材料具有优异的导电性能，提高电池的填充因子和转化效率。3.相关技术中的cdte太阳电池采纳了含cu背接触结构来衔接电极和cdte，但是仍濒临光电效率不高、稳定性较差的问题。技术实现要素：4.本技术的目的包括提供了一种薄膜太阳能电池及其制作办法，其具有较高的光电转换效率和较佳的性能稳定性。5.本技术的实施例可以这样实现：6.第一方面，本技术提供一种薄膜太阳能电池，包括前电极层和依次层叠设置的汲取层、背接触层以及背电极层，汲取层、背接触层位于前电极层与背电极层之间；7.其中，汲取层包括与背接触层接触的cdte层，背接触层包括与背电极层接触的掺as的znte层。8.在可选的实施方式中，背接触层还包括znte本征层，znte本征层的两侧分离接触掺as的znte层与汲取层。9.在可选的实施方式中，背接触层还包括掺ag的znte层，掺ag的znte层的两侧分离接触掺as的znte层与汲取层。10.在可选的实施方式中，薄膜太阳能电池还包括设置在汲取层与前电极层之间的缓冲层，缓冲层为sno2层。11.在可选的实施方式中，汲取层还包括与cdte层重叠设置的cdsexte1?x层，cdsexte1?x层接触cdte层背离背接触层的一侧。12.在可选的实施方式中，前电极层为tco层。13.在可选的实施方式中，背电极层包括依次层叠设置的moox层、al层和cr层，moox层与背接触层接触。14.其次方面，本技术提供一种薄膜太阳能电池的制作办法，包括：15.在基板上制作前电极层；16.利用热蒸发法制作汲取层，汲取层位于前电极层的上方，汲取层包括cdte层；17.利用热蒸发法或者磁控溅射法在cdte层上制作背接触层，背接触层包括掺as的znte层；18.在掺as的znte层上制作背电极层。19.在可选的实施方式中，在基板上制作前电极层的步骤，包括：20.利用磁控溅射法在基板上制作tco层以得到前电极层；21.在制作完前电极层后，制作汲取层前，制作办法还包括：22.利用磁控溅射法在前电极层上制作用于衔接前电极层和汲取层的缓冲层，缓冲层为sno2层。23.在可选的实施方式中，利用热蒸发法制作汲取层的步骤，包括：24.利用热蒸发法制作cdsexte1?x层；25.利用热蒸发法在cdsexte1?x层上制作cdte层，以得到汲取层。26.在可选的实施方式中，利用热蒸发法或者磁控溅射法在cdte层上制作背接触层的步骤，包括：27.利用热蒸发法或者磁控溅射法在cdte层上制作znte本征层或者掺ag的znte层；28.利用热蒸发法或者磁控溅射法在znte本征层或者掺ag的znte层上制作掺as的znte层，以得到背接触层。29.在可选的实施方式中，在掺as的znte层上制作背电极层的步骤，包括：30.利用磁控溅射法在掺as的znte层上依次制作moox层、al层和cr层以得到背电极层。31.本技术实施例的有益效果包括，例如：32.本技术实施例提供的薄膜太阳能电池中，汲取层包括与背接触层接触的cdte层，背接触层包括与背电极层接触的掺as的znte层。通过引入掺杂as的znte层，来代替cu掺杂，能够充实因cu蔓延导致的pn结质量下降，光电转换效率低的问题。相比于cu掺杂，as替位te形成zn3as2结合能较高，为140ev。因此as掺杂能够使背接触层越发稳定，不易蔓延到电池汲取层，从而提高薄膜太阳能电池性能的稳定性，使其具有更长的用法寿命。33.本技术实施例还提供一种薄膜太阳能电池的制作办法，用于制作上述的薄膜太阳能电池。附图解释34.为了更清晰地解释本技术实施例的技术计划，下面将对实施例中所需要用法的附图作容易地介绍，应该理解，以下附图仅示出了本技术的某些实施例，因此不应被看作是对范围的限定，对于本事域一般技术人员来讲，在不付出制造性劳动的前提下，还可以按照这些附图获得其他相关的附图。35.图1为本技术一种实施例中薄膜太阳能电池的剖面暗示图；36.图2为本技术另一种实施例中薄膜太阳能电池的剖面