三极管工作在饱和区時其发射结与集电结均为正偏。对于小功率NPN型硅管呈现为Vbe多0.7V(略大于工作在放大区时的数值)，Vbc>0V (不大于Vbe的值);对于小功率NPN型锗管类似地有Vbe≥0.2V(略大于工作在放大区时的值)，Vbc>OV (不大于Vbe的值)对于PNP型的晶体管，上述电压值的符号相反即小功率的PNP型硅管，Vbe≥-0.7VVb<0V(不小于Vbe的值;小功率PNP型锗管，Vbe≤-2VVbc<0V(不小于Vbe的值)。一般情况下此时的Vce≈0.3V(硅管)或 Vce≈0.1V(锗管)，如果我们检测出电路中的晶体三极管极间电压符合上述情况则可判断该三極管工作在饱和区。
需要指出一点的是：在有些电子电路中如开关电路、数字电路等，三极管工作在截止区与饱和区之间相互转换如附图所示。当A点为0V时EB通过R1、R2分压使基极处于负电压，发射结反偏;同时集电结也是反偏的那么三极管T截止;当A点输入为6V时，R1、R2分压使三极管发射结正偏产生足够大的基极电流使三极管饱和导通，输出端L约为0.3V此时集电结也为正偏。我们检测电路是否正常时可以分别使A端輸人0V与6V的电压，并分别测量两种情况下的三极管极间电压看是否符合上述截止与饱和的情况，从而就可以判断该电路工作是否正常