从结构上看N沟道耗尽型MOS管与N沟噵增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅－源极间电压v_GS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生而增强型MOS管要在v_GS≥V_T时才出现导电沟道。原因是制造N沟道耗尽型MOS管时在SiO₂绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na⁺或K⁺(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示因此即使v_GS=0时，在这些正离子产生的电场作用下漏－源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压v_DS就有电流i_D。如果加上正的v_GS柵极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的，沟道加宽沟道电阻变小，i_D增大反之v_GS为负时，沟道中感应的电子减少沟道变窄，沟道電阻变大i_D减小。当v_GS负向增加到某一数值时导电沟道消失，i_D趋于零管子截止，故称为耗尽型沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压，仍用V_P表示与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压V_P也为负值但是，前者只能在v_GS<0的情况下工作而后者在v_GS=0，v_GS>0V_P<v_GS<0的情况下均能實现对i_D的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零这是耗尽型MOS管的一个重要特点。

图1(b)、(c)分别是N沟道和P沟道耗尽型MOS管的代表符号

在饱和区内，耗尽型MOS管的电流方程与结型场效应管的电流方程相同即