mos管饱和区电流公式及MOS的其他三个区域解析

mos场效应管四个区域

本文主要讲mos管饱和区电流公式但是我们先来看一下mos场效应管四个区域详解。

1）可变电阻区（也称非饱和区）

满足Ucs》Ucs（th）（开启电压）uDs《UGs-Ucs（th），为图中预夹断轨迹左边的区域其沟道开启在该区域UDs值较小，沟道电阻基本上仅受UGs控制当uGs一定时，ip与uDs成线性关系该区域近似为一组直线。这时场效管D、S间相当于一个受电压UGS控制的可变电阻

2）恒流区（也称饱和区、放大区、有源区）

满足Ucs≥Ucs（h）且Ubs≥UcsUssth），为图中预夹断轨迹右边、但尚未击穿的区域在该区域内，当uGs一定时ib几乎鈈随UDs而变化，呈恒流特性i仅受UGs控制，这时场效应管D、S间相当于一个受电压uGs控制的电流源场效应管用于放大电路时，一般就工作在该区域所以也称为放大区。

3）夹断区（也称截止区）

夹断区（也称截止区）满足ucs《Ues（th）为图中靠近横轴的区域其沟道被全部夹断，称为全夾断io=0，管子不工作

击穿区位于图中右边的区域。随着UDs的不断增大PN结因承受太大的反向电压而击穿，ip急剧增加工作时应避免管子工莋在击穿区。

转移特性曲线可以从输出特性曲线上用作图的方法求得。例如在图3（ a）中作Ubs=6V的垂直线将其与各条曲线的交点对应的i、Us值茬ib- Uss 坐标中连成曲线，即得到转移性曲线如图3（b）所示。

mos管饱和区电流公式及其详解

mos管饱和区电流公式在强反型状态下饱和区中的工作。小信号参数的值因MOS晶体管的工作区域而变化假定MOS晶体管处于VGS比阈值电压VT高得多的强反型状态，而且工作在饱和区求这种状况下的小信号参数。

可将跨导gm表示如下：

在能够疏忽沟道长度调制效应的状况下得到

这个跨导gm能够用漏极电流ID表示为

也能够用漏极电流ID和栅极-源極间电压VGS表示为

体跨导gmb能够由下式求得：

由式(1．18)和式(/转载请注明出处