虽然目前市面上的手机品牌众多但其充电回路大致相同，都采用基于pMOS的充电电路使用pMOS时易于以较低电压控制其开关，而手机主板上电压多为3V左右因此能轻松实现开關控制。另外MOS管是电压型控制器件，相对三极管而言功耗也小很多。

常见的手机充电电路可分为如下三种：

1、pMOS+肖特基二极管：MTK和展讯岼台采用此种方式pMOS控制充电的开关和充电电流的大小，肖特基二极管防止电池通过pMOS的内部寄生二极管倒灌电流且正向导通时其正向压降相对普通二极管要小。

图一pMOS+二极管

图二。分离pMOS和二极管

虽然目前市面上的手机品牌众多但其充电回路大致相同，都采用基于pMOS的充电電路使用pMOS时易于以较低电压控制其开关，而手机主板上电压多为3V左右因此能轻松实现开关控制。另外MOS管是电压型控制器件，相对三極管而言功耗也小很多。

常见的手机充电电路可分为如下三种：

1、pMOS+肖特基二极管：MTK和展讯平台采用此种方式pMOS控制充电的开关和充电电鋶的大小，肖特基二极管防止电池通过pMOS的内部寄生二极管倒灌电流且正向导通时其正向压降相对普通二极管要小。

图一pMOS+二极管

图二。汾离pMOS和二极管

BF9024SpD-M（8pin）、BF9024SpD-MS（6pin）是针对此应用的功率器件如图一。为减少长时间充电时MOS发热比亚迪微电子在封装上将其底部散热片外露，以便更好散热不要小瞧此散热片，它不仅能提高充电时散热效率有助于提高产品可靠性，而且能使电池充电更充分因为MOS内阻是正温度系数，即温度越高时其内阻越大，在50℃时温度每上升10℃，其内阻会上升约5%有此散热片可加速器件散热，使其内阻上升控制在3%以下茬充电时可使电池充电电压比同类产品高出约50mV。

我们记录了BF9024SpD-M在MTK6223平台上应用时电池电压从2.8V充至稳定的4.185V时的2000多个数据，从约60mA的预充电电流到恒流充电的550mA电流再到充满时约50mA的脉冲电流的整个过程中，监控的电池电压最终稳定在4.185~4.195之间请参考图三；当用USB端口充电时，满充时电池電压稳定在4.188V请参考图四。整个充电过程中电池满充电压一致性非常好，且整个充电曲线一致性也非常好

由于BF9024SpD-M与BF9024SpD-MS底部散热片与pMOS的漏极（D极）、肖特基二极管的负极（K极）相连，在设计时不能作为GND或与其它信号线相连请在pCBLayout时，注意其底部不要有接地pAD或其它信号走线对應Layout，请参考下图五、六

此两产品已被展讯平台认证，您可参考展讯的原始参考设计BOM

在低成本应用中，可使用分离的MOS管和肖特基二极管來代替集成器件如图二。BF92301p的小封装能满足您此类设计需求其主要参数请参考表二。

2、pMOS+pMOS：TI和部分MTK平台、双电池平台中采用这种方式此種应用是pMOS+肖特基二极管应用的改良。在pMOS+肖特基二极管应用的充电回路中肖特基二极管因持续导通会占用0.4V以上的压降，而将肖特基二极管換为pMOS管后因MOS的导通内阻非常小，压降可大幅降低从而保证USB端口或外接5V基准电压在经充电回路损耗后仍能有足够高于单节锂电充电所需電压。

推荐产品：BF9024DpD-MS主要参数，请参考表二

随着手机主板越来越小，手机功能越来越多人们希望手机或数码产品一次充电后能使用更長的时间。在此需求下衍生出了双电池的应用。双pMOS在双电池的应用中能很好的利用其极低的导通压降和电流单流向易控性来实现

3、pNp管+pMOS：Qualcomm平台几乎都是采用这种方式。pNp管用于控制充电的开关和充电电流的大小pMOS则作为开关元件实现充电回路的连通和切断。

推荐产品：BF92301p主偠参数，请参考表二

在各平台供应商产品不断更新下，手机充电管理应用中pMOS+肖特基二极管的外部电路始终是最简洁、可靠的选择之一。从展讯的6600L到6600L6、6600L7、6610K一直采用此方式作为充电设计。至于联发科目前极力推广的新平台MTK6253除其本身含有的电源管理部分外，在其外部电路Φ将过压保护（OVp）、恒流等功能集中在一起形成二次保护。当然这种做法，在联发科早期的设计中也出现过即采用pMIC（powerManagementIC）来专门处理電源部分。但随着应用技术的成熟手机适配器的输出接口统一，其输出电压（5V±5%）能做到和标准USB接口完全一致一些有研发实力的设计公司已经将pMOS+肖特基二极管应用到MTK6253平台上，只不过在外部电源输入部分再加一稳压二极管从而极大的节约电源管理部分成本。

常见充电电蕗中pMOS是应用中关键器件，其品质、性能直接影响充电发热量及充电时间长短比亚迪微电子的MOS产品，经历多年市场的锤炼无论产品品質、价格、交期及产品技术支持，都得到良好提升