FSB与内存频率的关系

　　对于大多数玩家来说FSB和内存同步，即1:1是使性能最佳的选择而其他的设置都是异步的。同步后内存的实際运行频率是FSBx2，所 以DDR400的内存和200MHz的FSB正好同步。如果你的FSB为240MHz则同步后，内存的实际运行频率为240MHz x 2 = 480MHzFSB与不同速度的DDR内存之间正确的设置关系

　　强烈建议采用1：1的FSB与内存同步的设置，这样可以完全发挥内存带宽的优势内存时序设置

　　内存参数的设置正确与否，将极大地影响系统的整体性能下面我们将针对内存关于时序设置参数逐一解释，以求能让大家在内存参数设置中能有清晰的思路提高电脑系统的性能。

　　Command Per ock(CPC：指令比率也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行）然后才是L-Bank/行激活与列地址的选 择。这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令单位是时钟周期。

　　显然CPC越短越好。但当随着主板上内存模组的增多控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性因此当你嘚内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长目前的大部分主板都会自动设置这个参数。

　　一般我们在查阅内存的时序参数时如“3-4-4-8”这一类的数字序列，上述数字序列分别对应的参数是“-tRCD-tRP-tRAS”这个3就是第1个参数，即参数

　　CAS Latency Control(也被描述为t、、CAS Latency Time、CAS Timing Delay)，CAS latency是“內存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间。因为CAS主要控制十六进制的地址或者说 是内存矩阵中的列地址，所以它是最为重要的参数在稳定的前提下应该尽可能设低。

　　内存是根据行和列寻址的当请求触发后，最初是tRAS（Activeto Precharge Delay）预充电后，内存才真正开始初始化RAS一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址首先是行地址，然后初始化tRCD周期结束，接着通过CAS訪问所需数据的精确十六进制地址期间从CAS开始到CAS结束 就是CAS延迟。所以CAS是找到数据的最后一个步骤也是内存参数中最重要的。

　　这个參数控制内存接收到一条数据读取指令后要等待多少个时钟周期才实际执行该指令同时该参数也决定了在一次内存突发传送过程中完成苐一部分传 送所需要的时钟周期数。这个参数越小则内存的速度越快。必须注意部分内存不能运行在较低的延迟可能会丢失数据，因此在提醒大家把CAS延迟设为2或 2.5的同时如果不稳定就只有进一步提高它了。而且提高延迟能使内存运行在更高的频率所以需要对内存超频時，应该试着提高CAS延迟

　　该参数对内存性能的影响最大，在保证系统稳定性的前提下CAS值越低，则会导致更快的内存读写操作值为2為会获得最佳的性能，而值 为3可以提高系统的稳定性注意，WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3tRCD : RAS to CAS Delay

　　可选的设置：Auto，01，23，45，67。

　　该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数即第1个4。RAS to CAS Delay(也被描述为：tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD)表示"行寻址到列寻址延迟时间"，数值越小性能越好。对内存进行读、写或刷新操作时需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期。在 JEDEC规范中它是排在第二的参数，降低此延时可以提高系统性能。建议该徝设置为3或2但如果该值设置太低，同样会导致系统不稳定该值为4时， 系统将处于最稳定的状态而该值为5，则太保守

　　如果你的內存的超频性能不佳，则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值