本题所述的状态实际上是场效應管电流处于恒流区的工作情况。为了能解释清楚场效应管电流的恒流区本题以增强型N沟道场效应管电流为例。

        图1所示为增强型N沟道场效应管电流的内部结构图图中P型衬底上扩散了两个高浓度的N＋区，在器件表面生成一层SiO2绝缘层并引出三个电极。

图1 增强型N沟道场效应管电流的内部结构和电路

        学习场效应管电流的时候我们知道当VGS电压大于开启电压VT后，在SiO2层下方两个高浓度N+区之间会感应生成层（由于该層载流子为电子与衬底P的多子—空穴相反，所以也称反型层）即形成导电沟道。如果此时再加上VDD电压并逐渐增大则靠近漏极端的VGD（=VGS－VDS）电压会逐渐减小，并趋向反向因此，两个高浓度N+区间感应的电子层会在靠源极端厚靠近漏极端簿的楔型形状，如图2所示

        调节VDD，使VDS增加当VGD=VT时，漏极端的感应电子层正好消失这时的沟道称为预夹断。由于预夹断处沟道内电子无法停留所以此时整个沟道的电阻几乎都集中在预夹断点上。此后当VDS增加时，预夹断点将向源极延伸在延伸的过程中，可以证明预夹断点延伸的长度Δ将和VDS的增加速率成囸比因此，在VDS≥VT的一个较大范围内场效应管电流表现出其漏极电流基本不变的特性。