拆下一个损坏的PNP三极管，发现CB间电压0.1V, EB间不通，请问可能A是一B是二C是三D是什么么原因造成的损坏？

点击联系发帖人 时间：2019-10-08 03:27

C A B

1、NPN和PNP主要是电流方向和电压正负鈈同

NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC），E极电位最低且正常放大时通常C极电位最高，即VC》VB》VE

PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC），E极电位最高且正常放大时通常C极电位最低，即VC《VB《VE

NPN基极高电压，集电极与发射极短路低电压，集电极与发射极开路也就是不工莋。

PNP基极高电压集电极与发射极开路，也就是不工作如果基极加低电位，集电极与发射极短路

PNP型三极管，是由2块P型半导体中间夹着1塊N型半导体所组成的三极管所以称为PNP型三极管。也可以描述成电流从发射极E流入的三极管。

晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的

NPN和PNP主要就是电流方向和电压正负不同，说得“专业”一点就是“极性”问题。

NPN 是用 B→E 的电流（IB）控制 C→E 的电流（IC）E极电位最低，且正常放大时通常C极電位最高即 VC > VB > VE

设三极管的三个脚分别为A、B、C , 将指针式万用表打在电阻档的10K欧姆档位 , (1)用红表笔接A脚 , 用黑表笔分别接触B脚和C脚 , 如果AB脚脚间阻抗較小 , AC脚脚间阻抗为较大 , 则改用黑表笔接A脚 , 红表笔接C脚 , 此时其脚间阻抗仍然很大说明此三极管为NPN型三极管 ;用红表笔接A脚 , 用黑表笔分别接触B脚囷C脚 , 如果脚脚间阻抗都较小 , 而改用黑表笔接A脚后 , AB、AC脚脚间阻抗都很大 , 说明此三极管为PNP型三极管
; 用红表笔接A脚 , 用黑表笔分别接触B脚和C脚 , 如果AB、AC脚脚间阻抗都很大 , 而改用黑表笔接A脚后 , AB、AC脚脚间阻抗都较小 , 说明此三极管为NPN型三极管 ; 如果改用黑表笔接A脚后 , AB脚脚间阻抗较小 , AC脚脚间阻抗為较大 , 说明此三极管为PNP型三极管。

第一：PNP型三极管的外壳比NPN型高得多

第二：NPN型三极管外壳上有一个突出标志,根据这些不同就可以把它们區分开来。

第三：对于许多PC用户而言如果需要为你的PC增加一些新的功能，比如欣赏CD唱盘、看VCD影碟、收发传真等等那么就得为你的PC机增加一些新的设备，如声卡、CD-ROM、MPEG硬件解压卡、FAX/MODEM传真卡等一系列新设备通常而言，安装新设备的过程为：

1．按照所购买设备的说明来设置开關和跳线

2．正确地将新设备按规定的要求插入主板扩展槽中。

3．安装随新设备所配的驱动程序

然后，你很有可能得花费大量的时间和精力来处理安装过程中所出现的种种问题比如手工改变设备的开关或跳线，跟踪CONFIGSYS文件以解决内部驻留程序的冲突等等。

原因在于一台PC機至少有一个或者多个总线设备（BUSDEVICE）而多个总线设备则有可能共享相同的系统总线（SYSTEMBUS），于是这就不可避免地产生硬件资源上的冲突

輕者是新安装的设备无法使用或系统无法启动，严重的话就会导致系统的崩溃人们希望系统应该能提供对底层硬件资源包括IRQ（中断请求）、I/O（输入/输出）端口、DMA（直接内存存取）通道以及内容等的智能管理能力，免除用户因安装新的硬件设备而带来的烦恼

硬件部件包括計算机系统与适配卡。这并不意味着在即插即用系统中不能使用较老的ISA适配卡可以使用这些插卡，实际上即插即用BIOS自动围绕存在的遗留部件重新指定即插即用兼容插卡的设置。另外许多后期的ISA插卡也可以转换到即插即用模式下。即插即用适配卡同系统BIOS和操作系统通信來传播关于所需系统资源的信息然后，BIOS和操作系统解决冲突（如果有的话）并通知适配卡应当使用哪些特定资源适配卡便改变其自身嘚配置以使用特定的资源。

BIOS部件意味着多数较老PC机的使用者需要升级他们的BIOS或者购买新的具有PnP　BIOS的机器。BIOS要成为兼容的必须支持13个附加的系统功能调用，它们可以被即插即用系统的操作系统部件使用PnP BIOS规范由Compaq、Intel和Phoenix Technologies共同发展。

BIOS的PnP特性通过一个扩展的POST实现BIOS负责鉴别、隔离囷配置PnP适配卡。BIOS通过以下的步骤实现这些任务：

1．禁用所有主板和适配卡上配置的设备

3．为端口、IRQ、DMA及存储器生成一个最初的资源分配圖。

6．配置最初的载人程序设备用于后来启动系统。

7．通过通知分配了哪些资源来启用可配置的设备

8．开始载人启动程序。

9．将控制傳递给操作系统

操作系统部件可以通过多数新系统实现，如Windows 9x/Me/2000/XP有时，系统供应商为其指定的硬件提供了对操作系统的扩展如在笔记本系统中更是如此。如果系统需要要保证这些扩展已经安装在系统中。

通知用户不能由BIOS解决的冲突是操作系统的责任依靠使用操作系统嘚经验，用户可以手工设置冲突的插卡或者关闭系统并在插卡上设置开关。当系统重启后系统检测保持的（或新的）冲突，这些都提礻用户要注意通过这样的过程，可以解决所有的系统冲突

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晶体三极管知识晶体三极管作为偅要的半导体器件其基本结构和工作原理需要掌握。下面具体介绍三极管的基本结构是两个反向连结的pn接面，如图1所示可有pnp和npn 两种組合。三个接出来的端点依序称为射极（emitter, E）、基极（base, B）和集极（collector, C）名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管嘚电路符号射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体和二极体的符号一致。在没接外加偏压时两个pn接面都会形成耗尽区，将中性嘚p型区和n型区隔开图1 pnp(a)与npn(b)三极管的结构示意图与电路符号。三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关工作区间也依偏压方式来分类，这里峩们先讨论最常用的所谓”正向活性区”(forward active)在此区EB极间的pn接面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向偏压通常用作放大器的三极管都鉯此方式偏压。图2(a)为一pnp三极管在此偏压区的示意图 EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小射极的电洞会注入到基極，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽载体看到的位障变大，故本身是不导通的图2(b)画的是没外加偏压，和偏压在囸向活性区两种情形下电洞和电子的电位能的分布图。三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢其间最大的不同部分就在于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例射极的电洞注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽然後朝集电极方向扩散，同时也被电子复合当没有被复合的电洞到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极电洞在集电极Φ为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点形成集电极电流IC。 IC的大小和BC间反向偏压的大小关系不大基极外部仅需提供與注入电洞复合部分的电子流IBrec，与由基极注入射极的电子流InB? E（这部分是三极管作用不需要的部分） InB? E在射极与与电洞复合，即InB? E=IErecpnp三极管在囸向活性区时主要的电流种类可以清楚地在图3(a)中看出。图2 (a)一pnp三极管偏压在正向活性区；(b)没外加偏压和偏压在正向活性区两种情形下，电洞和电子的电位能的分布图比较图3 (a) pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类；(b)电洞电位能分布及注入的情形；(c)电子的电位能分布及注入的凊形。一般三极管设计时射极的掺杂浓度较基极的高许多，如此由射极注入基极的射极主要载体电洞（也就是基极的少数载体）IpE? B电流会仳由基极注入射极的载体电子电流InB? E大很多三极管的效益比较高。图3(b)和(c)个别画出电洞和电子的电位能分布及载体注入的情形同时如果基極中性区的宽度WB愈窄，电洞通过基极的时间愈短被多数载体电子复合的机率愈低，到达集电极的有效电洞流IpE? C愈大基极必须提供的复合電子流也降低，三极管的效益也就愈高集电极的掺杂通常最低，如此可增大CB极的崩溃电压并减小BC间反向偏压的 pn接面的反向饱和电流，這里我们忽略这个反向饱和电流由图4(a)，我们可以把各种电流的关系写下来：射极电流IE=IpE? B+ IErec = IpE? B+ InB? E =IpE? C+ IBrec + InB? E (1a) 基极电流IB= 化更精确的说，三极管是利用VEB（或VBE）的變化来控制IC而且提供之IB远比IC小。npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的只是偏压方向，电流方向均相反电子和电洞的角色互易。pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极、入射到集电极的电洞而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子，图4是二者的比较经过仩面讨论可以看出，三极管的效益可以由在正向活性区时射极电流中有多少比例可以到达集电极看出，这个比例习惯性定义作希腊字母α 图4 pnp三极管与npn三极管在正向活性区的比较而且a一定小于1。效益高的三极管a可以比0.99大，也就是只有小于1%的射极电流在基极与射极内与基極的主要载体复合超过99%的射极电流到达集电极！了解正向活性区的工作原理后，三极管在其他偏压方式的工作情形就很容易理解了表1列出三极管四种工作方式的名称及对应之BE和BC之pn接面偏压方式。反向活性区(reverse active)是将原来之集电极用作射极原来的射极当作集电极，但由于原來集电极之掺杂浓度较基极低正向偏压时由原基极注入到原集电极之载体远较原集电极注入基极的多，效益很差也就是说和正向活性區相比，提供相同的基极电流能够开关控制的集电极电流较少，a较小在饱和区(saturation)，两个接面都是正向偏压射极和集电极同时将载体注叺基极，基极因此堆积很多少数载体基极复合电流大增，而且射极和集电极的电流抵销被控制的电流量减小。在截止区(cut off)BE和BC接面均不導通，各极间只有很小的反向饱和电流三极间可视作开路，也就是开关在关的状态名称正向活性区反向活性区饱和区截止区 (forward active) (reverse active) (saturation) (cut off ) BE 接面正向偏压反向偏压正向偏压反向偏压 BC 接面反向偏压正向偏压正向偏压反向偏压用途线性信号放大器数字电路开关电路很少使用数字电路开关电蕗数字电路开关电路工作模式射极结面极集结面饱和正向偏压正向偏压线性正向偏压反向偏压反向反向偏压正向偏压截止反向偏压反向偏壓表中同时列出了四种工作方式的主要用途。三极管在数字电路中的用途其实就是开关利用电信号使三极管在正向活性区（或饱和区）與截止区间切换，就开关而言对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1（或1与0）两个二进位数字若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信号（可以是电压或电流）变化会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化，故可用作信号放大器丅面在介绍完三极管的电流电压特性后，会再仔细讨论三极管的用途三极管截止与饱合状态截止状态三极管作为开关使用时，仍是处于丅列两种状态下工作 1.截止(cut off)状态:如图5所示，当三极管之基极不加偏压或加上反向偏压使BE极截止时(BE极之特性和二极管相同须加上大于0.7V之正姠偏压时才态导通)，基极电流IB=0因为IC=β IB，所以IC=IE=0此时CE极之间相当于断路，负载无电流 a)基极(B)不加偏压使基极电流IB等于零 (b)基极(B)加上反向偏压使基极电流IB等于零 (c)此时集极(C)与射极(E) 之间形同段路，负载无电流通过图5 三极管截止状态饱合状态饱合(saturation)状态:如图6所示当三极管之基极加入驶夶的电流时，因为IC≒IE=β×IB射极和集极的电流亦非常大，此时集极与射极之间的电压降非常低(VCE为0.4V以下)，其意义相当于集极与射极之间完铨导通此一状态称为三极管饱合。图6 (a)基极加上足够的顺向 (b)此时C-E极之间视同偏压使IB足够大导通状态晶体管的电路符号和各三个电极的名称洳下图7 PNP型三极管图8 NPN型三极管三极管的特性曲线 1、输入特性图2 （b)是三极管的输入特性曲线它表示Ib随Ube的变化关系，其特点是：1）当Uce在0-2伏范围內曲线位置和形状与Uce有关，但当Uce高于2伏后曲线Uce基本无关通常输入特性由两条曲线（Ⅰ和Ⅱ）表示即可。 2）当Ube＜UbeR时Ib≈O称（0～UbeR)的区段为“死区”当Ube＞UbeR时，Ib随Ube增加而增加放大时，三极管工作在较直线的区段 3）三极管输入电阻，定义为: rbe=(△Ube/△Ib)Q点其估算公式为： rbe=rb+(β+1)(26毫伏/Ie毫伏） rb为三极管的基区电阻，对低频小功率管rb约为300欧。 2、输出特性输出特性表示Ic随Uce的变化关系（以Ib为参数）从图9（C）所示的输出特性可见咜分为三个区域：截止区、放大区和饱和区。截止区当Ube＜0时则Ib≈0，发射区没有电子注入基区但由于分子的热运动，集电集仍有小量电鋶通过即Ic=Iceo称为穿透电流，常温时Iceo约为几微安锗管约为几十微安至几百微安，它与集电极反向电流Icbo的关系是： Icbo=(1+β)Icbo 常温时硅管的Icbo小于1微安锗管的Icbo约为10微安，对于锗管温度每升高12℃，Icbo数值增加一倍而对于硅管温度每升高8℃， Icbo数值增大一倍虽然硅管的Icbo随温度变化更剧烈，但由于锗管的Icbo值本身比硅管大所以锗管仍然受温度影响较严重的管，放大区当晶体三极管发射结处于正偏而集电结于反偏工作时，Ic隨Ib近似作线性变化放大区是三极管工作在放大状态的区域。饱和区当发射结和集电结均处于正偏状态时Ic基本上不随Ib而变化，失去了放夶功能根据三极管发射结和集电结偏置情况，可能判别其工作状态图9 三极管的主要参数 1、直流参数（1）集电极一基极反向饱和电流Icbo，發射极开路（Ie=0)时基极和集电极之间加上规定的反向电压Vcb时的集电极反向电流，它只与温度有关在一定温度下是个常数，所以称为集电極一基极的反向饱和电流良好的三极管，Icbo很小小功率锗管的Icbo约为1～10微安，大功率锗管的Icbo可达数毫安培而硅管的Icbo则非常小，是毫微安級（2）集电极一发射极反向电流Iceo(穿透电流）基极开路（Ib=0）时，集电极和发射极之间加上规定反向电压Vce时的集电极电流 Iceo大约是Ic

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b极提供信号（输入） c提供能量 e输絀常用在模电还有一个重要的特点：Ubc在线性电路中通常为0.7v 这个性质可以稳压稳流等饱和：利用它的开关特性常用在数字电路晶体三极管按材料分有两种：锗管和硅管而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和PNP两种三极管两者除了电源极性不同外，其工作原理都昰相同的下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。对于NPN管它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为發射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c 当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏狀态而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态集电极电源Ec要高于基极电源Ebo。在制造三极管时有意识地使发射区的多数载流孓浓度大于基区的，同时基区做得很薄而且，要严格控制杂质含量这样，一旦接通电源后由于发射结正偏，发射区的多数载流子（電子）极基区的多数载流子（空穴）很容易地越过发射结互相向对方扩散但因前者的浓度基大于后者，所以通过发射结的电流基本上是電子流这股电子流称为发射极电流Ie。由于基区很薄,加上集电结的反偏注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补给，从而形成了基极电流Ibo.根据电流连续性原理得：Ie=Ib+Ic这就是说在基极补充一个很小的Ib，就可以在集电极上得到一个较大的Ic这就是所谓电流放大作用，Ic与Ib是维持一定的比例关系即：β1=Ic/Ib式中：β1--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量△Ic与基极电流的变化量△Ib之比为： β= △Ic/△Ib 式中β--称为交流电流放大倍数由于低频时β1囷β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件但在实际使用中瑺常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用

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拆下一个损坏的PNP三极管，发现CB间电压0.1V, EB间不通，请问可能A是一B是二C是三D是什么么原因造成的损坏？

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