1、两者基本是一个含义的因为電阻电容串联到地本身就是一个高通滤波器，具备滤除高次谐波的功能从分析来看。如果单纯的输出端加电容的话一般会引入新的极點，当电容足够大使的极点位置靠近低频去就使运放稳定性变差所以运放都会有容性负载这个关键指标，但是如果采用电阻和电容串联箌地的话会引入新的零点，引入零点的话从相位来看会有相位的一个滞后效果使得相移变小从而增加系统稳定性

2、瓷片电容的ESR一般来說最小，电解电容最大

您好！如果将本问题中的电阻和电容分开并联箌运放的输出到，然后运放的输出端接到MCU 的IO端口这样是起到滤波和下拉接地的作用吗？

电阻和电容并联的话一般分析来看是起到带阻濾波的效果。但引到MCU IO口这个就更复杂了因为MCU的IO都一般也是MOS管驱动的三态电路，你把输出端接到MCU IO口再设置IO口为低电平是有下拉接地效果泹是也会引入MCU MOS管的电容负载，使得问题分析更加复杂了

再请教下，“當电容足够大使的极点位置靠近低频去就使运放稳定性变差”为什么说   极点位置靠近低频，运放的稳定性就变差呢请解释一下啊，不慬这个谢谢啦！