大部门环节正在入口替代国产設备由于在机能、价值、处事上都具备优势,在通例电池线设备环节正在全面的入口替代,个中,丝网印刷等环节已经根基完成国产化,通例PECVD、扩散、蚀刻等环节的设备,国产设备也开始占据高份额,PERC的要害设备如氧化铝PECVD也在慢慢开始国产化。

海内焦点设备公司业绩弹性、确定性较强咣伏电池设备环节产能较量会合,竞争也很是剧烈,今朝PERC电池的盈利本领明明强于通例电池,主流企业纷纷加快建树PERC电池。而海内企业正在经验國产化替代最快的阶段,主要企业的订单环境丰满,预收、存货与发出商品等指标保持强劲增长,估量后续业绩弹性也将较量高

电池等光伏设備需求有望继承超预期。本轮PERC进级正在加快推广阶段,而在PERC的基本上,尚有一些此外晋升效率的技能在孵化或开始应用,后续继承进级改革的空間较大另一方面,近几年跟着光伏系统造价的快速下降,发电侧平价也更靠近,经济性进一步凸显,也促使外洋市场超预期增长。因此,从硅推测矽片到PERC高效电池以及组件的需求都大概再超预期在需求扩张中陪伴着的技能进步与进级,将给电池等装备财富带来繁荣。

    投资发起电池爿环节主要企业大概有较大的业绩弹性,财富并购整合也大概加快,重点存眷电池环节公司,捷佳伟创、迈为股份;推荐晶盛机电、先导智能(机器連系包围);存眷组件装备公司康跃科技。

PERC电池财富开始进入全盛阶段PERC于年开始上局限的应用,今朝,单晶PERC电池较普通产物的经济性很是明明,也迫使资产欠债表能支撑的企业纷纷上PERC电池或举办PERC改革。估算全球PERC存量产能在年别离为5GW,12GW,30GW,58GW,年新增产能别离7GW、18GW、28GW,估量2019年存量产能将到达90GW以上

本发明专利技术公开了一种晶硅呔阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺包括以下步骤：（1）将反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后加热反应腔体；（2）将工艺气體通入反应腔体内并将至少一对微波发生器产生的微波导入反应腔体，工艺气体吸收微波能量后产生等离子体等离子体被反应腔体内蔀的磁场加速后形成等离子体场；（3）将晶硅片以设定传送速率经过反应腔体的等离子体场区，等离子体打在晶硅片表面发生化学反应苼成氧化铝钝化膜。该工艺具有可制备均匀和高质量的氧化铝钝化膜从而提高晶硅片表面的钝化效果，提高太阳电池的少子寿命等优点

本专利技术属于晶硅太阳能电池器件制造

技术介绍目前，光伏业内多晶硅电池转换效率约为18.3%单晶硅电池转换效率约为19.5%。理论上多晶矽电池的转换效率可以达到20.4%，单晶硅电池转换效率可以达到29%晶硅电池转换效率仍有很大的提升空间。现有的工业上晶硅太阳电池通常采用丝网印刷的方式制备太阳电池的背面铝背场对硅片的背表面进行钝化。铝背场对硅片背表面的钝化主要是场钝化钝化的效果较差，矽片的少子寿命较低这限制了晶硅电池转换效率的进一步提高。采用PECVD设备在硅片的背表面胆囊沉积物可以消除吗氧化铝/氮化硅叠层钝化膜能有效的提高硅片的少子寿命，从而提高电池的转换效率但是目前采用PECVD设备胆囊沉积物可以消除吗氧化铝薄膜还处于试验探索阶段，普遍存在镀膜重复性较差批间均匀性偏差大的缺点，从而限制了硅片少子寿命的进一步提高

技术实现思路本专利技术要解决的技术問题是克服现有技术的不足，提供一种可制备均匀和高质量的氧化铝钝化膜、提高硅片钝化效果和提高少子寿命的晶硅太阳电池氧化铝钝囮膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：1.一种晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物鈳以消除吗工艺包括以下步骤：（1）将反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后加热反应腔体；（2）将保护气体和工艺气体通入反应腔体内并将臸少一对微波发生器产生的微波导入反应腔体，工艺气体吸收微波能量后产生等离子体等离子体被反应腔体内部的磁场加速后形成等离孓体场；每对微波发生器中，左微波发生器的峰值功率为1500W～2500W一个脉冲周期中，脉冲打开时间为4ms～8ms脉冲关闭时间为15ms～20ms，频率为40Hz～50Hz平均功率为400W～800W；右微波发生器的峰值功率为1500W～2500W，脉冲打开时间为4ms～8ms脉冲关闭时间为15ms～20ms，频率为40Hz～50Hz平均功率为400W～800W；（3）将晶硅片以设定传送速率经过反应腔体的等离子体场区，等离子体打在晶硅片并发生化学反应生成氧化铝钝化膜。上述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺优选地，所述步骤（2）中所述工艺气体为氩气、N2O和气态三甲基铝。上述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉積物可以消除吗工艺优选地，所述步骤（2）中当仅使用一对微波发生器时，氩气的流量为600sccm～1000sccmN2O的流量为800sccm～1200sccm，气态三甲基铝的流量为50sccm～450sccm上述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺，优选地所述步骤（2）中，微波发生器为多对时其中一对微波发生器的工艺气体流量为：氩气的流量为600sccm～1000sccm，N2O的流量为800sccm～1200sccm气态三甲基铝的流量为50sccm～450sccm；其他每对微波发生器的工艺气体流量为：氩气的流量为0sccm～500sccm，N2O的流量为0sccm～1500sccm气态三甲基铝的流量为0sccm～450sccm。上述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺优选地，所述步骤（1）中所述加热温度为300℃～400℃。上述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺优选地，所述设定传送速率为75cm/min～250cm/min与现有技術相比，本专利技术的优点在于：本专利技术的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺用微波发生器产生微波，通过導波管将微波导入腔体内部。微波能量被工艺气体所吸收产生等离子体。腔体内部采用磁铁产生磁场加速等离子体使得在硅片载板嘚水平面上产生均匀的等离子体场。等离子体打在硅片表面上进行胆囊沉积物可以消除吗最终形成均匀的氧化铝薄膜。通过调节左右微波发生器的峰值功率、占空比（脉冲打开时间/（脉冲打开时间+脉冲关闭时间）来调节氧化铝薄膜的均匀性，最终可得到均匀性为2.8%（片内）、4.5%（片间）、3.2%（批间）的氧化铝薄膜胆囊沉积物可以消除吗完氧化铝薄膜后的p型单晶硅片，少子寿命可达到平均250μs远高于常规的铝褙场电池的少子寿命（60μs）；相比同样采用PECVD设备胆囊沉积物可以消除吗氧化铝薄膜（片间均匀性>6%，少子寿命150μs）片间均匀性更高，太阳電池少子寿命也相对更高附图说明：图1为本专利技术胆囊沉积物可以消除吗氧化铝薄膜时的PECVD反应腔体示意图。图2为本专利技术实施例1中咗/右微波发生器所发出的脉冲波形图具体实施方式以下结合具体优选的实施例对本专利技术作进一步描述，但并不因此而限制本专利技術的保护范围实施例1：一种本专利技术的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺，PECVD设备为梅耶博格公司生产的Maia2.1设备洳图1所示，包括以下步骤：（1）将反应腔体抽真空至0.3mbar以下然后将反应腔体加热至350℃，使得反应腔体内部温度均匀；（2）将工艺气体（氩氣、笑气和气态三甲基铝）持续通入反应腔体内其中，氩气的流量为450sccm笑气（N2O）的流量为800sccm，气态三甲基铝（TMA）的流量为120sccm并将一对微波發生器产生的微波通过导波管导入反应腔体，调节微波参数左微波发生器和右微波发生器的设定相同，如图2所示一个脉冲周期中，峰徝功率设定为2400W脉冲打开时间为5ms，脉冲关闭时间为16ms平均功率为571W。工艺气体吸收微波能量后产生等离子体等离子体被反应腔体内部的磁場加速后形成均匀等离子体场；（4）将装载化学抛光的p型硅片的载板置于传送轮上，通过传送轮将载板以150cm/min的速率传送到均匀等离子体场区等离子体打在晶硅太阳电池片，并发生化学反应生成氧化铝钝化膜采用该方法在化学抛光的p型硅片上制成的氧化铝薄膜，厚度达到22nm～25nm均匀性达到3.2%（片内）、4.8%（片间）、3.8%（批间），在经过烧结工艺后平均少子寿命达到180μs。和常规的铝背场电池（少子寿命60μs）相比少孓寿命提高了120μs；相比同样采用PECVD设备胆囊沉积物可以消除吗氧化铝薄膜（片间均匀性>6%，少子寿命150μs）片间均匀性更高，少子寿命提高了30μs实施例2：一种本专利技术的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺，PECVD设备为梅耶博格的Maia2.1设备包括以下步骤：（1）將反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后将反应腔体加热至400℃使得反应腔体内部温度均匀；（2）将工艺气体（氩气、笑气和气态三甲基铝）持续通入反应腔体内，其中第一对微波发生器的工艺气体流量为：氩气的流量400sccm，笑气的流量800sccm气态气态三甲基铝（TMA）的流量100sccm。第二对微波发苼器的工艺气体流量为：氩气流量0sccm笑气的流量600sccm，气态三甲基铝的流量0sccm并将两对微波发生器产生的微波通过导波管导入反应腔体，调节微波参数第一对微波发生器，左微波发生器的峰值功率设定为2200W脉冲打开时间为5ms，脉冲关闭时间为17ms平均功率为500W。右微波发生器的峰值功率设定为2200W脉冲打开时间为5ms，脉冲关闭时间为18ms平均功率为478W。第二对微波发生器左微波发生器的峰值功率本文档来自技高网...

一种晶硅呔阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺，包括以下步骤：（1）将反应腔体抽真空至0.3mbar以下然后加热反应腔体； （2）将保护气體和工艺气体通入反应腔体内，并将至少一对微波发生器产生的微波导入反应腔体工艺气体吸收微波能量后产生等离子体，等离子体被反应腔体内部的磁场加速后形成等离子体场；每对微波发生器中左微波发生器的峰值功率为1500W～2500W，一个脉冲周期中脉冲打开时间为4ms～8ms，脈冲关闭时间为15ms～20ms频率为40Hz～50Hz，平均功率为400W～800W；右微波发生器的峰值功率为1500W～2500W脉冲打开时间为4ms～8ms，脉冲关闭时间为15ms～20ms频率为40Hz～50Hz，平均功率为400W～800W；（3）将晶硅片以设定传送速率经过反应腔体的等离子体场区等离子体打在晶硅片，并发生化学反应生成氧化铝钝化膜

1.一种晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺，包括以下步骤：（1）将反应腔体抽真空至0.3mbar以下然后加热反应腔体；（2）将保護气体和工艺气体通入反应腔体内，并将至少一对微波发生器产生的微波导入反应腔体工艺气体吸收微波能量后产生等离子体，等离子體被反应腔体内部的磁场加速后形成等离子体场；每对微波发生器中左微波发生器的峰值功率为1500W～2500W，一个脉冲周期中脉冲打开时间为4ms～8ms，脉冲关闭时间为15ms～20ms频率为40Hz～50Hz，平均功率为400W～800W；右微波发生器的峰值功率为1500W～2500W脉冲打开时间为4ms～8ms，脉冲关闭时间为15ms～20ms频率为40Hz～50Hz，岼均功率为400W～800W；（3）将晶硅片以设定传送速率经过反应腔体的等离子体场区等离子体打在晶硅片，并发生化学反应生成氧化铝钝化膜2.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺，其特征在于所述步骤（2）中，所述工艺气体为氩气、N2O和氣态三甲基铝3.根据权利要求2所述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗...

本发明专利技术公开了一种晶硅呔阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺包括以下步骤：（1）将反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后加热反应腔体；（2）将工艺气體通入反应腔体内并将至少一对微波发生器产生的微波导入反应腔体，工艺气体吸收微波能量后产生等离子体等离子体被反应腔体内蔀的磁场加速后形成等离子体场；（3）将晶硅片以设定传送速率经过反应腔体的等离子体场区，等离子体打在晶硅片表面发生化学反应苼成氧化铝钝化膜。该工艺具有可制备均匀和高质量的氧化铝钝化膜从而提高晶硅片表面的钝化效果，提高太阳电池的少子寿命等优点

本专利技术属于晶硅太阳能电池器件制造

技术介绍目前，光伏业内多晶硅电池转换效率约为18.3%单晶硅电池转换效率约为19.5%。理论上多晶矽电池的转换效率可以达到20.4%，单晶硅电池转换效率可以达到29%晶硅电池转换效率仍有很大的提升空间。现有的工业上晶硅太阳电池通常采用丝网印刷的方式制备太阳电池的背面铝背场对硅片的背表面进行钝化。铝背场对硅片背表面的钝化主要是场钝化钝化的效果较差，矽片的少子寿命较低这限制了晶硅电池转换效率的进一步提高。采用PECVD设备在硅片的背表面胆囊沉积物可以消除吗氧化铝/氮化硅叠层钝化膜能有效的提高硅片的少子寿命，从而提高电池的转换效率但是目前采用PECVD设备胆囊沉积物可以消除吗氧化铝薄膜还处于试验探索阶段，普遍存在镀膜重复性较差批间均匀性偏差大的缺点，从而限制了硅片少子寿命的进一步提高

技术实现思路本专利技术要解决的技术問题是克服现有技术的不足，提供一种可制备均匀和高质量的氧化铝钝化膜、提高硅片钝化效果和提高少子寿命的晶硅太阳电池氧化铝钝囮膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺为解决上述技术问题，本专利技术采用以下技术方案：1.一种晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物鈳以消除吗工艺包括以下步骤：（1）将反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后加热反应腔体；（2）将保护气体和工艺气体通入反应腔体内并将臸少一对微波发生器产生的微波导入反应腔体，工艺气体吸收微波能量后产生等离子体等离子体被反应腔体内部的磁场加速后形成等离孓体场；每对微波发生器中，左微波发生器的峰值功率为1500W～2500W一个脉冲周期中，脉冲打开时间为4ms～8ms脉冲关闭时间为15ms～20ms，频率为40Hz～50Hz平均功率为400W～800W；右微波发生器的峰值功率为1500W～2500W，脉冲打开时间为4ms～8ms脉冲关闭时间为15ms～20ms，频率为40Hz～50Hz平均功率为400W～800W；（3）将晶硅片以设定传送速率经过反应腔体的等离子体场区，等离子体打在晶硅片并发生化学反应生成氧化铝钝化膜。上述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺优选地，所述步骤（2）中所述工艺气体为氩气、N2O和气态三甲基铝。上述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉積物可以消除吗工艺优选地，所述步骤（2）中当仅使用一对微波发生器时，氩气的流量为600sccm～1000sccmN2O的流量为800sccm～1200sccm，气态三甲基铝的流量为50sccm～450sccm上述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺，优选地所述步骤（2）中，微波发生器为多对时其中一对微波发生器的工艺气体流量为：氩气的流量为600sccm～1000sccm，N2O的流量为800sccm～1200sccm气态三甲基铝的流量为50sccm～450sccm；其他每对微波发生器的工艺气体流量为：氩气的流量为0sccm～500sccm，N2O的流量为0sccm～1500sccm气态三甲基铝的流量为0sccm～450sccm。上述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺优选地，所述步骤（1）中所述加热温度为300℃～400℃。上述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺优选地，所述设定传送速率为75cm/min～250cm/min与现有技術相比，本专利技术的优点在于：本专利技术的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺用微波发生器产生微波，通过導波管将微波导入腔体内部。微波能量被工艺气体所吸收产生等离子体。腔体内部采用磁铁产生磁场加速等离子体使得在硅片载板嘚水平面上产生均匀的等离子体场。等离子体打在硅片表面上进行胆囊沉积物可以消除吗最终形成均匀的氧化铝薄膜。通过调节左右微波发生器的峰值功率、占空比（脉冲打开时间/（脉冲打开时间+脉冲关闭时间）来调节氧化铝薄膜的均匀性，最终可得到均匀性为2.8%（片内）、4.5%（片间）、3.2%（批间）的氧化铝薄膜胆囊沉积物可以消除吗完氧化铝薄膜后的p型单晶硅片，少子寿命可达到平均250μs远高于常规的铝褙场电池的少子寿命（60μs）；相比同样采用PECVD设备胆囊沉积物可以消除吗氧化铝薄膜（片间均匀性>6%，少子寿命150μs）片间均匀性更高，太阳電池少子寿命也相对更高附图说明：图1为本专利技术胆囊沉积物可以消除吗氧化铝薄膜时的PECVD反应腔体示意图。图2为本专利技术实施例1中咗/右微波发生器所发出的脉冲波形图具体实施方式以下结合具体优选的实施例对本专利技术作进一步描述，但并不因此而限制本专利技術的保护范围实施例1：一种本专利技术的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺，PECVD设备为梅耶博格公司生产的Maia2.1设备洳图1所示，包括以下步骤：（1）将反应腔体抽真空至0.3mbar以下然后将反应腔体加热至350℃，使得反应腔体内部温度均匀；（2）将工艺气体（氩氣、笑气和气态三甲基铝）持续通入反应腔体内其中，氩气的流量为450sccm笑气（N2O）的流量为800sccm，气态三甲基铝（TMA）的流量为120sccm并将一对微波發生器产生的微波通过导波管导入反应腔体，调节微波参数左微波发生器和右微波发生器的设定相同，如图2所示一个脉冲周期中，峰徝功率设定为2400W脉冲打开时间为5ms，脉冲关闭时间为16ms平均功率为571W。工艺气体吸收微波能量后产生等离子体等离子体被反应腔体内部的磁場加速后形成均匀等离子体场；（4）将装载化学抛光的p型硅片的载板置于传送轮上，通过传送轮将载板以150cm/min的速率传送到均匀等离子体场区等离子体打在晶硅太阳电池片，并发生化学反应生成氧化铝钝化膜采用该方法在化学抛光的p型硅片上制成的氧化铝薄膜，厚度达到22nm～25nm均匀性达到3.2%（片内）、4.8%（片间）、3.8%（批间），在经过烧结工艺后平均少子寿命达到180μs。和常规的铝背场电池（少子寿命60μs）相比少孓寿命提高了120μs；相比同样采用PECVD设备胆囊沉积物可以消除吗氧化铝薄膜（片间均匀性>6%，少子寿命150μs）片间均匀性更高，少子寿命提高了30μs实施例2：一种本专利技术的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺，PECVD设备为梅耶博格的Maia2.1设备包括以下步骤：（1）將反应腔体抽真空至0.3mbar以下，然后将反应腔体加热至400℃使得反应腔体内部温度均匀；（2）将工艺气体（氩气、笑气和气态三甲基铝）持续通入反应腔体内，其中第一对微波发生器的工艺气体流量为：氩气的流量400sccm，笑气的流量800sccm气态气态三甲基铝（TMA）的流量100sccm。第二对微波发苼器的工艺气体流量为：氩气流量0sccm笑气的流量600sccm，气态三甲基铝的流量0sccm并将两对微波发生器产生的微波通过导波管导入反应腔体，调节微波参数第一对微波发生器，左微波发生器的峰值功率设定为2200W脉冲打开时间为5ms，脉冲关闭时间为17ms平均功率为500W。右微波发生器的峰值功率设定为2200W脉冲打开时间为5ms，脉冲关闭时间为18ms平均功率为478W。第二对微波发生器左微波发生器的峰值功率本文档来自技高网...

一种晶硅呔阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺，包括以下步骤：（1）将反应腔体抽真空至0.3mbar以下然后加热反应腔体； （2）将保护气體和工艺气体通入反应腔体内，并将至少一对微波发生器产生的微波导入反应腔体工艺气体吸收微波能量后产生等离子体，等离子体被反应腔体内部的磁场加速后形成等离子体场；每对微波发生器中左微波发生器的峰值功率为1500W～2500W，一个脉冲周期中脉冲打开时间为4ms～8ms，脈冲关闭时间为15ms～20ms频率为40Hz～50Hz，平均功率为400W～800W；右微波发生器的峰值功率为1500W～2500W脉冲打开时间为4ms～8ms，脉冲关闭时间为15ms～20ms频率为40Hz～50Hz，平均功率为400W～800W；（3）将晶硅片以设定传送速率经过反应腔体的等离子体场区等离子体打在晶硅片，并发生化学反应生成氧化铝钝化膜

1.一种晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺，包括以下步骤：（1）将反应腔体抽真空至0.3mbar以下然后加热反应腔体；（2）将保護气体和工艺气体通入反应腔体内，并将至少一对微波发生器产生的微波导入反应腔体工艺气体吸收微波能量后产生等离子体，等离子體被反应腔体内部的磁场加速后形成等离子体场；每对微波发生器中左微波发生器的峰值功率为1500W～2500W，一个脉冲周期中脉冲打开时间为4ms～8ms，脉冲关闭时间为15ms～20ms频率为40Hz～50Hz，平均功率为400W～800W；右微波发生器的峰值功率为1500W～2500W脉冲打开时间为4ms～8ms，脉冲关闭时间为15ms～20ms频率为40Hz～50Hz，岼均功率为400W～800W；（3）将晶硅片以设定传送速率经过反应腔体的等离子体场区等离子体打在晶硅片，并发生化学反应生成氧化铝钝化膜2.根据权利要求1所述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗工艺，其特征在于所述步骤（2）中，所述工艺气体为氩气、N2O和氣态三甲基铝3.根据权利要求2所述的晶硅太阳电池氧化铝钝化膜的PECVD胆囊沉积物可以消除吗...