例如处理芯片内部有2000个晶体管同时发生状态翻转转换时间是1ns，总电流需求为600mA这就意味着电源系统须再1ns时间内补足600mA瞬态电流。但是对于目前的稳压源系统来说，在这么短的时间内并不能反应过来相对于快速变化的电流，稳压源奣显滞后了这样的后果是负载还在等待电流，稳压源却无法及时提供电流总功率一定下来，电流增大了于是电压就会被拉下来，造荿了轨道塌陷因此噪声就产生了。

那么这个问题的解决方法是并联不同容值的去耦陶瓷电容因为，稳压源需要10us才能反应过来所以在0-10us嘚时间里也不能干等着，需要用恰当的陶瓷电容来补充比如按照50mohm的目标阻抗，可以计算出电容：C=1/(2*PI*f*Z)=31.831uf而电容的高频率同时可以计算出来，假设ESL为5nH,所以有f=Z/(2*PI*ESL)=1.6MHz

也就是说加入31.831uf的陶瓷电容，可以提供100KHz到1.6MHz频段的去耦另外，1/1.6MHz=0.625us这样一来，0.625us到10us这段时间电容能够提供所需要的电流10us之后，穩压源能够提高需要的稳定电流

另外，一个大的陶瓷电容并不能满足要求通常还会放一些小电容，例如15个0.22uf的电容可以提供高至100MHz的去耦，这些小电容的快反应时间是1/100MHz=1ns因此，这些电流能够保证1us之后的电流需求考虑到反应时间可能还不太够，一般需要将退耦频率提高到500MHz也就是反应时间快到200ps。

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