（1）外加正向电压较小时二极管是什么呈现的电阻较大，正向电流几乎为零曲线0A称为不导通区或死区。一般硅管的死区电压约为0.5V,锗的死区电压约为0.2V该电压又称为门坎电压或阈值电压

（2）当外加正向电压超过死区电压时，PN结内电厂几乎被抵消二极管是什么呈现的电阻很小，正向电流开始增加进入囸向导通区，但此时电压与电流不成比例如AB段随外加电压的增加，正向电流迅速增加如BC段特性曲线陡直，福安关系近似线性处于充汾导通状态。

（3）二极管是什么导通后两端的正向电压称为正向压降（或管压降）且几乎恒定。硅管的管压降约为0.7V,锗管的管压降约为0.3V.

（1）二极管是什么承受反向电压时加强了PN结内的内电场，二极管是什么呈现很大电阻此时仅有很小的反向电流。如曲线OD段位反向截止区此时电流称为反向饱和电流。实际应用中反向电流越小说明二极管是什么的反向电阻越大，反向截止性能越好一般硅二极管是什么嘚反向饱和电流在几十毫安以下，锗二极管是什么则达几百微安大功率二极管是什么稍大些。

（2）当反向电压增大到一定数值时（图中D點）反向电流急剧加大，进入反向击穿区D点对应的电压称为反向击穿电压。二极管是什么被击穿后电流过大将管子损坏因此除稳压管外，二极管是什么的反向电压不能超过击穿电压