什么是迁移率带隙与光学带隙什么区别啊？

• 用紫外-可见分光光度计测材料的光学带隙这个材料一般是指非晶态半导體材料。对晶态半导体材料好像不适用
  为了区别用电导率法测得的禁带宽度，用光吸收法测得的禁带宽度又叫光学带隙

• 迁移率带隙比禁带宽度大
  光学带隙有Tauc作图法得到
  迁移率带隙与光学带隙的比较以前没见过

• 您的意思是安装版测量方法不同定义的，是吗

• 按照测量方法鈈同定义的

• 弄错了，奖励金币是系统自动转过去还是我点哪啊，还以为送鲜花是给对方金币呢惭愧

• 迁移率带隙的概念是针对非晶态半導体的，因为长程有序的消失短程有序的保留，在晶态半导体的导带和价带基础上出现深入带隙的带尾态同时，由于非晶态对完美晶格的背离使得电子能级出现 扩展态和 局域态的分别扩展态中电子对应晶态半导体中的自由电子（及空穴），局域态中电子受到弥散输运機制的影响与扩展态电子的主要差异在于迁移率的不同。因此能带中扩展态和局域态的分界被称为迁移率边导带迁移率边到价带迁移率边被称为迁移率带隙。迁移率带隙很难采用简单方法测量到一般都采用反射/透射或者恒定光电导法来测量材料的吸收系数，然后采用┅定的方法寻找吸收系数和光子能量（或波长）的关系来确定一个带隙称为光学带隙，实验表明对于非晶硅材料Tauc光学带隙略小于迁移率边，