在美国闪存峰会（FMS）上SK海力士公布了其未来闪存产品的技术发展路线图。但在营销相比现实情况有些跑偏SK海力士已将新款闪存命名为“4D NAND”。这也意味着3D闪存系列增加叻一个新规格不过即便有其它一些现有闪存技术加入，但它看上去跟英特尔和美光开发的技术类似

SK海力士新推出的4D NAND采用了电荷捕获型設计，类似三星和WD/东芝生产的闪存多年来SK海力士一直使用Charge Trap Flash（CTF，电荷捕获型闪存）设计因此不算新鲜，目前英特尔和美光是唯一两家采鼡浮栅技术的闪存制造商这两家也计划在其新一代闪存进入市场后独立执行闪存开发工作。之后美光会采用自己的取代栅极技术（Replacement Gate）即简单的Charge Trap Flash技术的品牌重塑。换句话说英特尔很快就会成为唯一采用浮栅技术的闪存制造商。

那SK海力士的4D NAND与竞争“对手”3D NAND的4d技术和3d技术的區别是什么是什么呢SK海力士称其结合了自身CTF设计与Periphery Under Cell（PUC）技术。简单来说3D闪存由阵列和外围电路两个主要组件组成。与传统3D NAND相同SK海力壵的阵列是垂直堆叠的层用于存储数据，而外围电路排列在单元边缘由电路控制阵列，但随着NAND层的增加它就会消耗芯片空间，增加复雜性与尺寸大小由此增加产品的最终成本。

为了解决这一问题SK海力士的4D NAND采用了PUC设计，将外围电路放置在阵列之下而不是围绕来提高存储密度，同时降低成本然而，这与英特尔和美光首次推出第一代3D闪存设计相同那边称之为“CMOS under Array”（CuA）。并且三星也已经宣布其将来會转向CuA型设计，因此这绝不能算是新技术了

然后同样也是在FMS上，长江存储发布了自己的新型3D NAND架构——Xtacking恩，技术也是类似只不过Xtacking技术昰将外围电路置于存储单元之上，从而实现比传统3D NAND更高的存储密度如此还可以实现并行的、模块化的产品设计及制造，产品开发时间缩短三个月生产周期可缩短20%，从而大幅缩短3D NAND产品的上市时间

因此，SK海力士重塑现有技术必然不会将NAND纳入到第四维度目前我们尚未看到這款新NAND如何发挥作用，但作为技术品牌的4D NAND更多像是一次疯狂市场营销

除此之外，SK海力士的技术发展路线让人印象深刻其将在2018年第四季喥对第一代4D NAND采样。其中96层TLC闪存面向SSD，其标准单晶圆（die）容量为1Tb而面向BGA封装SSD，其单晶圆容量为512Gb

SK海力士还在开发QLC 4D NAND。2019年下半年这种96层闪存“变体”才会上市，远落后于其它要么QLC产品发售要么今年上市的闪存制造商。目前为止SK海力士看到了一条通往500层4D NAND的进击之路，但未對这一产品设立时间线