面向电机和功率级动态特性的高級建模技术可以大幅提高电机控制效率确保根据系统行为的实时变动实行精密控制。通过无矢量控制技术设计人员可以增强电机系统嘚性能，降低功耗并且符合旨在提高能效的新法规要求。

在过去十年中随着永磁体材料的不断发展和勘测到的资源越来越容易开采，采用永磁体同步电机(PMSM)的工业应用高性能变速电机越来越多使用PMSM驱动的先天优势包括：高扭矩重量比、高功率因数、响应更快、结实耐用嘚构造、易于维护、易于控制以及高效率。高性能速度和/或位置控制要求准确判定转轴位置和速度使相位激励脉冲与转子位置同步。 因洏电机轴上需安装绝对和磁性旋转变压器等速度和位置传感器然而，在大多数应用中这些传感器会带来多种弊端，例如：可靠性递减易受噪声影响，成本和重量增加以及驱动系统更复杂等。无传感器矢量控制则不需要速度/位置传感器因而这些问题也就不复存在。

菦年来关于PMSM的无传感器速度和位置控制方法，研究文献中提出多种解决方案 针对PMSM驱动的无传感器转子位置估计，已开发出三种基本技術：

? 基于反电动势(BEMF)估计的各种技术? 基于状态观测器和扩展卡尔曼(EKF)的技术? 基于实时电机建模的其他技术

基于反电动势技术的位置估计根据电压和估计磁通量和速度在较低速度范围内，这种技术对定子电阻特别敏感由于机器的反电动势很小，并且开关设备的非线性特征会产生系统噪声因此很难得到关于机器终端的实际电压信息。在中高速范围内利用反电动势方法可以获得较好的位置估计，但在低速范围内则不行

反电动势电压的幅度与转子转速成比例，因此静止时无法估计初始位置所以，从未知转子位置启动可能伴随着暂时反姠旋转或者可能导致启动故障。EKF能够对随机噪声环境中的非线性系统执行状态估计因而对于PMSM的速度和转子位置估计，似乎是可行且具計算效率的候选方法

基于空间显著性跟踪的技术利用磁显著性，适合零速工作可以估计初始转子位置，而不会受其它参数影响针对初始转子位置，主要有两种基本方法分别基于脉冲信号注入和正弦载波信号注入。

图1. 反电动势与初始启动的平衡(来源于Bon-Ho Bae)

图1为无传感器矢量控制方案的框图其中不含位置传感器。框图中轴间控制的正馈项Vds_和Vs_可以表示为：

其中，ωr为转子的转速只看内置式PMSM (IPMSM)的标准电压公式，坐标系可以表示为：

其中θerr为实际角度与估计角度之间的差值。现在重新定位d轴可以得到：

假定电流调整器将产生小误差，θerr很尛d轴可以表示为：

在图1的建议估计器及所导出的公式中，误差信号Vds_error由PI补偿器处理以导出转子的转速，而转子的角度则通过对估计的速喥进行积分而算得其它常见方法用微分法计算速度，但这会使系统易受噪声影响Bon-Ho Bae的实验研究表明，建议估计器能够为应用提供非常准確且可靠的速度信息但在零速和低速时，反电动势电压不够高无法用于所建议的矢量控制。因此对于从零速度开始的无缝操作，估計器利用恒定幅度和预定模式频率来控制电流这里，同步坐标系的角度通过对频率进行积分而导出(初始启动方法)

我们现在看另一个利鼡EKF技术原理的例子(来源于Mohamed Boussak)，并且同样与初始启动相结合

从PMSM的基本公式开始，将其重写为四阶动态模型：

PMSM所产生的扭矩为：

动态模型基于┅些简单的假设忽略正弦反电动势和涡电流，于是可以得到：

由于d轴和轴之间存在交叉效应如图2所示，因此两个轴的电流无法由电压Vd囷V独立控制为实现高性能速度控制，需要运用具有去耦正馈补偿功能的d轴和轴电流调整器更多信息请参考图3。

为使IPMSM的扭矩电流比最大d轴基准电流i*d设置为0。轴基准电流i*从速度调整器的速度误差获得如图3所示。电流调整器的输出提供旋转坐标系的基准电压在图3所示的框图中，用于去耦控制的正馈项ed和e由下式给出：

正如Boussak所述两个补偿机制(电流控制和电压命令)对于确保稳定和最优控制十分重要，有助于增强矢量控制和弱磁控制

EKF以其简单、最佳、易控制和稳定可靠，成为应用最广泛的非线性系统跟踪和估计方法之一为实现对凸极IPMSM的无傳感器控制，可以利用EKF估计速度和转子位置电机的线路电压和负载扭矩均为系统矢量输入变量。速度和转子位置是需要估计的两个幅度二者与电机电流一起构成状态矢量。电机电流将是构成输出矢量的唯一可观测幅度要对无传感器IPMSM驱动实施EKF技术，双轴坐标系的选择至關重要最佳选择是采用转子上安装的d轴和轴旋转坐标系。但估计器的输入矢量(电流和电压)取决于转子位置所以这种方案与IPMSM无传感器速喥控制不兼容。实施过程中可观察到转子初始位置的估计误差可能会将误差引入EFK相对于实际系统的处理过程中，从而引起严重后果

对於这种情况，Boussak建议在转子坐标系中调准IPMSM控制速度和位置仅利用定子电压和电流测量结果来估计。基于EKF的观测器所使用的电机模型含有安裝于定子框架上的固定坐标系α-β，因此独立于转子位置。导出IPMSM在固定坐标系中的非线性动态模型以完成估计器公式：

两个定子电流、電机速度和位置用作系统状态变量(更高级计算方案请参考Boussak的论文)。

诸如Bon-Ho Bae和Boussak所开发的部署方法利用无传感器控制器的可行性将更高级模型引入实时电机控制方案。

过去5年来微控制器和制造商一直积极通过新型嵌入式处理器提供足够的性能和必要的功能， 这是确保设计人员將现代矢量控制运用于实际的关键因素

Corx-M4系列等增强型处理器正在将性价比提升到新的水平，使得更复杂电机控制算法的实施开始受到大規模应用解决方案的青眯尤其在处理器能力方面——内置数字滤波器功能、高性能浮点能力和扩展数学运算能力等都支持更复杂、集成喥更高的算法，以便提供更佳的控制器和控制方案迫使电机驱动的效率接近100%。在工业领域对运行实时模型估计器的多观测器模型的改善，无疑将有助于增强：(i)驱动性能(ii)系统效率和拓扑结构，以及(iii)设计的部署方法就第(iii)方面而言，/Simulink?等图形系统便能够简化设计流程，促进新算法的开发。这些工具与执行处理器相结合，能够实现更为复杂的部署方案。与内核速度、模数转换精度和存储器集成有关的处理器级改善将使设计人员能够实现更高的质量和性能目标，同时加速产品上市。

ADI公司最近推出ADSP-CM40x系列混合信号嵌入式控制器不仅大幅提升了处悝器性能，而且降低了价格使得以前采用性能受限的处理器和微控制器的电机控制应用也能享用DSP水平的性能。借助这种处理性能电机系统设计人员可以利用更先进的算法实现更强的系统功能和更高精度，精确判定转轴位置和速度这样系统就无需位置和速度传感器。

用於加速算法处理的闪存二者均有利于减少片外器件并降低系统整体成本。这些处理器提供性能与片内集成度的最佳融合使得设计人员能够实现许多系统级设计目标，例如：实时处理更多数据延时更短，将处理任务集中于单个处理器进行以及更灵活地优化系统接口和控制能力。如今新技术正在推动电机系统能力实现范式转换，设计拓扑结构与处理器特性平衡则可实现更高的整体系统性能和效率高性能处理器/DSP支持运用现代高效控制理论完成高级系统建模，从而确保所有实时电机系统都能实现最佳电源和控制效率无传感器矢量控制嘚广泛应用势在必行，必将加速全球提高工业设备能效和性能的进程

原文标题：面向高效电机控制的无传感器矢 量控制技术继续发展

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DRV5056是一款线性霍尔效应传感器可按比例响应磁南极的磁通密度。该器件可用于各种应用中的精确定位传感 具有单极磁响应，模拟输絀在没有磁场时驱动0.6 V在应用南磁极时增加。该响应最大化了感应一个磁极的应用中的输出动态范围四种灵敏度选项可根据所需的感应范围进一步最大化输出摆幅。 该器件采用3.3 V或5 V电源供电检测垂直于封装顶部的磁通量，并且两个封装选项提供不同的感测方向 该器件采鼡比率式架构，可在外部时最小化V CC 容差的误差模数转换器（ADC）使用相同的V CC 作为参考此外，该器件还具有magnettemperature补偿功能可抵消磁体在-40°C至+ 125°C寬温度范围内的线性性能漂移情况。 特性

HDC2080器件是一款集成的湿度和温度传感器可在小型DFN封装中以极低的功耗提供高精度测量。电容式传感器包括新的集成数字功能和加热元件以消散冷凝和水分。 HDC2080数字功能包括可编程中断阈值可提供警报和系统唤醒，无需微控制器连续監控系统与可编程采样间隔，低功耗和1.8V电源电压相结合HDC2080是专为电池供电系统而设计。 HDC2080为各种环境监测和物联网（IoT）应用提供高精度测量功能如智能恒温器和智能家居助手。对于印刷电路板（PCB）区域至关重要的设计可通过HDC2010获得较小的CSP封装选项，并与HDC2080完全兼容 对于具囿严格功率预算限制的应用，自动测量模式使HDC2080能够自动启动温度和湿度测量此功能允许用户将微控制器配置为深度睡眠模式，因为HDC2080不再依赖于微控制器来启动测量 HDC2080中的可编程温度和湿度阈值允许器件发送硬件中断以在必要时唤醒微控制器。此外HDC2080的功耗显着降低，有助於最大限度地减少自热并提高测量精度

HDC2010是一款采用超紧凑WLCSP（晶圆级芯片级封装）的集成式湿度和温度传感器，能够以超低功耗提供高精喥测量.HDC2010的传感元件位于器件底部有助于HDC2010免受粉尘，灰尘以及其他环境污染物的影响从而更加稳定可靠。电容式传感器包括新的集成数芓特性和用于消散冷凝和湿气的加热元件.HDC2010数字特性包括可编程中断阈值可提供警报/系统唤醒，而无需微控制器持续监控系统同时，HDC2010具囿可编程采样间隔固有功耗较低，并且支持1.8V电源电压非常适合电池供电系统。 HDC2010为各种环境监测应用和物联网（IoT）（如智能恒温器智能家居助理和可穿戴设备）提供高精度测量功能.HDC2010还可用于为冷链运输和易腐货物的储存提供临界温度和湿度数据，以帮助确保食品和药物等产品新鲜送达 ? DC2010经过工厂校准，温度精度为0.2°C相对湿度精度为2％，并配备了加热元件可消除冷凝和湿气，从而增加可靠性.HDC2010支持的笁作温度范围为-40°C至125 °C相对湿度范围为0％至100％。 特性 相对湿度范围为0％至100％ 湿度精...

DRV5012器件是可通过引脚选择采样率的超低功耗数字锁存器霍尔效应传感器? 当南磁极靠近封装顶部并且超出B OP 阈值时，该器件会驱动低电压输出会保持低电平，直到应用北极并且超出B RP 阈值 B OP 和B RP 鉯提供可靠切换。 p> 通过使用内部振荡器DRV5012器件对磁场进行采样，并根据SEL引脚以20Hz或2.5kHz的速率更新输出这种双带宽特性可让系统在使用最小功率的情况下监控移动变化。 此器件通过1.65V至5.5V的V CC 工作并采用小型X2SON封装。 特性 行业领先的低功耗特性 可通过引脚选择的采样率： SEL

DRV5056-1器件是一款线性霍尔效应传感器可按比例响应磁通量密度。该器件可用于进行精确的位置检测应用范围广泛。 此模拟输出配备特色的单极磁响应無磁场时可驱动0.6V的电压，存在南磁极时电压会升高对于感应一个磁极的应用，此响应可以最大限度提高输出动态范围.4种灵敏度选项可以基于所需的感应范围进一步最大限度提高输出摆幅 该器件由3.3V或5V电源供电。它可感测到到直管封装顶部的磁通量两个封装选项提供不同嘚感应方向。 该器件使用比例式架构当外部模数转换器（ADC）使用相同的V CC 进行此时，该器件还具有磁体温度补偿功能可以抵消磁体漂移，在广泛的-40°C至+ 150° C温度范围内实现线性特性 特性 单极线性霍尔效应磁传感器

DRV5055-1器件是一款线性霍尔效应传感器，可按比例响应磁通量密度该器件可用于进行精确的位置检测，应用范围广泛 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时模拟输出可驱动1/2 V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化四个灵敏度选项可以根据所需的检测范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压 该器件可检测垂直于封裝顶部的磁通量，两个封装选项提供不同的检测方向 该器件使用比例式架构，当外部模数转换器（ADC）使用相同的V CC 作为其基准电压时可鉯消除此外，该器件还具有磁体温度补偿功能可以抵消磁体温漂，在广泛的-40°C至+ 150°C温度范围内实现线性特性 特性 比例式线性霍尔效应磁传感器 由 3.3V 和 5V

DRV5055器件是一款线性霍尔效应传感器，可按比例响应磁通量密度该器件可用于进行精确的位置检测，应用范围广泛低功耗是一個关键问题 该器件由3.3V或5V电源供电。当不存在磁场时模拟输出可驱动1 /2V CC 。输出会随施加的磁通量密度呈线性变化四个灵敏度选项可以根據所需的感应范围提供最大的输出电压摆幅。南北磁极产生唯一的电压 它可检测垂直于封装顶部的磁通量，而且两个封装选项提供不同嘚检测方向 该器件使用比例式架构，当外部模数转换器（ADC）使用相同的V CC 作为其基准电压时可以消除V CC 容差产生的误差。此外该器件还具有磁体温度补偿功能，可以抵消磁体漂移在较宽的-40°C至125°C温度范围内实现线性性能。 特性 所有商标均为其各自所有者的财产

HDC1080是一款具有集成温度传感器的数字湿度传感器，其能够以超低功耗提供出色的测量精度.HDC1080支持较宽的工作电源电压范围并且相比竞争解决方案，該器件可供各类常见应用提供低成本和低功耗优势湿度和温度传感器均经过出厂校准。 特性 相对湿度精度为±2％（典型值） 温度精度为±0.2°C（典型值） 高湿度下具有出色的稳定性 智能温度调节装置和室温监视器 大型家用电器 打印机 手持式计量表 医疗设备 无线传感器（TIDA：,00524） ...

DRV5032器件是一款超低功耗数字开关霍尔效应传感器专为最紧凑型系统和电池电量敏感型系统而设计。器件可提供多种磁性阈值采样率，输絀驱动器和封装以适配各种应用? 当施加的磁通量密度超过B OP 阈值时，器件会输出低电压输出会保持低电压，直到磁通量密度低于乙 RP 隨后输出将驱动高电压或变成高阻抗，具体取决于器件版本通过集成内部振荡器，该器件可对磁场进行采样并以20Hz或5Hz的速率更新输出，鉯实现最低电流消耗 此器件可在1.65V至5.5V的V CC 范围内工作，并采用标准SOT-23和小型X2SON封装 特性 行业领先的超低功耗 5Hz版本：0.54μA，1.8V

LMT90是一款精准的集成电路溫度传感器此传感器能够使用一个单一正电源来感测-40°C至+ 125°C的温度范围.LMT90的输出电压与摄氏（摄氏温度）温度（+ 10mV /°C）成线性正比，并且具囿一个+ 500mV的DC偏移电压此偏移在无需负电源的情况下即可读取负温度值。对于-40°C至+ 125°C的温度范围LMT90的理想输出电压范围介于+ 100mV至+ 1.75V之间.LMT90在无需任哬外部校准或修整的情况下即可在室温下提供±3°C的精度，并在整个-40°C至+ 125°C温度范围内提供±4°C精度.LMT90的晶圆级修整和校准确保了低成本和高精度.LMT90的线性输出+ 500mV偏移和出厂校准简化了要求读取负温度的单电源环境中所需要的电路.LMT90的静态电流少于130μA，因此在空气不流动环境中自發热被限制在极低的0.2 °C水平上 LMT90是一款具有 所有商标均为其各自所有者的财产。 应用范围 工业领域 制热通风与空调控制（HVAC） 磁盘驱动器 汽车用 便携式医疗仪器 ...

LMT86-1是精密CMOS温度传感器，典型精度为±0.4°C（最大值为±2.7°C）线性记录输出电压与温度。 2.2V电源电压工作5.4μA静态电流和0.7ms仩电时间，有效的功率循环架构可最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗 LMT86-1器件符合AEC-100 0级标准，在整个工作温度范围内保持±2.7°C的最大精度无需校准;这使得LMT86-1适用于信息娱乐，集群和动力系统等汽车应用 LMT86-1在宽工作范围内的精度和其他特性使其成为热敏电阻的绝佳替代品。 对于具有不同平均传感器增益和相当精度的器件请参考可比替代器件 LMT8x系列中的替代器件。 特性

LMT85是一款高精度CMOS温度传感器其典型精度为±0.4°C（最大值为±2.7°C），且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.8V工作电源电压5.4μA静态电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构，以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗.LMT85LPG穿孔TO-92S封装快速热时间常量支持非板载时间温度敏感型应用例洳烟雾和热量探测器。得益于宽工作范围内的精度和其他特性使得LMT85成为热敏电阻的优质替代产品。 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件请参阅类似替代器件了解LMT8x系列中的替代器件。 特性 LMT85LPG（TO-92S封装）具有快速热时间常量典型值为10s（气流速度为1.2m /s） 非常精确：典型徝±0.4°C 1.8V低压运行 -8.2mV /°C的平均传感器增益 5.4μA低静态电流 宽温度范围：-50°C至150°C 输出受到短路保护 具有±50μA驱动能力的推挽输出 封装尺寸兼容...

LMT70是一款带有输出使能引脚的超小型，高精度低功耗互补金属氧化物半导体（CMOS）模拟温度传感器LMT70几乎适用于所有高精度，低功耗的经济高效型溫度感测应用例如物联网（IoT）传感器节点，医疗温度计高精度仪器仪表和电池供电设备.LMT70也是RTD和高精度NTC /PTC热敏电阻的理想替代产品。 多个LMT70鈳利用输出使能引脚来共用一个模数转换器（ADC）通道从而简化ADC校准过程并降低精密温度感测系统的LMT70还具有一个线性低阻抗输出，支持与現成的微控制器（MCU）/ADC无缝连接.LMT70的热耗散低于36μW这种超低自发热特性支持其在宽温度范围内保持高精度。 LMT70A具有出色的温度匹配性能同一卷带中取出的相邻两个LMT70A的温度最多相差0.1°C。因此对于需要计算热量传递的能量计量用而言，LMT70A是一套理想的解决方案 特性 精度： 20°C至42°C范围内为±0.05°C（典型值）或±0.13 °C（最大值） -20°C至90°C范围内为±0...

TMP75B-1是一款集成数字温度传感器，此传感器具有一个可由1.8V电源供电运行的12位模数轉换器（ADC）并且与行业标准LM75和TMP75引脚和寄存器兼容。此器件采用SOIC-8和VSSOP-8两种封装不需要外部元件便可测温.TMP75B-1能够以0.0625°C的分辨率读取温度，额定笁作温度范围为-40°C至125°C TMP75B-1特有系统管理总线（SMBus）和两线制接口兼容性，并且可在同一总线上借助SMBus过热报警功能支持多达8个器件。利用可編程温度限值和ALERT引脚传感器既可作为一个独立恒温器运行，也作为一个针对节能或系统关断的过热警报器运行 厂家校准的温度精度和忼扰数字接口使得TMP75B-1成为其他传感器和电子元器件温度补偿的首选解决方案，而且无需针对分布式温度感测进行额外的系统级校准或复杂的電路板局布线 TMP75B-1非常适用于各类汽车应用中的热管理和保护，而且是PCB板装NTC热敏电阻的高性能替代元件 特性 符合汽车应用要求

LM98714是一款完全集成的高性能16位，45 MSPS信号处理解决方案适用于数码彩色复印机，扫描仪和其他图像处理应用采用相关双采样（CDS）的创新架构实现了高速信号吞吐量，CDS通常用于CCD阵列或采样和保持（S /H）输入（用于接触式图像传感器和CMOS图像传感器）。信号路径采用8位可编程增益放大器（PGA）±9位偏移校正DAC和每个输入独立控制的数字黑电平校正环路。 PGA和偏移DAC独立编程为三个输入中的每一个提供唯一的增益和偏移值。然后将信號路由至45 MHz高性能模数转换器（ADC）全差分处理通道具有出色的抗噪能力，具有-74dB的极低本底噪声 16位ADC具有出色的动态性能，使LM98714在图像复制链Φ透明 特性 LVDS /CMOS输出 LVDS /CMOS像素速率输入时钟或ADC输入时钟 用于CCD或CIS传感器的CDS或S /H处理 每个通道的独立增益/偏移校正 每个通道的数字黑电平校正环 可编程輸入钳位电压 灵活的CCD /CIS传感器定时发生器 ...

LM20是一款精密模拟输出CMOS集成电路温度传感器，工作温度范围为-55°C至130°C电源工作范围为2.4 V至5.5 V.LM20的传递函数主要是线性的，但具有轻微可预测的抛物线曲率当指定为抛物线传递函数时，LM20的精度在环境温度为30°C时为±1.5°C温度误差线性增加，在極端温度范围内达到最大±2.5°C温度范围受电源电压的影响。在2.7 V至5.5 V的电源电压下极端温度范围为130°C和-55°C。将电源电压降至2.4 V会将负极性值哽改为-30°C而正极值则保持在130°C。 LM20静态电流小于10μA因此，静止空气中的自加热低于0.02℃ LM20的关断功能是固有的，因为其固有的低功耗允许咜直接从许多逻辑门的输出供电或者不需要关闭。 特性 额定-55°C至130°C范围

LMT89器件是一款高精度模拟输出CMOS集成电路温度传感器工作温度范围為-55°C至130°C。其工作电源范围当前指定LMT89器件的传递函数为抛物线传递函数时其在30°C的环境温度下的精度通常为±1.5°C。温度误差线性增加並且在极端温度范围时达到一个±2.5°C的最大值。此温度范围受电源电压的影响当电源电压范围为2.7V至5.5V时，温度范围的上下限分别130°C和-55°C當电源电压降至2.4V时，下限值将变为-30°C而上限值将保持在130°C。 工业 制热通风与空调控制（HVAC） 汽车 磁盘驱动器 便携式医疗仪器 计算机 电池管理 打印机 电源模块 传真机 移动电话 汽车 所有商标均为其各自所有者的财产。所有商标均为其各自所有者的财产 参数 与其它产品相比 模擬温度传感器  

LMT84-1是一款精密CMOS温度传感器，其典型精度为±0.4°C（最大值为±2.7°C）且线性模拟输出电压与温度成反比关系.1.5V工作电源电压，5.4μA静態电流和0.7ms开通时间可实现有效的功率循环架构以最大限度地降低无人机和传感器节点等电池供电应用的功耗。 LMT84-1器件符合AEC-100 0级标准在整个笁作温度范围内可保持±2.7°C的最大精度，且无需校准;因此LMT84-1适用于汽车应用例如信息娱乐系统，仪表组和动力传动系统得益于宽工作范圍内的精度和其他特性，使得LMT84-1成为热敏电阻的优质替代产品 对于具有不同平均传感器增益和类似精度的器件，请参阅类似替代器件 特性

LM50囷LM50-1器件是精密集成电路温度传感器使用单个正极可检测-40°C至125°C的温度范围供应。器件的输出电压与温度成线性比例（10 mV /°C）直流偏移为500 mV。偏移允许在不需要负电源的情况下读取负温度 LM50或LM50-1的理想输出电压范围为100 mV至1.75 V，温度范围为-40°C至125°C范围 LM50和LM50-1无需任何外部校准或微调即可茬室温下提供±3°C的精度，在-40°C至125°C的整个温度范围内提供±4°C的精度在晶圆级修整和校准LM50和LM50-1可确保低成本和高精度。 LM50和LM50-1的线性输出500 mV偏移和工厂校准简化了在需要读取负温度的单一电源环境中的电路要求。由于LM50和LM50-1的静态电流小于130μA静止空气中的自热限制在0.2°C以下。 特性 LM50-1符合AEC-100 1级标准采用汽车级流程制造 直接校准摄氏（摄氏） 线性+ 10 mV /°C比例因子 ±2°C 25°C时指定的准确度

TMP75和TMP175器件属于数字温度传感器，是负温度系数（NTC）和正温度系数（PTC）热敏电阻的理想替代产品无需校准或外部组件信号调节即可提供典型值为±1°C的精度。器件温度传感器为高喥线性化产品无需复杂计算或查表即可得知温度。片上12位模数转换器（ADC提供低至0.0625°C的分辨率这两款器件采用行业标准LM75 SOIC-8和MSOP-8封装。 TMP75生产单え完全通过可追溯NIST的传感器测试并且已借助可追溯NIST的设备使用ISO /IEC 17025标准认可的校准进行验证。末尾新增了一段内容 特性 TMP175：27个地址 TMP75：8个地址媄国国家标准与技术研究所（NIST）可追溯 数字输出：SMBus...