三极管工作原理交流（最经典）_百度经验
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百度经验:jingyan.baidu.com& 在电子IC行业，刚接触三极管朋友，应该都会比较难理解它的原理。我在深圳广盛电子呆了好多年，颇有了解，于是跟大家一起来交流一下，同时也希望可以帮助大家。百度经验:jingyan.baidu.com三极管百度经验:jingyan.baidu.com1载流子：可以自由移动的带有电荷的物质微粒，如电子和离子。金属中为电子，半导体中有两种载流子即电子和空穴。2&P型半导体：又称为空穴型半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）而形成，其内部空穴浓度远大于自由电子浓度，所以，P型半导体内部形成带正电的多数载流子——空穴，而少数载流子是自由电子。P型半导体主要靠空穴导电。由于空穴主要由所掺入杂质原子提供，掺入三价的杂质越多，空穴的浓度就越高，导电性能就越强。而自由电子是由热激发形成，环境温度越高，热激发越激烈。3PN结及特性：P型和N型半导体接触时，在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散，电子从N型半导体向P型半导体扩散。空穴和电子相遇而复合，载流子消失。因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子，却有内建一个由N区指向P区的内电场。由于内电场是由多子建成，所以达到平衡后，内建电场将阻挡多数载流子的扩散，但不能阻止少数载流子。P区和N区的少数载流子一旦接近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方。& & & ＰＮ结的单向导电性& & & 外加正向电压（正偏）：在外电场作用下，多子将向ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变窄，内电场被削弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移，扩散运动起主要作用。结果，Ｐ区的多子空穴将源源不断的流向Ｎ区，而Ｎ区的多子自由电子亦不断流向Ｐ区，这两股载流子的流动就形成了ＰＮ结的正向电流。&&&&外加反向电压（反偏）：在外电场作用下，多子将背离ＰＮ结移动，结果使空间电荷区变宽，内电场被增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散，漂移运动起主要作用。漂移运动产生的漂移电流的方向与正向电流相反，称为反向电流。因少子浓度很低，反向电流远小于正向电流。当温度一定时，少子浓度一定，反向电流几乎不随外加电压而变化，故称为反向饱和电流。4&扩散和漂移：多数载流子移动时扩散，少数载流子移动时漂移。5&N型半导体：又称为电子型半导体。在纯净的硅晶体中通过特殊工艺掺入少量的五价元素（如磷、砷、锑等）而形成，其内部自由电子浓度远大于空穴浓度。所以，N半导体内部形成带负电的多数载流子——自由电子，而少数载流子是空穴。N型半导体主要靠自由电子导电。由于自由电子主要由所掺入的杂质提供，所以掺入的五价杂质越多，自由电子的浓度就越高，导电性能就越强。而空穴由热激发形成，环境温度越高，热激发越剧烈。&6&空间电荷区：也称耗尽层。在PN结中，由于自由电子的扩散运动和内电场导致的漂移运动，使PN结中间的部位(P区和N区交界面)产生一个很薄的电荷区，它就是空间电荷区。在这个区域内，多数载流子已扩散到对方并复合掉了，或者说消耗殆尽了，因此，空间电荷区又称为耗尽层。P区一侧呈现负电荷，N区一侧呈现正电荷，因此空间电荷区出现了方向由N区指向P区的内电场。内电场将阻碍多子的扩散，而少子一旦靠近PN结，便在内电场的作用下漂移到对方。PN结正偏时，内电场减弱，有利于多子的扩散而不利于少子的漂移。PN结反偏时，扩散运动使空间电荷区加宽，内电场增强，有利于少子的漂移而不利于多子的扩散。7复合：电子和空穴相遇就会复合，大量的电子-空穴对复合就形成电流。8内电场：PN结附近空间电荷区中，方向由N区指向P区的内电场。内电场对多数载流子起隔离作用，而对少数载流子起导通作用。9少数载流子：P型半导体地少数载流子是自由电子，N型半导体中是空穴。10&二极管：单向导电性。正偏多数载流子可以通过，反偏少数载流子可以通过。反偏时P型半导体和N型半导体不能提供源源不断的少数载流子，所以反偏近似无电流。END百度经验:jingyan.baidu.com1、平时多看资料。原作者：苏麦经验内容仅供参考，如果您需解决具体问题(尤其法律、医学等领域)，建议您详细咨询相关领域专业人士。作者声明：本篇经验系本人依照真实经历原创，未经许可，谢绝转载。投票(0)已投票(0)有得(0)我有疑问(0)◆◆说说为什么给这篇经验投票吧！我为什么投票...你还可以输入500字◆◆只有签约作者及以上等级才可发有得&你还可以输入1000字◆◆如对这篇经验有疑问，可反馈给作者，经验作者会尽力为您解决！你还可以输入500字相关经验000100热门杂志第1期你不知道的iPad技巧3723次分享第1期win7电脑那些事6563次分享第2期新人玩转百度经验1379次分享第1期Win8.1实用小技巧2634次分享第1期小白装大神1876次分享◆请扫描分享到朋友圈三极管的基极、集电极、发射极的作用各是什么？_百度知道
三极管的基极、集电极、发射极的作用各是什么？
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对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结,而集电区与基区形成的PN结称为集电结,三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c1、发射区向基区发射电子
电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。
2、基区中电子的扩散与复合
电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。
3、集电区收集电子
由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。
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基极代表符号B 集电极C 发射极E基极和集电极两路的电流流向发射极，起到放大基极电流的作用
这要看你具体怎么用了
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少数载流子为什么会存在?p型材料中空穴为多数载流子,电子为少数载流子,为什么电子不和空穴结合啊!
半导体中的电子和空穴本身就是可以稳定存在的.他们不结合的原因是由于不断的热激发.当然,他们也会不断的相互复合,最终形成稳态平衡.在平衡态时,始终能保留少量为复合的电子和空穴,即自由载流子.对本质半导体掺入p型杂质后,p型杂质原子会替换原来半导体的原子.但是由于p型杂质的最大成键数少于原本半导体原子的成键数,于是产生出大量的空穴.这部分空穴可以看作是原来本质半导体中电子空穴成对存在（上述平衡态）的背景下再叠加上的新的正电荷.同时,产生空穴的p型杂质原子会电离成为负点中心,与新产生的空穴形成电平衡.因此,这些额外引入的空穴不会对本质的电子空穴对造成明显的影响,即p型半导体中依旧会保留少数的自由电子.简而言之：本质电子数量 = 本质空穴数量 = 少数载流子数量（来自热激发）掺杂多子数量 = 杂质原子核电离后形成的固定电荷数量 = 多数载流子数量（来自杂质原子的电离）此时整个半导体保持电中性
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问题一楼主的问题在于对半导体载流子浓度的数量级没有认识,打个比方：以硅材料为列,硅常温下本证载流子浓度在10个零左右,如果制作BJT基区,参杂一般在17到19个零之间,就已参杂18个零为列,这时候电子浓度为18个零,当温度升高后,加入本证激发提高到了一万倍,这时候空穴浓度就是14个零,比原来增加了一万倍,而电子的浓度变
1：为什么样品周围和电极附近不要受光照?答：因为表面处不够光滑,比较粗糙,受到光照会使表面复合的影响增大,造成测量的少子寿命比实际寿命值小,所以要选择较大的样品,进行化学抛光,从而减小样品的表面复合效应.2：样品电阻率不均匀会造成什么结果?答：样品电阻率不均匀会使得样品中不同处所测的的少子寿命不同,则某一次的少子寿命测
1:P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）,使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷）,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子P型半导体中 多数载流子为空穴,少数载流子
就象能容纳10个载流子,9个电子,1个空穴(可以容纳一个电子),它们是共存的
书上应该是说闯进空间电荷区或空间电荷区附近的少子会受到电场力的作用而漂移到对面.如你所说,一旦N区的空穴进入空间电荷区,那么空穴受到向P区的电场力,肯定是向P区漂移的,至于你说的正离子的排斥力,那么你也应该知道P区的负离子对它是有吸引力的.最终也就是达到动态平衡.你可以把空间电荷区当做带正负电荷的平板电容,加入一粒空穴
本征载流子浓度通常有10的10次方每平方厘米.少数载流子和多数载流子的乘积要是10的20次方没平方厘米.多数载流子通常有10的15次方以上少数载流子通常为10的5次方以下
N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴.
当然不是.你想想好了,这些多数载流子是怎么来的?无非是从共价键里跑出来的.但没有跑到这块半导体的外面去.对于一块物质而言,如果它里面没有发生特殊的反应,那么电子的总数与质子的总数一定相等.这样就形成了电中性. 再问： 那请问 n型半导体里面有没有一种带正电的粒子 使整个n型半导体保持电中性 再答： N型半导体里面其实有
多数载流子是少数载流子的杂质浓度是一个共同决定的本征载流子浓度和杂质浓度
影响最大的应该是Icbo,它就是少数载流子形成的从c极区流向b极区的反向电流,它会影响基区中多子的复合,该电流在放大电路中会严重影响放大倍数.Icbo随温度按指数变化,导致放大倍数随温度呈非线性变化.
加正向电压时,是多数载流子.加反向电压时,是少数载流子,称为反向电流
基极断开时,PN结不导通,这个“不导通”是指多数载流子无法通过,但少数载流子刚好相反,通顺利通过PN结,比如加上反向偏压,这个反向偏压阻止了多数载流子少数载通过,但加速了少数载流子通过.所以集电极电压产生的电场使那些多子定向运动而产生穿透电流是错的,没有多数载流子穿过集电结
本征半导体中的载流子都是由本征激发所产生的,一般数量不多（随温度而指数函数式增大）.但是,掺入施主杂质或者受主杂质以后,则杂质可提供大量的电子或者空穴,这就是多数载流子；这时,还是存在少数载流子,那就是本征激发出来的一些载流子.
杂质电离,PNP,NPN,电子,空穴
因为晶体管在工作时,很大的正向电流和很小的反向电流都主要是少数载流子的电流；而少数载流子浓度随着温度的升高将指数式增大,所以说少数载流子是影响晶体管温度稳定性的主要因素.详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.
温度.导体在任何温度下,都将遵从热平衡条件：np=ni2.因此多数载流子与少数载流子是相互制约着的.多数载流子主要来自于掺杂,而少数载流子都来自于本征激发（属于本征载流子）.当通过掺杂、增大多数载流子浓度时,则多数载流子与少数载流子相互复合的机会增加,将使得少数载流子浓度减小；当升高温度,少数载流子浓度将指数式增大,并
正确.当有电场作用时,半导体中的载流子将产生定向运动,称为漂移运动.它是在内电场作用下形成的.
这个与半导体的类型有关.N型半导体和P型半导体是不一样的.N型半导体中,自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子.P型半导体中,多数载流子为空穴,少数载流子为电子.
成立本征载流子是无杂质时半导体的载流子浓度,且n=p=ni,且np=ni平方.而有杂质时np=ni平方仍成立,以n为多子,注,此时无本征载流子ni,都是热平衡载流子n0,p0.它们乘积=无杂质时ni平方.}