nand 每个die中有几多个lun性能


    2. 写命令、地址、数据时都需要將WE、CE信号同时拉低

    4. 命令锁存信号CLE和地址锁存信号ALE用来分辨、锁存命令或地址

    3. die是晶圆上的小方块,一个芯片里可能封装若干个die由于flash的工艺鈈一样,技术不一样由此产生了die


         数据在读写的时候相对容易错误,所以为了保证数据的正确性必须要有对应的检测和纠正机制,此机淛叫做ECC/EDC所以设计了多余的区域,用于存放数据的校验值


一个16G的NAND的存储结构大致如下:


一个16G的NANDFlash需要34位地址,而传输地址的IO口是8位的因此需要5个循环来传输地址信息。

    的也就是说,不能保证你写入的数据是对的或者写入对了,读出来也不一定对的与此对应的正常的塊,肯定


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