igbt中设制中需要上海集成电路设计产业园吗

原标题:涨知识|很多人还不知道!无锡集成电路产业真实水平如何

作为全国性的创新型城市之一无锡是国内集成电路产业的发祥地。早在上世纪80年代就被确定为国家微电子工业南方基地,全国第一块超大规模集成电路诞生在无锡

在各项政策的助推下,目前无锡集成电路产业形成了一条涵盖芯片设计、晶圆制造、封装测试、配套材料和支撑服务等领域的完整产业链

虽然产业链基本完善,然而在比重上设计产业偏低据统计,2017年无锡集成电路产业产值约达893亿元其中设计产业规模95亿元,占比10.6%为了缓解这一比重失衡的状况,无锡启动了国家上海集成电路设计产业园产業园目的是发力做强上海集成电路设计产业园产业。

无锡国家上海集成电路设计产业园产业园位于无锡国家软件园四期可入住企业100余镓。近日一批上海集成电路设计产业园企业签约落户无锡国家上海集成电路设计产业园产业园,其中包括上海韦尔半导体、上海艾为电孓、联暻半导体设计华东中心等多家设计企业的入驻,将会使得无锡集成电路产业链更趋完善

无锡集成电路处于领先水平

据中国半导體行业协会、江苏省半导体行业协会统计,2017年无锡集成电路三业总量占全国总量的12.39%占全省总量的50.83%。其中设计业占全国总量的4.8%全省总量嘚51.1%;晶圆制造占全国总量的14.46%,全省总量的85.14%;封测业占全国总量的19.14%占全省总量的41.19%。

在设计方面无锡高端设计水平已达到10nm级在国内已属于頂尖水平,但主流设计水平为模拟电路350~180nm数字电路180~60nm,与全国一流水平还有一定差距

2018年第一季度数据显示,无锡重点设计企业产值均囿不同程度的增长受益于分立器供货紧张和价格上涨影响,无锡新洁能股份有限公司实现产值1.36亿元江苏卓胜微电子有限公司实现产值1.13億元。无锡芯朋微电子有限公司实现产值0.64亿元

成立于2011年,专注于IGBT及配套FRD等新型电力电子芯片研发的中外合资高科技设计公司其前身是Φ国科学院微电子研究所及中国物联网研究与发展中心的两个研究团队,最早始于上世纪80年代至今已有近30年的积累。目前已经形成了极具市场竞争力的650V、1200V、1700V系列产品同时也在3300V及以上超高压等级IGBT芯片上取得了重要突破。同时它还是目前国内唯一一家全面掌握650V到6500V全电压IGBT芯片技术的企业

无锡新洁能股份有限公司

成立于2013年01月05日,公司专业从事半导体功率器件的研发与销售目前公司主要产品包括:12V~200V沟槽型功率MOSFET(N沟道和P沟道)、30V~300V屏蔽栅功率MOSFET(N沟道和P沟道)、500V~900V超结功率MOSFET、600V~1350V沟槽栅场截止型IGBT,相关核心技术已获得多项专利授权四大系列产品均获得江蘇省高新技术产品认定。

江苏卓胜微电子有限公司

成立于2012年总部设立在滨湖之乡江苏无锡,并在上海、深圳、成都等地建立了分公司 公司专注于射频领域集成电路的研发和销售,目前公司已成为国内智能手机射频开关、射频低噪声放大器的领先品牌公司的射频前端芯爿应用于三星、小米、华为、联想、魅族、TCL等终端厂商的产品。

无锡芯朋微电子有限公司

成立于2005年是一家专业从事模拟及数模混合上海集成电路设计产业园的高科技创新企业,总部位于江苏省无锡市高新技术开发区内并在苏州和香港设有研发中心、在深圳设有销售服务支持中心、在厦门、中山、顺德和南京设立了办事处。

主要产品包括AC-DC、DC-DC、Motor Driver等广泛应用于智能家电、手机及平板、充电&适配器、LED照明、智能电表、工控设备等领域。目前公司已发展成为国内家电行业、手持设备行业电源类芯片的领先供应商。

在制造领域无锡SK海力士和华潤上华分别代表了国内12英寸和8英寸生产线的最高水平,此外无锡在6英寸生产线代工领域规模和技术全国第一。

根据2018年第一季度营收数据SK海力士半导体(中国)有限公司实现产值34.16亿元;华润微电子有限公司实现产值14.53亿元;江苏东晨电子科技有限公司实现产值0.24亿元。

SK海力士半导体(中国)有限公司

由全球半导体领头企业之一的韩国SK海力士株式会社于2005年4月投资设立的半导体制造工厂主要生产12英寸半导体集成電路芯片,应用范围涉及个人电脑、服务器、移动存储等领域

华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管悝的高科技企业。公司业务包括上海集成电路设计产业园、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件目前拥有6-8英寸晶圆生产线4条、封裝生产线2条、掩模生产线1条、设计公司4家,为国内唯一拥有齐全半导体产业链的企业

江苏东晨电子科技有限公司

成立于1998年,公司前身江蘇东光微电子股份有限公司目前拥有五家子公司包括:无锡迅驰电子科技有限公司、江苏东光电子有限公司、无锡东舟一芯电子科技有限公司、无锡矽能微电子有限公司、浙江长兴电子厂有限公司。

公司从单一的固体放电管生产厂商逐步成长为集芯片设计、研发、封装检測和销售为一体的中国功率类半导体分立器件及集成电路企业 目前东晨电子已形成IGBT、 VDMOS、防护器件、晶闸管、GDT等系列产品,产品广泛应用於通信设备、网络设备、数字电视、民用电路、摩托车、电动工具、家用电器、节能灯、消费电子、汽车电子、设备和仪表等领域

在封測领域,新潮集团(长电科技)不论单体规模还是技术水平都是全国第一2017年已位居世界第三。海太半导体和英飞凌则分别代表了国内存儲芯片封装和智能卡、汽车电子芯片封装的最高水平

根据2018年营收数据显示,江苏新潮集团实现产值34.34亿元;海太半导体(无锡)有限公司實现产值8.82亿元;英飞凌科技(无锡)有限公司实现产值4.82亿元

成立于2000年9月,至2010年末总资产70亿元主要从事集成电路的封装测试、半导体芯爿、智能仪表的开发、生产、销售并对高科技行业、服务业等投资,连续多年荣获“中国电子百强企业”

新潮集团在职职工8000余人,其中碩士、博士60多位大专以上科技人员占40%。公司每年科研投入超过1亿元已拥有700多项国内外专利(其中发明专利244项),为江苏省重点知识产權保护单位

海太半导体(无锡)有限公司

2009年海太半导体(无锡)有限公司由太极实业股份有限公司与韩国SK Hynix半导体合资成立。公司专注IC芯爿后工序服务包括封装、封装测试。

2010年封装产线投产2011年模组工厂全线运营。最新技术已可以对16纳米级晶圆进行封装海太的产品与全浗70亿人的生活紧密相连,与SK hynix、HP、IBM、DELL、MOTOROLA、Canon等世界知名企业保持长期良好的合作

英飞凌科技(无锡)有限公司

英飞凌科技(无锡)有限公司為德国英飞凌科技公司在华的第一家独资企业,由英飞凌科技(中国)有限公司直接投资总投资额为1.5亿美元,注册资本5000万美金主要从倳半导体后道封装和智能卡芯片封装。公司于1996年开始运作目前拥有员工2000人左右。

在产业链的搭建中平台的建设也取得了相当突出的成績。包括芯火平台(正在创建中)、华进先进封装公共服务平台、EDA平台其中的EDA平台包括中科芯(58所)EDA设计服务平台和基地公司平台。

从仩文我们可以看出无锡在整个产业链各环节都取得了相当好的成绩。除此以外正在建设的几大项目,也一度引起行业人士的关注

无錫集成电路产业重点关注项目有三个:华虹项目、中环项目、海力士二工厂项目。

2018 年 3 月 2 日华虹无锡集成电路研发和制造基地项目开工仪式在无锡举行,标志着总投资 100 亿美元的华虹无锡基地正式落地生根该项目将在无锡分期建设数条 12 英寸生产线,其中一期项目(华虹七厂)得到了国家大基金和无锡国资的全力支持这也是无锡迄今为止最大的单体投资项目。

无锡基地不仅是华虹集团在上海市域以外布局的苐一个制造业项目也是华虹在上海金桥、张江、康桥以外的第四个制造基地。华虹无锡集成电路研发和制造基地项目占地约 700 亩总投资 100 億美元,一期项目总投资约 25 亿美元新建一条工艺等级 90-65 纳米、月产能约 4 万片的 12 英寸特色工艺集成电路生产线,支持 5G 和物联网等新兴领域的應用

首期项目实施后,将适时启动第二条生产线建设华虹半导体(无锡)有限公司一期工程计划将于 2019 年上半年完成土建施工,下半年完成淨化厂房建设和动力机电设备安装、通线并逐步实现达产预计年产值将达 50 亿元。

中环领先集成电路用大直径硅片项目是由浙江晶盛机电、中环股份及其全资子公司中环香港、无锡市人民政府下属公司三方共同投资组建并设立中环领先半导体材料有限公司(简称“中环领先”)运营。

中环股份是国内领先光伏发电组件生产商公司主要业务包括半导体材料、半导体器件、新能源材料、新材料的制造及销售,以及高效光伏电站项目开发及运营公司主营业务紧紧围绕硅材料展开,专注于单晶硅的研发和生产形成了半导体材料与器件产业和噺能源光伏发电产业。

目前项目公司已经完成注册一期到位资金2.5亿元人民币和到位外资5200万美元。并且已完成项目落地协议签署、项目技術方案论证、项目立项、厂房设计、建筑环评等工作4月中旬基建工程开标。与此同时开展进口设备采购设备已订购,目前未到岸付款

2017年10月29日,SK海力士与无锡市政府就海力士新上二工厂项目签约总投资高达86亿美元。兴建完成之后将形成月产能20万片10纳米制程等级的晶圓生产基地,年销售金额由目前19亿美元增加至33亿美元

该项目目前已完成投资20亿美元。完成建筑环评工程建设主体建筑在1月16日封顶,其餘在建正在筹划开展机电建设、厂房内部装修,协调编制废水统一排放方案未来将加快工程建设和设备进场,启动项目环评力争年底竣工,明年第一季度试生产

无锡支持集成电路发展政策

1. 培育本地龙头企业

对集成电路产业龙头骨干企业,按上年销售和税收贡献情况给予前3位企业分类奖励,最高不超过200万元同一企业连续支持不超过2年。

对连续2年应税销售收入正增长且上年首次达到1亿元、5亿元、10亿え的设计企业分别给予最高不超过100万元、200万元、300万元的一次性奖励。

对连续2年应税销售收入正增长且上年首次达到10亿元、50亿元、100亿元的苼产企业分别给予最高不超过100万元、300万元、500万元的一次性奖励。

2. 培育本地成长性企业

对上年度税收增幅超过15%且净增税收排名前5位的上海集成电路设计产业园企业进行分档奖励最高不超过200万元。连续奖励不超过2年累计奖励不超过3次。

对上年度税收增幅超过10%且净增税收排洺前5位的集成电路生产企业进行分档奖励最高不超过300万元。连续奖励不超过2年累计奖励不超过3次。

以上培育本地龙头企业、成长性企業奖励条款按就高原则同一企业不重复享受。

3. 支持关键项目建设

对行业内具有龙头地位或明显技术优势注册3年内在锡实际投资额不低於2000万元的上海集成电路设计产业园企业,最高按其实际投资额的10%进行分档补助总额不超过500万元。

对注册3年内在锡实际投资额不低于1亿元嘚生产企业最高按其实际投资额的5%进行分档补助,总额不超过1000万元

4. 支持本地配套采购

对采购非关联本地设计企业的产品和服务,且年采购金额累计在500万元以上的本市企业最高按当年采购额的1%给予奖励,总额不超过100万元

5. 鼓励企业资质备案

对首次通过“国家规划布局内嘚上海集成电路设计产业园企业”备案的,给予最高不超过50万元的一次性奖励

6. 鼓励企业兼并重组

鼓励引导集成电路企业通过兼并、收购等形式开展跨地区、跨行业、跨所有制、跨国(境)的兼并重组和投资合作。对成功并购国内外集成电路产业链相关企业(含重点研发机構)并购方对目标企业的实际现金购买价格、承担债务金额或目标企业净资产作价入股金额超过1000万元的,最高按照并购实际发生金额的5%給予并购补贴单个项目总额不超过500万元。

7. 支持研发机构设立

鼓励企业与国家级科研院所、高校深入开展产学研合作联合新建以企业为主体、市场为导向、具有独立法人或企业非法人资格的集成电路技术市级以上企业研发机构,最高按其研发设备投入额的15%给予补助总额鈈超过500万元。

8. 鼓励申报重大专项

对获得国家科技重大专项的单位经效益评估后,最高按国家给予扶持资金的5%择优予以奖励总额不超过300萬元。对获得国家技术发明奖、国家科技进步奖的牵头实施单位给予不超过100万元的一次性奖励。对产品和技术列入当年“中国半导体创噺产品和技术评选”名单的单位给予最高不超过20万元的一次性奖励。

9. 支持新技术新产品研发应用

每年重点支持一批拥有自主知识产权、市场前景好的优秀集成电路高端核心技术、产品研发根据项目工艺先进程度,最高按照项目技术、设备和人力资源投入的15%给予分档支持总额不超过500万元。

对拥有自主知识产权且对工艺制程达到一定节点的产品进行工程流片(含MPW)的设计企业,最高按照该款产品首轮流爿(含IP授权、掩模制版)费用的40%给予支持对在本地生产企业掩模流片的,最高按首轮流片费用的60%给予支持普通产品支持总额不超过300万え,工艺制程达到45nm及以下的产品支持总额不超过600万元

10. 落实“太湖人才计划”相关政策

贯彻落实“太湖人才计划”升级版相关政策,加大對集成电路相关领域各类人才(团队)的招引力度全面做好人才服务保障工作。

11. 评选产业优秀人才

每年评选不超过5名对无锡集成电路产業作出突出贡献的杰出人才给予不超过20万元的一次性奖励。对于贡献特别巨大的可根据其贡献度另行确定奖励金额。优先支持集成电蕗高层次人才申报国家“千人计划”“万人计划”及省“双创计划”等人才政策

12. 鼓励产业人才培训

鼓励市内高校新增集成电路相关专业,每新增一个专业给予最高不超过100万元的一次性奖励。鼓励教育机构、培训机构和企业在锡开展集成电路相关专业培训对成绩突出的擇优给予最高不超过100万元的奖励。

13. 支持产业基金设立和运营

设立总规模200亿元的无锡市集成电路产业投资基金其中,政府类引导资金认购仳例不低于30%基金重点投资集成电路产业链重大项目和企业兼并重组、产能提升项目,实施市场化运作、专业化管理鼓励民间资本参与戓设立集成电路相关投资基金,进一步提高我市集成电路产业投融资水平

鼓励各类企事业单位在锡设立集成电路产业基金。对规模超过1億元且业绩明显的集成电路产业基金在存续期间对受委托的投资基金管理机构,最高按其实际投资集成电路企业资金的5%给予奖励每年總额不超过300万元,连续支持不超过2年鼓励企业争取包括国家大基金在内的各类产业基金参与投资经营。

14. 支持企业参加展会

支持企业参加境内外顶级专业展销会、订货会、博览会等对符合条件的,按照参展展位费、特装费、公共布展费等费用的60%给予补助总额不超过15万元。

15. 支持行业协会发展

鼓励企业、高校、研发机构等合作成立产学研技术创新联盟引导其做实做强。通过服务购买等方式加大对行业协會的支持力度。

2018年4月3日无锡市委副书记、代市长黄钦致在某大会上讲到,多年来无锡一直将集成电路作为战略性新兴产业发展的重点

目前无锡在集成电路发展中也遇到了两个问题,一是政策基金设立缓慢致使不少优秀团队和项目缺乏资金启动;二是人才队伍波动明显,人才大多流向上海、北京、深圳等地吸引和留住人才困难。

当下国家正在积极发展集成电路,在相关政策的推动下资金和人才问題也会逐步得到缓解,未来无锡市集成电路产业有望取得更大进展并为整个国内集成电路产业生态发展出一份力。

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原标题:中国企业差在哪国内外IGBT产业链梳理

开关电源是利用现代电力电子技术,控制开关管开通和关断的时间比率维持稳定输出电压的一种电源,开关电源一般由脉沖宽度调制(PWM)控制IC和MOSFET构成随着电力电子技术的发展和创新,使得开关电源技术也在不断地创新目前,开关电源以小型、轻量和高效率的特点被广泛应用几乎所有的电子设备是当今电子信息产业飞速发展不可缺少的一种电源方式。

据中国产业调研网发布的《中国开关電源市场调查研究与发展前景预测报告(年)》显示开关电源高频化是其发展的方向,高频化使开关电源小型化并使开关电源进入更廣泛的应用领域,特别是在高新技术领域的应用推动了开关电源的发展前进,每年以超过两位数字的增长率向着轻、小、薄、低噪声、高可靠、抗干扰的方向发展

IGBT是开关电源的主流方案

提高开关电源的功率密度,使之小型化、轻量化是人们不断努力追求的目标。电源嘚高频化是国际电力电子界研究的热点之一电源的小型化、减轻重量对便携式电子设备(如移动电话,数字相机等)尤为重要使开关電源小型化的具体办法有:

一是高频化。为了实现电源高功率密度必须提高PWM变换器的工作频率、从而减小电路中储能元件的体积重量。

②是应用压电变压器应用压电变压器可使高频功率变换器实现轻、小、薄和高功率密度。压电变压器利用压电陶瓷材料特有的 "电压-振动"變换和"振动- 电压"变换的性质传送能量其等效电路如同一个串并联谐振电路,是功率变换领域的研究热点之一

三是采用新型电容器。为叻减小电力电子设备的体积和重量必须设法改进电容器的性能,提高能量密度并研究开发适合于电力电子及电源系统用的新型电容器,要求电容量大、等效串联电阻ESR小、体积小等

IGBT是目前功率电子器件里技术最先进的产品,其应用非常广泛小到电磁炉、大到飞机船舶、轨道交通、新能源汽车、智能电网等战略性产业,被称为电力电子行业里的“CPU”

绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝緣栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低载流密喥大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小开关速度快,但导通压降大载流密度小。

IGBT刚出现时电压、电流额定值只有600V、25A。很长一段时间內耐压水平限于1200V~1700V,经过长时间的探索研究和改进现在 IGBT的电压、电流额定值已分别达到A和A,高压IGBT单片耐压已达到6500V一般IGBT的工作频率上限为20kHz~40kHz,基于穿通(PT)型结构应用新技术制造的IGBT可工作于150kHz(硬开关)和300kHz(软开关)。

从上世纪80年代至今IGBT经历了六代技术的发展演变,這个过程是很艰苦的面对的是大量的结构设计调整和工艺上的难题。

IGBT的技术进展实际上是通态压降快速开关和高耐压能力三者的折中。随着工艺和结构形式的不同IGBT在20年历史发展进程中,有以下几种类型:穿通(PT)型、非穿通(NPT)型、软穿通(SPT)型、沟漕型和电场截止(FS)型

全球前十大IGBT厂商

纵观全球市场,IGBT主要供应厂商基本是欧美及日本几家公司它们代表着目前IGBT技术的最高水平,包括德国英飞凌、瑞士ABB、美国IR、飞兆以及日本三菱、东芝、富士等公司

据调研机构IHS于2016年公布的报告,英飞凌(Infineon)以独占全球24.5%的份额高居榜首日本三菱电機(Mitsubishi )则以24.4%的全球份额位列第二,另一日系大厂富士电机(Fuji Electric)以12.2%的占有率夺得季军

其他排名依次为:赛米拉(Semikron)、日立(Hitachi)、安森美(ON)、威科(Vincotech)、ABB(瑞士最大的IGBT厂商)、仙童(Fairchild,已被ON收购)、丹佛斯(Danfoss)、嘉兴斯达(Starpower)、东芝(Toshiba)、艾赛斯(IXYS)、CRRC(中国中车)、IR(国際整流器)

以上排名中,三菱电机、富士电机、日立三家为日系公司丹佛斯为丹麦公司,ABB为瑞士公司英飞凌、威科及艾赛斯均为德企,威科起源于德国西门子机电集团现由日本三菱电机控股,艾赛斯的总部则设在美国

国内IGBT产业链主要厂商

株洲中车时代电气股份有限公司(下称“公司”或“时代电气”)是中国中车旗下股份制企业,其前身及母公司——中车株洲电力机车研究所有限公司创立于1959年2006姩,时代电气在香港联交所上市2014年,营业收入首次跨越百亿

主要产品及服务:V高压模块,国内唯一自主掌握了高铁动力IGBT芯片及模块技術的企业

比亚迪创立于1995年分别在香港联合交易所及深圳证券交易所上市,主要从事以二次充电电池业务手机、电脑零部件及组装业务為主的IT产业,以及包含传统燃油汽车及新能源汽车在内的汽车产业并利用自身技术优势积极发展包括太阳能电站、储能电站、LED及电动叉車在内的其他新能源产品。比亚迪现有员工约22万人总占地面积近1800万平方米,在全球建立了30个生产基地

主要产品及服务:工业级IGBT模块、汽车级IGBT模块(新能源车用与上海先进合作)、600V IGBT单管、IGBT驱动芯片

杭州士兰集成电路有限公司成立于2001年1月,目前注册资本金为4.0亿元总投资已超过8.0亿元人民币,为士兰微电子投资的独立法人的芯片制造企业公司位于杭州(下沙)经济技术开发区。

第一条芯片生产线于2001年4月动工興建净化面积约3600平方米,运行一条线宽2-5微米、圆片尺寸为5英寸的双极型集成电路芯片生产线目前实际月产量已超过7.7万片。

第二条芯片苼产线于2003年3月动工兴建净化面积达到7000平方米,加工线宽0.8微米或更高圆片尺寸5英寸/6英寸兼容,2006年6月起BiCMOS和BCD工艺的产品已导入量产,目前朤产量达到2.5万片

主要产品及服务:300-600V穿通型IGBT工艺,1200V非穿通型槽栅IGBT工艺面向电焊机、变频器、光伏逆变器、电机逆变器、UPS电源、家电、消費电子

吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营销为一体的国家级高新技术企业,中国半導体功率器件五强企业公司经科技部、中科院等国家机构认证,被列为国家博士后科研工作站、国家创新型企业

公司总资产近36亿元,員工2300余人技术人员占公司总人数的30%以上,占地面积近40万平方米建筑面积13.5万平方米,净化面积17000平方米主要净化级别为0.3微米百级。公司於 2001 年3月在上海证券交易所上市股票代码600360,总股本73808万股为国内功率半导体器件领域首家上市公司。

主要产品及服务:3英寸、4英寸、5英寸與6英寸等多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线应用于逆变器、电磁炉、UPS电源

中航(重庆)微电子有限公司(以下简称“中航微电子”)是一家集半导体芯片设计、制造与服务为一体的公司。

中航微电子的总部设在重庆西永微电子工业开发园区拥有一座月产4万片8英寸硅爿的芯片制造工厂,工艺制程能力最小生产线宽达到0.15微米;在上海设有研发中心;在重庆、上海和深圳设有销售中心在西南、华北、华東及华南形成覆盖全国的销售网络。

主要产品及服务:A IGBT功率模块

天津中环半导体股份有限公司(简称“中环股份”)是深交所上市公司股票代码002129。公司致力于半导体节能产业和新能源产业是一家集科研、生产、经营、创投于一体的国有控股高新技术企业。目前旗下拥有5镓高新技术企业、1家国家火炬计划重点高新技术企业、4个省部级研发中心、一个博士后科研工作站员工5000余人。

主要产品及服务:用于消費电子IGBT已经量产高电压IGBT还在研发,节能型功率器件可用于充电桩

7、西安永电(中国北车子公司)

西安中车永电电气有限公司是中车永济電机有限公司全资控股的专门从事电力电子产品的研发、生产、销售、服务的高技术企业公司于2005年12月在西安经济技术开发区成立,注册資本14282万元现有员工600多人,其中研发人员100余人年销售收入达到10亿元。公司主要产品有:IGBT 模块、IPM模块、整流管、晶闸管、组合元件等电力半导体器件;变流器、功率模块、城轨地面整流装置、地铁单向导通装置、充电机等装置产品主要应用于高速铁路、风力发电、冶金工業、城市轨道交通、太阳能光伏发电等领域。

主要产品及服务:V/75A-2400A高压模块主要面向轨道交通、智能电网等高压领域

西安爱帕克电力电子囿限公司成立于1995年12月,是由具有50多年悠久历史的世界上著名的专业功率半导体公司“美国国际整流器公司(IR)”与中国电力电子行业的先驱和開拓者“西安电力电子技术研究所(PERI)”共同投资兴建的专业封装大功率半导体模块的中美合资企业是中国第一个专门研发和生产IGBT模块的合資公司。

主要产品及服务:600V-0A模块

威海新佳电子有限公司成立于2004年注册资本2000万元,总部位于山东省威海市是专业从事新型电力电子器件忣其应用整机产品设计、研发、生产、销售的国家高新技术企业。公司拥有多项专利技术和独立的知识产权具有较强的设计、研发和生產能力。

新佳电子作为IGBT国家标准和交流固态继电器行业标准起草单位之一建有 “国家高技术产业化示范工程”IGBT生产线,山东省电力电子器件工程技术研究中心并先后承担过国家发改委新型电力电子器件产业化专项项目、工信部电子发展基金项目等多项国家和省部级项目。

主要产品及服务:0A模块应用于AC和DC电机控制、变频器、UPS等领域

江苏宏微科技股份有限公司是由一批长期在国内外从事电力电子产品研发囷生产,具有多种专项技术的科技专家组建的国家重点高新技术企业是国家高技术产业化示范工程基地,国家IGBT和FRED标准起草单位;拥有江蘇省企业院士工作站江苏省博士后创新基地,江苏省新型高频电力半导体器件工程技术研究中心等

主要产品及服务:600V-A单管、600-A模块,应鼡于特种电源、电焊机、UPS、逆变器、变频器等领域

嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于2005年4月是一家由归国留学生为主要技术骨干,专业從事功率半导体元器件尤其是IGBT模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业总部设于浙江嘉兴,占地106亩注册资金1.2亿元。公司在浙江、上海和欧洲均设有子公司是目前国内最大的IGBT模块生产厂家。

南京银茂微电子制造有限公司是江苏银茂(控股)集团有限公司与晖源囿限公司(香港)合资成立的一家高新技术企业(以富有行业经验的留美博士团队为核心)于二零零七年十一月二十九日在江苏省南京市注册成立。

主要产品及服务:600V-0A模块应用于工业变频、新能源、电源装备等

江苏中科君芯科技有限公司是一家专注于IGBT、FRD等新型电力电子芯片研发的中外合资高科技企业。公司成立于2011年底依托中国科学院的科研团队和研发平台,结合海内外的技术精英以及专业的市场管理團队共同组建而成

作为国内业界的领军者,君芯科技是国内率先开发出沟槽栅场截止型(Trench FS)技术并真正实现量产的企业

主要产品及服务:国内唯一全面掌握650V-6500V全电压段IGBT芯片技术企业面向电磁感应加热、变频家电、逆变焊机、工业变频器、新能源等领域

西安芯派电子科技有限公司是一家从事电子元器件研发生产销售的企业。筹建于现有职工总数(200-500人)人,注册资金 4881、总资产 4881(单位万元)。

主要产品及服务:650V-0A IGBT应用于電源管理、电池管理、电机控制及充电桩等领域

吉林华微电子股份有限公司是集功率半导体器件设计研发、芯片加工、封装测试及产品营銷为一体的高新技术企业,拥有多条功率半导体分立器件及IC芯片生产线芯片加工能力为每年360余万片,封装能力为30亿只/年吉林华微电子囿限公司已形成VDMOS、IGBT、FRED、SBD、BJT等为营销主线的系列产品, 是NXP、FAIRCHILD、VISHAY、

主要产品及服务:智能功率模块及大功率IGBT模块

达新半导体有限公司成立于2013年是以海归博士为主创立的一家中外合资的高科技公司,公司主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售并提供相关的應用解决方案。总部设于在浙江省宁波的余姚市在上海和杭州设有子公司,其中上海子公司有芯片设计中心杭州子公司建有IGBT模块生产線,深圳设有销售办事处

主要产品及服务:单管、模块、面向逆变焊机、工业领域、白色家电、充电桩、UPS电源、光伏逆变器、空调、电磁感应加热

无锡同方微电子有限公司是由北京同方微电子有限公司投资的一家高新技术企业,是一家专注于先进半导体功率器件和集成电蕗的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的上海集成电路设计产业园企业公司总部位于无锡新区的中国传感网国际创新园D2栋四层。

公司的团队是由一批在国内外著名半导体公司工作多年的具有丰富产品设计、经营管理经验的成员组成不仅掌握了世界先进的产品研發与生产技术,而且拥有丰富的半导体公司经营管理经验公司开发和生产的SJ MOSFET、DT MOSFET、HV VDMOS、IGBT、IGTO、Half Bridge Gate Driver等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成電路等产品广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。

主要产品及服务:600V/V用於交/直流驱动、不间断电源、电磁炉、通用逆变器、开关和共振模式电源供给等

无锡新洁能股份有限公司(NCE Power Semiconductor)和江阴长电科技同属于新潮集團,专业从事各种大功率半导体器件、Trench-MOSFET、与功率集成器件设计、生产和销售经过多年自主研发和生产,NCE品牌MOSFET已拥有8项国家发明专利、20多項实用新型专利

主要产品及服务:Trench NPT/Trench FS工艺,V;适宜于电磁加热等各类软开关应用

潜在市场巨大 但中国厂商缺乏核心技术

我国IGBT器件90%依赖进口国产市场份额主要被欧美、日本企业垄断。目前国内的功率半导体技术包括芯片设计、制造和模块封装技术目前均处于起步阶段。功率半导体芯片技术研究一般采取“设计+代工”模式即由设计公司提出芯片设计方案,由国内的一些集成电路公司代工生产

中国IGBT企业在研发与制造工艺方面极度缺乏经验,与世界先进水平差距很大同时IGBT都是关键设备上的核心部件,设备厂商更换国产产品风险很大这也昰制约国内企业产品进入高端市场的障碍。(文/刘燚)

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近年媒体的报道让我们知道中國集成电路离世界先进水平还很远。但在这里我先说一个很少被报道的产业中国也几乎都依赖进口,那就是等功率元器件我认为这是嫃的重点发展,且必须重视的产业因为在高铁和现在大力发展的新能源汽车领域,IGBT是必不可少的如果都掌握在别人手里,那就会对发展造成影响

我们先从什么是IGBT说起。

所谓IGBT(绝缘栅双极型)是由 BJT(双极结型晶体三极管) 和 MOS(绝缘栅型场效应管) 组成的复合全控型-电压驱动式-功率半导体器件,其具有自关断的特征。

简单讲是一个非通即断的开关,IGBT没有放大电压的功能导通时可以看做导线,断开时当做开路IGBT融匼了BJT和的两种器件的优点,如驱动功率小和饱和压降低等

而平时我们在实际中使用的IGBT模块是由IGBT与FWD(续流芯片)通过特定的电路桥接封装洏成的模块化半导体产品,具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点

为什么要重视IGBT?

IGBT是能源转换与传输的核心器件是电力电子装置嘚“” 。采用IGBT进行功率变换能够提高用电效率和质量,具有高效节能和绿色环保的特点是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。

IGBT各代之间的技术差异

要了解这个我们先看一下IGBT的发展历程。

工程师在实际应用中发现需要一种新功率器件能同时满足:驱动电蕗简单,以降低成本与开关功耗;通态压降较低,以减小器件自身的功耗

回顾他们在1950-60年代发明的双极型器件SCR,GTR和GTO通态电阻很小;控制,控制電路复杂且功耗大;1970年代推出的单极型器件VD-MOSFET通态电阻很大;电压控制控制电路简单且功耗小;因此到了1980年代,他们试图把MOS与BJT技术集成起來的研究导致了IGBT的发明。 1985年前后美国GE成功试制工业样品(可惜后来放弃)自此以后, IGBT主要经历了6代技术及工艺改进

而经过这么多年嘚发展,我们清楚明白到从结构上看,IGBT主要有三个发展方向分别是IGBT纵向结构、IGBT栅极结构和IGBT硅片加工工艺。而在这三个方面的改良过程Φ厂商聚焦在降低损耗和降低生产成本两个方面。

在一代代工程师的努力下IGBT芯片在六代的演变过程中,经历了以下变化:

而前面我们巳经提到开发者一般在实际设计中都是使用IGBT模块应用到实际产品中,所以我们简略对这个介绍一下

IGBT模块按封装工艺来看主要可分为焊接式与压接式两类。高压IGBT模块一般以标准焊接式封装为主中低压IGBT模块则出现了很多新技术,如烧结取代焊接压力接触取代引线键合的壓接式封装工艺。

随着IGBT芯片技术的不断发展芯片的最高工作结温与功率密度不断提高, IGBT模块技术也要与之相适应未来IGBT模块技术将围绕 芯片背面焊接固定 与 正面电极互连 两方面改进。模块技术发展趋势:无焊接、 无引线键合及无衬板/基板封装技术;内部集成、电流及驱动電路等功能元件不断提高IGBT模块的功率密度、集成度及智能度。

国内IGBT与国外的差距

先说一下IGBT的全球发展状态从市场竞争格局来看,美国功率器件处于世界领先地位拥有一批具有全球影响力的厂商,例如 、、NS、、IR、Maxim、、ONSemiconductor、AOS 和 等厂商欧洲拥有 Infineon、ST 和 三家全球半导体大厂,产品线齐全无论是功率 IC 还是功率分离器件都具有领先实力。

从整体市场份额来看日本厂商落后于美国厂商。近年来中国台湾的功率芯爿市场发展较快,拥有立锜、富鼎先进、茂达、安茂、致新和沛亨等一批厂商台湾厂商主要偏重于 领域,主要产品包括、PWMIC(Pulse Wh Modulation IC脉宽调制集荿电路)和功率MOSFET,从事前两种 IC 产品开发的公司居多

总体来看,台湾功率厂商的发展较快技术方面和国际领先厂商的差距进一步缩小,产品主要应用于计算机主板、显卡、数码产品和 LCD 等设备

而中国大陆功率半导体市场占世界市场的50%以上但在中高端MOSFET及IGBT主流器件市场上,90%主偠依赖进口基本被国外欧美、日本企业垄断。

2015年国际IGBT市场规模约为48亿美元预计到2020年市场规模可以达到80亿美元,年复合增长率约10%

-M0处理器上单独运行。此架构可改善整体系统...

TRF7960A器件是集成式模拟前端(AFE)和多协议数据成器器件适用于13.56MHz RFID读/写器系统,支持ISO /IEC 14443 A和BSony FeliCa以及ISO /IEC 15693.该器件具有內置的编程选项,因此适合于广泛的接近和附近识别系统应用 通过在控制寄存器内选择所需的协议可对此读取器进行配置。到所有控制寄存器的直接存取可根据需要对不同的读取器参数进行微调 TRF7960A器件针对所有符合板载ISO协议的成和同步任务,支持高达848kbps的数据速率此器件還支持NFC论坛标签类型1,2,3,4和5的读/写器模式。为了支持NFC论坛标签类型2,3,4和5该器件允许在直接模式2下使用内置协议解码器.NFC论坛标签类型1要求使用直接模式0.其它标准和自定义协议也可通过使用直接模式0来实现。直接模式0可让用户完全控制AFE并且还可以访问原始子载波数据或者未成而但巳经是ISO格式的数据和相关(提取的)时钟信号。 接收器系统具有双输入接收器架构可最大程度实现通信稳定。这些接收器还包括多种自動和手动增益控制选项在RSSI寄存器中可获取从应答器,周围信号源或者内部电平接收到的信号强度 可使用SPI或并行接口进行MC...

在使用单电源嘚信号调理应用中,需要一个等于电源电压一半的参考电压来终止所有模拟信号接地 TI提供精密虚拟接地,其输出电压始终等于TLE2426分压器输叺电压的一半 高性能微功率运算放大器和精密调节分压器的独特组合单个硅芯片导致精确的V O /V I 比为0.5,同时下沉和输出电流 TLE2426提供具有20 mA灌电鋶和源极功能??的低阻抗输出,同时在4 V至40 V的整个输入范围内提供低于280μA的电源电流设计人员无需为电路板空间付出代价传统的信号接哋,包括电阻电容,运算放大器和电压基准为提高性能,8引脚封装提供降噪引脚通过增加一个外部电容(C NR ),可以降低峰峰值噪声同时改善线路纹波抑制。 单个5-的初始输出容差在整个40 V输入范围内V或12 V系统优于1%。纹波抑制超过12位精度无论应用是用于数据采集前端,模拟信号终端还是简单的精密电压基准TLE2426都消除了系统误差的主要来源。 特性 受控基线 一个装配/测试现场一个制造现场 -55°C至125°C的扩展溫度性能 增强的减少制造资源(DMS)支持 增强产品更改通知 资格认证谱系(1) 模拟系统的半个V I 虚拟接地 微功率运行。 。 170μ...

TVP5150AM1器件是超低功耗NTSC /PAL /SECAM視频解码器 TVP5150AM1解码器采用节省空间的32端TQFP封装,可将NTSCPAL和SECAM视频信号转换为8位ITU-R BT.656格式。也可以使用离散同步 TVP5150AM1解码器的优化架构可实现超低功耗。该解码器在典型操作中功耗为115 mW在省电模式下功耗不到1 mW,大大延长了便携式应用的电池寿命解码器仅使用一个晶体来支持所有标准。鈳以使用I 2 C串行接口对TVP5150AM1解码器进行编程解码器的模拟和数字电源采用1.8 V电源,I /O采用3.3 V电源 TVP5150AM1解码器将基带模拟视频转换为数字YCbCr 4:2:2分量视频。支持复合和S-video输入 TVP5150AM1解码器包括一个带2倍采样的9位模数转换器(ADC)。采样是ITU-R BT.601(27.0 MHz由14.31818-MHz晶振或振荡器输入产生)并且是线路锁定的。输出格式可鉯是8位4:2:2或带有嵌入式同步的8位ITU-R BT.656 TVP5150AM1解码器利用德州仪器专利技术锁定弱电,噪声或信号不稳定生成同步锁相/实时控制(RTC)输出,用于哃步下游视频编码器 可以为亮度和色度数据路径...

UC1637是一款脉冲宽度调制器电路,旨在用于需要单向或双向驱动的各种PWM电机驱动和放大器应鼡电路当用于替换传统驱动器时,该电路可以提高效率并降低许多应用的元件成本包括所有必要的电路,以产生模拟误差信号并与誤差信号的幅度和极性成比例地调制两个双向脉冲序列输出。 该单片器件包含一个锯齿波振荡器误差放大器和两个PWM比较器具有±100 mA输出级莋为标准功能。保护电路包括欠压锁定逐脉冲电流限制和具有2.5 V温度补偿阈值的关断端口。 UC1637的特点是在整个空间温度范围内工作 - 55°C至125°C 特性 QML-V合格,SMD 耐辐射:30 kRad(Si)TID ( 1) TID剂量率= 10 mRad /sec 单电源或双电源操作 ±2.5- V至±20V输入电源范围 ±5%初始振荡器精度; ±10%过温 逐脉冲电流限制 欠压锁定 具有溫度补偿2.5 V阈值的关断输入 用于设计灵活性的未提交PWM比较器 双100 mA源/灌电流输出驱动器 (1)辐射公差是基于初始设备认证的典型值可提供辐射批次验收测试 - 有关详细信息,请联系工厂 参数 与其它产品相比 电机驱动器   Peak Output Current (A)

DRV8842-EP可用于打印机,扫描仪以及其它自动化设备应用提供集成电机驅动器解决方案此器件具有一个H桥驱动器,用于驱动一个直流电机一个步进电机线圈或其它负载。输出驱动器块包括配置为一个H桥的N通道功率MOSFET.DRV8842-EP可提供最高5A的峰值电流或3.5A的RMS输出电流(在24 V /25°C且散热正常的条件下) 提供可单独控制H桥每一半的独立输入。 提供用于过流保护短路保护,欠压锁定和过热保护的内部关断功能 DRV8842-EP采用带有PowerPAD的28引脚HTSSOP封装(环保型:符合RoHS标准且不含铅/溴)。要了解所有可用封装请见数據表末尾的可订购产品附录。 特性 单路H桥电流控制电机驱动器 驱动一个直流电机一个步进电机线圈或其它传动器 5位绕组电流控制支持高達32个电流级 低MOSFET导通电阻 24V /25°C下最大驱动电流为5A 内置3.3V基准输出 工业标准的PWM控制接口 8.2V至45V宽工作电源电压范围 散热增强型表面贴装封装 支持国防,航天和医疗应用 受控基线 同一组装和测试场所 同一制造场所 支持军用(-55°C至125°C)温度范围 延长的产品生命周期 延长的产品变...

THS8200是一款完整的視频后端D /A解决方案适用于DVD播放器,个人视频录像机和机顶盒或任何需要转换的系统数字分量视频信号进入模拟域。 THS8200可接受4:4:4和4:2:2格式的各种数字输入格式3×10位,2 ×10位或1×10位接口该设备通过专用的Hsync /Vsync输入或通过从视频流内的嵌入式同步(SAV /EAV)代码中提取同步信息来同步输入的视频数据。或者当配置为生成PC图形输出时,THS8200还提供主时序模式在该模式下,它从外部(存储器)源请求视频数据 THS8200包含一个唍全可编程的显示时序发生器标准和非标准视频格式,最大支持像素时钟为205 MSPS因此,该设备支持所有分量视频和PC图形(VESA)格式包含完全鈳编程的3×3矩阵运算,用于色彩空间转换所有视频格式,高达HDTV 1080I和720P格式也可以在内部进行2倍过采样。过采样放宽了对DAC背后尖锐外部模拟偅建滤波器的需求并改善了视频特性。 输出兼容范围可通过外部调节电阻设置可选择两种设置,以便无需硬件更改即可适应分量视频/PC圖形(700 mV)和复合视频(1.3 V)输出视频数据上的内部可编程限幅/移位/乘法功能可确保符合标准的...

UC1625电机控制器在一个封装内集成了高性能无刷dc電机控制所需的大多数功能。当与外部功率场效应管( MOSFET)或者达灵顿功率管(达林顿)耦合的时候此器件在电压或者电流模式下件执行凅定频率PWM电机控制的同时执行闭环速度控制和具有智能噪音抑制功能的刹车,安全方向反转和交叉传导保护。 虽然额定工作电压范围是10 V臸18VUC1625可借助于外部电平位移组件来控制具有更高电源电压的器件.UC1625含有用于低侧功率器件的快速,高电流推挽驱动器和用于高侧功率器件或鍺电平位移电路的50 V开路集电极输出 UC1625额定军用工作温度范围是-55°C至125°C 。 特性 经QML-V标准认证SMD 耐辐射:40 kRad(Si)TID辐射容 直接驱动功率场效应管(MOSFET)嘚限制基于初始器件鉴定(放射量率= 10 mrad /sec)的典型值。可提供辐射批量接受测试 - 详情请与厂家联系或者达灵顿功率管(Darlington) 50-V开路集电极高层驱動器 锁存软启动 装有理想二极管的高速电流感应放大器 逐脉冲和平均电流感应 过压及欠压保护 用于安全方向反转的方向闩 转速计 修整参考源30 mA 可编程交叉传导保护

DRV8332是一款具有先进保护系统的高性能,集成三相电机驱动器 由于功率MOSFET的低R DS(导通)和智能栅极驱动器设计,这个电機驱动器的效率可高达97%可实现更小电源和散热片的使用,是高能效应用的理想选择 DRV8332需要两个电源,一个为12V用于GVDD和VDD,另外一个可高達50V用于PVDD.DRV8332在高达500kHz PWM开关频率运行时仍可保持高精度和高效率。它还具有一个创新保护系统此系统可在很宽故障条件下保护器件不受损伤。這些保护是短路保护过流保护,欠压保护和两级过热保护.DRV8332有一个限流电路此电路可在诸如电机启动等负载瞬态期间防止器件过流关断。一个可编程过流检测器可实现可调电流限值和保护级别以满足不同的电机需要 DRV8332具有用于每个半桥的独特独立电源和接地引脚,这样可通过外部检测电阻来提供电流测量并且支持具有不同电源电压需求的半桥驱动器。 特性 具有低R DS(导通)金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)(T J = 25°C时为80mΩ)的高效功率驱动器(高达97%) 运行电源电压高达50V (绝对最大值70V) 高达5A持续相电流(峰值7A...

德州仪器(TI)23mm低频(LF)玻璃应答器提供出色性能并可在134.2kHz的共振频率上运行此产品兼容ISO /IEC 全球开放式标准。德州仪器(TI)LF玻璃应答器使用TI获专利的调谐制造工艺生产以提供持续的读取性能送货前,将对此应答器进行全面的功能和参数测试为用户提供他们所期望从TI获得的高质量产品。 特性 由获专利的半雙工(HDX)技术提供的同类产品中最佳性能

德州仪器(TI)动态近场通信(NFC)/射频识别(RFID)接口应答器RF430CL331H是一款NFC标签类型4器件可结合一个非接觸式NFC /RFID接口和一个有线I 2 C接口将器件连接到主机.NDEF消息可通过集成的I 2 C串行通信接口读写,也可通过支持高达848kbps速率的集成ISO /IEC 14443标准类型B RF接口进行非接触式访问或更新 该器件按主机控制器的需求请求响应NFC类型4命令,每次仅在其缓存中存储部分NDEF消息这使得NDEF消息的大小仅受主机控制器的存儲器容量以及规范的限制。 该器件支持读缓存预取和写自动确认功能,可提高数据吞吐量 该器件可利用简单而直观的NFC连接切换来替代載波方式,只需一次点击操作即可完成诸如低功耗(BLE)或Wi- Fi的配对过程或认证过程。 作为一个常见N. FC接口RF430CL331H使得终端设备能够与启用NFC的智能掱机,平板电脑和笔记本电脑这类快速发展的基础设施进行通信 特性 通过直通操作向主机控制器发送数据更新和请求 I 2 C接口允许对内部静態随机存取存储器(SRAM)进行读写操作 预取,缓存和自动应答特性提高数据吞吐量 支持数据流

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