齐纳二极管管 应用题

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半导体二极管及其应用习题
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第三章 二极管及其基本电路习题-PPT(精)
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第三章 二极管及其基本电路习题-PPT(精)
关注微信公众号导读:第1章半导体二极管及其基本电路,本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管,要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过,主要掌握半导体二极管在电路中的应用,教学内容本征半导体,杂质半导体形成半导体基础知识PN结单向导电性伏安特性电容效应结构与类型伏安特性与,1.2.1半导体的基础知识,1.本征半导体,高度提纯、结构完整的半导体单晶体第1章
半导体二极管及其基本电路 1.1 教学内容与要求 本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。教学内容与教学要求如表1.1所示。要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。主要掌握半导体二极管在电路中的应用。 表1.1 第1章教学内容与要求 教学内容 本征半导体,杂质半导体 形成 半导体基础知识 PN结 单向导电性 伏安特性 电容效应 结构与类型 伏安特性与主要参数 半导体二极管 型号与选择 模型 应用(限幅、整流) 稳压二极管(稳压原理与√ 稳压电路) 特殊二极管 发光二极管、光电二极管、变容二极管
条件及稳压电路分熟练掌握
√ √ 教学要求 重点与难点 正确理解
一般了解 √
重点:PN结的单向导电性 难点:PN结的形成 重点:二极管应用电路分析 难点:二极管各模型的特点及选择各种模型的条件 重点:稳压管稳压1.2 内容提要 1.2.1半导体的基础知识 1.本征半导体 高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。 本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差, 2.杂质半导体 (1) N型半导体 本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N型半导体,N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。N型半导体呈电中性。
(2) P型半导体 本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P型半导体。P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。P型半导体呈电中性。 在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。 1.2.2
PN结及其特性 1.PN结的形成 在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半 1 导体,在P型区和N型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN结。PN结是构成其它半导体器件的基础。 2.PN结的单向导电性 PN结具有单向导电性。外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN结几乎截止。 3. PN结的伏安特性 PN结的伏安特性:
I?IS(eUUT?1)
式中,U的参考方向为P区正,N区负,I的参考方向为从P区指向N区;IS在数值上等于反向饱和电流;UT=KT/q,为温度电压当量,在常温下,UT≈26mV。 UU(1) 正向特性
U?0的部分称为正向特性,如满足U??UT,则I?ISeT,PN结的正向电流I随正向电压U按指数规律变化。 (2) 反向特性
U?0的部分称为反向特性,如满足U??UT,则I??IS,反向电流与反向电压的大小基本无关。
(3) 击穿特性
当加到PN结上的反向电压超过一定数值后,反向电流急剧增加,这种现象称为PN结反向击穿,击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。 4. PN结的电容效应 PN结的结电容CJ由势垒电容CB和扩散电容CD组成。CB和CD都很小,只有在信号频率较高时才考虑结电容的作用。当PN结正向偏置时,扩散电容CD起主要作用,当PN结反向偏置时,势垒电容CB起主要作用。 1.2.3
半导体二极管 1. 半导体二极管的结构和类型 半导体二极管是由PN结加上电极引线和管壳组成。 二极管种类很多,按材料来分,有硅管和锗管两种;按结构形式来分,有点接触型、面接触型和硅平面型几种。 2. 半导体二极管的伏安特性 半导体二极管的伏安特性是指二极管两端的电压uD和流过二极管的电流iD之间的关系。它的伏安特性与PN结的伏安特性基本相同,但又有一定的差别。在近似分析时,可采用PN结的伏安特性来描述二极管的伏安特性。 3. 温度对二极管伏安特性的影响 o温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,温度每升高1C,PN结的正向压降约减小(2~2.5)mV。
o二极管的反向特性曲线随温度的升高将向下移动。当温度每升高10C左右时,反向饱和电流将加倍。 4. 半导体二极管的主要参数 二极管的主要参数有:最大整流电流IF ;最高反向工作电压UR;反向电流IR;最高工作频率fM等。由于制造工艺所限,即使同一型号的管子,参数也存在一定的分散性,因此手册上往往给出的是参数的上限值、下限值或范围。 5. 半导体二极管的模型 常用的二极管模型有以下几种:
(1) 理想模型: 理想二极管相当于一个开关。当外加正向电压时,二极管导通,正向压降uD为零,相当于开关闭合;当外加反向电压时,二极管截止,反向电流iR为零,相当于开关断开。 (2) 恒压源模型: 当二极管外加正向电压等于或大于导通电压Uon时,二极管导通,二极管两端电压降为Uon;当外加电压小于Uon时,二极管截止,反向电流为零。 (3) 折线模型: 当二极管外加正向电压大于Uon后其电流iD与电压uD成线性关系,直线斜率为1/rD;当二极管外加正向电压小于Uon时,二极管截止,反向电流为零。 (4) 微变信号模型: 如果在二极管电路中,除直流信号外,还有微变信号,则对微变信号可将二极管等效成一个电阻rd,其值与静态工作点有关,即rd?UT/IDQ。 6.半导体二极管的应用 (1) 限幅:利用二极管的单向导电性将输出信号幅度限定在一定的范围内,亦即当输入电压超过或低于某一参考值后,输出电压将被限制在某一电平(称作限幅电平),且再不随输入电压变化。 (2) 整流:正弦交流电压变换为单向脉动电压。 1.2.3 特殊二极管 1.稳压二极管
(1) 稳压原理 稳压管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。利用PN结的反向击穿特性来实现稳定电压的,正常使用时工作在反向击穿状态。当反向电压达到击穿电压UZ后,流过管子的反向电流会急剧增加,即使通过稳压管的反向电流在较大范围内变化,管子两端的反向击穿电压几乎不变,表现出很好的稳压特性。 (2) 主要参数 稳压管的主要参数有:稳定电压UZ,稳定电流IZ,最大耗散功率PCM和最大工作电流IZmax,动态电阻rz和稳定电压的温度系数α。 (3) 稳压电路 稳压管正常稳压必须满足两个条件:一是必须工作在反向击穿状态(利用正向特性稳压除外);二是流过稳压管的电流要在最小稳定电流IZmin和最大稳定电流IZmax之间。 2. 其它特殊二极管 发光二极管:通以电流时,能发出光来。 光电二极管:将光能转换成电能,它的反向电流与光照强度成正比。 变容二极管:结电容的大小能灵敏地随反向偏压而变化。
3 自测题 1.1
判断下列说法是否正确,用“√”和“?”表示判断结果填入空内 1. 半导体中的空穴是带正电的离子。(
) 2. 温度升高后,本征半导体内自由电子和空穴数目都增多,且增量相等。(
) 3. 因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电。(
) 4. 在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。(
) 5. PN结的单向导电性只有在外加电压时才能体现出来。(
选择填空 1. N型半导体中多数载流子是
;P型半导体中多数载流子是
A.自由电子
B.空穴 2. N型半导体
;P型半导体
C.呈电中性 3. 在掺杂半导体中,多子的浓度主要取决于
,而少子的浓度则受
的影响很大。
B.掺杂浓度
C.掺杂工艺
D.晶体缺陷 4. PN结中扩散电流方向是
;漂移电流方向是
A.从P区到N区
B.从N区到P区 5. 当PN结未加外部电压时,扩散电流
飘移电流。
C.等于 6. 当PN结外加正向电压时,扩散电流
漂移电流,耗尽层
;当PN结外加反向电压时,扩散电流
漂移电流,耗尽层
F.不变 7. 二极管的正向电阻
,反向电阻
B.小 8. 当温度升高时,二极管的正向电压
,反向电流
C.基本不变 9. 稳压管的稳压区是其工作在
A.正向导通
B.反向截止
C.反向击穿
有A、B、C三个二极管,测得它们的反向电流分别是2?A、0.5?A、5?A;在外加相同的正向电压时,电流分别为10mA、 30mA、15mA。比较而言,哪个管子的性能最好? 1.4
试求图T1.4所示各电路的输出电压值UO,设二极管的性能理想。 VD +5V3kΩUO? 5V3kΩ+VDUO7V? VD5V3kΩ1V +UO?
4 VD1VD2+VD1VD2+ +3kΩUO9V5V?3kΩUOVD2kΩ10V6V?.7V3kΩ5VUO_
(f) 图T1.4
在图T1.5所示电路中,已知输入电压ui=5sin?t(V),设二极管的导通电压Uon=0.7V。分别画出它们的输出电压波形和传输特性曲线uo=f(ui)。 VD+ui?+?UVD3kΩ+uo?+ui?3kΩ+VD+uo?+ui?3kΩ+?VD1VD2+uo?UVD?UVD1?UVD2+ (a)
(c) 图T1.5 1.6
有两个硅稳压管,VDZ1、VDZ2的稳定电压分别为6V和8V,正向导通电压为0.7V,稳定电流是5mA。求图T1.6各个电路的输出电压UO。 2kΩ +VDz120VVDz2? UO20VVDz2? VDz1UO20VVDz2+VDz1UO? 2kΩ +2kΩ
(c) 2kΩ +VDz120VVDz2UO? 20VVDz1VDz2UO? 20V+VDz1VDz2UO? 2kΩ +2kΩ
(f) 图T1.6 1.7 已知稳压管的稳定电压UZ=6V,最小稳定电流IZmin=5mA,最大功耗PZM=150mW。 试求图T1.7所示电路中限流电阻R的取值范围。 1.8
稳压管稳压电路如图T1.8所示,稳压管的稳定电压UZ=8V,动态电阻rz可以忽略,UI=20V。试求:⑴ UO、IO、I及IZ的值。 ⑵ 当UI降低为15V时的UO、IO、I及IZ的值。 IRR+UI=15V_VDZ+UO_R2kΩIZIO+RL2kΩUO_+UI_VDZ
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二极管练习题
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《二极管及其应用》
1、本征半导体又叫(
A、普通半导体
B、P型半导体
C、掺杂半导体
D、纯净半导体
2、锗二极管的死区电压为(
3、如下图所示的四只硅二极管处于导通的是(
4、变压器中心抽头式全波整流电路中,每只二极管承受的最高反向电压为(
5、在有电容滤波的单相半波整流电路中,若要使输出的直流电压平均值为60V,则变压器的次级低电压应为(
6、在下图所示电路中,正确的稳压电路为(
7、电路如图7所示,三个二极管的正向压降均可忽略不计,三个白炽灯规格也一样,则最亮的白炽灯是(
8、图8所示电路,二极管导通电压均为0.7V,当V1=10V,V 2=5V时,
(1)判断二极管通断情况(
A.VD1导通、VD2截止
B.VD1截止、VD2 导通
C.VD1、VD2均导通
D.VD1、VD2均截
(2)输出电压VO为(
9.分析图9所示电路,完成以下各题
(1)变压器二次电压有效值为10 V,则V1为(
(2)若电容C脱焊,则V1为(
(3)若二极管VD1接反,则(
A.VD1、VD2或变压器烧坏
B.变为半波整流
C.输出电压极性反转,C被反向击穿
D.稳压二极管过流而损坏
(4)若电阻R短路,则(
A.VO将升高
B.变为半波整流
C.电容C因过压而击穿
D.稳压二极管过流而损坏
)1、本征半导体中没有载流子。
)2、二极管的反向电流越大说明二极管的质量越好。
)4、RCπ型滤波器的特点是:滤波效果好,有直流损耗,带负载能力差。
)5、使用发光二极管时,要加正向电压;使用光敏和稳压二极管时要加反向电压。
)6、在单相半波整流电容滤波电路中,输出电压平均值ū= U2
)7、二极管和三极管都属于非线性器件。
)8、点接触型二极管适用于整流电路。
)9普通二极管的正向伏安特性也具有稳压作用。
)10、N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。
1、导电能力介于
之间的物体称为半导体。
2、在N型半导体中
为多数载流子,
为少数载流子。
3、从半导体二极管内部的PN结的
区引出的电极叫二极管的正极,从
区引出的电极叫二极管的负极。给二极管正极加高电位,负极加低电位时,叫给二极管加
偏电压。给二极管正极加低电位,负极加高电位时,叫给二极管加
4、当加在硅二极管上的正向电压超过
伏时,二极管进入
5、二极管以PN结面积大小分类可分为
面接触型。
6、利用二极管的
电的电路叫整流电路。
7、常用二极管以材料分类,可分为
二极管;以PN结面积大小分类,又可分为
的电路叫整流电路,采用二极管做整流元件是因为二极管具有
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