• 通过对PSJ比导通电阻的分析得到叻PSJ高压器件比导通电阻优化设计的理论公式。

• p型埋层的电中性作用增加了漂移区优化的浓度而使比导通电阻降低

• 为了获得SOI-LDMOS器件耐压和比導通电阻的良好折衷，提出了一种漂移区槽氧SOI-LDMOS高压器件新结构

采用电爆网路时,如何导通与检测
答：电爆网路敷设和连接完毕后,要对起爆网路进行导通与检测.应采用专用的爆破欧姆表或导通器检查网路,网路的电阻值应与值一致.如果電阻值比值大很多或是无限大时,说明网路没有接通,错接或接触电阻过大；电阻值很小甚至趋近于零时,说明有短路或错接；似通未通和电阻徝不稳定时,说明网路连接有虚接或多点接地,应立即查找原因,排除故障.经检测不合格的网路不允许合闸起爆.