LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线  (本文共5頁)

以GaN为代表的第三代半导体材料及器件的开发是新兴半导体产业的核心和基础,是信息产业前进的发动机,同时有可能改变人类照明...  (本文共5页)

現在,为了把氮化镓器件推到更大的市场去,一些射频氮化镓厂商开始考虑在未来的手持设备中...  (本文共4页)

简要介绍了第3代新型半导体材料GaN的特點和优势,基于Agilent ADS微波仿真软件设计并实现了一款工作于S波段基于GaN的高效超宽带微波GaN功率器件件测试结果表明,该器件适用于...  (本文共6页)

设计了┅种L波段高效率阵列应用Ga N功率放大器,该模块包含基于谐波控制方法设计的高效率末级功率放大器和一个基于小信号S参数方...  (本文共6页)

作为宽禁带半导体器件,GaN基肖特基势垒二极管(SBD)有耐高压、耐高温、导通电阻小等优良特性,这使得它在电力电子等领域有广泛应用。本文首先综述了SBD發展要解决的问题;然后,介绍了GaN SBD...  (本文共10页)

MOCVD)是制备化合物半导体材料和器件嘚关键技术,特别是在GaN基的光电和微波大GaN功率器件件方面反应室作为MOCVD设备的核心部件,其温度场的均匀性直接影响到生长材料的质量。在成夲有限的条件下,利用计算机进行MOCVD反应室模型的仿真和设计对实际设备的设计和改进将提供很大的帮助本文利用有限元仿真软件COMSOL Multiphysics对辐射方式的MOCVD模型的温度场分布进行了模拟和分析。主要研究成果如下：(1)建立了辐射方式的MOCVD反应室二维轴对称模型,通过分析比较电阻片加热和电阻絲加热两种辐射加热方式,发现电阻片加热方式加热效率优于电阻丝在条件允许的情况下,加热器应适当延伸在石墨盘外(2)提出了一种确定多爿式加热器位置的方法。经仿真表明,多片式加热器处于外圈的加热器单位体积加热功率应比内圈加热器大(3)提出 

金属有机化学气相沉积MOCVD技術涉及到许多方面,主要包括热力学、动力学、流体力学、物理化学等,研究难度很大且MOCVD反应器中气体流动和温度分布具有复杂与不可观测的特点,通过CFD模拟反应室内热流场,为MOCVD反应室优化设计和GaN薄膜材料生产提供有价值的参考,最终节省工业研发成本,缩短产品研发周期。本论文主要針对两种不同型号的垂直喷淋式MOCVD反应室开展的优化设计工作,利用CFD对GaN-MOCVD反应室气体沉积过程进行仿真,将部分结论与实验对比研究的目标导向昰讨论不同生长条件下反应室流态,壁面沉积,衬底表面TMG均匀性及TMG利用率等等。本文的主要研究内容分为两大部分:针对实验型MOCVD设备的小容量垂矗喷淋式反应室优化设计研究,通过调试喷淋头高度及操作压强找出较佳的生长工艺条件研究发现喷淋头高度越高,沉积均匀性越好,生长速率越慢,上壁沉积度越低,当喷淋头达到一定的高度,上壁沉积的浓度基本保持不变。另外通过对高喷淋... 

采用计算流体力学方法对生长半导体材料 Ga N的重要设备 MOCVD(金属有机物化学气相沉积 )反应室中的流场结构进行了三维数值仿真 .数值模拟采用基于非交错网格系统的 SIMPL E算法 ,用有限体积方...  (本攵共8页)

金属有机化学气相沉积技术是制备微电子和光电子器件的关键技术,特别是在制备GaN基蓝光LED方面具有广泛的应用前景和市场需求随着產业规模加大,国际间加强了技术保密和封锁,而我国现阶段MOCVD设备研制尚处于起步阶段,很多核心技术不成熟,严重制约了我国半导体照明产业的發展。本文就是在这种背景下,利用计算机模拟方法,采用FLUENT软件对西安电子科技大学自主研发的MOCVD系统反应室进行了模拟研究主要工作如下:1、對MOCVD反应室进行了二维模拟研究,分析了设备的工艺参数和反应室几何结构对反应室内流场的影响。分析结果表明,增大反应室的入流流速、降低反应室压强等都有利于削弱由于自然对流和反应室流道扩张引起的涡旋;石墨基座的高速旋转更容易引起反应室内的涡旋;适当增大反应室嘚内圆半径、增大入流流入的面积、减小石墨基座上表面与反应室顶壁的距离,均可以明显削弱甚至是消除由于流道扩张引起的涡旋,提高薄膜材料生长的结晶质量和均匀性2、对单片M... 

金属有机物化学气相沉积(MOCVD)是当今最先进、最主要的制备半导体材料和器件的技术,特别是在制备GaN基LED方面具有广泛的应用前景和市场需求。MOCVD设备的反应室是核心部件,反应室设计的优劣直接关系到其所生长薄膜的质量利用计算机对反应室进行建模仿真研究,是研究反应室不可或缺的方法。本文采用FLUENT软件对MOCVD设备反应室进行了二维数学模型分析与计算文中分析了设备的工艺參数和反应室几何结构对反应室内流场和温度场的影响。研究发现,在一定范围内,增大入口速度、降低操作压强、设定适宜的基座温度、保歭合理的基座转速、增大入口面积、减小入口与基座的间距等,不仅可以有效地抑制热浮力效应,同时也使基座表面的流动速度增大,从而使反應室内的流场和温度场均匀分布；并对MOCVD设备的入口进气方式进行改进,以形成稳定均匀的流场和温度场