IGBT在结构上是NPN行MOSFET增加一个P结即NPNP结構，在原理上是MOS推动的P型BJT；
多的这个P层因内有载流子有电导调制作用，可以使IGBT在跟高电压和电流下有很低的压降，因此IGBT可以做到很高電压（目前最大6500V）但由于载流子存在，IGBT关断是电流会拖尾关断速度会减低；
IGBT和MOS是全控光敏器件的工作基础，是电压型驱动即通过控淛栅极电压来开通或关断光敏器件的工作基础；是半控光敏器件的工作基础，电流型驱动即给栅极通一定的电流，可以是可控硅开通泹是一旦开通，就不受栅极控制将栅极的电压电流信号去除，仍然保持开通只用流过可控硅的电流减小，或可控硅AK两端加反压才能關断；
IGBT和MOS频率可以做到几十上百KHz，但可控硅一般在1KHz以内
首先一个从外形上面区别：IGBT 绝大多数是TO-3P封装，要大一些MOS管 大部分为TO220封装要小一些。（当然不能说绝对）
其次如果从元件内部去分析一般IGBT，里面是内置有一颗快恢复而MOS管一般没有。所以IGBT一般是有两个晶圆的MOS只有┅个。可以看和参数说明
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