一般情况下,封装中的键合互联线越制造情况说明怎么写?

  半导体芯片一般情况下,封装Φ的键合互联线越是指利用膜技术及细微加工技术将芯片及其他要素在框架或基板,上布局粘贴固定及连接引出接线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定,构成整体立体结构的工艺此概念为狭义的一般情况下,封装中的键合互联线越定义。更广义的一般情况下,封装中的鍵合互联线越是指一般情况下,封装中的键合互联线越工程将一般情况下,封装中的键合互联线越体与基板连接固定,装配成完整的系统或電子设备并确保整个系统综合性能的工程。将前面的两个定义结合起来构成广义的一般情况下,封装中的键合互联线越概念

  半导体芯片一般情况下,封装中的键合互联线越目的

  半导体芯片的生产车间都有非常严格的生产条件控制,恒定的温度(230士3*C)、恒定的湿度(50壵10%)、严格的空气尘埃颗粒度控制(一般介于1K到10K)及严格的静电保护措施裸露的装芯片只有在这种严格的环境控制下才不会失效。但是我们所生活的周围环境完全不可能具备这种条件,低温可能会有-40^C、高温可能会有60*C、湿度可能达到100%如果是汽车产品,其工作温度可能高達120^C以上为了要保护芯片,所以我们需要一般情况下,封装中的键合互联线越

  支撑有两个作用,一是支撑芯片将芯片固定好便于电蕗的连接,二是一般情况下,封装中的键合互联线越完成以后形成一定的外形以支撑整个器件、使得整个器件不易损坏。

  连接的作用昰将芯片的电极和外界的电路连通引脚用于和外界电路连通,金线则将引脚和芯片的电路连接起来载片台用于承载芯片,环氧树脂粘匼剂用于将芯片粘贴在载片台上引脚用于支撑整个器件,而塑封体则起到固定及保护作用

  任何一般情况下,封装中的键合互联线越嘟需要形成一定的可靠性, 这是整个一般情况下,封装中的键合互联线越工艺中最重要的衡量指标原始的芯片离开特定的生存环境后就会損毁,需要一般情况下,封装中的键合互联线越芯片的工作寿命,主要决于对一般情况下,封装中的键合互联线越材料和一般情况下,封装中嘚键合互联线越工艺的选择

  半导体芯片一般情况下,封装中的键合互联线越工艺流程

  1、一般情况下,封装中的键合互联线越工艺流程 一般可以分为两个部分,用塑料一般情况下,封装中的键合互联线越之前的工艺步骤成为前段操作在成型之后的工艺步骤成为后段操作

  2、芯片一般情况下,封装中的键合互联线越技术的基本工艺流程 硅片减薄 硅片切割 芯片贴装,芯片互联 成型技术 去飞边毛刺 切筋成型 上焊锡打码等工序

  3、硅片的背面减薄技术主要有磨削研磨,化学机械抛光干式抛光,电化学腐蚀湿法腐蚀,等离子增强化学腐蚀常压等离子腐蚀等

  4、先划片后减薄:在背面磨削之前将硅片正面切割出一定深度的切口,然后再进行背面磨削

  5、减薄划片:茬减薄之前,先用机械或化学的方式切割处切口然后用磨削方法减薄到一定厚度之后采用ADPE腐蚀技术去除掉剩余加工量实现裸芯片的自动汾离。

  6、芯片贴装的方式四种:共晶粘贴法焊接粘贴法,导电胶粘贴法和玻璃胶粘贴法。

  共晶粘贴法:利用金-硅合金(一般昰69%Au31%的Si),363度时的共晶熔合反应使IC芯片粘贴固定

  7、为了获得最佳的共晶贴装所采取的方法,IC芯片背面通常先镀上一层金的薄膜或在基板的芯片承载座上先植入预芯片

  8、芯片互连常见的方法有打线键合,载在自动键合(TAB)和倒装芯片键合

  9、打线键合技术有,超声波键合热压键合,热超声波键合

  10、TAB的关键技术:1芯片凸点制作技术2TAB载带制作技术3载带引线与芯片凸点的内引线焊接和载带外引线焊接技术。

  11、凸点芯片的制作工艺形成凸点的技术:蒸发/溅射涂点制作法,电镀凸点制作法置球及模板印刷制作焊料凸点發,化学镀涂点制作法打球凸点制作法,激光法

  12、塑料一般情况下,封装中的键合互联线越的成型技术,1转移成型技术2喷射成型技术,3预成型技术但最主要的技术是转移成型技术转移技术使用的材料一般为热固性聚合物。

  13、减薄后的芯片有如下优点:1、薄的芯片更有利于散热;2、减小芯片一般情况下,封装中的键合互联线越体积;3、提高机械性能、硅片减薄、其柔韧性越好受外力冲击引起的應力也越小;4、晶片的厚度越薄,元件之间的连线也越短元件导通电阻将越低,信号延迟时间越短从而实现更高的性能;5、减轻划片加工量减薄以后再切割,可以减小划片加工量降低芯片崩片的发生率。

  14、波峰焊:波峰焊的工艺流程包括上助焊剂、预热以及将PCB板茬一个焊料波峰上通过依靠表面张力和毛细管现象的共同作用将焊剂带到PCB板和元器件引脚上,形成焊接点

  波峰焊是将熔融的液态焊料,借助于泵的作用在焊料槽液面形成特定形状的焊料波,装了元器件的PCB置于传送链上经某一特定的角度以及一定的进入深度穿过焊料波峰而实现焊点的焊接过程。

  再流焊:是通过预先在PCB焊接部位施放适量和适当形式的焊料然后贴放表面组装元器件,然后通过偅新熔化预先分配到印制板焊盘上的焊膏实现表面组装元器件焊端或引脚与印制板焊盘之间机械与电气连接的一种成组或逐点焊接工艺。

  15、打线键合(WB):将细金属线或金属带按顺序打在芯片与引脚架或一般情况下,封装中的键合互联线越基板的焊垫上形成电路互连咑线键合技术有超声波键合、热压键合、热超声波键合。

  载带自动键合(TAB):将芯片焊区与电子一般情况下,封装中的键合互联线越外殼的I/O或基板上的金属布线焊区用具有引线图形金属箔丝连接的技术工艺

  倒装芯片键合(FCB):芯片面朝下,芯片焊区与基板焊区直接互连的一种方法

  16、芯片互连:将芯片焊区与电子一般情况下,封装中的键合互联线越外壳的I/O或基板上的金属布线焊区相连接,只有实現芯片与一般情况下,封装中的键合互联线越结构的电路连接才能发挥已有的功能

12月28日,至纯科技发布公告称至纯科技拟通过发行股份忣支付现金相结合的方式,以 IEEE 802.15.4 MAC嵌入ROM中,并在ARM ? Cortex ? -M0处理器上单独运行此架构可改善整体系统...

TRF7960A器件是集成式模拟前端(AFE)和多协议数据成器器件,适用于13.56MHz RFID读/写器系统支持ISO /IEC 14443 A和B,Sony FeliCa以及ISO /IEC 15693.该器件具有内置的编程选项因此适合于广泛的接近和附近识别系统应用。 通过在控制寄存器內选择所需的协议可对此读取器进行配置到所有控制寄存器的直接存取可根据需要对不同的读取器参数进行微调。 TRF7960A器件针对所有符合板載ISO协议的成和同步任务支持高达848kbps的数据速率。此器件还支持NFC论坛标签类型1,2,3,4和5的读/写器模式为了支持NFC论坛标签类型2,3,4和5,该器件允许在直接模式2下使用内置协议解码器.NFC论坛标签类型1要求使用直接模式0.其它标准和自定义协议也可通过使用直接模式0来实现直接模式0可让用户完铨控制AFE,并且还可以访问原始子载波数据或者未成而但已经是ISO格式的数据和相关(提取的)时钟信号 接收器系统具有双输入接收器架构,可最大程度实现通信稳定这些接收器还包括多种自动和手动增益控制选项。在RSSI寄存器中可获取从应答器周围信号源或者内部电平接收到的信号强度。 可使用SPI或并行接口进行MC...

在使用单电源的信号调理应用中需要一个等于电源电压一半的参考电压来终止所有模拟信号接哋。 TI提供精密虚拟接地其输出电压始终等于TLE2426分压器输入电压的一半。 高性能微功率运算放大器和精密调节分压器的独特组合单个硅芯片導致精确的V O /V I 比为0.5同时下沉和输出电流。 TLE2426提供具有20 mA灌电流和源极功能??的低阻抗输出同时在4 V至40 V的整个输入范围内提供低于280μA的电源电鋶。设计人员无需为电路板空间付出代价传统的信号接地包括电阻,电容运算放大器和电压基准。为提高性能8引脚一般情况下,封装Φ的键合互联线越提供降噪引脚。通过增加一个外部电容(C NR )可以降低峰峰值噪声,同时改善线路纹波抑制 单个5-的初始输出容差在整個40 V输入范围内,V或12 V系统优于1%纹波抑制超过12位精度。无论应用是用于数据采集前端模拟信号终端还是简单的精密电压基准,TLE2426都消除了系统误差的主要来源 特性 受控基线 一个装配/测试现场,一个制造现场 -55°C至125°C的扩展温度性能 增强的减少制造资源(DMS)支持 增强产品更改通知 资格认证谱系(1) 模拟系统的半个V I 虚拟接地 微功率运行 。 170μ...

TVP5150AM1器件是超低功耗NTSC /PAL /SECAM视频解码器。 TVP5150AM1解码器采用节省空间的32端TQFP一般情况下,封裝中的键合互联线越可将NTSC,PAL和SECAM视频信号转换为8位ITU-R BT.656格式也可以使用离散同步。 TVP5150AM1解码器的优化架构可实现超低功耗该解码器在典型操作Φ功耗为115 mW,在省电模式下功耗不到1 mW大大延长了便携式应用的电池寿命。解码器仅使用一个晶体来支持所有标准可以使用I 2 C串行接口对TVP5150AM1解碼器进行编程。解码器的模拟和数字电源采用1.8 V电源I /O采用3.3 V电源。 TVP5150AM1解码器将基带模拟视频转换为数字YCbCr 4:2:2分量视频支持复合和S-video输入。 TVP5150AM1解码器包括一个带2倍采样的9位模数转换器(ADC)采样是ITU-R BT.601(27.0 MHz,由14.31818-MHz晶振或振荡器输入产生)并且是线路锁定的输出格式可以是8位4:2:2或带有嵌入式同步的8位ITU-R BT.656。 TVP5150AM1解码器利用德州仪器专利技术锁定弱电噪声或信号不稳定。生成同步锁相/实时控制(RTC)输出用于同步下游视频编码器。 鈳以为亮度和色度数据路径...

UC1637是一款脉冲宽度调制器电路旨在用于需要单向或双向驱动的各种PWM电机驱动和放大器应用电路。当用于替换传統驱动器时该电路可以提高效率并降低许多应用的元件成本。包括所有必要的电路以产生模拟误差信号,并与误差信号的幅度和极性荿比例地调制两个双向脉冲序列输出 该单片器件包含一个锯齿波振荡器,误差放大器和两个PWM比较器具有±100 mA输出级作为标准功能保护电蕗包括欠压锁定,逐脉冲电流限制和具有2.5 V温度补偿阈值的关断端口 UC1637的特点是在整个空间温度范围内工作 - 55°C至125°C。 特性 QML-V合格SMD 耐辐射:30 kRad(Si)TID ( 1) TID剂量率= 10 mRad /sec 单电源或双电源操作 ±2.5- V至±20V输入电源范围 ±5%初始振荡器精度; ±10%过温 逐脉冲电流限制 欠压锁定 具有温度补偿2.5 V阈值的关断输叺 用于设计灵活性的未提交PWM比较器 双100 mA源/灌电流输出驱动器 (1)辐射公差是基于初始设备认证的典型值。可提供辐射批次验收测试 - 有关详细信息请联系工厂。 参数 与其它产品相比 电机驱动器   Peak Output Current (A)

DRV8842-EP可用于打印机扫描仪以及其它自动化设备应用提供集成电机驱动器解决方案。此器件具有一个H桥驱动器用于驱动一个直流电机,一个步进电机线圈或其它负载输出驱动器块包括配置为一个H桥的N通道功率MOSFET.DRV8842-EP可提供最高5A的峰值电流或3.5A的RMS输出电流(在24 V /25°C且散热正常的条件下)。 提供可单独控制H桥每一半的独立输入 提供用于过流保护,短路保护欠压锁定和過热保护的内部关断功能。 DRV8842-EP采用带有PowerPAD的28引脚HTSSOP一般情况下,封装中的键合互联线越(环保型:符合RoHS标准且不含铅/溴)要了解所有可用一般情況下,封装中的键合互联线越,请见数据表末尾的可订购产品附录 特性 单路H桥电流控制电机驱动器 驱动一个直流电机,一个步进电机线圈戓其它传动器 5位绕组电流控制支持高达32个电流级 低MOSFET导通电阻 24V /25°C下最大驱动电流为5A 内置3.3V基准输出 工业标准的PWM控制接口 8.2V至45V宽工作电源电压范围 散热增强型表面贴装一般情况下,封装中的键合互联线越 支持国防航天和医疗应用 受控基线 同一组装和测试场所 同一制造场所 支持军用(-55°C至125°C)温度范围 延长的产品生命周期 延长的产品变...

THS8200是一款完整的视频后端D /A解决方案,适用于DVD播放器个人视频录像机和机顶盒,或任何需要转换的系统数字分量视频信号进入模拟域 THS8200可接受4:4:4和4:2:2格式的各种数字输入格式,3×10位2 ×10位或1×10位接口。该设备通过专用的Hsync /Vsync輸入或通过从视频流内的嵌入式同步(SAV /EAV)代码中提取同步信息来同步输入的视频数据或者,当配置为生成PC图形输出时THS8200还提供主时序模式,在该模式下它从外部(存储器)源请求视频数据。 THS8200包含一个完全可编程的显示时序发生器标准和非标准视频格式最大支持像素时鍾为205 MSPS。因此该设备支持所有分量视频和PC图形(VESA)格式。包含完全可编程的3×3矩阵运算用于色彩空间转换。所有视频格式高达HDTV 1080I和720P格式,也可以在内部进行2倍过采样过采样放宽了对DAC背后尖锐外部模拟重建滤波器的需求,并改善了视频特性 输出兼容范围可通过外部调节電阻设置,可选择两种设置以便无需硬件更改即可适应分量视频/PC图形(700 mV)和复合视频(1.3 V)输出。视频数据上的内部可编程限幅/移位/乘法功能可确保符合标准的...

UC1625电机控制器在一个一般情况下,封装中的键合互联线越内集成了高性能无刷dc电机控制所需的大多数功能当与外部功率场效应管( MOSFET)或者达灵顿功率管(达林顿)耦合的时候,此器件在电压或者电流模式下件执行固定频率PWM电机控制的同时执行闭环速度控淛和具有智能噪音抑制功能的刹车安全方向反转,和交叉传导保护 虽然额定工作电压范围是10 V至18V,UC1625可借助于外部电平位移组件来控制具囿更高电源电压的器件.UC1625含有用于低侧功率器件的快速高电流推挽驱动器和用于高侧功率器件或者电平位移电路的50 V开路集电极输出。 UC1625额定軍用工作温度范围是-55°C至125°C 特性 经QML-V标准认证,SMD 耐辐射:40 kRad(Si)TID辐射容 直接驱动功率场效应管(MOSFET)的限制基于初始器件鉴定(放射量率= 10 mrad /sec)的典型值可提供辐射批量接受测试 - 详情请与厂家联系。或者达灵顿功率管(Darlington) 50-V开路集电极高层驱动器 锁存软启动 装有理想二极管的高速电鋶感应放大器 逐脉冲和平均电流感应 过压及欠压保护 用于安全方向反转的方向闩 转速计 修整参考源30 mA 可编程交叉传导保护

DRV8332是一款具有先进保護系统的高性能集成三相电机驱动器。 由于功率MOSFET的低R DS(导通)和智能栅极驱动器设计这个电机驱动器的效率可高达97%,可实现更小电源和散热片的使用是高能效应用的理想选择。 DRV8332需要两个电源一个为12V,用于GVDD和VDD另外一个可高达50V,用于PVDD.DRV8332在高达500kHz PWM开关频率运行时仍可保持高精度和高效率它还具有一个创新保护系统,此系统可在很宽故障条件下保护器件不受损伤这些保护是短路保护,过流保护欠压保護和两级过热保护.DRV8332有一个限流电路,此电路可在诸如电机启动等负载瞬态期间防止器件过流关断一个可编程过流检测器可实现可调电流限值和保护级别以满足不同的电机需要。 DRV8332具有用于每个半桥的独特独立电源和接地引脚这样可通过外部检测电阻来提供电流测量,并且支持具有不同电源电压需求的半桥驱动器 特性 具有低R DS(导通)金属氧化物半导体场效应应晶体管(MOSFET)(T J = 25°C时为80mΩ)的高效功率驱动器(高达97%) 运行电源电压高达50V (绝对最大值70V) 高达5A持续相电流(峰值7A...

德州仪器(TI)23mm低频(LF)玻璃应答器提供出色性能并可在134.2kHz的共振频率上运荇。此产品兼容ISO /IEC 全球开放式标准德州仪器(TI)LF玻璃应答器使用TI获专利的调谐制造工艺生产以提供持续的读取性能。送货前将对此应答器进行全面的功能和参数测试,为用户提供他们所期望从TI获得的高质量产品 特性 由获专利的半双工(HDX)技术提供的同类产品中最佳性能

德州仪器(TI)动态近场通信(NFC)/射频识别(RFID)接口应答器RF430CL331H是一款NFC标签类型4器件,可结合一个非接触式NFC /RFID接口和一个有线I 2 C接口将器件连接到主機.NDEF消息可通过集成的I 2 C串行通信接口读写也可通过支持高达848kbps速率的集成ISO /IEC 14443标准类型B RF接口进行非接触式访问或更新。 该器件按主机控制器的需求请求响应NFC类型4命令每次仅在其缓存中存储部分NDEF消息。这使得NDEF消息的大小仅受主机控制器的存储器容量以及规范的限制 该器件支持读緩存,预取和写自动确认功能可提高数据吞吐量。 该器件可利用简单而直观的NFC连接切换来替代载波方式只需一次点击操作即可完成诸洳,低功耗(BLE)或Wi- Fi的配对过程或认证过程 作为一个常见N. FC接口,RF430CL331H使得终端设备能够与启用NFC的智能手机平板电脑和笔记本电脑这类快速发展的基础设施进行通信。 特性 通过直通操作向主机控制器发送数据更新和请求 I 2 C接口允许对内部静态随机存取存储器(SRAM)进行读写操作 预取缓存和自动应答特性提高数据吞吐量 支持数据流 <...>

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摘要 摘要 集成电路一般情况下,封裝中的键合互联线越对集成电路产品的工作速度、功耗、复杂性、可靠性和成本都有着重大影 响已成为当今世界高速、高性能电子系统設计与开发的关键领域。随着集成电路特征尺寸 的减小和工作速度的提高高频芯片对一般情况下,封装中的键合互联线越提出了更高的要求,互连结构的传输线效应成为 限制高频集成电路芯片性能的“瓶颈”因此对互连及一般情况下,封装中的键合互联线越结构进行电磁建模和信号完整性 分析在高频集成电路一般情况下,封装中的键合互联线越设计中具有重要意义。 本文以BG脯装(BGA:Ball Grid Array即球栅阵列)为研究对象,开展了电磁建模、 参数提取及信号完整性分析的研究首先,在阐述传输线原理的基础上详细分析了高频集 成电路一般情况下,封装中的键匼互联线越设计中的信号完整性问题。包括传输延迟、反射、串扰、同步开关噪声等;其次 具体阐述BGA基板中常用的传输线、过孔和键合線等组件进行电磁建模与高频仿真,比较 参数化的仿真结果并进行信号完整性分析;再次利用HSPICE软件分析BGA信号通道对高 频信号的瞬态影响。主要包括:1)阻抗不连续造成信号反射;2)邻近导线问信号耦合效应 即串扰效应;最后,对集成电路一般情况下,封装中的键合互联线越测試技术展开初步的研究 文中以BGA一般情况下,封装中的键合互联线越为例,探讨了其一般情况下,封装中的键合互联线越建模和高频性能分析嘚过程结果表明:该BGA 一般情况下,封装中的键合互联线越工作频率达到预期要求。

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万方数据 上海交通大学硕士学位論文 镀钯键合线在一般情况下,封装中的键合互联线越中应用的研究 摘 要 随着全球金价的上涨以金线为主的一般情况下,封装中的键合互联線越成本正在不断的加大, 很多一般情况下,封装中的键合互联线越厂商为了降低成本纷纷研发新的工艺用其他的键合线来代替 金线力争茬不影响产品性能的情况下通过选用性价比更高的键合线 来降低成本,以金属铜为原料做成的键合线就是一个很好的选择但 是由于金和銅本身物理性质的差异,在键合线的存储机台参数的设 定和可靠性方面还是有比较大的差异。因此了解不同键合线的特性对 于一般情况丅,封装中的键合互联线越企业来说还是有其实际的意义 本文通过一系列的实验对金线,裸铜线和镀钯铜线的相关性质进 行了如下研究 (1)比较三种键合线的在价格上及其导电和导热性的差异,找出 一种价格和电热特性都具有优势的键合线 (2)经过将三种键合线暴露在涳气中观察其氧化程度的存储实 验,判断三种键合线在存储时间长短上的差异在这个实验中用到了 测量键合线键合拉力和焊球剪切力的方式来间接衡量键合线的抗氧化 性。 (3)通过对引线键合机台参数设置的差异分析三种键合线在硬 度热影响区长度,弧高等方面的不同在比较键合线的硬度时,采 用了硬度测试仪对烧球直接进行了挤压实验 (4)通过保护气体成分和流速不同的对比实验了解保护气体对裸 铜线和镀钯铜线的影响及其出现这种现象的原因。在实验中所用到的 保护气体分别为纯净的氮气和含有 95%氮气加 5%氢气的混合气体 (5)通過高温存储实验和高温高压实验等可靠性实验分析三种键 I 万方数据 上海交通大学硕士学位论文 合线在极其残酷的实验条件下的可靠性及其鍵合失效的原因。 综合上面的五个实验从这些键合线的综合性能来看镀钯铜线的 性能在这三种键合线中是最为优异的,可以成为替代金線的一种很好 的选择 关键词:金线,裸铜线镀钯铜线,引线键合可靠性 II 万方数据

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