Patent CNU - 一种蓝绿色摄像头玻璃镜片 - Google PatentsCN UGrantCN Oct 28, 2015Apr 28, 2015Apr 28, 2015.4, CN , CN
U, CN U, CN-U-, CN, CN.4, CN U, CNU, , ,
(1) , 一种蓝绿色摄像头玻璃镜片
本实用新型公开一种蓝绿色摄像头玻璃镜片，包括玻璃基片、五氧化三钛薄膜一、二氧化硅薄膜一、油墨层、五氧化三钛薄膜二、二氧化硅薄膜二、AF防指纹膜，所述玻璃基片上表面镀有一层五氧化三钛薄膜一，所述五氧化三钛薄膜一上镀有一层二氧化硅薄膜一，所述二氧化硅薄膜一上镀有AF防指纹膜，所述玻璃基片下表面镀有油墨层，所述油墨层上镀有五氧化三钛薄膜二，所述五氧化三钛薄膜二上镀有二氧化硅薄膜二。本实用新型在玻璃基片上镀有二氧化硅薄膜和五氧化三钛薄膜，增加了摄像头玻璃镜片的透光量，使摄像头成像更加清晰，增加夜间成像能力，并且在表层镀有AF防指纹膜，增加了摄像头玻璃的抗污能力，使其能长时间保持蓝绿色，并且还增强其耐磨损性能。
1.一种蓝绿色摄像头玻璃镜片，其特征在于:包括玻璃基片、五氧化三钛薄膜一、二氧化硅薄膜一、油墨层、五氧化三钛薄膜二、二氧化硅薄膜二、AF防指纹膜，所述玻璃基片上表面镀有一层300-400nm五氧化三钛薄膜一，所述五氧化三钛薄膜一上镀有一层400_500nm二氧化娃薄膜一，所述二氧化娃薄膜一上镀有一层10-15nmAF防指纹膜，所述玻璃基片下表面镀有油墨层，所述油墨层上镀有一层300-400nm五氧化三钛薄膜二，所述五氧化三钛薄膜二上镀有一层400-500nm 二氧化硅薄膜二。
2.根据权利要求1所述的蓝绿色摄像头玻璃镜片，其特征在于:所述蓝绿色摄像头玻璃镜片通过电镀一层或多层膜使透光区产生蓝绿色。
3.根据权利要求1所述的蓝绿色摄像头玻璃镜片，其特征在于:所述油墨层的材料为油墨，监绿色摄像头玻璃镜片边缘的油墨为监绿色，油墨中含有提尚油墨层硬度的纳米氧化娃颗粒。
一种蓝绿色摄像头玻璃镜片
[0001] 本实用新型涉及一种摄像头玻璃镜片，具体涉及一种具有蓝绿色摄像头玻璃镜片。
[0002] 近年来，手机摄像头的技术发展日新月异，并且摄像头的像素越来越高，客户要求其成像质量和成像的适应环境越来越残酷，这就要求其上的玻璃镜片的清晰度和透过率也相应提高；为了实现上述效果，往往采用真空镀膜工艺在玻璃镜片上不同的涂层，以达到清晰度高的要求，同时兼顾实现耐磨损、透过率高等效果。但是目前的真空镀膜工艺，往往存在镀层不均匀的现象，这就导致其透过率和耐磨损等性能的影响。
[0003] 为了解决上述问题，本实用新型提供一种蓝绿色摄像头玻璃镜片，在玻璃基板上镀有二氧化硅和五氧化三钛薄膜，增加了摄像头玻璃镜片的透过率从而增加了透光量，使在镜片后的摄像头感光元件接受了更大强度的光强，使摄像头成像更加清晰，增加夜间成像能力，并且在表层镀有防指纹膜，增加了摄像头玻璃的抗污能力，使其能长时间保持蓝绿色，并且增加了其耐磨损性能，延长了其使用寿命。
[0004] 本实用新型采用如下技术方案:
[0005] —种蓝绿色摄像头玻璃镜片，包括玻璃基片、五氧化三钛薄膜一、二氧化硅薄膜一、油墨层、五氧化三钛薄膜二、二氧化硅薄膜二、AF防指纹膜，所述玻璃基片上表面镀有一层300-400nm五氧化三钛薄膜一，所述五氧化三钛薄膜一上镀有一层400-500nm 二氧化娃薄膜一，所述二氧化娃薄膜一上镀有一层10-15nmAF防指纹膜，所述玻璃基片下表面镀有油墨层，所述油墨层上镀有一层300-400nm五氧化三钛薄膜二，所述五氧化三钛薄膜二上镀有一层400-500nm 二氧化硅薄膜二。所述蓝绿色摄像头玻璃镜片通过电镀一层或多层膜使透光区产生蓝绿色。所述油墨层的材料为油墨，蓝绿色摄像头玻璃镜片边缘的油墨为蓝绿色，油墨中含有提高油墨层硬度的纳米氧化硅颗粒。
[0006] 本实用新型的制备方法:
[0007] 1、首先将摄像头玻璃基片进行打磨，打磨至需要的基板形状。
[0008] 2、然后将玻璃基片进行油墨印刷，再置于150°C下、30min进行固化。
[0009] 3、将固化后的玻璃基片置于体积浓度为30%的乙醇溶液中经行清洗，去除表面的浮沉。
[0010] 4、将清洗后的玻璃基片晾干，然后置于真空镀膜机中进行真空镀膜，真空镀膜的玻璃基片上下两面，以玻璃基片为基础向上或向下依次镀厚度为300nm的五氧化三钛层、400nm的二氧化娃层；并在膜层的上表面镀12nm的AF防指纹膜。
[0011] 真空镀膜过程:开总电源，循环水之后，先开维持栗，3秒后开扩散栗，检查电流表是否正常，开粗抽栗，3s后开粗抽阀，当真空度到5*10~3pa，开罗茨栗，开始加热，当温度扩散到150度真空度2pa时关闭粗抽栗，3s后打开前阀，3s后打开精抽阀，当真空度0.12pa时，开离子源充气，开离子源电源阳极-启动/停止-阴极，观察离子源灯丝电流(22.5A)，灯丝电压21.9V，放电电压150V，若数值偏离较大则旋转进行调节；离子源充气5分钟后关闭，关闭离子源阴极-启动/停止-阳极，关闭离子源充气，当真空度达到0.015pa，开灯丝充氧气当真空度达到0.03pa在膜层控制仪上选取要进行的镀膜过程，电机高压开、灯丝开，自动镀膜，镀膜完成后再触摸屏上点击高压关、灯丝关，检查环形窝灯丝是否关闭，高压是否关闭；缓慢增加电流，看到膜层控制仪上开始出现频率时停止，等到膜层控制仪上速率下降到I以下时，马上关闭蒸发电流，关精抽阀，3s后关闭前置阀，再3s后关上罗茨栗，然后打开真空镀膜室充气退机，实现自动镀膜过程。
[0012] 对本实验制备的玻璃基板进行检查，首先检查在420nm波段透过率在95%以上，500nm波段透过率在98%以上；580nm波段透过率在98%以上，600nm波段透过率在95%以上；因此具有良好的透过率；此外采用钢丝绒来回在玻璃片表面摩擦200次以上，其水滴角仍能保持大于110°，其具有良好的亲水性能。
[0013] 本实用新型的有益效果在于:
[0014] 本实用新型的玻璃基片经过钢化，提高了玻璃硬度，在玻璃基片上下表面镀多层五氧化三钛和二氧化硅膜，提高了镜片的透光率，在表面镀AF防指纹层，提高了镜面防水性能和抗指纹性能，也增强了他的耐磨性。
[0015]图1是蓝绿色摄像头玻璃镜片结构示意图。
[0016] 附图标记说明
[0017] I玻璃基片；2五氧化三钛薄膜一 ；3 二氧化硅薄膜一 ；4油墨层；5五氧化三钛薄膜二 ；6 二氧化硅薄膜二 ；7 AF防指纹膜。
具体实施方式
[0018] 下面结合附图和本实用新型的优选实施例进一步说明本实用新型。
[0019] —种蓝绿色摄像头玻璃镜片，包括玻璃基片1、五氧化三钛薄膜一 2、二氧化硅薄膜一 3、油墨层4、五氧化三钛薄膜二 5、二氧化硅薄膜二 6、AF防指纹7膜，所述玻璃基片上I表面镀有一层300-400nm五氧化三钛薄膜一 2，所述五氧化三钛薄膜一 2上镀有一层400-500nm 二氧化娃薄膜一 3，所述二氧化娃薄膜一 3上镀有一层10_15nmAF防指纹膜7，所述玻璃基片I下表面镀有油墨层4，所述油墨层4上镀有一层300-400nm五氧化三钛薄膜二5，所述五氧化三钛薄膜二 5上镀有一层400-500nm 二氧化娃薄膜二 6。所述蓝绿色摄像头玻璃镜片通过电镀一层或多层膜使透光区产生蓝绿色。所述油墨层4的材料为油墨，蓝绿色摄像头玻璃镜片其边缘的油墨为蓝绿色，油墨中含有提高油墨层4硬度的纳米氧化硅颗粒。
[0020] 本实用新型的制备方法:
[0021] 1、首先将摄像头玻璃基片I进行打磨，打磨至需要的基板形状。
[0022] 2、然后将玻璃基片I进行油墨印刷，再置于150°C下、30min进行固化。
[0023] 3、将固化后的玻璃基片I置于体积浓度为30%的乙醇溶液中经行清洗，去除表面的浮沉。
[0024] 4、将清洗后的玻璃基片I晾干，然后置于真空镀膜机中进行真空镀膜，真空镀膜的玻璃基片I上下两面，以玻璃基片I为基础向上或向下依次镀厚度为300nm的五氧化三钛层、400nm的二氧化娃层；并在膜层的上表面镀12nm的AF防指纹膜7。
[0025] 真空镀膜过程:开总电源，循环水之后，先开维持栗，3秒后开扩散栗，检查电流表是否正常，开粗抽栗，3s后开粗抽阀，当真空度到5*10~3pa，开罗茨栗，开始加热，当温度扩散到150度真空度2pa时关闭粗抽栗，3s后打开前阀，3s后打开精抽阀，当真空度0.12pa时，开离子源充气，开离子源电源阳极-启动/停止-阴极，观察离子源灯丝电流(22.5A)，灯丝电压21.9V，放电电压150V，若数值偏离较大则旋转进行调节；离子源充气5分钟后关闭，关闭离子源阴极-启动/停止-阳极，关闭离子源充气，当真空度达到0.015pa，开灯丝充氧气当真空度达到0.03pa在膜层控制仪上选取要进行的镀膜过程，电机高压开、灯丝开，自动镀膜，镀膜完成后再触摸屏上点击高压关、灯丝关，检查环形窝灯丝是否关闭，高压是否关闭；缓慢增加电流，看到膜层控制仪上开始出现频率时停止，等到膜层控制仪上速率下降到I以下时，马上关闭蒸发电流，关精抽阀，3s后关闭前置阀，再3s后关上罗茨栗，然后打开真空镀膜室充气退机，实现自动镀膜过程。
[0026] 对本实验制备的玻璃基片I进行检查，首先检查在420nm波段透过率在95%以上，500nm波段透过率在98%以上；580nm波段透过率在98%以上，600nm波段透过率在95%以上；因此具有良好的透过率；此外采用钢丝绒来回在玻璃基片I表面摩擦200次以上，其水滴角仍能保持大于110°，其具有良好的亲水性能。
[0027] 本实用新型的有益效果在于:
[0028] 本实用新型的玻璃基片经过钢化，提高了玻璃硬度，在玻璃基片上下表面镀多层五氧化三钛和二氧化硅膜，提高了镜片的透光率，在表面镀AF防指纹层，提高了镜面防水性能和抗指纹性能，也增强了他的耐磨性。
[0029] 以上所述，仅为本实用新型较佳实施例而已，故不能依此限定本实用新型实施的范围，即依本实用新型专利范围及说明书内容所作的等效变化与修饰，皆应仍属本实用新型盖的范围内。
International ClassificationC14Grant of patent or utility modelRotatePatent CNA - 碳化钛新型复合材料的smt金属掩膜板之制作方法 - Google PatentsCN AApplicationCN Dec 29, 2010Jul 20, 2010Jul 20, 2010.9, CN
A, CN A, CN , CN-A-, CN A, CNA, CN, CN.9, , , , ,
(3) , 碳化钛新型复合材料的smt金属掩膜板之制作方法
碳化钛新型复合材料的SMT金属掩膜板之制作方法，涉及电子元件表面贴装技术领域，尤其涉及一种利用新型复合材料制作高精度贴装孔掩膜板的制作方法，通过0.025-0.035Wb磁通量的磁场同高压电场组成正交电磁场将高密度的金属耙材纳米碳化钛激发出高密度的微离子体，微离子体在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，高速度轰击靶面，使靶面上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向掩膜板的表面淀积一层约500-1500纳米的膜；其有益效果是：本发明制作的掩膜板，其表面镀有一层约500-1500纳米的碳化钛膜，使得掩膜板表面光亮，有利于焊膏印刷时，锡珠在掩膜板上的滚动。
碳化钛新型复合材料的SMT金属掩膜板之制作方法，其特征在于包括以下步骤：a)在掩膜板上加工用于漏印锡膏的贴装孔，贴装孔穿透掩膜板；b)将掩膜板进行清洗处理后置于磁控溅射设备的缓冲室内，对磁控溅射设备的缓冲室进行抽真空处理，使得磁控溅射设备的缓冲室处于2×104帕的真空环境；c)将置于磁控溅射设备缓冲室内掩膜板加热到150-200摄氏度；d)通过0.025-0.035Wb磁通量的磁场同高压电场组成正交电磁场将高密度的金属耙材纳米碳化钛激发出高密度的微离子体，微离子体在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，高速度轰击靶面，使靶面上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向掩膜板的表面淀积一层约500-1500纳米的膜；e)对掩膜板进行退火处理，冷却便完成了碳化钛新型复合材料掩膜板的制作。
2.根据权利要求1所述的碳化钛新型复合材料的SMT金属掩膜板之制作方法，其特征 在于：所述a步骤制成的掩膜板其贴装孔为一被掩膜板一面横截的凌锥形孔剩留的空槽部 分；贴装孔上下两面的尺寸差范围为3-30μπι，贴装孔的中心距与掩膜板厚度最小比值为 1，贴装孔其孔壁粗糙度为0. 4 μ m。
3.根据权利要求1所述的碳化钛新型复合材料的SMT金属掩膜板之制作方法，其特 征在于：所述a步骤制成的掩膜板由不锈钢材料和纳米碳化钛复合制成，其可控硬度为 450-500HV。
碳化钛新型复合材料的SMT金属掩膜板之制作方法
[0001] 本发明涉及电子元件表面贴装技术领域，尤其涉及一种利用新型复合材料制作高 精度贴装孔掩膜板的制作方法。
[0002] 随着生活水平的不断提高，人们对各种电子电器产品的追求日益小型化，以便携 带和摆放，但是传统使用的穿孔插放电子元件的方法已无法再将产品体积缩小；为了电子 产品功能更完整，特别是大规模、高集成IC，不得不采用在模板表面贴片元件；传统的电子 元件表面贴装制作方法有掩膜板蚀刻制作法、掩膜板激光切割法等，但是传统制作掩膜板 的方法存在以下不足之处：其一、掩膜板表面不够光亮，不利于锡膏在掩膜板上的滚动及印 刷时掩膜板与PCB的零接触；其二、传统的掩膜板其硬度在370HVB，普通激光掩膜板的使 用寿命不够长，只有5-8万次；批量大的生产要频繁的更新掩膜板，生产成本增加；其三、传 统方法制作的掩膜板与锡膏中的吸附拉力较大，对锡膏的脱模成型造成不便；其四、传统方 法制作的掩膜板，印刷锡膏后锡膏较易残留孔内，导致钢网需要频繁清洗，使得生产效率不 尚o
[0003] 本发明针对上述现有技术的诸多不足，旨在提供一种制作出的掩膜板表面精度高 且便于贴装的新型材料掩膜板的制作方法，。
[0004] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：碳化钛新型复合材料的SMT金属掩 膜板之制作方法，包括以下步骤：
[0005] a)在掩膜板上加工用于漏印锡膏的贴装孔，贴装孔穿透掩膜板；
[0006] b)将掩膜板进行清洗处理后置于磁控溅射设备的缓冲室内，对磁控溅射设备的缓 冲室进行抽真空处理，使得磁控溅射设备的缓冲室处于2X104帕的真空环境；
[0007] c)将置于磁控溅射设备缓冲室内掩膜板加热到150-200摄氏度；
[0008] d)通过0. 025-0. 035ffb磁通量的磁场同高压电场组成正交电磁场将高密度的金 属耙材纳米碳化钛激发出高密度的微离子体，微离子体在洛仑兹力的作用下加速飞向靶 面，高速度轰击靶面，使靶面上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶 面飞向掩膜板的表面淀积一层约500-1500纳米的膜；
[0009] e)对掩膜板进行退火处理，冷却便完成了碳化钛新型复合材料掩膜板的制作。
[0010] 下面对以上技术方案作进一步阐述：
[0011] 所述a步骤制成的掩膜板其贴装孔为一被掩膜板一面横截的凌锥形孔剩留的空 槽部分；贴装孔上下两面的尺寸差范围为3-30i!m，贴装孔的中心距与掩膜板厚度最小比 值为1，贴装孔其孔壁粗糙度为0. 4 y m。
[0012] 所述a步骤制成的掩膜板由不锈钢材料和纳米碳化钛复合制成，其可控硬度为 450-500HV。
[0013] 本发明的有益效果是：其一、本发明制作的掩膜板，通过对掩膜板表面磁控溅射碳 化钛的纳米膜，使得掩膜板表面光亮，有利于焊膏印刷时，锡珠在掩膜板上的滚动；其二、本发明制作的掩膜板其表面光亮平整，能保证焊膏印刷时，PCB板与掩膜板之间形成良好的密 封性，以便焊膏印刷在PAD上很好的成型；其三、本发明制作的掩膜板其硬度比普通不锈钢 片制作的掩膜板提高20% -40% (由原来的370HVB提高到450-500HVB)，同时强度及韧性 也有较大幅度的提高，让掩膜板耐磨不易变形，大大提高掩膜板的重复使用次数，即大大的 提高了掩膜板的使用寿命，降低了的电子组装的成本；其四、通过纳米技术微离子溅射产生 的掩膜板，确保孔壁的光滑无毛刺，利于脱模，减少掩膜板在印刷孔内壁残留大面积的锡 膏，从而减少了对掩膜板的清洗次数，提高了组装生产效率。 附图说明
[0014] 图1是本发明的制作方法流程图；
[0015] 图2是发明的剖面结构示意图；
[0016] 附图标记：1、掩膜板；2、贴装孔。
[0017] 下面结合附图对本发明作进一步说明：
[0018] 参照图1所示，本发明提供的碳化钛新型复合材料SMT金属掩膜板之制作方法包 括以下步骤：
[0019] a)在掩膜板上加工用于漏印锡膏的贴装孔，贴装孔穿透掩膜板；
[0020] b)将掩膜板进行清洗处理后置于磁控溅射设备的缓冲室内，对磁控溅射设备的缓 冲室进行抽真空处理，使得磁控溅射设备的缓冲室处于2X104帕的真空环境；
[0021] c)将置于磁控溅射设备缓冲室内掩膜板加热到150-200摄氏度；
[0022] d)通过0. 025-0. 035ffb磁通量的磁场同高压电场组成正交电磁场将高密度的金 属耙材纳米碳化钛激发出高密度的微离子体，微离子体在洛仑兹力的作用下加速飞向靶 面，高速度轰击靶面，使靶面上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶 面飞向掩膜板的表面淀积一层约500-1500纳米的膜；
[0023] e)对掩膜板进行退火处理，冷却便完成了碳化钛新型复合材料掩膜板的制作。
[0024] 参照图2所示，应用于SMT的金属掩膜板，包括掩膜板1及设置在掩膜板1上用于 安装电子元件的贴装孔2，贴装孔2穿透掩膜板1 ；贴装孔2为一被掩膜板1 一面横截的凌 锥形孔剩留的空槽部分；所述掩膜板贴装孔上下两面的尺寸差范围为3-30 ym。
[0025] 依然参照图2所示，在贴装印刷上锡浆时，锡浆刮过贴装孔2，贴装孔2为一被掩 膜板1 一面横截的凌锥形孔剩留的空槽部分；所述掩膜板贴装孔上下两面的尺寸差范围为 3-30 u m ；如此锡浆将随有一定倾斜度的贴装孔2孔壁缓慢灌入贴装孔2，并在PCB上形成 贴装孔2 —致的模型与电子元件相粘合；所述的贴装孔2其孔壁粗糙度为0. 4 y m，孔壁光 滑有利于锡浆脱模。
[0026] 下面是本发明的具体实施例：
[0027] 实施例一
[0028] a)在掩膜板上加工用于漏印锡膏的贴装孔，贴装孔穿透掩膜板；
[0029] b)将掩膜板进行清洗处理后置于磁控溅射设备的缓冲室内，对磁控溅射设备的缓 冲室进行抽真空处理，使得磁控溅射设备的缓冲室处于2X104帕的真空环境；
[0030] c)将置于磁控溅射设备缓冲室内掩膜板加热到150摄氏度；
[0031] d)通过0. 025ffb磁通量的磁场同高压电场组成正交电磁场将高密度的金属耙材 纳米碳化钛激发出高密度的微离子体，微离子体在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，高速度轰击靶面，使靶面上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向掩 膜板的表面淀积一层约500纳米的膜；
[0032] e)对掩膜板进行退火处理，冷却便完成了碳化钛新型复合材料掩膜板的制作。
[0033] a步骤制成的掩膜板其贴装孔上下两面的尺寸差为3 u m,贴装孔的中心距与掩膜 板厚度比值为3，贴装孔其孔壁粗糙度为0. 4 ym ；由不锈钢材料和纳米碳化钛复合制成的 掩膜板，其可控硬度为450HV。
[0034] 实施例二
[0035] a)在掩膜板上加工用于漏印锡膏的贴装孔，贴装孔穿透掩膜板；
[0036] b)将掩膜板进行清洗处理后置于磁控溅射设备的缓冲室内，对磁控溅射设备的缓 冲室进行抽真空处理，使得磁控溅射设备的缓冲室处于2X104帕的真空环境；
[0037] c)将置于磁控溅射设备缓冲室内掩膜板加热到175摄氏度；
[0038] d)通过0. 03ffb磁通量的磁场同高压电场组成正交电磁场将高密度的金属耙材纳 米碳化钛激发出高密度的微离子体，微离子体在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，高速度 轰击靶面，使靶面上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向掩膜 板的表面淀积一层约1000纳米的膜；
[0039] e)对掩膜板进行退火处理，冷却便完成了碳化钛新型复合材料掩膜板的制作。
[0040] a步骤制成的掩膜板其贴装孔上下两面的尺寸差为15 ym，贴装孔的中心距与掩 膜板厚度比值为2，贴装孔其孔壁粗糙度为0. 4 y m ；由不锈钢材料和纳米碳化钛复合制成 的掩膜板，其可控硬度为475HV。
[0041] 实施例三
[0042] a)在掩膜板上加工用于漏印锡膏的贴装孔，贴装孔穿透掩膜板；
[0043] b)将掩膜板进行清洗处理后置于磁控溅射设备的缓冲室内，对磁控溅射设备的缓 冲室进行抽真空处理，使得磁控溅射设备的缓冲室处于2X104帕的真空环境；
[0044] c)将置于磁控溅射设备缓冲室内掩膜板加热到200摄氏度；
[0045] d)通过0. 035ffb磁通量的磁场同高压电场组成正交电磁场将高密度的金属耙材 纳米碳化钛激发出高密度的微离子体，微离子体在洛仑兹力的作用下加速飞向靶面，高速 度轰击靶面，使靶面上被溅射出来的原子遵循动量转换原理以较高的动能脱离靶面飞向掩 膜板的表面淀积一层约1500纳米的膜；
[0046] e)对掩膜板进行退火处理，冷却便完成了碳化钛新型复合材料掩膜板的制作。
[0047] a步骤制成的掩膜板其贴装孔上下两面的尺寸差为30 ym，贴装孔的中心距与掩 膜板厚度比值为1，贴装孔其孔壁粗糙度为0. 4 y m ；由不锈钢材料和纳米碳化钛复合制成 的掩膜板，其可控硬度为500HV。
[0048] 根据上述说明书的揭示和教导，本发明所属领域的技术人员还可以对上述实施方 式进行适当的变更和修改。因此，本发明并不局限于上面揭示和描述的具体实施方式，对 本发明的一些修改和变更也应当落入本发明的权利要求的保护范围内。此外，尽管本说明 书中使用了一些特定的术语，但这些术语只是为了方便说明，并不对本发明构成任何限制。
*International Business Machines CorporationCoated mask for photolithographic construction of electric circuits *Pawitter MangatMethod for fabricating a thin-membrane stencil mask and method for making a semiconductor device using the same1 *《天津商学院学报》
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偏光膜介紹201OPTOLINK1MAR 1999°ú¤¤ q n e¨ °ú¤ ( Polarizing Film) O ± N ¤ @ ¤ ¨ ° A M ú° ¤ A à ¨ ° ú A ] G ( L C D ) Nà§Q° A ú[ ¤ W G ¤ ¤ l...
利用射频共溅射方法制备了一系列不同金属含量x的Fex(SiO2)(1−x)金属−绝缘体颗粒膜，系统地研究了薄膜的霍尔效应及其产生机理。在室温和1.3 T的磁场下，当体积分数为0.52时，霍尔电阻率有最大值为18.5 μΩ·cm。样品的电阻率温度曲线研究表明异常霍尔电阻率可能来源于3d局域电子-电子的散射作用。在300℃以内的不同温度下将Fe0.52(SiO2)0.48颗粒...
在电容器纸上覆上一层金属膜来代替金属箔，体积小，容量较大，一般用 在低频电路中。 油浸纸介电容: 它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能增强它的耐压。它的特点是电容量大、耐压高，但是体积较 大。 铝电解电容: 它是由铝圆筒做负极，里面装有液体电解质，插入一片弯曲的铝带做正极制成。还需要经过直流电压处理， 使正极片上形成一层氧化膜做介质。它的特点是容量大，但是漏电大，稳定性差，有正负极性，适宜用于...
法）：双面覆铜板下料、钻孔、孔金属化、全板电镀加厚、表面处理、贴光致掩蔽型干膜、制正相导线图形、蚀刻、去膜、插头电镀、外形加工、检验、印制阻焊涂料、热风整平、网印制标记符号、成品。 ——图形电镀（裸铜覆阻焊膜）：双面覆铜板下料、冲定位孔、数控钻孔、检验、去毛刺、化学镀薄铜、电镀薄铜、检验、刷板、贴膜（或网印）、曝光显影（或固化）、检验修版、图形电镀铜、图形电镀锡铅合金、去膜（或去除印料）、检验修版...
、钻孔、孔金属化、全板电镀加厚、表面处理、贴光致掩蔽型干膜、制正相导线图形、蚀刻、去膜、插头电镀、外形加工、检验、印制阻焊涂料、热风整平、网印制标记符号、成品。 ——图形电镀（裸铜覆阻焊膜）：双面覆铜板下料、冲定位孔、数控钻孔、检验、去毛刺、化学镀薄铜、电镀薄铜、检验、刷板、贴膜（或网印）、曝光显影（或固化）、检验修版、图形电镀铜、图形电镀锡铅合金、去膜（或去除印料）、检验修版、蚀刻、退铅锡、通...
﹐如果吸收了空氣中的二氧化硫﹐金屬表面就會形成水份凝聚中心﹐造成氧的濃差電池﹐阻礙氧的進入﹐從而消除并駕齊驅極區的鈍態﹐加速金屬的腐蝕（對銘﹑鎳﹑不鏽鋼的危害特別大）。由此可見﹐保護環境對金屬防鏽具有重要意義。二﹑為什么氧能促進金屬腐蝕﹖金屬在大氣條件下的腐蝕主要是水份與氧的作用而引起的﹐兩者缺一就不容易腐蝕。據有關資料介紹﹐在脫氣皂海恐怕（氧已去掉）歌舞伎﹐鐵釘浸漬在海水里數十年仍可保持光澤。如果大氣...
）。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分：名称，用字母表示，电容器用C。第二部分：材料，用字母表示。第三部分：分类，一般用数字表示，个别用字母表示。第四部分：序号，用数字表示。用字母表示产品的材料：A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-...
膜介相关帖子
系数。价格低，制作容易，生产成本低，价格便宜，但体积较大。相对于我们学生来说，碳膜电阻具有的价格低，是最实用的电阻。也是使用范围最广的电阻，基本上每块电路板都有。此外还有金属膜电阻（RJ）,金属氧化膜电阻（RY）,线绕电阻（RX）,有实心电阻{（RS）,熔断电阻（RF）,水泥电阻（RX）,零欧姆电阻等。因为我们使用的是碳膜电阻，再此就不一一介绍了，有兴趣的同学可以自己去网上搜索相关资料。三、电阻...
电容器。4、按介质分为：陶瓷、云母、纸质、薄膜、电解电容陶瓷电容：以高介电常数、低损耗的陶瓷材料为介质，体积小，电感小。云母电容：以云母片作介质的电容器。性能优良，高稳定，高精密。纸质电容：纸介电容器的电极用铝箔或锡箔做成，绝缘介质是浸蜡的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁的纸，相叠后卷成圆柱体，外包防潮物质，有时外壳采用密封的铁壳以提高防潮性。价格低，容量大。壳以提高防潮性...
及电视机的端口相匹配。　　&&
　　2.元器件选择与制作　　VT采用3DG141、3DG30C、3DG30D、3DG80、2G911型等硅NPN超高频三极管，要求fT≥600 MHz，β≥100。此类三极管除c、b、e三个引出脚外，还有第4根引出脚即管壳接地线，安装时应将此引出脚接地。电阻均用RTX-1/8 w型碳膜电阻器，电容均为CC1型超高频瓷介电容器。电感L1、L2需要自制...
和铝箔叠在一起卷绕而成，导电电极为铝箔。金属化结构是预先用真空蒸发的方法在薄膜上蒸发了一层极薄的金属膜，然后用这个薄膜卷绕成的电容器，导电电极为蒸发的金属膜(大多仍为铝膜)。在同样规格情况下，金属化电容器的体积要比箔式的小。金属化薄膜电容器有自愈特性，即电容器中塑料薄膜某一点若存在缺陷，加电压时会击穿，则此处的金属膜会蒸发掉，而不会产生短路现象，从而使电容器仍能正常工作。金属化电容器还有一个优点...
电容常用的介质材料（用字母表示）：
& &A 钽电解 B 聚丙乙烯等非极性薄膜 C 高频陶瓷 D 铝电解 E 其他材料电解 G 合金电解 H 纸膜复合 I 玻璃铀 J 金属化纸介 L 聚酯等极性有机薄膜 N 铌电解 O 玻璃膜 Q 漆膜 Y 云母 Z 纸
& & 电容的主要参数
& &1．标称容量及偏差
电容量是电容器的基本参数...
流增加。这种短时间(ns～ms)的局部短路，又通过“自愈”后恢复工作。
& & 关于“自愈”。理想的Ta2O5 介质氧化膜是连续性的和一致性的。加上电压或高温下工作时，由于TＡ＋离子疵点的存在，导致缺陷微区的漏电流增加，温度可达到500℃～1000℃ 以上。这样高的温度使MnO2还原成低价的Mn3O4。有人测试出Mn3O4的电阻率要比MnO2高4～5个数量级。与Ta2O5介...
普通标签：
这是NFC标签的常规形式，是由干inlay或湿inlay再经过表面复合而来。表面材料可以是铜版纸、PP合成纸或PET膜。表面的图案可以由客户定制印刷精美的图案。这样的NFC标签一般贴在物品的外表面，使用者可以直接扫描。标签图案可以体现企业文化，也可以是企业的形象的一种展示。
易碎标签：
这是一种特殊的NFC标签，它具有防转移的效果。它被贴在物品表面后，不可再被...
陶瓷电容失效分析：
多层片状陶介电容器由陶瓷介质、端电极、金属电极三种材料构成，失效形式为金属电极和陶介之间层错，电气表现为受外力（如轻轻弯曲板子或用烙铁头碰一下）和温度冲击（如烙铁焊接）时电容时好时坏。
多层片状陶介电容器具体不良可分为:1、热击失效2、扭曲破裂失效3、原材失效三个大类
（１）热击失效模式：
热击失效的原理是：在制造多层陶瓷电容时，使用各种兼容材料会导致内部出现张力...
优异的介电性能，且价格低廉，寿命长，电磁线当耐热等级要求超出有机材料的限度时，通常采用无机绝缘漆涂敷。现有的无机绝缘线可进一步分为玻璃膜线、氧化膜线和陶瓷线等。
　　电磁线行业产品结构较为突出的问题是普通电磁线产品供应充足而高端产品供应不足，电磁线行业内多数企业只能生产没有特色的普通产品，因此行业内普通电磁线产品的生产能力已经达到饱和状态，而以电子线材、新能源汽车专用线材、风电装备用线、航空航天...
;&& & 高频印制电路板是指以优异介电性能材料为主体，匹配其他介质材料及金属基板，完成相应的多层加工或厚膜加工制作，实现具有优异的高导热性、低介电常数、高频高速的传输功能，适用于高速器件、卫星微波通信产品。一、罗杰斯Rogers高频板材料型号如下：RO4003C、RO4350B、RO4360、RO4533、RO4535、RO4730、RO4232、RO4233、RO3003...
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