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点击联系发帖人 时间：2016-04-06 03:14
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410073） 摘 要：为进一步研究半导体纳米材料的物理特性用真空沉积的方法在SiO 基片上制备了纳米InSD 颗 2 粒膜。用原子力显微镜扫描样品表面的分析显示纳米InSD 颗粒均匀地分布在SiO 基爿表面。实验结果表 2 明通过改变镀膜时间可以得到具有不同颗粒尺寸的InSD 纳米颗粒。 关键词：纳米InSD 颗粒；真空蒸发沉积；原子力显微镜 中圖分类号： 文献标识码：

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摘　要：为进一步研究半导体纳米材料的物理特性,用真空沉积的方法在SiO2基片上制备了纳米InSb颗粒膜.用原子力显微镜扫描样品表面的分析显示,纳米InSb颗粒均匀地分布在SiO2基片表面.實验结果表明通过改变镀膜时间,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒.
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为进一步研究半导体纳米材料的粅理特性,用真空沉积的方法在SiO2基片上制备了纳米InSb颗粒膜用原子力显微镜扫描样品表面的分析显示,纳米InSb颗粒均匀地分布在SiO2基片表面。实验結果表明通过改变镀膜时间,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒(本文共计4页)

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