photOFET)作为一种新型的光电探测器,由于具有低成本、易大面积制备和柔性等特点而受到广泛的关注目前photOFET一般采用单层结构或者由两种不同导电类型材料构成的异型异质结制备,洏采用两种相同导电类型材料构成的同型异质结器件的报道较少。本论文中采用并五苯(pentacene)和酞菁铅(PbPc)两种p型有机材料,制备了同型异质结的近红外photOFET,并与基于C60和酞菁铅的异型异质结photOFET进行了对比研究
1、制备了并五苯和酞菁铅单层photOFET,并研究了金、银源／漏电极对器件性能的影响。研究结果表明并五苯拥有优越的空穴传输能力,而酞菁铅具有较好的近红外光敏特性；采用金作为源／漏电极与并五苯和酞菁铅形成的欧姆接触,有利于提高单层器件的场效应迁移率
2、研究了采用不同金属材料作为源／漏电极时的同型异质结photOFET的光敏性能研究发现同型异质结photOFET的光敏特性要优于PbPc单层photOFET;银作为源／漏电极形成的肖特基接触对光敏特性有一定的促进作用。此外研究了不同的并五苯厚度对同型异质结photOFET光敏性能的影响,并得到了并五苯传输层的最优化厚度
3、制备了C60/PbPc异型异质结的photOFET,并与p-P同型异质结photOFET进行了对比研究。结果表明采用并五苯／酞菁铅p-P同型异質结的photOFET不仅能够获得良好的场效应特性和光敏性能,还能够实现较好的器件稳定性
【学位授予单位】：兰州大学
【学位授予年份】：2014
【分類号】：TN386
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赵延海;[D];杭州电子科技大学;2014年
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赵雪梅;[D];中国科學技术大学;2014年
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刘秉策;[D];中国科学技术大学;2011年
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陈润乾;[D];西安电子科技大学;2011年
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段秀全;[D];山东轻工业学院;2011年
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