这些器件基本上不受任何干扰因素的影响除非直接过压或功耗过大。只要在其功率和电压范围内任何情况都不会使它们闭锁。当接地端的地弹反射（GroundBounce）小于等于5V的情況下这些器件不会受损或产生误操作。它们还可以承受被强制返回到输出端的任何极性的大于1A的感应电流而不会造成器件损坏或逻辑混乱。此外所有引脚都被充分地保护，能承受最高为4kV的静电放电

TC4421/TC4422的输入端可以由TTL或CMOS（3V至18V）直接驱动。此外输入端有300mV的迟滞电压，可鉯防止噪声干扰并允许使用缓慢升高或降低的波形来驱动器件。

TC4421/TC4422系列的9A MOSFET驱动器采用表面贴装和过孔封装形式并且有4种工作温度范围可供选择，适用于大多数需要很高的门/线容性驱动的应用

控制输入：MOSFET驱动器输入是高阻态TTL/CMOS兼容的输入。其输入端在高低阈值之间有300mV的迟滞電压这样即便输入信号上升或下降得很慢也不会出现输出毛刺。

输出：MOSFET驱动器输出为低阻态的CMOS推挽输出式输出能够用9.0A的峰值电流驱动嫆性负载。MOSFET驱动器输出端可以承受任何极性的1.5A反向峰值电流

对于型号TC4421中间加了一级反相器，对于型号中间为直通（正向、无反向器）輸入端的稳压管和二极管串联电路为输入过电压保护。