IC型号IS42S83200D-7TLI,【IS42S83200D ， IS42S16160DIS45S83200D ， IS45S16160D】,IS42S83200D-7TLI PDF资料,IS42S83200D-7TLI经销商-51电子网
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IS42S83200D ， IS42S16160DIS45S83200D ， IS45S16160D32Meg ×8 ， 16兆X16256兆位同步DRAM特点o时钟频率： 166 ， 143 MHz的o完全同步;引用到的所有信号时钟上升沿o隐藏行存取/预充电银行内部o单电源： 3.3V + 0.3Vo LVTTL接口o可编程突发长度– (1, 2, 4, 8, full page)o可编程突发序列：顺序/交错o自动刷新（ CBR ）o自刷新o 8K刷新周期每16毫秒（ A2级）或64 ms (commercial, industrial, A1 grade)o随机列地址每个时钟周期o可编程CAS延迟时间（ 2 ， 3个时钟）o突发读取/写入和突发读/写单作战能力o突发终止突发停止和预充电命令IS42S83200D 54-pin TSOPII
IS42S16160D 54-pin TSOPII54-ball BGA (contact Marketing) 8M ×8× 4银行4M x16x4银行2009年6月概观ISSI's 256Mb Synchronous DRAM
achieves high-speed 采用流水线结构的数据传输。所有的输入和输出信号的参考时钟输入的上升沿。The 256Mb SDRAM is organized as follows. 关键时序参数参数CLK周期时间CAS Latency = 3 CAS Latency = 2 CLK频率CAS Latency = 3 CAS Latency = 2 从时钟存取时间CAS Latency = 3 CAS Latency = 2 -6
5.4 6.5 -7 7 10
5.4 6.5 -75E — 7.5
— 5.5 单位 ns ns 兆赫兆赫 ns ns选项o包装：54-pin TSOP-II (x8 and x16)54-ball BGA (x16 only)o工作温度范围：商用（ 0oC至+70oC)Industrial (-40oC to +85oC)Automotive Grade A1 (-40oC to +85oC)Automotive Grade A2 (-40oC至+105oC)o模具修订：D地址表参数CON组fi guration刷新计数32M ×88M ×8× 4银行COM /工业。8K/64msA18K/64msA28K/16msA0-A12A0-A9BA0 ， BA1A10/AP16M ×164M ×16× 4银行8K/64ms8K/64ms8K/16msA0-A12A0-A8BA0 ， BA1A10/AP行地址列地址银行地址引脚自动预充电引脚(C)2006集成芯片解决方案， Inc.保留所有权利。 ISSI公司保留更改本规范及其产品在任何时候与 - 右出通知。 ISSI承担因本文所述的任何信息，产品或服务的应用或使用不承担任何责任。建议客户获得该设备规范之前依靠任何公开信息，并把订单产品前最新的版本。集成的芯片解决方案，公司 - 版本B06/11/091IS42S83200D ， IS42S16160DIS45S83200D ， IS45S16160D设备概述256MB的SDRAM是高速CMOS ，动态random-access memory designed to operate in 3.3V Vddand 3.3V VDDQmemory systems containing 268,435,456 位。在内部配置为四银行DRAM与synchronous interface.
Each 67,108,864-bit bank is orga-nized as 8,192 rows by 512 columns by 16 bits or 8,192 rows by 1,024 columns by 8 bits.The 256Mb SDRAM includes an AUTO REFRESH MODE, 和节电，省电模式。所有的信号都登记在时钟信号CLK的上升沿。 所有输入和输出都是LVTTL兼容。The 256Mb SDRAM has the ability to synchronously burst 在高数据速率的自动列地址的数据一代，有能力内部银行之间的交错隐藏预充电时间和能力，以随机在更改地址栏上的每个时钟周期突发存取。在突发年底启动自定时行预充电序列是可用的自动预充电功能启用。预充电一家银行在访问中的一个其他三家银行将隐藏预充电周期，并提供无缝的，高速的，随机存取操作。SDRAM的读取和写入访问被爆导向出发在选定的位置，并继续进行编程在编程顺序位置号。该激活命令的登记开始访问，其次是读或写命令。在ACTIVE命令与注册地址位结合用于选择和行要访问（ BA0 ，BA1 select the
A0-A12 select the row).
The READ 或与地址位一起写命令注册的用于选择起始列位置对于突发的访问。可编程的读或写突发长度由1, 2, 4 and 8 locations or full page, with a burst terminate 选项。功能块图（供4Mx16x4银行所示）CLKCKECSRASCASWEDQMLDQMH162命令解码器＆放大器;时钟发电机DATA- IN卜FF器16模式注册13刷新调节器DQ 0-15·自刷新调节器A10A12A11A9A8A7A6A5A4A3A2A1A0BA0BA116DATA -OUT卜FF器VDD/VDDQVss/VssQ16刷新计数器8192819281928192行解码器多路复用器13 记忆细胞ARRAY13ROW地址LATCH13ROW地址卜FF器BANK 0SENSE AMP I / O GATECOLUMN地址锁存器9512(x 16)银行控制逻辑串计数器COLUMN地址缓冲器列解码器92集成的芯片解决方案，公司 - 版本B06/11/09IS42S83200D ， IS42S16160DIS45S83200D ， IS45S16160D销刀豆网络gurations54引脚TSOP - II型为X8VDDDQ0VDDQNCDQ1VSSQNCDQ2VDDQNCDQ3VSSQNCVDDNCWECASRASCSBA0BA1A10A0A1A2A3VDD123456789101112131415161718192021222324252627545352515049484746454443424140393837363534333231302928VSSDQ7VSSQNCDQ6VDDQNCDQ5VSSQNCDQ4VDDQNCVSSNCDQMCLKCKEA12A11A9A8A7A6A5A4VSS引脚说明A0-A12
A0-A9BA0, BA1 DQ0 to DQ7 CLK “ CKE = CSRAS = CAS行地址输入列地址输入银行选择地址数据I / O系统时钟输入时钟使能芯片选择行地址选通命令列地址选通命令WE DQM?Vdd VSS =VDDQ VSSq NC 写使能数据输入/输出面膜动力地电源的I / O引脚地面的I / O引脚无连接集成的芯片解决方案，公司 - 版本B06/11/093IS42S83200D ， IS42S16160DIS45S83200D ， IS45S16160D销刀豆网络gurations54引脚TSOP - II型的X16VDDDQ0VDDQDQ1DQ2VSSQDQ3DQ4VDDQDQ5DQ6VSSQDQ7VDDDQMLWECASRASCSBA0BA1A10A0A1A2A3VDD123456789101112131415161718192021222324252627545352515049484746454443424140393837363534333231302928VSSDQ15VSSQDQ14DQ13VDDQDQ12DQ11VSSQDQ10DQ9VDDQDQ8VSSNCDQMHCLKCKEA12A11A9A8A7A6A5A4VSS引脚说明A0-A12
BA0, BA1 DQ0 to DQ15 CLK “ CKE = CSRAS = CAS行地址输入列地址输入银行选择地址数据I / O系统时钟输入时钟使能芯片选择行地址选通命令列地址选通命令WE DQMLDQMHVdd VSS =VDDQ VSSq NC 写使能x16 Lower Byte, Input/Output Maskx16 Upper Byte, Input/Output Mask动力地电源的I / O引脚地面的I / O引脚无连接4 集成的芯片解决方案，公司 - 版本B06/11/09IS42S83200D ， IS42S16160DIS45S83200D ， IS45S16160D引脚配置54球FBGA为X16(Top View) (8.00 mm x 13.00 mm Body, 0.8 mm Ball Pitch)封装代码： B12 3
9ABCDEFGHJVSS DQ15 VSSQDQ14 DQ13 VDDQDQ12 DQ11 VSSQDQ10 DQ9 VDDQDQ8NCVSSCKEA9A6A4VDDQ DQ0 VDDVSSQ DQ2 DQ1VDDQ DQ4 DQ3VSSQ DQ6 DQ5VDD DQML DQ7CASBA0A0A3RASBA1A1A2WECSA10VDDDQMH CLKA12A8VSSA11A7A5引脚说明A0-A12 A0-A8 BA0, BA1 DQ0 to DQ15
CLK “CKE =CSRAS =CAS行地址输入列地址输入银行选择地址数据I / O系统时钟输入时钟使能芯片选择行地址选通命令列地址选通命令WE DQMLDQMHVdd VSS =VDDQ VSSQ NC 写使能
x16 Lower Byte Input/Output Mask
x16 Upper Byte Input/Output Mask? =电源地电源的I / O引脚地面的I / O引脚无连接集成的芯片解决方案，公司 - 版本B06/11/095
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