跪求晶体二极管最大正向电流和最大工作电流区别和最大反向电压和稳定电压区别问题_百度知道
跪求晶体二极管最大正向电流和最大工作电流区别和最大反向电压和稳定电压区别问题
？最大反向电压和稳定电压有什么区别。。。？不要复制大篇的文章晶体二极管的最大正向电流和最大工作电流有什么区别。我只是高一的学生。最好讲的通俗易懂
提问者采纳
这是为了二极管的正常工作。这里的“击穿”是指状态，稳压二极管却恰恰是工作于反向击穿状态的二极管，稳压二极管是特制的。这是利用二极管反向击穿后，两端的反向电压基本保持稳定这个特性，指二极管能承受的正向电流最大值，二极管不能工作在击穿状态，并且能通过更大的击穿电流（但仍然要有限流措施），电压也比普通管低得多，指不至于引起二极管击穿的反向电压。
　最大工作电流。一但击穿且没有限流的话：UB。是稳压二极管反向击穿电压的专用称谓，因为二极管只能承受极微小的反向击穿电流。
　 最大正向电流，人为规定的一个数据，人为规定的一个数据，是“天生”的：URM，工作电压峰值不能超过URM，否则反向电流增大，指使二极管反向电流急剧大幅增大，这是二极管本身的属性：没有这个参数名称。然而，　　显然。这是为了二极管的正常工作，稳压二极管的稳压值：IFM，整流特性变坏甚至烧毁二极管。UB一般为URM的两倍，反向击穿电流瞬间就会烧坏二极管：Uz。
　最大反向电压，它击穿后两端的电压比普通二极管的更加稳定。实际通过的电流应该小于这个参数。
　 稳定电压，注意与元件的短路性损坏“击穿”加以区别。
　二极管有一个参数叫击穿电压。当然，产生击穿的电压很应该为学生解答
提问者评价
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不知道指的是什么，达到这个电压。稳定电压；最大反向电压：测试时用的是连续式的方法，这个二极管就废了：就是方向击穿时的电压最大正向电流：测试时用的是脉冲式的方法；最大工作电流
你好：——★1、晶体二极管的最大正向电流，和最大工作电流完全是一回事，是二极管可以提供的最大安全电流值，超过这个电流值会烧毁的。（最大工作电流值是二极管合格品的标称值，二极管个体存在差异，该电流值也是不同的）——★2、“最大反向电压”即反向击穿电压，当反向电压超过此电压时就会击穿损坏；稳定电压就是二极管的正向电压降，由于二极管个体存在差异，该电压值也不一样。举例：有的电路使用二极管来降压，而每一支二极管都不一样，要微调、更换的。
你好学弟！看得出来你很好学。1、最大正向电流：是指二极管在瞬间所能承受的最大电流，也叫浪涌电流（例如：整流二极管后面都要接滤波电容，当电源刚接通瞬间，要通过二极管给电容充电，这个瞬间电流很大直到电容被充满，二极管当然要经得起浪涌电流的冲击）；2、最大工作电流：是二极管正向长时间连续工作的最大电流，超过后将被烧毁；3、最大反向击穿电压：二极管具有单向导电特性，加反向电压是不导通的，但电压高到一定极限时，二极管被击穿，此时的电压就是最大反向电压，超过这个电压，二极管被击穿损坏。4、稳定电压：这个参数实际就是指二极管的反向击穿电压，但特定为稳压二极管的参数，因为稳压二极管就是设计工作在反向击穿下工作的特殊二极管，当加在稳压二极管的反向电压升高到击穿电压时，其两端电压值被嵌位，不再随着继续升高，起到稳定电压的作用。
最大正向电流：在规定散热条件下二极管能承受的最大正向瞬时电流。最大工作电流：是指二极管长期运行时允许流过的最大正向平均电流。最大反向电压：二极管运行时两端允许承受的最高反向电压（峰值）。超过时二极管有可能被反
向击穿。通常将二极管击穿电压的一半定为最大反向工作电压。稳定电压：在流过二极管的反向电流为规定的测试值时，稳压管两端的电压。
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二极管知识点和二极管实用电路(电子线路课件).ppt
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3秒自动关闭窗口什么是二极管_百度知道
什么是二极管
因此，那么。要求更高时有硅合金和扩散型，与面结型相比较。通常，正向驱动发光。当外界有反向电压偏置时。分类如下，并产生丰富的谐波分量，处于截止状态。以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流，对电路进行快速过压保护，把晶体二极管分类如下。
12，称为二极管的击穿现象。
13，通过合金铟。虽然其反方向耐压也是特别地高;层中的渡越时间效应，正向压降小，熔接银丝的二极管有时被称为银键型，多用于开关，不能使用于大电流和整流、合金扩散型二极管
它是合金型的一种，其特长是急速地变成关闭的转移时间显著地短。这种型号的二极管一般正向特性不太好或一般，PN结合的表面、SD46。阶跃二极管又被称为阶跃恢复二极管，用已形成的肖特基来阻挡反向电压、平面型二极管
在半导体单晶片（主要地是N型硅单晶片）上，为2AP型;本征&quot,简称二极管(diode)。被制作成为硅的扩散型或合金型，只保留PN结及其必要的部分，适用于高频小电流电路。
3。因此。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门坎电压”;区的阻抗很高。小电流的开关二极管通常有点接触型和键型等二极管，可变电抗器虽然和自动频率控制用的变容二极管的工作原理相同,具有恢复特性软。肖特基与PN结的整流作用原理有根本性的差异。当不存在外加电压时，在其界面处两侧形成空间电荷层：在金属（例如铅）和半导体（N型硅片）的接触面上，按正向和反向特性分类如下，而使&quot，从而产生高频振荡，流过二极管的正向电流十分微弱，从导通切换到关闭时的反向恢复时间trr短。也有这样的组件出售，由于载流子注入&quot、变容二极管
使用于电视机的高频头中、1N54A等等属于这类二极管，并建有自建电场。开关二极管的特长是开关速度快，加热N型锗或硅的单晶片、削波。在点接触型锗二极管中。阶跃恢复二极管的&quot，负极流出、外延结合型、限幅。
21;本征&quot，正向压降小。其特长是、根据用途分类
1，发光均匀：在PN结边界处具有陡峭的杂质分布区：硅二极管（不发光类型）正向管压降0。它主要用于大功率开关或稳压电路、检波二极管
在收音机中起检波作用、硅功率开关二极管
硅功率开关二极管具有高速导通与截止的能力、开关元件
二极管在正向电压作用下电阻很小。其工作频率可达100GHz，称为反向偏置;存贮时间&quot，称为二极管的“正向压降”。其半导体材料采用硅或砷化镓.3V）。必须说明，从输入信号中取出调制信号是检波。二，称为正向偏置，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。如、键型二极管
键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的，点接触型二极管正向特性和反向特性都差、磷砷化镓材料制成；在反向电压作用下，这种连接方式，正向压降小，也可以被应用于高速开关电路中。PIN中的I是&quot。面接触型二极管的“PN结”面积较大。
5，通常使用硅材料制造的二极管、整流二极管，按每隔10%。其正向起始电压较低；简并半导体P型区和N型区中的空穴和电子在同一能级上有交叠的可能性、肖特基二极管
基本原理是。
20，在电路中作为限幅元件。根据其不同用途，这种连接方式。发生隧道效应具备如下三个条件，它不仅能通过较大的电流，用作调谐回路、肖特基二极管 （Schottky Barrier Diode）二极管电路它是具有肖特基特性的&quot，体积小，它是高频和快速开关的理想器件;本征&quot。因此，发光二极管正向管压降为随不同发光颜色而不同。产生高频振荡的工作原理是栾的、脉冲及高频电路中。江崎二极管为双端子有源器件、稳压二极管，能划分成许多等级;它只往一个方向传送电流的电子零件，在500～10，有SD56。也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件，负极接在低电位端。
在电子电路中、雷达电源，工作电流小。在电路中。与PN结不可分割的点接触型和肖特基型;本征&quot，也被列入一般的二极管的范围内.5V）以后. 正向特性、隔离二极管、稳压二极管
是代替稳压电子二极管的产品，所以不适于高频检波和高频整流，其PN结的静电容量小、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型，将二极管的正极接在高电位端。并且。下面通过简单的实验说明二极管的正向特性和反向特性。就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。因此，但电抗器的构造却能承受大功率，根据PN结构造面的特点，熔接金丝的二极管有时被称金键型，从而形成&quot、移相，使电流流动或不流动的性质。
2。多作开关用。二极管的工作原理
二极管实物晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结。通过施加反向电压。因此，仍然会有微弱的反向电流流过二极管、计算器等显示器上、发光二极管
用磷化镓。由于是点接触、面接触型二极管及平面型二极管、双基极二极管（单结晶体管）
两个基极、肖特基二极管。贴片二极管一。[编辑本段]二极管的导电特性
二极管最重要的特性就是单方向导电性。
4;谷&金属半导体结&quot、PIN型二极管（PIN Diode）
这是在P区和N区之间夹一层本征半导体（或低浓度杂质的半导体）构造的晶体二极管，但是，高频高压整流二极管，允许通过较大的电流（几安到几十安）。即使其它变容二极管也有调制用途;区呈现出低阻抗状态;缩短了存贮时间.2V～200V）分类、过载能力强的优点。使用于高压电路的检波和整流，整流效率较高，其应用也非常[1]广泛，所以价格便宜、放大用二极管
用二极管放大、黄。合金材料是容易被扩散的材料。它是一种具有1个零件号接合的2个端子的器件，是正向和反向特性既不特别好，在负荷电阻特别低的情况下、铝等金属的方法制作PN结而形成的，用在电视机行扫描电路作阻尼和升压整流用、 雪崩二极管 (Avalanche Diode)
它是在外加电压作用下可以产生高频振荡的晶体管，按峰值功率（500W－5000W）和电压（8，在N型硅单晶片上仅选择性地扩散一部分而形成的PN结，形成一个“PN结”，工作频率小于KHz。
4。对于小信号的检波，因而、1N34A等等属于这一类，因而是理想的开关二极管，因载流子渡越晶片需要一定的时间，还能够用于限幅，还可以采用金、镍，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。
19。这类二极管、阻尼二极管
具有较高的反向工作电压和峰值电流，多采用肖特基型和点接触型二极管，二极管仍然不能导通。初期生产的台面型、变容二极管
用于自动频率控制（AFC）和调谐用的小功率二极管称变容二极管：利用雪崩击穿对晶体注入载流子;后才能降至最小值（反向饱和电流值）、可发红。对高传导键型二极管而言。
3，扩散P型杂质、限幅等电路中，又可分为点接触型二极管。三。其金属层除材料外.1V、整流用二极管
就原理而言，但正向特性特别优良，除用于检波外，反向电流会急剧增大，都要用到半导体二极管。结电容随反向电压VR变化。
10，而且性能稳定可靠、检波用二极管
就原理而言。在键型二极管中。快速关断（阶跃恢复）二极管用于脉冲和高次谐波电路中。当不存在外加电压时，所以在将不同的二极管并联的时候要接相适应的电阻，也不特别坏的中间产品、锁相环路，p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程，&quot。p-n结的反向击穿有齐纳击穿和雪崩击穿之分、调制、扩散型二极管
在高温的P型杂质气体中，二极管才能直正导通、寿命长。其反向特性尽管很差。
5、高传导点接触型二极管
它与高反向电阻型相反、1N56A等等。
7、整流。是反向击穿特性曲线急骤变化的二极管。
8，处于导通状态。因PN结正向电压降小，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起、高速电机调速及在驱动电路中作高频整流及续流箝拉。
8。江崎二极管可以被应用于低噪声高频放大器及高频振荡器中（其工作频率可达毫米波段）。
二极管的应用
1，以便在已经形成的PN结中获得杂质的恰当的浓度分布.01微米以下）、开关二极管，使反向电流快速截止，硅材料制作;V&quot：
1，电阻很大。类似点触型那样检波用的二极管。其剩余的部分便呈现出台面形。其结构上的特点是。
1;峰&quot。
9、高反向耐压点接触型二极管
是最大峰值反向电压和最大直流反向电压很高的产品。并且，并在PN结附近具有电荷存贮效应。最近，SD54、钛等材料，电流只能从二极管的正极流入。为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，结电容小、步进电机调速等方面。使用于高输入电阻的电路和高阻负荷电阻的电路中，由于少数载流子的存贮效应和&quot、显示元件
用于VCD、开关等电路。
11，定时电压读出电路中。当外界有正向电压偏置时、频率倍增用二极管
对二极管的频率倍增作用而言、台面型二极管
PN结的制作方法虽然与扩散型相同。由于半导体表面被制作得平整、钼，使其反向电流需要经历一个&quot、外延型二极管
用外延面长的过程制造PN结而形成的二极管;区、快速关断（阶跃恢复）二极管 (Step Recovary Diode)
它也是一种具有PN结的二极管;。隧道电流由这些简并态半导体的量子力学效应所产生。利用这些谐波分量可设计出梳状频谱发生电路，具有按照外加电压的方向，但是也可采用合金扩散型，放大用二极管通常是指隧道二极管，因此其特长是反向电阻高。
在电子电路中；在直流正向偏置时，因此、江崎二极管 （Tunnel Diode）
它是以隧道效应电流为主要电流分量的晶体二极管、混频和限幅等一般用途而言、高反向电阻点接触型二极管
正向电压特性和一般用二极管相同、直流变换器，主要用于把交流电变换成直流电的“整流”电路中。
二极管的管压降；用于开关;、广泛用于计算机。
2，适用于高频电路；②空间电荷层宽度必须很窄（0，也有从200mW至100W以上的产品，可以组成各种逻辑电路，只允许通过较小的电流（不超过几十毫安）。
6，负极接在高电位端，又称“死区电压”，可分为检波二极管。
14、OA81等等。其主要参数有峰谷电流比（IP／PV）、调制，并建有自建电场，此时二极管处于截止状态、根据构造分类
半导体二极管主要是依靠PN结而工作的，有SD38，使用大电流整流器的主流已由硅合金型转移到硅扩散型，以及用变容二极管的参量放大。其P型区的N型区是高掺杂的（即高浓度杂质的）、硅功率开关二极管. 反向特性，而作小电流开关用的型号则很多,000Hz的频率范围内， 使其PN结的静电容量发生变化;代表&quot，因而得名。对平面型二极管而言。二极管的类型
二极管种类有很多。这种锗材料二极管。由于肖特基二极管中少数载流子的存贮效应甚微，它的正向压降基本保持不变（硅管为0，硅管约为0。工作在反向击穿状态。因能随意地控制杂质的不同浓度的分布，故适宜于制造高灵敏度的变容二极管、根据特性分类
点接触型二极管，产生大量电子空穴对。锗材料点接触型，通常被使用于检波和整流电路中、旋转二极管
主要用于无刷电机励磁，所以输出波形急骤地被夹断：开关速度非常快。面结型，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，但它们通常是直接作为调频用。晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结，此时二极管中几乎没有电流流过，一般为2CW型，而小电流开关用的产品型号却很多，把不必要的部分用药品腐蚀掉、绿单色光，检波效率高。包括这两种型号在内，取代可变电容、一般用点接触型二极管
这种二极管正如标题所说的那样。
6。在零偏置或直流反向偏置时、温度稳定性好等优点、工作频率可达400MHz;本征&quot，在其界面处两侧形成空间电荷层，它具有频率易调，多以硅材料制作。如果对阶跃二极管施加正弦波，故而得名。点接触型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，因为这些二极管对于电压而言，硅管约为0，多为N型半导体；肖特基（SBD）硅大电流开关，动态电阻RZ很小，常用于电视机高频头的频道转换和调谐电路、1N38A。 二极管的特性与应用
几乎在所有的电子电路中。
18，因此，似乎大电流整流用的产品型号很少，速度快，分双极型和单极型两种，其反向饱和电流较以少数载流子导电的PN结大得多。
2、发光二极管;。而肖特基型二极管的开关时间特短.7V、继流二极管
在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起继流作用。
4，又把这种台面型称为扩散台面型，但使正向电阻变得足够小。
16。因此。按照管芯结构。
7，所以公认为是稳定性好和寿命长的类型，出现延迟时间，锗管为0。其耐压程度只有40V左右。2AK型点接触为中速开关电路用：①硅半导体整流二极管2CZ型，由于p-n 结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态、效率高。其基底材料是砷化镓和锗：①费米能级位于导带和满带内。作为控制电压和标准电压使用而制作的，也有在高温下还可能工作的硅扩散型，被使用于自动频率控制。
3，那么。正向电压降小，所以其频率响仅为RC时间常数限制。当其工作频率超过100MHz时。当外加的反向电压高到一定程度时，因tt（转移时间）短、体效应二极管和变容二极管，是对半导体材料使用扩散法而制成的，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档、台面型和平面型二极管。利用这一特性，所以。
6。此法适用于制造高灵敏度的变容二极管。这种器件是由多数载流子导电的，似乎使用于大电流整流用的型号很少，它在许多的电路中起着重要的作用，在电流和电压关系上就会出现负阻效应，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波，虽然键型二极管的PN结电容量稍有增加，对于被使用的半导体材料是采用外延法形成的.3V，以此法PN结。
15。工作电压低，二极管的正极接在低电位端。由于PN结在正向偏压下。二极管处于反向偏置时，适用于大电流整流，可以把PIN二极管作为可变阻抗元件使用，如同一只断开的开关。日本厂商方面也有其它许多叫法，适于大电流整流，有依靠变容二极管的频率倍增和依靠阶跃（即急变）二极管的频率倍增。对高传导点接触型二极管而言，其中；而下标&quot，以少数载流子导电，下标&P&quot。
二极管的电压与电流不是线性关系，它是诞生最早的半导体器件之一，有时也被应用于检波和电源整流（不大于50mA）；2CK型平面接触为高速开关电路用，MIS（金属－绝缘体－半导体）肖特基二极管可以用来制作太阳能电池或发光二极管，产生了数值很大的反向击穿电流，当加在二极管两端的正向电压很小时。它常被应用于高频开关（即微波开关）。因此，其阻抗值随偏置电压而改变，再通过电流法而形成的，因被氧化膜覆盖，二极管就会导通，相当于一只接通的开关，如收音机的检波等.7V，其二极管失去整流作用而变成阻抗元件。频率倍增用的变容二极管称为可变电抗器;意义的英文略语、DVD，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大、旋转二极管等、混频用二极管
使用二极管混频方式时.。在功率方面，不需要为调整PN结面积的药品腐蚀作用。二极管工作时的端电压（又称齐纳电压）从3V左右到150V，通以脉冲电流、整流二极管
利用二极管单向导电性。
2。与点接触型相比较。
5、混频，故能产生很多高频谐波，使单晶片表面的一部变成P型，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电，锗管约为0。因为构造简单，并且、双重扩散型等特殊制作的二极管。利用二极管的开关特性，其耐压受到限制;自助电场&quot，虽然是采用硅的扩散型二极管，所以其电流滞后于电压、开关用二极管
有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管、振荡电路。平面型二极管是一种特制的硅二极管、扫描振荡：SD34、限幅用二极管
大多数二极管能作为限幅使用。内部结构3，外界电场和自建电场进一步加强、钳位或检波等电路，其静电容量的变化率特别大，能够得到更优良的特性，若适当地控制渡越时间：反向恢复时间trr特别地短。
4，故又把平面型称为外延平面型，就能与合金一起过扩散。把难以制作的材料通过巧妙地掺配杂质，可以把信号幅度限制在一定范围内、限幅元件
二极管正向导通后。最初，利用硅片表面氧化膜的屏蔽作用，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0，它是应用范围较广的类型。因其PN结反向时静电容量大，按照所用的半导体材料、②硅桥式整流器QL型。其特性介于点接触型二极管和合金型二极管之间、瞬变电压抑制二极管
TVP管、合金型二极管
在N型锗或硅的单晶片上，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管），从输入交流中得到输出的直流是整流;的二极管，这种状态称为二极管的击穿、点接触型二极管
点接触型二极管是在锗或硅材料的单晶片上压触一根金属针后、也可作普通整流用.7V），用于张驰振荡电路，但反向电流小。但是;代表&quot，一个发射极的三端负阻器件、调制用二极管
通常指的是环形调制专用的二极管，就锗材料高反向电阻型二极管而言，能制作开关二极和低压大电流整流二极管。对于这一类型来说。制造时需要非常高超的技术，频率特性好。
1；将两个互补二极管反向串接以减少温度系数则为2DW型。也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管，二极管将失去单方向导电特性。它常被应用于微波领域的振荡电路中：依据限制电压需要、调频和调谐等用途;自助电场&quot有人答过的，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，我在复制一下二极管又称晶体二极管
什么是二极管？二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，还有早期的真空电子二极管；它是一种具有单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的转导性。一般来说，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的pn结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加...
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