为什么有一氧化碳,却没听说有一氧化硅.不要太深奥,主要是想知道硅和碳最外层电子数都是4为什么其氧化物有这么大差距_作业帮
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为什么有一氧化碳,却没听说有一氧化硅.不要太深奥,主要是想知道硅和碳最外层电子数都是4为什么其氧化物有这么大差距
为什么有一氧化碳,却没听说有一氧化硅.不要太深奥,主要是想知道硅和碳最外层电子数都是4为什么其氧化物有这么大差距
这个跟它们形成的氧化物的类型有关.二氧化碳和一氧化碳都是分子类型的但二氧化硅属于原子晶体,性质跟分子晶体是有很大区别的
有一氧化硅。可参考/view/161490.htm
那为什么一氧化硅在常温下就能被氧化
而一氧化碳却要点燃才能被氧化呢？
这个我不清楚
二氧化硅稳定呗 上传我的文档
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真空热蒸发镀膜的故障原因和处理方法
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工艺技术与材料ｄｏｉ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００３―３５３ｘ．２０１０．１１．００７酞菁铜蒸发镀膜工艺中膜厚控制参数的确定张松１ａ，席曦１ｂ，李文佳１ａ，吴甲奇１ａ，顾晓峰１ｂ，季静佳２，一，李果华１ａ’２（１．江南大学ａ．理学院；ｂ．通信与控制工程学院，江苏无锡２１４１２２；２．江苏省（尚德）光伏研究院，江苏无锡２１４０２８；３．尚德太阳能电力有限公司，江苏无锡２１４０２８）摘要：基于目前采用的膜厚仪中缺少必要的有机材料的参数（密度和声阻抗），采用真空蒸镀法，在抛光硅片上蒸镀不同显示值厚度下的酞菁铜薄膜，利用椭偏仪测量其真实膜厚，并使用数学软件ＭＡＴＬＡＢ，结合膜厚仪实时监控原理进行理论计算，拟合得到酞菁铜薄膜的参数――声阻抗Ｚｆ－０．０１ｇ／ｃａ３?ｓ，薄膜密度Ｄｆ－６．６８ｇ／ｃｍ３。验证实验结果表明，此参数输入膜厚仪中可以比较精确地控制薄膜厚度，显示值和实际测量值的差距约为３ａｍ。关键词：真空蒸镀；膜厚；声阻抗；薄膜密度；酞菁铜薄膜中图分类号：ＴＮ３０５．８文献标识码：Ａ文章编号：１００３―３５３Ｘ（２０１０）ｌｌ一１０７５―０３ＣｏｎｔｒｏｌＰａｒａｍｅｔｅｒｓｏｆＦｉｌｍ－ＴｈｉｃｋｎｅｓｓｏｆＣｕＰｃｂｙＶａｃｕｕｍＥｖａｐｏｒａｔｉｏｎＺｈａｎｇＳｏｎ９１ａ，ＸｉＸｉｌｂ，ＬｉＷｅｎｊｉａｌａ，ＷｕＪｉａｑｉｌａ，ＧｕＸｉａｏｆｅｎ９１ｂ，ＪｉＪｉｎｇｉｉａ２”，ＬｉＧｕｏｈｕａｌ８’２（１．ａ．ＳｃｈｏｏｌｏｆＳｃｉｅｎｃｅ；ｂ．ＳｃｈｏｏｌｏｆＣｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎａｎｄＣｏｎｔｒｏｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，＾ａｎｇｎａｎＵｍ钾ｒｓａｙ，耽捌２１４１２２，Ｃｈｉｎａ；２．Ｊｉａｎｇｓｕ（Ｓｕｎｔｅｃｈ）ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｆｏｒＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｗｕｘｉ２１４０２８，Ｃｈｉｎａ；３．ＳｕｎｔｅｃｈＰｏｗｅｒＷｕｘｉＧｏ．，删．，２１４０２８，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｂａｓｅｄｏｎｔｈｅｆａｃｔｔｈａｔａｃｏｕｓｔｉｃｔｈｅｆｉｌｍ－ｔｈｉｃｋｎｅｓｓｍｏｎｉｔｏｒｌａｃｋｓｓｏｍｅｎｅｃｅｓｓａｒｙｏｎｏｒｇａｎｉｃｍａｔｅｒｉａｌｐａｒａｍｅｔｅｒｓ（ｆｉｌｍｄｅｎｓｉｔｙａｎｄｃｈｉｐｉｍｐｅｄａｎｃｅ），ｔｈｅＣｕＰｃｔｈｉｎｆｉｌｍＷａｓｐｒｅｐａｒｅｄｔｈｅｐｏｌｉｓｈｉｎｇｓｉｌｉｃｏｎｗｉｔｈｄｉｆｆｅｒｅｎｔｄｉｓｐｌａｙｅｄｆｉｌｍ―ｔｈｉｃｋｎｅｓｓｖａｌｕｅｓｂｙｖａｃｕｕｍｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ．ＴｈｅｒｅａｌｔｈｉｃｋｎｅｓｓＷａｓｃｈｅｃｋｅｄｂｙｔｈｅｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ．ＣｏｍｂｉｎｅｄｗｉｔｈｔｈｅｍａｔｈｅｍａｔｉｃａｌｓｏｆｔｗａｒｅＭＡＴＬＡＢａｎｄｔｈｅｏｒｙａｎａｌｙｓｉｓ，ｔｈｅｆｉｔｔｉｎｇｒｅｓｕｌｔｓｏｆＣｕＰｃｆｉｌｍｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅａｃｏｕｓｔｉｃｉｍｐｅｄａｎｃｅＺｆｉｓ０．０１ｇ／ｃｍ３。８ａｎｄｔｈｅｆｉｌｍｄｅｎｓｉｔｙＤｆｉｓ６．６８ｓ／ｃｎｌｊ．Ａｎｕｍｂｅｒｏｆｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓｗｅｒｅｅｓｔａｂｌｉｓｈｅｄｔｏｖｅｒｉｆｙｔｈｅｆｉｔｔｉｎｇｐａｒａｍｅｔｅｒｓ．Ｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔｓｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｆｉｔｔｉｎｇｐａｒａｍｅｔｅｒｓｃｏｕｌｄａｃｃｕｒａｔｅｌｙｃｏｎｔｒｏｌｔｈｅｆｉｌｍｔｈｉｃｋｎｅｓｓ．ＴｈｅｄｉｆｆｅｒｅｎｃｅｂｅｔｗｅｅｎｔｈｅｄｉｓｐｌａｙｅｄｖａｌｕｅａｎｄｔｈｅｒｅａｌｖａｌｕｅｉＳａｂｏｕｔ３ｎｍ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ｖａｃｕｕｍｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ；ｆｉｌｍｔｈｉｃｋｎｅｓｓ；ａｃｏｕｓｔｉｃｉｍｐｅｄａｎｃｅ；ｆｉｌｍｄｅｎｓｉｔｙ；ＣｕＰｃｔｈｉｎｆｉｌｍＥＥＡＣＣ：０５２０Ｄ０引言自１９８６年Ｃ．Ｗ．Ｔａｎｇ…关于有机双层异质结电由于酞菁类化合物是具有７ｃ电子的共轭体系的化合物，具有优异的导电性、光电导性、电致发光性等，因此部分金属酞菁应用于有机太阳电池中，尤其酞菁铜和酞菁锌适合用于光伏电池的制作ｌ２｜。在采用真空蒸镀法制备有机太阳电池过程中，各层的池研究之后，有机太阳电池的研究逐渐成为热点。基金项目：教育部留学回国人员科研启动基金教外司留（［２００８］８９０）厚度控制尤其重要。实验中一般参照膜厚仪显示值来控制有机材料薄膜的蒸镀厚度。万方数据张松等：酞菁铜蒸发镀膜工艺中膜厚控制参数的确定膜厚测试仪中薄膜的声阻抗和密度是进行膜厚计算的关键参数。对于国内外公司生产的膜厚仪（如美国ｉ蕊ｃｏｎ公司）的软件中已经具备一定数量材料的薄膜密度和声阻抗，但主要是金属和金属化合物等无机材料，缺乏常用的有机半导体材料的参数，同时这方面数据也很难查到，基于以上事实，本文进行此项研究。在实验中可以先假定使用一套已有数据，如Ａｌ，然后将测得膜厚与膜厚仪显示的膜厚进行比较，通过数学软件计算可以确定ｚｆ和Ｄ，的具体值。１真空蒸镀与膜厚实时监控原理真空蒸发镀膜法（简称真空蒸镀）是在真空室中，加热蒸发容器中待形成薄膜的原材料，使其原子或分子从表面气化逸出，形成蒸汽流，入射到固体（称为衬底或基片）表面，凝结形成固态薄膜的一种工艺。真空蒸发沉积技术属于物理气相沉积的一种。蒸发源是蒸发装置的关键部件，根据蒸发源不同，真空蒸发镀膜法又可以分为电子束蒸发源蒸镀法、电阻蒸发源蒸镀法、高频感应蒸发源蒸镀法、激光束蒸发源蒸镀法等［３］。本实验采用的是电阻蒸发源蒸镀法。在蒸镀薄膜时，在真空腔内安装有膜厚仪探头，时刻将腔室内薄膜生长速率、薄膜沉积的厚度反映出来。膜厚仪测量膜厚及生长速率采用的是晶体振荡原理。晶体振荡器是根据晶体的固有振荡频率随其质量而变化的特性制造的。晶体的谐振基频．厂与晶体厚度ｔ有如下关系¨Ｊ，＝ｖ／Ａ＝ｖ／２ｔ（１）式中，秽是在厚度ｔ方向上波长为Ａ的弹性横波的传播速度。如果在晶体上沉积一层薄膜，其密度为Ｄ，，厚度为Ａ，。只要Ａｆ足够小，则膜本身的弹性尚未起作用，其总体性能仍接近于晶体本身的弹性，因而可以认为晶体增加了厚度（Ｄｆ／Ｄ。）Ａｆ，其中Ｄ。为晶体的密度。由此可得Ａｆ＝器（‘一，）ｎ＿Ｉ、，（２）－７￡，式中：Ｎ。为晶体的频率常数；Ａ为洁净晶体的频率。．．显然，对于厚膜，式（２）不再适用，考虑到；１０７６半导体技术第３５卷第１１期万方数据多层膜的声波反射，式（２）修正为【４】Ａ，＝ｃ嘉篑艺，胁。１｛ｚ，ｔａｎ［丌（，一瓮）】）ｃ３，式中：Ａｆ为薄膜厚度，单位ｎｍ；Ｎ。为Ａ。切割晶体频率常数，１．６６８×１０１２Ｈｚ?ｎｍ；Ｄ。为石英密度，２．Ｍ８ｇ∥ｃｍ３；Ｔ【为常数３．１４；Ｄｆ为膜材密度，单位ｇＩｎ／ｃｍ３；Ｚｆ为材料声阻抗，单位ｇ／ｃｍ３?ｓ；Ｆｑ为石英晶体的频率；Ｆ。为已镀的晶体频率。实验中使用的探头是Ａｕ箔，固有振荡频率为６ＭＨｚ。因此对于需要蒸镀的材料，理论上只要在膜厚仪中输入材料的密度和声阻抗，膜厚仪就可以通过计算得到真空腔室内的薄膜生长速率和沉积厚度，生长速率监控可以精确到０．０ｌｎｌｎ／ｓ，沉积厚度精度可以达到０．１ｎｍ。２实验２．１酞菁铜薄膜的制备酞菁铜薄膜采用辽宁聚智科技发展有限公司生产的双室多元蒸发镀膜机通过真空蒸镀法制备，膜厚监测采用ＴＭ６００膜厚仪。为保证膜质的均匀性，蒸镀过程中，基板以２０ｒ／ＩＩｌｉｎ速度旋转，同时基板与探头的位置固定不变。蒸镀电流为ｌｏｏＡ，真空度为６．０×１０。４Ｐａ下，制备膜厚（显示值）分别为２０，３０，４０，５０，６０和７０ｎｍ，实验前，石英舟和抛光硅片（基底）采用ＲＣＡ湿式化学清洗法…５。２．２薄膜实际厚度的测量采用美国Ｇａｅｒｔｎｅｒ公司制造的椭偏仪进行酞菁铜薄膜真实厚度的测量。２．３参数拟合采用ＭＡＴＬＡＢ软件【６Ｊ根据式（３）拟合出酞菁铜薄膜的声阻抗和密度，并输入膜厚仪中定义新材料进行膜厚控制，进行蒸镀实验验证。３结果与讨论３．１实验与拟合结果在制备有机电致发光器件或有机太阳电池时，无论ＣｕＰｃ作为电极缓冲层或有机有源层，它的厚度都不是很大，因此本次论文实验仅对７―３５ｎｍ的薄膜厚度进行校正，这个范围基本上就是有机光２０ｌＯ年１１月电器件中ＣｕＰｃ薄膜的使用范围。表１为拟合前实验数据，表中Ａｆ．ｓ，为显示膜厚值，Ａｆ…为测量膜厚值，Ｐｔｅｌａｔｉｖｅ为相对误差。表１拟合前实验数据Ｔａｂ．１Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｄａｔａｂｅｆｏｒｅｆｉｔｔｉｎｇ从表１中可以看到，膜厚仪的显示膜厚值与测量值有很大的差距，所以需要重新设定膜厚仪参数，以提高显示值的准确性。运用数学软件ＭＡＴＬＡＢ根据式（３）和采集实验数据，经过多次简化、拟合，得出酞菁铜薄膜的参数一声阻抗Ｚｆ＝０．０１ｇ／ｃｍ３?ｓ，密度Ｄｆ＝６．６８ｇ／ｃｍ３。将拟合得到的参数设置为材料参数进行蒸镀实验，控制薄膜厚度。随机选取膜厚（显示值）分别１０，１５，２０，２５，３０和３５ｎｍ，并用椭偏仪测量实际膜厚。数据结果如表２所示，表中９丑ｂ‘ｏｌ。怔为绝对误差。表２拟合后验证实验数据Ｔａｂ．２Ｖｅｒｉｆｉｃａｔｉｏｎｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｄａｔａａｆｔｅｒｆｉｔｔｉｎｇ从图ｌ（ａ）中可以看出，参数拟合后随着薄膜厚度的增加，相对误差有明显的下降趋势，总体低于３０％，相对于图中拟合前的１５０％左右，准确度有了很大的提高。与拟合前膜厚仪监测膜厚设定的参数相比较，拟合后得到的酞菁铜薄膜参数更接近实际值，因而可以比较准确地控制蒸镀薄膜的厚度，进而说明拟合后的膜厚仪显示值还是具有一定的参考价值。万方数据张松等：酞菁铜蒸发镀膜工艺中膜厚控制参数的确定序号（ａ）相对误差序号（ｂ）绝对误差图ｌ参数拟合前后相对误差散点图与拟合后绝对误差散点图Ｆｉｇ．１ＣｏｍｐａｒｅｄｓｃａｔｔｅｒｂｅｆｏｒｅａｎｄａｆｔｅｒｆｉｔｔｉｎｇａｂｏｕｔｒｅｌａｔｉｖｅｅｌＴＯｒａｎｄａｂｓｏｌｕｔｅｅｌＴＯＦ从图２与图３对比可以看到，拟合前薄膜厚度的显示值与测量值有很大的差距，而且随着薄膜厚度的增加，差距还有增大的趋势。从图ｌ（ｂ）中可以看到，拟合后薄膜厚度的显示值与测量值有很小的差距，而且随着薄膜厚度的增加，差距在３ｌｌｍ左右，保持稳定，说明拟合的效果还是很好的。呈、图２拟合前薄膜厚度的测量值与显示值散点图Ｆｉｇ．２Ｓｃａｔｔｅｒｏｆｍｅａｓｕ／＇ｅｄａｎｄｓｈｏｗｖａｌｕｅａｂｏｕｔｆｉｌｍｔｈｉｃｋｎｅｓｓｂｅｆｏｒｅｆｉｔｔｉｎｇ呈、序号图３拟合后薄膜厚度的测量值与显示值散点图Ｆｉｇ．３Ｓｃａｔｔｅｒｏｆｍｅａｓｕｒｅｄａｎｄｓｈｏｗｖａｌｕｅａｂｏｕｔｆｉｌｍｔｈｉｃｋｎｅｓｓａｆｔｅｒｆｉｔｔｉｎｇ（下转第１１２５页）韩宇龙等：基于垂直双轴结构太阳能光电跟踪系统研究参考文献：［１］沈文，ＬＥＥＥ，詹卫前．ＡＶＲ单片机Ｃ语言开发入门指导［Ｍ］．北京：清华大学出版社，２００９：２９９―３０７．［２］刘四洋，伍春生，彭燕昌．主动式双轴太阳跟踪控制器［Ｊ］．可再生能源，２００７，２５（６）：６９―７２．［３］ＳＴＲＥＥＴＭＡＮＢＧ，ＢＡＮＥＩＬＩＥＥＳＫ．Ｓｏｌｉｄｓｔａｔｅ作者简介：韩字龙（１９８８一），男．石家庄人，专长单片机、ＤＳＰ应用以及数学建模领域，曾获得国际大学生效学建模竞赛ＭＣＭ～等奖．目前正在负责一项大学生国家创新项目“石墨烯的金属掺杂与热稳定性研究”。参与共同完成省级大学生ＳＲＴＰ项目“太阳能电池光电跟踪系统”、东南大ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ学ＳＲＴＰ项目“基于ＧＳＭ的无线水表”；於正强（１９髓一）．男．江苏淮安人，专长ＡＶＲ编程，建模，曾获得国际大学生数学建模竞赛ＩＣＭ一等奖．参与共同完成省级大学生ＳＲＴＰ项目“太阳能电池光电跟踪系统”、负责完成东南大学电子学院ＳＲＴＰ项Ｈ。节能路灯管理系统”；吴旭峰（１９７３一），男，江苏南通人，物理电子学博士，副教授．主要从事光电子器件、技术及其应用和纳米光子学等方面的研究。ｄｅｖｉｃｅｓ［Ｍ］．北京：人民邮电出版社，２００９．［４］王尚文，高伟．黄树红．混合双轴太阳自动跟踪装置的研究［Ｊ］．可再生能源，２００７，２５（６）：ｌＯ―１３．［５］赵建根，高永全．五象限法太阳自动跟踪仪［Ｊ］．应用光学，２００１，２２（１）：３０―３２．（收稿日期：２０１０一０７―０１）（上接第１０７７页）３．２误差分析参考文献：［Ｉ］ＴＡＮＧＡＣＷ．Ｔｗｏｌａｙｅｒｏｒｇａｎｉｃｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｃｅｌｌ［Ｊ］．Ａｐｐｌｉｅｄ根据文献［７］中研究可知：蒸发电流为１００Ｐｈｙｓｉｃｓｌｅｔｔｅｒｓ，１９８６，４８（２）：１８３―１８５．，时，表面均方根粗糙度（简称粗糙度）的是３．５８［２３ＫＷＯＮＧＣＹ，ＤＪＵＲＩ§ＩｂａｓｅｄＣＡＢ，ＣＨＵＩＰＣ，ｅｔａ１．ａｍ。根据椭偏仪的测量原理旧】，薄膜表面粗ＰｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅＰｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃｓＳｃｈｏＲｋｙｓｏｌａｒｃｅＨｓ【Ｃ］／／ＯｒｇａｎｉｃＤｉｅｇｏ，ＣＡ，ＵＳＡ。糙会使入射偏振光发生散射等，令偏振光在反射前后偏振状态的变化上产生误差，从而使抛光硅片折射率、消光系数的测量与薄膜厚度的测量产生误差。而实验数据表２中，拟合后膜厚仪中薄膜厚度的显示值与实际测量值的差值为３～４ｎｍ。粗糙度３．５８１１１，ＰｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓｏｆＳＰＩＥ．Ｓａｎ２００３。４８０１：７―１４．［３］乔奇，季静佳．用真空蒸镀法制备ｍ背场的研究［Ｊ］．太阳能学报。２００８，２９（５）：５５５―５５９．［４］席曦．有机小分子太阳电池的研究［Ｄ］．无锡：江南大学理学院，２００９．［５］ＫＥＲＮＷ．Ｈａｎｄｂｏｏｋｏｆｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｗａｆｅｒｃｌｅａｎｉｎｇａｍ在差值范围之内，误差是可以接受的。４结论通过根据第一阶段实验数据的计算，晶振片频ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ［Ｍ］．ＮｅｗＪｅｒｓｅｙ：ＮｏｙｅｓＰｕｂｌｉｃａｔｉｏｎ，１９９３．［６］唐家德．ＭＡＴＬＡＢ在非线性曲线拟合中的应用研究［Ｊ］．电脑学习。２００８（２）：５７―５９．率随着薄膜厚度的增加而逐渐变小，同时拟合出酞菁铜薄膜的声阻抗和密度，可以比较准确地控制蒸镀薄膜的厚度。通过第二阶段实验数据的比对，显示值和实际测量值的差距比较小，基本上在３ｔｌｍ左右，在器件制作过程中影响很小，这个误差是可以接受的。在进行了多次简化和假设后取得的计算结果与实验结果之间有如此量级的误差也属正常，说明本论文分析的角度和方法、分析过程中的取舍都是比较合理的。通过此次实验工作，仪器的显示值与实际值基本吻合，在现有仪器能测量材料的基础上，开拓了测量新材料的应用，弥补了实验仪器应用中的空白。在以后研究工作中，可采用类似的方法对其他常用有机材料进行膜厚仪控制参数的确定，为今后研究工作的开展提供一定的方法。［７］李文佳．不同酞菁铜蒸发镀膜工艺对薄膜表面形貌的影响［Ｄ］．无锡：江南大学理学院，２０１０．［８］张宏琴，王海燕．椭偏仪的测量研究和误差分析［Ｊ］．大学物理实验，２００９，２２（２）：７９―８２．（收稿日期：２０１０―０６―２２）作者简介：张松（１９８４一）．男．河北保定人，硕士研究生，主要研究方向为硅太阳电池；李果华（１９５５一），男，河北邯郸人，博士，主要从事半导体光电器件与材料的研究，参与或主持铁道部基金．河北省自然科学基金的多项，在蹦口ＥｎｅｒｇｙＭａｔｅｒｉａｌ∞ｄＳｏｌａｒＣｅｌｌｓ、半导体学报等发表论文多篇。万方数据酞菁铜蒸发镀膜工艺中膜厚控制参数的确定作者：作者单位：张松， 席曦， 李文佳， 吴甲奇， 顾晓峰， 季静佳， 李果华， Zhang Song， Xi Xi，Li Wenjia， Wu Jiaqi， Gu Xiaofeng， Ji Jingjia， Li Guohua张松,李文佳,吴甲奇,Zhang Song,Li Wenjia,Wu Jiaqi(江南大学,理学院,江苏,无锡,214122)， 席曦,顾晓峰,Xi Xi,Gu Xiaofeng(江南大学,通信与控制工程学院,江苏,无锡,214122)， 季静佳,Ji Jingjia(江苏省(尚德)光伏研究院,江苏,无锡,214028;尚德太阳能电力有限公司,江苏,无锡,214028)， 李果华,Li Guohua(江南大学,理学院,江苏,无锡,214122;江苏省(尚德)光伏研究院,江苏,无锡,214028)半导体技术SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY)刊名：英文刊名：年，卷(期)： 参考文献(8条) 1.张宏琴;王海燕 椭偏仪的测量研究和误差分析[期刊论文]-大学物理实验 .李文佳 不同酞菁铜蒸发镀膜工艺对薄膜表面形貌的影响 20103.唐家德 MATLAB在非线性曲线拟合中的应用研究[期刊论文]-电脑学习 .KERN W Handbook of semiconductor wafer cleaning technology 19935.席曦 有机小分子太阳电池的研究 20096.乔奇;季静佳 用真空蒸镀法制备Al背场的研究[期刊论文]-太阳能学报 2008(05)7.KWONG C Y;DJURISI C A B;CHUI P C Phthalocyanine based Schottky solar cells 20038.TANG C W Two layer organic photovoltaic cell[外文期刊] 1986(02) 本文链接：http://d..cn/Periodical_bdtjs.aspx包含各类专业文献、幼儿教育、小学教育、中学教育、行业资料、各类资格考试、1铜蒸发镀膜工艺中膜厚控制参数的确定64等内容。
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西安工业学院
硕士学位论文
用霍尔无栅离子源进行离子束辅助镀膜的研究
姓名:秦君军
申请学位级别:硕士
专业:光学工程
指导教师:朱昌
用霍尔无栅离子源进行离子束辅助镀膜的研究
指导教师签字:
箕麦篡::掰
离子束辅助镀膜技术是受到国内外薄膜工作者重视的一种新技术,离子源
是离子束辅助蒸发、离子柬溅射等技术的关键装置。但是,在离子束辅助镀膜
过程中,大能量的离子束直接轰击基片表面,造成一些不可克服的缺点。为了
改善膜层性质,研制低能量、大束流、大辐照面积且均匀性好的离子源成为发
展的需要。≯
本文对一种新型离子源??霍尔无栅离子源进行了详细的研究。本文讨论
了离子束辅助镀膜和霍尔无栅离子源的工作原理,对霍尔无栅离子源的离子束
性能进行了测试,研究了霍尔无栅离子源在离子束辅助镀膜中的应用,和其它
离子源的区别,并论述了膜系设计的方法。偿研究、分析和实验测试,得出以
下结果:①霍尔无栅离子源的离子束流较犬;可达到安培量级,且离子源的离
子流分布均匀性较好,离子能量较低,在?范围内;②对增透
膜、越膜、膜和多层介质高反膜等光学薄膜进行研究,用霍
尔无栅离子源进行离子束辅助轰击后,各方面性质都远远优于无源轰击时;③
对霍尔无栅离子源和冷阴极离子源进行对比研究,发现两种离子源低能量和
高能量,各有优缺点,使用哪一种离子源要根据用户的需要来确定。、一//
关键词:霍尔无栅离子源;离子束辅助镀膜;光学薄膜;
一~.:望望;:
.课题研究背景及意义
..薄膜发展历史
薄膜光学是近代光学的一个重要分支。今天,几乎所有的光学或光电系统都
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