用MOS管做lm358恒流源电路

MOS管栅源电压一样,为啥电流不一样?
- 电子工程师超级俱乐部
MOS管栅源电压一样,为啥电流不一样?
做仿真时候,发现电流镜电流不一样书上不是说电流源的原理是栅源电压一样,电流一样吗?(管子都选择一样的管子)难道还和负载有关系?
MOS管是电压控制型器件,由于工艺等问题不要说同一个型号,就是同一个公司、同一个批次的伏(栅源电压)安(源电流)曲线也不一定一样,要做电流源必须要有反馈,将输出的电流信号反馈给输入端,才能使电流源稳定。
其他回答 (1)
这个问问forgot。
等待您来回答
该问题来自:21ic论坛是中国注册用户最多、最活跃、最权威的电子技术论坛,众多圈内牛人常驻答疑,是电子工程师学习、发展的乐园。理工学科领域专家第3章 恒流源电路_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员,立省24元!
评价文档:
第3章 恒流源电路|第章​ ​恒​流​源​电​路​ ​C​M​O​S​模​拟​集​成​电​路​分​析​与​设​计​(​第版​)​课​件
把文档贴到Blog、BBS或个人站等:
普通尺寸(450*500pix)
较大尺寸(630*500pix)
你可能喜欢恒流源电路_百度文库
两大类热门资源免费畅读
续费一年阅读会员,立省24元!
文档贡献者贡献于
评价文档:
10页免费38页免费4页免费4页¥2.003页免费 3页免费2页免费2页免费5页免费4页免费
喜欢此文档的还喜欢3页免费17页免费28页免费3页免费29页免费
恒流源电路|恒​流​源​电​路
把文档贴到Blog、BBS或个人站等:
普通尺寸(450*500pix)
较大尺寸(630*500pix)
大小:624.00KB
登录百度文库,专享文档复制特权,财富值每天免费拿!
你可能喜欢52RD研发论坛已升级,老版论坛仅供浏览,请访问新版论坛:
& 硬件研发论坛(Hardware R&D Forum)
& 三极管和mos管做开关用时候有什么区别
论坛升级中,停止回贴功能
等级:研发工程师帖子:71被删:0经验:439RD币:22.1来自:火星注册:
&|&&|&&|&&|& 发表于 21:34:121#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
三极管和MOS管都有开关导通性能,在使用上有什么区别的,在选择用三极管或者MOS管作为开关时,有什么考虑呢?[]
等级:高级工程师帖子:227被删:-2经验:3416RD币:2194来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 9:25:572#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
晶体管开关损耗大,mos管的话,相对就会小很多。其次,晶体管做开关管,开关频率要比mos管低,因为晶体管的有恢复时间长。+3 RD币
等级:高级工程师帖子:179被删:-2经验:974RD币:291来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 11:42:163#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
三极管基极电压会改变,如果还连到别处,会有影响+1 RD币
等级:实习生帖子:10被删:0经验:74RD币:59.1来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 9:11:084#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
三极管是靠电流来控制的,而mos管是靠电压控制其开关的.+1 RD币
flash等级:研发工程师帖子:62被删:-1经验:353RD币:116.4来自:深圳&南山注册:
&|&&|&&|& 发表于 22:06:025#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
学习中......大虾们能不能讲的详细点啊,比如说个例子画个图怎么的!谢谢!
等级:高级工程师帖子:231被删:-1经验:3080RD币:793.1来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 12:29:506#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
4 楼说的到位
等级:研发工程师帖子:59被删:-2经验:226RD币:183来自:火星注册:
&|&&|&&|&&|& 发表于 12:49:317#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
TTL中用三极管,TTL能驱动MOS,MOS不能驱动TTL+1 RD币
等级:助理工程师帖子:29被删:0经验:193RD币:43来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 14:59:278#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
Y一下:1.三O管作_P管用r是工作在和^和截止^2.一是流控制o一是嚎刂3.三O管开关频率要比mos管低,因为晶体管的有恢复时间长。+1 RD币
等级:实习生帖子:12被删:0经验:80RD币:23来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 23:53:279#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
同意4楼的,补充一点:MOS管是压控的电流源,三极管是流控的电流源
等级:实习生帖子:8被删:0经验:72RD币:11来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 21:02:2310#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
1、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,1、成本问题:三极管便宜,mos管贵。2、功耗问题:三极管损耗大。3、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管+3 RD币
等级:研发工程师帖子:55被删:0经验:213RD币:13来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 10:56:5811#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
怎么说那,就是一个是电流控制,一个是电压控制。电流控制反应速度比较慢,延时比较长。电压控制就是速度快,但是导通的电流能力相对较小。至于怎么用,具体情况具体分析,看楼主的了。+1 RD币
等级:高级工程师帖子:179被删:-2经验:974RD币:291来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 17:40:0812#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
一个最简单的理解,你打开了MOS,电平不会改变,你打开了BJT,电平变了0.7V了,就不能再去控制别的地方了+1 RD币
等级:实习生帖子:3被删:0经验:23RD币:7来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 22:05:1713#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
[quote]以下是引用cavalry_chen在 21:02:23的发言:1、工作性质:三极管用电流控制,MOS管属于电压控制,1、成本问题:三极管便宜,mos管贵。2、功耗问题:三极管损耗大。3、驱动能力:mos管常用来电源开关,以及大电流地方开关电路。实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制。MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。一般来说低成本场合,普通应用的先考虑用三极管,不行的话考虑MOS管[/quote]同意
LV等级:研究员帖子:611被删:-13经验:2600RD币:984.8来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 16:20:3014#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
screen.width-500)this.style.width=screen.width-500;">学习
多学习 多锻炼 多做事 多进步!!
等级:高级研究员帖子:1325被删:-12经验:5217RD币:1183.4来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 16:36:2115#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
MOS管用于数字信号的多 ????????你不会告诉我电源通路是数字电路吧???
等级:高级工程师帖子:230被删:-4经验:4488RD币:1942.6来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 17:09:4716#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
楼上的DX说得很明白了,我们一般是用MOS的。
海纳百川,有容乃大;壁立千仞,无欲则刚。
等级:研发工程师帖子:99被删:0经验:1169RD币:206.6来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 15:33:0817#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
建议看《晶体管电路设计》,看完了还不明白的就要打PP了,那本书真的很经典,可惜是JP写的
等级:版主帖子:1355被删:-18经验:5873RD币:3430.2来自:火星注册:
&|&&|&&|&&|& 发表于 12:46:4818#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
&&速度上,BJT慢,深饱和。&&最大承受电流上,BJT胜过MOS, 除非POWER MOSFET,一般MOS的沟道并不宽,只是base下面的一点点,而BJT整个接触面都可以传输电流。&&BJT有固定压降,MOS较小&&BJT和MOS谈不上谁便宜谁贵,关键看芯片本身的工艺,要能兼容且成本最低+1 RD币
It is an artwork that I have gain something insight......
等级:高级工程师帖子:163被删:-5经验:678RD币:25.6来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 16:05:5819#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
其实实际的应用中是BJT常用来做逻辑控制,而MOS管常用来做功率控制
等级:助理工程师帖子:28被删:0经验:244RD币:34来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 22:46:4620#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
carlos&& &&&& 等级:高级工程师 :&&一个最简单的理解,你打开了MOS,电平不会改变,你打开了BJT,电平变了0.7V了,就不能再去控制别的地方了 你说的不是很了解,可以具体讲讲吗?
等级:研发工程师帖子:55被删:0经验:213RD币:13来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 9:12:0321#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
0.7V是pn结节电压
等级:资深工程师帖子:317被删:-4经验:1189RD币:81.1来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 15:16:1222#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
efficiency: MOS>BJTrecovery speed: MOS>BJT+1 RD币
等级:高级工程师帖子:227被删:-2经验:3416RD币:2194来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 0:37:1223#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
书上一般都说晶体管是电流控制型,但我认为把它也理解为电压控制型更合理,因为一般都是控制基极的电压来实现的,虽然实际的输出是跟输入的基极的电流大小直接相关的,但毕竟也是通过改变电压来实现的。即使输入到基极的电流来自恒流源,那调节恒流的方法也是通过调节固定电压上的负载来实现,真正起作用的仍然是电压。再说了,只有有了电位差,才会有电流流动。
等级:高级工程师帖子:227被删:-2经验:3416RD币:2194来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 19:52:2624#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
实际上说电流控制慢,电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的,已npn管射极跟随器为例,当基极加不加电压时,基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴,发射区为电子)的扩散运动,在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场),当基极外加正电压的指向为基区指向发射区,当基极外加电压产生的电场大于内建电场时,基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区,此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在,此时如果集电极-发射极加正电压,在电场作用下,发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动),由于基区宽度很小,电子很容易越过基区到达集电区,并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极),为维持平衡,在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动,而空穴则为pn结处运动,此过程类似一个雪崩过程。集电极的电子通过电源回到发射极,这就是晶体管的工作原理。三极管工作时,两个pn结都会感应出电荷,当做开关管处于导通状态时,三极管处于饱和状态,如果这时三极管截至,pn结感应的电荷要恢复到平衡状态,这个过程需要时间。而mos三极管工作方式不同,没有这个恢复时间,因此可以用作高速开关管。
路在何方等级:高级工程师帖子:208被删:-1经验:1333RD币:361.7来自:火星注册:
&|&&|&&|& 发表于 9:07:4225#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
[quote]以下是引用z_xiaojun在 22:46:46的发言:carlos&& &&&&等级:高级工程师 :&&一个最简单的理解,你打开了MOS,电平不会改变,你打开了BJT,电平变了0.7V了,就不能再去控制别的地方了 你说的不是很了解,可以具体讲讲吗?[/quote]以前我也不明白,后来在一次调试中才理解了,当三极管导通时Vbe间的压降接近于0.7V,因此假设原来基极的高电平为3.3V,导通后基极的电平是否被拉低到0.7V了。因此为了避免驱动端的电平被拉低,一般都在基极串已电阻。
等级:研发工程师帖子:62被删:0经验:230RD币:25.5来自:广东&广州注册:
&|&&|&&|& 发表于 13:09:3126#
此页为旧版论坛,仅供浏览,请访问新版论坛:
受教了。好内容}

我要回帖

更多关于 恒流源 的文章

更多推荐

版权声明:文章内容来源于网络,版权归原作者所有,如有侵权请点击这里与我们联系,我们将及时删除。

点击添加站长微信